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电流增益截止频率为441 GHz的InGaAs/InAlAs InP HEMT
1
作者 封瑞泽 曹书睿 +4 位作者 冯识谕 周福贵 刘同 苏永波 金智 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第3期329-333,共5页
本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.... 本文设计并制作了fT>400 GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMT)。采用窄栅槽技术优化了寄生电阻。器件栅长为54.4 nm,栅宽为2×50μm。最大漏极电流IDS.max为957 mA/mm,最大跨导gm.max为1265 mS/mm。即使在相对较小的VDS=0.7 V下,电流增益截止频率fT达到了441 GHz,最大振荡频率fmax达到了299 GHz。该器件可应用于太赫兹单片集成放大器和其他电路中。 展开更多
关键词 铟磷高电子迁移率晶体管(InP HEMTs) INGAAS/INALAS 电流增益截止频率(f_(T)) 最大振荡频率(f_(max)) 栅槽
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双极型晶体管电流增益温度特性的研究 被引量：3
2
作者 赵利 张小玲 +4 位作者 陈成菊 谢雪松 齐浩淳 吕长志 肖文杰 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期233-236,共4页
修正了电流增益表达式。对样品3DK105B在不同温度点下进行测试分析。考虑样品理想因子n随温度的变化、VBE随温度的变化,以及禁带宽度随温度变化对电流增益的影响,对电流增益表达式进行了修正,使修正后的结果更加接近实际测试结果。
关键词 双极型晶体管 温度特性 电流增益
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考虑线路参数非线性特征的零序电流增益分析 被引量：9
3
作者 陈昊 王玉荣 周永荣 《中国电力》 CSCD 北大核心 2014年第1期35-38,共4页
单相接地是电网的常见故障,线路发生单相接地故障时,保护动作三相跳闸后,后跳开侧零序电流有时出现突变的现象。故障波形分析表明,这种零序电流增益在一定程度上受线路参数非线性特征的影响。为此,在考虑线路参数非线性特征基础上,分析... 单相接地是电网的常见故障,线路发生单相接地故障时,保护动作三相跳闸后,后跳开侧零序电流有时出现突变的现象。故障波形分析表明,这种零序电流增益在一定程度上受线路参数非线性特征的影响。为此,在考虑线路参数非线性特征基础上,分析线路非线性参数和故障点位置参数与零序电流的定量关系,为更好地解释故障过程及理解故障后的保护行为提供依据,仿真结果表明了该理论分析的准确性。 展开更多
关键词 单相接地故障 零序电流增益 三相跳闸 线路零序阻抗
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扩口微通道板对电流增益和噪声因子关系的影响 被引量：7
4
作者 傅文红 常本康 《应用光学》 CAS CSCD 2004年第5期22-24,共3页
　介绍了MCP产生光子散射和电子散射的机理.提出对微通道板输入表面采用扩口技术提高微通道板的开口面积比,从而降低微通道板噪声的方法。建立了漏斗型MCP的数学模型,给出了降低MCP的噪声因子及提高电流增益的理论依据,为低噪声MCP进一... 　介绍了MCP产生光子散射和电子散射的机理.提出对微通道板输入表面采用扩口技术提高微通道板的开口面积比,从而降低微通道板噪声的方法。建立了漏斗型MCP的数学模型,给出了降低MCP的噪声因子及提高电流增益的理论依据,为低噪声MCP进一步的工艺研究打下了基础。 展开更多
关键词 微通道板 扩口MCP 电流增益 操声因子 开口面积比
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具有高电流增益-击穿电压优值的新型应变Si/SiGeHBT 被引量：1
5
作者 金冬月 胡瑞心 +5 位作者 张万荣 高光渤 王肖 付强 赵馨仪 江之韵 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期1321-1325,共5页
为了改善器件的高压大电流处理能力,利用SILVACOTCAD建立了应变Si/SiGe HBT模型,分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响.虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下实现基区Ge组分的高掺杂,进而增大电流增益.但器件的击穿电压仍然... 为了改善器件的高压大电流处理能力,利用SILVACOTCAD建立了应变Si/SiGe HBT模型,分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响.虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下实现基区Ge组分的高掺杂,进而增大电流增益.但器件的击穿电压仍然较低,不利于输出功率的提高和系统信噪比的改善.考虑到集电区设计对电流增益影响不大但与器件击穿电压密切相关,在采用虚拟衬底结构的同时,对器件的集电区进行选择性注入设计.该设计可在集电区引入横向电场,进而提高击穿电压.结果表明:与传统的SiGe HBT相比,新器件的电流增益和击穿电压均得到显著改善,其优值β·V_(CEO)。改善高达14.2倍,有效拓展了微波功率SiGe HBT的高压大电流工作范围. 展开更多
关键词 应变Si/SiGe HBT 选择性注入集电区 击穿电压 电流增益
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PNP型SiGe HBT的电流增益与Ge组分研究 被引量：1
6
作者 王喜媛 张鹤鸣 +1 位作者 戴显英 胡辉勇 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第6期8-11,20,共5页
在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益。文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析,认为其它条件相同时,梯形分布的PNP SiGe HBT的放大系数最大,... 在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益。文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析,认为其它条件相同时,梯形分布的PNP SiGe HBT的放大系数最大,而且梯形和三角形随Ge的增大而增大,但是矩形分布在Ge组分增大到一定数值后开始减小,本文从能带结构和势垒角度对此进行讨论。 展开更多
关键词 PNP型SiGeHBT 电流增益 异质结晶体管 计算机模拟 锗组分
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GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析 被引量：1
7
作者 庄宝煌 黄美纯 +1 位作者 朱梓忠 李开航 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期206-211,共6页
通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了 GAT的雪崩击穿特性 ,并且定量解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结果。
关键词 电流增益 雪崩击穿电压 兼容性 功率晶体管
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达林顿晶体管中稳定电阻对电流增益及电流分配的影响行为 被引量：1
8
作者 王培林 杨晶琦 宫立波 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期49-54,共6页
在达林顿晶体管中,由于稳定电阻的引入,使电流增益和各级管间集电极电流分配关系发生了变化.当稳定电阻很小时会造成电流增益的严重下降。本文对稳定电阻的影响行为进行了定量分析,并提出了电流增益和电流分配不受稳定电阻影响时稳定电... 在达林顿晶体管中,由于稳定电阻的引入,使电流增益和各级管间集电极电流分配关系发生了变化.当稳定电阻很小时会造成电流增益的严重下降。本文对稳定电阻的影响行为进行了定量分析,并提出了电流增益和电流分配不受稳定电阻影响时稳定电阻间比值P、稳定电阻基本值R、基极电流I_B 之间应满足的公式。文中图示的曲线族可供达林顿晶体管设计参考. 展开更多
关键词 达林顿晶体管 电流增益 电流分配
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镀锌钢板电阻点焊电流增益补偿曲线优化 被引量：1
9
作者 万斌 胡心彬 董仕节 《长江大学学报（自科版）（上旬）》 CAS 2010年第3期312-314,共3页
采用电流增益补偿的控制方法,以解决汽车用镀锌钢板电阻点焊的质量问题。通过一系列试验并结合电极帽的失效情况,绘制出优化的电流增益曲线。该曲线可保证获得合格的焊点熔核尺寸,且焊点强度高、质量稳定可靠,优于原有的电流台阶曲线,... 采用电流增益补偿的控制方法,以解决汽车用镀锌钢板电阻点焊的质量问题。通过一系列试验并结合电极帽的失效情况,绘制出优化的电流增益曲线。该曲线可保证获得合格的焊点熔核尺寸,且焊点强度高、质量稳定可靠,优于原有的电流台阶曲线,为实际生产提供了可靠的试验数据。 展开更多
关键词 镀锌钢板 电阻点焊 电流增益曲线 熔核直径 电极磨损
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低温下双极型晶体管电流增益和基区杂质浓度的新关系 被引量：1
10
作者 郑茳 魏同立 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期115-116,共2页
近年来,低温(77K)微电子器件和电路的研究得到了国际上广泛重视,已成为半导体学科十分重要和活跃的领域之一.本文建立了低温下双极型晶体管电流增益和基区杂质浓度的新关系,这将成为低温双极型晶体管设计的重要理论依据.以n^+pn型晶体... 近年来,低温(77K)微电子器件和电路的研究得到了国际上广泛重视,已成为半导体学科十分重要和活跃的领域之一.本文建立了低温下双极型晶体管电流增益和基区杂质浓度的新关系,这将成为低温双极型晶体管设计的重要理论依据.以n^+pn型晶体管为例进行分析,当基区杂质浓度N_B小于N_0=1×10^(17)cm^(-3)时,基区中无禁带变窄效应的存在,此时电流增益H_(FE)将随基区杂质浓度N_B上升而下降. 展开更多
关键词 双极型 晶体管 电流增益 杂质浓度
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低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟 被引量：1
11
作者 黄流兴 魏同立 +1 位作者 郑茳 曹俊诚 《电子科学学刊》 CSCD 1994年第2期207-211,共5页
本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅/单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应,采用有效复合速度方法,建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。
关键词 双极晶体管 发射极 电流增益
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多晶硅发射极晶体管电流增益工艺稳定性研究 被引量：1
12
作者 阚玲 刘建 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第4期589-592,共4页
针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流Ib存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界... 针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流Ib存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界面氧化层厚度一致性差、波动大是电流增益异常波动的主要原因。该研究结果为解决类似问题提供了有价值的参考。 展开更多
关键词 多晶硅发射极晶体管 电流增益 界面氧化层 自然氧化层
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用GAT器件实现高电压与高频率、高电流增益兼容的定量分析
13
作者 庄宝煌 黄美纯 +3 位作者 朱梓忠 张志鹏 李开航 吴丽清 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期831-836,共6页
通过作者最近建立的关于GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型。
关键词 功率器件 基区穿通电压 频率 电流增益 GAT器件
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基区复合对nSi/pSi_(1-x)Ge_x/nSi晶体管共射极电流增益的影响
14
作者 安俊明 李建军 +3 位作者 魏希文 沈光地 陈建新 邹德恕 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期188-193,共6页
采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对 n Si/p Si1- x Gex/n Si应变基区异质结双极晶体管 ( HBT)共射极电流放大系数 β的影响 ,给出了 Si1- x Gex HBT的 Gummel图、平衡能带图 .得出在靠近发射结附近基区的复合电流是引起 β... 采用二维数值模拟方法详细分析了基区复合电流对 n Si/p Si1- x Gex/n Si应变基区异质结双极晶体管 ( HBT)共射极电流放大系数 β的影响 ,给出了 Si1- x Gex HBT的 Gummel图、平衡能带图 .得出在靠近发射结附近基区的复合电流是引起 β下降的主要因素 ,并给出了减小基区复合电流的 Ge分布形式 . 展开更多
关键词 双极晶体管 异质结 应变基区 共射极电流增益
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77K下电流增益为2.6万的SiGe/Si HBT
15
作者 邹德恕 陈建新 +6 位作者 徐晨 魏欢 史辰 杜金玉 高国 邓军 沈光地 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期51-52,55,共3页
通过优化设计ＳｉＧｅ／Ｓｉ ＨＢＴ的纵向参数，找到一种低温工艺方法，研制出了在液氮温度下电流增益达到２６０００的高增益异质结晶体管。
关键词 HBT 电流增益 锗化硅 异质结晶体管
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高电流增益SiC BMFET功率特性的优化研究
16
作者 张林 谷文萍 +3 位作者 徐小波 李清华 高云霞 胡笑钏 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期558-561,共4页
研究了栅电流及结构参数对SiC双极模式场效应晶体管(BMFET)功率特性的影响。仿真研究的结果表明,SiC BMFET器件的开态电阻和电流增益都会随着栅电流的上升而显著下降。沟道掺杂浓度越低,沟道宽度越窄,双极模式调制器件开态电阻的效果越... 研究了栅电流及结构参数对SiC双极模式场效应晶体管(BMFET)功率特性的影响。仿真研究的结果表明,SiC BMFET器件的开态电阻和电流增益都会随着栅电流的上升而显著下降。沟道掺杂浓度越低,沟道宽度越窄,双极模式调制器件开态电阻的效果越明显,但同时电流增益会降低。相比于单极模式SiC结型场效应晶体管(JFET),SiC BMFET可以显著提升器件的FOM优值,降低器件功率特性对结构参数的敏感度,同时降低了常关型器件的设计难度。 展开更多
关键词 碳化硅 双极模式场效应晶体管 电流增益
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高电流增益截止频率的AlGaN/GaN HEMT器件研制
17
作者 邹学锋 吕元杰 +2 位作者 宋旭波 郭红雨 张志荣 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期103-107,114,共6页
基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长Si重掺杂的n+GaN工艺,在AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)中实现非合金的欧姆接触,该工艺将器件有效源漏间距缩小至1μm。结合60nm直栅工艺,制备了高电流增益截止频率(fT)的AlGaN/GaNHEM... 基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长Si重掺杂的n+GaN工艺,在AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)中实现非合金的欧姆接触,该工艺将器件有效源漏间距缩小至1μm。结合60nm直栅工艺,制备了高电流增益截止频率(fT)的AlGaN/GaNHEMT器件。器件尺寸的缩小大幅提升了器件的直流和射频特性。漏偏压为5V下,器件的最大直流峰值跨导达到440mS/mm;栅偏压为1V时,最大漏源饱和电流密度达到1.68A/mm。根据射频小信号测试结果得到器件的fT达到175GHz,最大振荡频率(fmax)达到76GHz,研究了干法刻蚀对再生长n+GaN欧姆接触电阻的影响,同时对比分析了60nm直栅和T型栅对器件频率特性的影响。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN 再生长n+GaN 非合金欧姆接触 纳米栅 电流增益截止频率
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低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型
18
作者 黄流兴 魏同立 郑茳 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期103-105,共3页
本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍，界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素，以及禁带变窄效应、低温下的载流子冻析效应和浅能级补偿杂质陷阱效应，建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析... 本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍，界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素，以及禁带变窄效应、低温下的载流子冻析效应和浅能级补偿杂质陷阱效应，建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型，对电流增益和截止频率的温度关系进行了理论分析并与３００Ｋ和７７Ｋ下的实测结果进行了比较。 展开更多
关键词 双极晶体管 多晶硅发射极 电流增益 截止频率 低温
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电流增益截止频率为236 GHz的InAlN/GaN高频HEMT
19
作者 宋旭波 吕元杰 +4 位作者 刘晨 魏碧华 房玉龙 韩婷婷 冯志红 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期275-278,299,共5页
研制了高电流增益截止频率(f_T)的In Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺将器件源漏间距缩小至600 nm,降低了源、漏寄生电阻,有利于改善器件的寄生效应;使用低压化学... 研制了高电流增益截止频率(f_T)的In Al N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMT)。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长n^+GaN非合金欧姆接触工艺将器件源漏间距缩小至600 nm,降低了源、漏寄生电阻,有利于改善器件的寄生效应;使用低压化学气相沉积(LPCVD)生长SiN作为栅下介质,降低了InAlN/GaN HEMT栅漏电;利用电子束光刻实现了栅长为50 nm的T型栅。此外,还讨论了寄生效应对器件f_T的影响。测试结果表明,器件的栅漏电为3.8μA/mm,饱和电流密度为2.5 A/mm,f_T达到236 GHz。延时分析表明,器件的寄生延时为0.13 ps,在总延时中所占的比例为19%,优于合金欧姆接触工艺的结果。 展开更多
关键词 InAlN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 再生长n+GaN欧姆接触 电流增益截止频率 低压化学气相沉积(LPCVD)
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达林顿功率晶体管电流增益的计算机模拟
20
作者 高勇 赵旭东 +1 位作者 陈治明 尹贤文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期24-28,共5页
本文介绍了用数值分析法对GTR单管结构和达林顿结构的电流增益进行计算机模拟,得到几个影响电流增益的主要因素;提出一种适合工作在大电流段的GTR电路模型参数的提取方法,为GTR达林顿结构及应用电路的网络分析提供了有效的途径。
关键词 功率晶体管 计算机 模拟 电流增益
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