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基于电荷模型的荷电膜传递现象的研究进展 被引量:4
1
作者 尚伟娟 王晓琳 于养信 《化工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期1827-1834,共8页
根据电荷模型(空间电荷和固定电荷模型),将荷电膜传递现象分为膜的分离性能、电性质及传递参数3类.其中膜的分离性能用截留率和通量来表征;膜的电性质包括膜的电化学性质和膜的动电性质,膜的电化学性质用膜电位来表征,膜的动电性质用流... 根据电荷模型(空间电荷和固定电荷模型),将荷电膜传递现象分为膜的分离性能、电性质及传递参数3类.其中膜的分离性能用截留率和通量来表征;膜的电性质包括膜的电化学性质和膜的动电性质,膜的电化学性质用膜电位来表征,膜的动电性质用流动电位、Zeta电位和电滞效应等参数来表征;膜的传递参数则用反射系数、溶质透过系数、纯水透过系数、电导率、离子的迁移数及电渗系数6个系数来表征.概述了空间电荷和固定电荷模型描述电解质溶液在荷电膜中的传递现象的研究进展,介绍了两种模型在荷电膜中应用时的各自优势,展望了电荷模型在荷电膜体系中应用的发展方向. 展开更多
关键词 荷电膜 空间电荷模型 固定电荷模型
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基于物理并适用于电路仿真的多晶硅薄膜晶体管薄层电荷模型(英文) 被引量:1
2
作者 邓婉玲 郑学仁 +1 位作者 陈荣盛 吴为敬 《电子器件》 CAS 2008年第1期117-120,123,共5页
本文利用薄层电荷理论,建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon Thin-Film Transistors ,poly-Si TFTs)的电流模型,且该模型适用于电路仿真。推导了poly-Si TFTs表面势的近似解法,该求解法非迭代的计算大大地提高... 本文利用薄层电荷理论,建立了一个基于表面势的、物理的多晶硅薄膜晶体管(Polysilicon Thin-Film Transistors ,poly-Si TFTs)的电流模型,且该模型适用于电路仿真。推导了poly-Si TFTs表面势的近似解法,该求解法非迭代的计算大大地提高了计算效率,且精确度高并得到实验验证。基于物理的迁移率方程考虑了晶界势垒高度,和由于声子散射与表面粗糙散射引起的迁移率退化。基于Brews的薄层电荷模型和上述非迭代计算表面势,本电流模型同时考虑了漏致势垒降低(DIBL)效应、kink效应和沟道长度调制效应。对不同沟长的器件实验数据比较发现,提出的模型在很广的工作电压内与实验数据符合得非常好。同时本模型的所有方程都具有解析形式,电流方程光滑连续,适用于电路仿真器如SPICE。 展开更多
关键词 多晶硅薄膜晶体管 表面势 薄层电荷模型
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IGBT综合电荷模型及其应用 被引量:1
3
作者 张华曹 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2000年第5期55-58,共4页
提出一种IGBT及周边电路 (栅驱动电路、缓冲电路、主回路 )综合一体的电荷控制模型 ,并用模型分析了栅驱动电阻RG、电容CGC和CGS、缓冲电容CS、电阻RS 等对开关波形及功耗的影响。实践表明 。
关键词 IGBT 综合电荷模型 VDMOS管 瞬态特性
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晶体化学中的键电荷模型及其应用前景
4
作者 陈伟 王占国 林兰英 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期139-150,共12页
键电荷模型将晶体中原子的有效电荷与键长有机地联系起来,从而提供了一种揭示分子晶体结构和电子结构相关关系的方法.键电荷模型的建立被看作是当今无机固体化学的一个重大进展,它具有简洁性、可靠性和实用性的特点.对于晶体中原子... 键电荷模型将晶体中原子的有效电荷与键长有机地联系起来,从而提供了一种揭示分子晶体结构和电子结构相关关系的方法.键电荷模型的建立被看作是当今无机固体化学的一个重大进展,它具有简洁性、可靠性和实用性的特点.对于晶体中原子的电荷分布,结构畸变的研究和键长的确定有独特之处.值得研究和发展.本文简述了这一模型的基本原理及其应用前景.同时做出了简单的评价. 展开更多
关键词 晶体结构 键长 电荷模型 晶体化学 化学键
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引入杂质激发态因素的SiC MOSFET反型层电荷模型
5
作者 戴振清 杨瑞霞 杨克武 《电子器件》 CAS 2007年第4期1164-1167,共4页
引入杂质激发态因素,建立新的SiC MOSFET反型层电荷模型.利用数值方法求解一维泊松方程,研究激发态对反型层电荷的影响.结果显示,在杂质激发态的作用下,反型层的电子面密度降低,并且杂质激发态主要影响SiC MOSFET的亚阈区特性.杂质激发... 引入杂质激发态因素,建立新的SiC MOSFET反型层电荷模型.利用数值方法求解一维泊松方程,研究激发态对反型层电荷的影响.结果显示,在杂质激发态的作用下,反型层的电子面密度降低,并且杂质激发态主要影响SiC MOSFET的亚阈区特性.杂质激发态对SiC MOSFET反型层电荷的影响依赖于温度、掺杂浓度和杂质电离能.存在激发态影响最大的温度点,且其随掺杂浓度和电离能的增加而提高. 展开更多
关键词 激发态 SIC MOSFET 反型层电荷模型
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点电荷模型分析结构
6
作者 王友桐 《化学学报》 SCIE CAS 1985年第4期313-321,共9页
用穆斯堡尔核电四极分裂的点电荷模型计算了四极裂距,计算与实测结果符合良好.利用点电荷模型可以迅速有效地对具有一定对称的穆斯堡尔原子的大量化合物的结构和化学键性质作半经验分析.本文汇总了二十八种结构形式的点电荷模型表达式,... 用穆斯堡尔核电四极分裂的点电荷模型计算了四极裂距,计算与实测结果符合良好.利用点电荷模型可以迅速有效地对具有一定对称的穆斯堡尔原子的大量化合物的结构和化学键性质作半经验分析.本文汇总了二十八种结构形式的点电荷模型表达式,计算了一些铁、锡化合物的四极裂距,并分析其异构体、配位数、构型和构型畸变. 展开更多
关键词 电荷模型 键长 化合物 配位结构 中心原子 配位体 四极分裂 五配位 配位数 键角 化学键 穆斯堡尔 反式 低自旋
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考虑二维量子力学效应的MOSFET解析电荷模型
7
作者 张大伟 章浩 +1 位作者 余志平 田立林 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期12-15,88,共5页
在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一... 在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一个考虑二维量子力学的电荷解析模型。根据该模型 ,得到二维量子力学修正和沟道长度以及其他工艺参数的关系。与数值模拟结果的比较表明 ,该解析模型的精度令人满意 ,并且得出以下结论 :二维量子力学效应使阈电压下降 ,并且在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,这个修正不可忽略。 展开更多
关键词 二维量子力学效应 WKB理论 全解析电荷模型 亚50纳米 金属氧化物半导体场效应晶体管
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基于Saber的IGCT集总电荷模型研究 被引量:6
8
作者 肖友国 彭振东 任志刚 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2015年第11期83-86,共4页
在此使用MAST语言在Saber软件中建立了非对称型IGCT的集总电荷模型。应用IGCT通用测试电路测试电路对该模型进行了测试,给出了IGCT开通与关断时的实验与仿真波形,分析了造成两者差异的原因,证明了所建立模型的有效性。在此基础上,将该... 在此使用MAST语言在Saber软件中建立了非对称型IGCT的集总电荷模型。应用IGCT通用测试电路测试电路对该模型进行了测试,给出了IGCT开通与关断时的实验与仿真波形,分析了造成两者差异的原因,证明了所建立模型的有效性。在此基础上,将该模型应用在IGCT并联研究中,仿真结果与实际实验中IGCT电流拥挤现象吻合。IGCT集总电荷模型兼顾了器件物理原理与仿真速度,在研究器件并联以及保护方面有一定的指导意义。 展开更多
关键词 IGCT 并联 集总电荷模型
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构建一般化电荷模型求解静电物理问题 被引量:2
9
作者 王浩川 余泓烨 +1 位作者 金旭统 黄国龙 《物理通报》 2014年第6期72-74,共3页
本文针对解答特殊静电问题时遇到的困难,根据物理模型间的特殊与一般关系,通过构建一般化电荷模型来创新解答疑难静电物理问题.
关键词 一般化电荷模型 创新解答
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构建简单电荷模型解答静电场竞赛问题
10
作者 黄国龙 《物理实验(中学部分)》 北大核心 2004年第6期31-34,共4页
在解答某些复杂问题时常需通过类比、对称、微元等方法构建简单的物理模型或复合模型来等效替代问题所属的物理模型.构建简单模型或复合模型常能使复杂、陌生的问题转化为简单、熟悉的问题,使问题得到顺利解答.本文就如何构建简单电... 在解答某些复杂问题时常需通过类比、对称、微元等方法构建简单的物理模型或复合模型来等效替代问题所属的物理模型.构建简单模型或复合模型常能使复杂、陌生的问题转化为简单、熟悉的问题,使问题得到顺利解答.本文就如何构建简单电荷模型来解答静电场竞赛问题作一小结. 展开更多
关键词 中等教育 物理教学 物理竞赛题 静电场分析 电荷模型
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电子(镜像质子)电荷模型的作用
11
作者 班清 《技术物理教学》 2009年第2期10-11,共2页
寻求与“电子电荷”相反的电荷、相反的运动方向的“镜像质子电荷”,并建立起对应的模型,如图1所示.
关键词 电荷模型 电子电荷 质子 镜像 运动方向
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点电荷模型下γ-LiAlO_(2):Cr^(3+)陶瓷的晶场参量分析
12
作者 王先龙 《佛山陶瓷》 2022年第10期71-72,共2页
对γ-LiAlO_(2)中掺入Cr^(3+)后的晶体结构进行了分析,应用晶体场理论,采用点电荷模型,引入平均共价因子N,通过对N取值调节,理论计算出了N取不同值时在四角晶场下的Cr^(3+)离子的三个独立晶场参量B_(20),B_(40),B_(44)的值。
关键词 过渡金属 电荷模型 平均共价因子 点群
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应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管电荷模型 被引量:1
13
作者 周春宇 张鹤鸣 +4 位作者 胡辉勇 庄奕琪 吕懿 王斌 王冠宇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期294-299,共6页
基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET电荷模型.该模型采用电荷作为状态变量,解决了电荷守恒问题.同时采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET端口电荷及其电容,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决... 基于应变Si/SiGe器件结构,本文建立了统一的应变Si NMOSFET电荷模型.该模型采用电荷作为状态变量,解决了电荷守恒问题.同时采用平滑函数,实现了应变Si NMOSFET端口电荷及其电容,从亚阈值区到强反型区以及从线性区到饱和区的平滑性,解决了模型的连续性问题.然后采用模拟硬件描述语言Verilog-A建立了电容模型.通过将模型的仿真结果和实验结果对比分析,验证了所建模型的有效性.该模型可为应变Si集成电路分析、设计提供重要参考. 展开更多
关键词 应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管 电荷模型 平滑函数
原文传递
一种基于集总电荷的大功率PIN二极管改进电路模型 被引量:5
14
作者 李鑫 罗毅飞 +2 位作者 段耀强 刘宾礼 黄永乐 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第3期506-515,共10页
提出了一种基于集总电荷建模方法的大功率PIN二极管改进电路模型。传统的集总电荷模型使用有效载流子寿命模型,未考虑载流子寿命和基区电荷浓度之间的关系,导致模型的仿真精度偏低。该文在研究传统PIN二极管集总电荷模型的基础上,首先... 提出了一种基于集总电荷建模方法的大功率PIN二极管改进电路模型。传统的集总电荷模型使用有效载流子寿命模型,未考虑载流子寿命和基区电荷浓度之间的关系,导致模型的仿真精度偏低。该文在研究传统PIN二极管集总电荷模型的基础上,首先分析了二极管基区载流子寿命随注入浓度和温度的变化规律,并提出了载流子寿命随浓度和温度变化的集总电荷模型。然后,基于提出的载流子寿命模型建立了改进的PIN二极管集总电荷电路模型,并加入模型物理参数的温度函数,实现了模型对不同温度下PIN二极管通态和瞬态特性的表征,并在PSPICE仿真平台中实现了该模型。最后,用1 700 V/1 000 A IGBT模块中反并联续流二极管对模型进行了实验,仿真和实验结果对比验证了该模型的准确性。 展开更多
关键词 PIN二极管 集总电荷模型 温度特性 过剩载流子寿命
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冲击电压下变压器油中电场特性及电荷运动模型 被引量:3
15
作者 齐波 赵晓林 +3 位作者 张书琦 苑清 高春嘉 李成榕 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第S1期218-229,共12页
冲击电压下油纸绝缘结构的电场特性和电荷特性是变压器绝缘设计中需要考虑的关键环节,目前主要依靠仿真计算获得,其结果不仅难以体现电场作用下产生的空间电荷对电场的影响,而且缺乏实测手段的支撑和验证。该文利用基于光学克尔效应的... 冲击电压下油纸绝缘结构的电场特性和电荷特性是变压器绝缘设计中需要考虑的关键环节,目前主要依靠仿真计算获得,其结果不仅难以体现电场作用下产生的空间电荷对电场的影响,而且缺乏实测手段的支撑和验证。该文利用基于光学克尔效应的油纸绝缘空间电场非接触式测量方法,对冲击电压下变压器油中的电场特性开展了实测研究,获得了电极材质、电压幅值、波前时间对空间电场及电荷特性的影响规律,并且基于实测结果建立了冲击电压下变压器油中电荷运动模型。试验结果表明:在冲击电压作用下,铝电极对纯变压器油中的电荷注入量最大,不锈钢次之,铜最少,这是由不同电极中金属元素的功函数不同所导致;随着电压幅值的增大,空间电荷对油隙中间电场的作用是先增强后削弱再增强;随着波前时间的延长,变压器油中电场的峰值呈现逐渐减小的趋势,波前时间40μs时间时比500ns时降低了17.6%,其原因在于波前时间较长时注入电荷量较大、削弱作用较强所致;在冲击电压过程中,电荷存在动态运动过程,不同时刻电荷位置不同导致对电场的作用不同,负电荷由阴极运动到阳极的平均运动速率为1.1×10-3m2/(V?s),负电荷达到相对稳定状态所需时间至少为2μs。用场致发射和场致电离理论分别解释了变压器油中负、正电荷的来源,建立了电荷运动模型,阐释了电荷运动机制。 展开更多
关键词 变压器油 克尔效应 冲击电压 电极材质 波前时间 电压幅值 空间位置 电荷模型
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铝硅酸盐玻璃中基于局域过剩电荷模型的Bi近红外发光调控 被引量:1
16
作者 李晓曼 郭海 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期902-912,共11页
玻璃中铋离子的超宽带近红外(NIR)发光应用前景广泛,但Bi近红外中心的稳定性问题限制了其实际应用。为此,本工作以铋掺杂钇铝硅酸盐玻璃为研究对象,对可有效调控铋近红外发光行为的局域过剩电荷模型进行了补充与拓展,通过调控玻璃网络... 玻璃中铋离子的超宽带近红外(NIR)发光应用前景广泛,但Bi近红外中心的稳定性问题限制了其实际应用。为此,本工作以铋掺杂钇铝硅酸盐玻璃为研究对象,对可有效调控铋近红外发光行为的局域过剩电荷模型进行了补充与拓展,通过调控玻璃网络中引入的网络修饰体(Y^(3+))和低于四价的可取代Si^(4+)的网络形成体(Al^(3+)),在铋离子周围建成了局域过剩负电荷场,从而有效调控了铋离子在钇铝硅酸盐玻璃中的近红外发光行为(包括其价态、吸收和发光强度与峰位);同时提出了Bi近红外中心的分布规律:Bi^(0)主要分布在Si-O-Si/Si-O-Al网络结构多元环中,而Bi^(+)主要分布在Si网络框架结构的缝隙沟道内。一方面,解决了钇铝硅酸盐玻璃,甚至其他碱金属、碱土金属(锂/钠/钾、镁/钙/锶/钡等)铝硅酸盐玻璃中铋近红外中心的稳定性问题,为铋激光玻璃的设计和后期光纤制备奠定了实验与理论基础;另一方面,也证实了局域过剩电荷模型的有效性和普适性,为其他多价态发光离子(例如Eu、Ce、Cu、Ag、Sn等)的价态稳定化和网络分布可调化提供了新思路、新方法。 展开更多
关键词 局域过剩电荷模型 近红外 发光 钇铝硅酸盐玻璃
原文传递
虚阴极的单电荷层模型 被引量:6
17
作者 叶卫民 李传胪 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期268-272,共5页
通过引入虚阴极振荡的单电荷层模型,得到了虚阴极振荡产生微波的线性色散关系。同时,分析了入射、反射、透射束流中振荡成份与虚阴极振荡的两本征模式相互作用,得到非线性色散关系,并给出了虚阴极振荡产生微波的机制。
关键词 虚阴极 电荷模型 微波产生机制
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电子直线加速器注入器的二维空间电荷环模型 被引量:1
18
作者 王晓敏 顾闰观 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第3期60-65,共6页
一、引言电子在直线加速器中运动不仅受到高频场、聚焦磁场等外场的作用,还始终受到自身的空间电荷场的作用。随着电子直线加速器向强流发展,空间电荷效应对电子运动的影响就愈为严重,它已经成为限制束流流强提高的主要原因之一。
关键词 直线加速器 注入器 电荷模型
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电荷面分布模型和电场强度跃变的讨论 被引量:2
19
作者 史守华 《安徽大学学报(自然科学版)》 CAS 2001年第4期62-66,共5页
对电荷面分布模型中电荷层厚度的数量级进行了估算 ,指出了电场强度实际上都是连续变化的。所谓电荷层两侧电场强度的跃变是由于将电荷层抽象成没有厚度的几何面所导致 。
关键词 电场强度 电荷面分布模型 场强跃变 带电导体球 电荷分布 电荷密度 电量
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基于有效态密度的MOS结构电荷控制模型
20
作者 马玉涛 刘理天 李志坚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期373-377,共5页
从载流子在 MOS结构反型层内的分布出发 ,利用表面有效态密度 ( SLEDOS:SurfaceLayer Effective Density- of- States)的概念 ,在经典理论框架内建立了包含载流子分布对表面势影响的电荷控制模型 .该模型包含了强反型区表面电势的变化... 从载流子在 MOS结构反型层内的分布出发 ,利用表面有效态密度 ( SLEDOS:SurfaceLayer Effective Density- of- States)的概念 ,在经典理论框架内建立了包含载流子分布对表面势影响的电荷控制模型 .该模型包含了强反型区表面电势的变化对载流子浓度的影响 ,采用了一种新的高效的迭代方法 。 展开更多
关键词 电荷控制模型 有效态密度 MOS结构
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