目的探讨人工耳蜗植入术中不同刺激位置对电诱发听觉脑干反应(EABR)波形的影响。方法选取CT,MRI影像耳蜗形态正常的双侧感音神经性耳聋患30例,均为单侧植入。植入术中先后电刺激术耳圆窗龛与圆窗膜,比较分析刺激强度在1.0-3.0mA之间时2...目的探讨人工耳蜗植入术中不同刺激位置对电诱发听觉脑干反应(EABR)波形的影响。方法选取CT,MRI影像耳蜗形态正常的双侧感音神经性耳聋患30例,均为单侧植入。植入术中先后电刺激术耳圆窗龛与圆窗膜,比较分析刺激强度在1.0-3.0mA之间时2种不同位置处EABR阈值以及Ⅲ波、Ⅴ波引出率、潜伏期和波间期的差别。结果①EABR阈值在圆窗龛刺激中为1.745±0.09692 m A,圆窗膜刺激中为1.275±0.1160 m A(P<0.05)。②EABRⅢ波检出率圆窗龛刺激为66.667%,圆窗膜刺激为93.333%(P<0.05)。③Ⅲ波潜伏期圆窗龛刺激为2.215±0.04600ms,圆窗膜刺激为2.180±0.03566ms。④EABRⅤ波圆窗龛刺激检出率为50%,圆窗膜刺激检出率为93.333%(P<0.05)。⑤EABRⅤ波潜伏期圆窗龛刺激为4.059±0.08122ms,圆窗膜刺激为3.951±0.06329 ms。⑥EABRⅢ-Ⅴ间期圆窗龛刺激为1.880±0.06285 ms,圆窗膜刺激为1.807±0.04218 ms。结论圆窗膜刺激EABR波形稳定,可重复性强,受肌电反应干扰小,引出率高,以较小的刺激强度能取得较好的波形,对听觉传导通路的评估更为准确。展开更多
文摘目的探讨人工耳蜗植入术中不同刺激位置对电诱发听觉脑干反应(EABR)波形的影响。方法选取CT,MRI影像耳蜗形态正常的双侧感音神经性耳聋患30例,均为单侧植入。植入术中先后电刺激术耳圆窗龛与圆窗膜,比较分析刺激强度在1.0-3.0mA之间时2种不同位置处EABR阈值以及Ⅲ波、Ⅴ波引出率、潜伏期和波间期的差别。结果①EABR阈值在圆窗龛刺激中为1.745±0.09692 m A,圆窗膜刺激中为1.275±0.1160 m A(P<0.05)。②EABRⅢ波检出率圆窗龛刺激为66.667%,圆窗膜刺激为93.333%(P<0.05)。③Ⅲ波潜伏期圆窗龛刺激为2.215±0.04600ms,圆窗膜刺激为2.180±0.03566ms。④EABRⅤ波圆窗龛刺激检出率为50%,圆窗膜刺激检出率为93.333%(P<0.05)。⑤EABRⅤ波潜伏期圆窗龛刺激为4.059±0.08122ms,圆窗膜刺激为3.951±0.06329 ms。⑥EABRⅢ-Ⅴ间期圆窗龛刺激为1.880±0.06285 ms,圆窗膜刺激为1.807±0.04218 ms。结论圆窗膜刺激EABR波形稳定,可重复性强,受肌电反应干扰小,引出率高,以较小的刺激强度能取得较好的波形,对听觉传导通路的评估更为准确。
