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频率组合对容性耦合等离子体SiO_2刻蚀的影响 被引量：1
1
作者 杨玲 杨磊 辛煜 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2010年第4期53-56,共4页
使用两种频率组合(60 MHz/2 MHz,41 MHz/13.56 MHz)激发产生容性耦合等离子体,通过改变源气体流量比、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀的实验研究.结果表明,两种频率组合中,SiO2的刻蚀速率随放电源功率和射频自偏压的增大... 使用两种频率组合(60 MHz/2 MHz,41 MHz/13.56 MHz)激发产生容性耦合等离子体,通过改变源气体流量比、射频源功率、自偏压等条件进行了SiO2介质刻蚀的实验研究.结果表明,两种频率组合中,SiO2的刻蚀速率随放电源功率和射频自偏压的增大而单调上升,然而,两种频率组合中SiO2的刻蚀速率随气体流量比的变化呈现出不一样的趋势:在6%流量比时,60 MHz/2 MHz频率组合中SiO2的刻蚀速率达到最小值,而41 MHz/13.56 MHz频率组合中SiO2的刻蚀速率达到最大值;随后60 MHz/2 MHz频率组合的刻蚀速率随着流量比的增加有所增加,而41 MHz/13.56 MHz频率组合的刻蚀速率随着流量比的增加呈现出先增加后减少的趋势,并且在20%之后表现出了沉积效果.60 MHz/2 MHz频率组合的SiO2介质刻蚀后的粗糙度优于41 MHz/13.56 MHz. 展开更多
关键词 电容耦合等离子体 刻蚀 粗糙度
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CHF_3等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的机理分析 被引量：1
2
作者 崔进 刘卉敏 +1 位作者 邓艳红 叶超 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2011年第1期48-51,57,共5页
通过对SiCOH低k薄膜刻蚀后的表面状态分析、等离子体空间活性基团分析,并通过调节刻蚀时的离子轰击能量,从实验上研究了碳氟等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的基本过程,发现刻蚀过程中SiCOH薄膜表面的C:F沉积、到达SiCOH薄膜表面的F原子密度... 通过对SiCOH低k薄膜刻蚀后的表面状态分析、等离子体空间活性基团分析,并通过调节刻蚀时的离子轰击能量,从实验上研究了碳氟等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的基本过程,发现刻蚀过程中SiCOH薄膜表面的C:F沉积、到达SiCOH薄膜表面的F原子密度以及传递到SiCOH薄膜表面的能量是决定SiCOH薄膜刻蚀的主要因素,符合Sankaran的碳氟等离子体刻蚀SiO2薄膜模型.在等离子体空间的CF2基团浓度较低、F基团浓度较高时,并且施加给待刻蚀薄膜的偏置功率较高时,SiCOH薄膜表面沉积的C:F薄膜层较薄,有利于等离子体空间的F基团和离子轰击薄膜的能量传递到SiCOH薄膜表面,从而使SiCOH薄膜表面的F、Si反应几率增大,实现SiCOH薄膜的有效刻蚀. 展开更多
关键词 SiCOH薄膜刻蚀 CHF3等离子体 双频电容耦合放电
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O_2流量对O_2/C_4F_8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的影响
3
作者 刘卉敏 周峰 +2 位作者 崔进 邓艳红 叶超 《苏州大学学报（自然科学版）》 CAS 2011年第2期53-57,共5页
研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分... 研究了O2/C4F8等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜时O2流量对刻蚀率、表面结构的影响,及其放电等离子体特性的关联.发现O2流量的增大可以极大地提高多孔SiCOH薄膜的刻蚀速率,降低表面的粗糙度,减少SiCOH薄膜表面的C:F沉积.等离子体特性的光谱分析表明,O2的添加,增强了C与O之间的反应,从而在Si、F反应刻蚀Si的同时,C、O之间的反应使C消耗,实现Si、C的同步刻蚀,从而获得SiCOH低k薄膜的高刻蚀率和低粗糙度表面. 展开更多
关键词 SiCOH薄膜刻蚀 O2/C4F8等离子体 双频电容耦合放电
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1x nm DRAM电容孔刻蚀工艺研究 被引量：1
4
作者 侯剑秋 于新新 +5 位作者 孙玉乐 周娅 李振兴 鲍锡飞 张泳富 胡增文 《微纳电子与智能制造》 2021年第4期92-102,共11页
电容(储存单元)是DRAM(动态随机存取存储器)非常关键的结构。由于高深宽比电容孔刻蚀的限制,随着器件尺寸越来越小,同时实现足够的电容值、最小化存储单元之间的漏电和最大化存储阵列密度变得越来越具有挑战性。为了构建小尺寸和笔直剖... 电容(储存单元)是DRAM(动态随机存取存储器)非常关键的结构。由于高深宽比电容孔刻蚀的限制,随着器件尺寸越来越小,同时实现足够的电容值、最小化存储单元之间的漏电和最大化存储阵列密度变得越来越具有挑战性。为了构建小尺寸和笔直剖面的电容孔,我们在此基于在中微CCP干法刻蚀机上的实验结果提供了一些工艺解决方案,例如激发等离子体的射频功率、刻蚀化学气体和逐步刻蚀调整等。这些解决方案主要针对工艺挑战包括工艺剖面不弯曲、大的底部尺寸和良好的底部圆度等。而且,我们根据经验和相关知识提出了相应的机理,涉及但不限于电容耦合式等离子体刻蚀过程中的聚合物沉积、离子轰击和化学反应等。 展开更多
关键词 动态随机存取存储器 器件电容结构 电容耦合式等离子体刻蚀 高深宽比刻蚀 介质刻蚀
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等离子体刻蚀工艺的物理基础 被引量：19
5
作者 戴忠玲 毛明 王友年 《物理》 CAS 北大核心 2006年第8期693-698,共6页
介绍了等离子体刻蚀工艺背景以及有关等离子体刻蚀机理的研究进展,综述了等离子体刻蚀机理的研究方法,着重阐述了电容耦合放电和电感耦合放电等离子体物理特性,特别是双频电容耦合放电等离子体和等离子体鞘层研究中的关键问题.
关键词 等离子体 刻蚀 电容耦合放电 电感耦合放电 双频 鞘层
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ICP刻蚀优化及在多波长分布反馈式激光器阵列中的应用 被引量：4
6
作者 饶岚 忻向军 +2 位作者 李灯熬 王任凡 胡海 《激光与光电子学进展》 CSCD 北大核心 2017年第3期194-199,共6页
研究了CH_4/H_2/Cl_2感应耦合等离子体刻蚀技术中的关键工艺参数对刻蚀性能的影响。通过对CH_4/H_2/Cl_2气体流量及流量比的优化,在自行设计的InP/InGaAlAs多量子阱结构的外延片上,实现了一种高速低损耗、形貌良好的Bragg光栅制作方法... 研究了CH_4/H_2/Cl_2感应耦合等离子体刻蚀技术中的关键工艺参数对刻蚀性能的影响。通过对CH_4/H_2/Cl_2气体流量及流量比的优化,在自行设计的InP/InGaAlAs多量子阱结构的外延片上,实现了一种高速低损耗、形貌良好的Bragg光栅制作方法。基于优化后的工艺参数制作了多周期结构的λ/4相移光栅,实现了单片集成的四波长1.3μm分布反馈式激光器阵列。该激光器阵列中激光器的阈值电流典型值为11mA,外微分效率可达0.40 W/A,且实现了边摸抑制比大于46dB的稳定的单纵模激光输出。研究结果表明优化后的ICP光栅刻蚀工艺具有良好的刻蚀精度和可靠性。 展开更多
关键词 激光器 分布反馈式激光器阵列 感应耦合等离子体刻蚀 InP/InGaAlAs 片上集成
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