PLD法制备TiO2薄膜及电阻转变特性研究 被引量：6

1

作者 曹逊 李效民 +1 位作者 于伟东 张亦文 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第1期49-52,共4页

采用脉冲激光沉积法(PLD),以Pt(111)/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的TiO2薄膜.X射线衍射(XRD)分析未发现明显的TiO2结晶峰,薄膜呈纳米晶或非晶态.扫描电子显微镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)分析表明,TiO2薄膜表面平整、光滑致... 采用脉冲激光沉积法(PLD),以Pt(111)/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的TiO2薄膜.X射线衍射(XRD)分析未发现明显的TiO2结晶峰,薄膜呈纳米晶或非晶态.扫描电子显微镜(SEM)及原子力显微镜(AFM)分析表明,TiO2薄膜表面平整、光滑致密.电学测试结果表明,TiO2薄膜具有明显的单极性电阻转变特性,高低阻态比值达到104.高阻态下薄膜的导电过程可用空间电荷限制电流模型解释,过程中存在软击穿现象.在此基础上,对薄膜中丝导电通道的产生及熔断过程进行了初步分析. 展开更多

关键词 脉冲激光沉积法 单极性 电阻转变特性 TIO2薄膜

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金掺杂氧化铪薄膜的电阻转变性能研究

2

作者 陈曦 谭婷婷 +1 位作者 郭婷婷 刘正堂 《机械科学与技术》 CSCD 北大核心 2015年第7期1114-1116,共3页

采用射频磁控溅射法在ITO基底上制备了Hf O2和Hf O2:Au薄膜,并对Cu/Hf O2/ITO和Cu/Hf O2:Au/ITO三明治结构进行了电阻转变性能测试。结果表明:两者均展现出可逆双极电阻转变性能,但Cu/Hf O2:Au/ITO器件的SET电压较小,电压分布更加集中... 采用射频磁控溅射法在ITO基底上制备了Hf O2和Hf O2:Au薄膜,并对Cu/Hf O2/ITO和Cu/Hf O2:Au/ITO三明治结构进行了电阻转变性能测试。结果表明:两者均展现出可逆双极电阻转变性能,但Cu/Hf O2:Au/ITO器件的SET电压较小,电压分布更加集中并且性能更稳定。通过对器件双对数I-V曲线拟合分析,发现其电阻转变机制为空间电荷限制电流效应。金的掺入增加了薄膜中的缺陷,提高了基于氧空位的导电通道的均一性,从而优化了器件的电阻转变性能。 展开更多

关键词 金掺杂 氧化铪薄膜 电阻转变

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Nd(0.7)Sr(0.3)MnO3陶瓷中界面“陷阱态”相关电阻转变行为

3

作者 陈顺生 熊良斌 杨昌平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期328-335,共8页

通过固相烧结和高能球磨后热处理两种方法分别得到不具晶(相)界和具有明显晶(相)界的两种Nd_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3陶瓷样品,并用两线法和四线法分别对这两种样品的电极-块体接触界面和晶(相)界界面的I-V和电脉冲诱导电阻转变效应(EPIR)进... 通过固相烧结和高能球磨后热处理两种方法分别得到不具晶(相)界和具有明显晶(相)界的两种Nd_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3陶瓷样品,并用两线法和四线法分别对这两种样品的电极-块体接触界面和晶(相)界界面的I-V和电脉冲诱导电阻转变效应(EPIR)进行研究.结果发现,在两线法测试下,电极-块体界面具有回滞的非线性I-V特征,并能产生稳定的EPIR效应,EPIR的稳定性随温度的升高逐渐减弱并消失;而对具有明显晶(相)界的陶瓷样品,四线法测试结果表明,虽然其I-V行为也具有非线性和回滞性特点,但不能产生EPIR效应.这些奇特的界面输运行为与界面中的各种缺陷充当"陷阱"并实现对载流子的捕捉和释放过程密切相关.而大量的晶(相)界界面及其复杂的连接方式导致较大的漏导则是晶(相)界不能出现EPIR效应的主要原因. 展开更多

关键词 电阻转变效应 陷阱态 晶(相)界 锰氧化物

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高温超导材料电阻转变的微分曲线

4

作者 吴克 冯庆荣 阎守胜 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 1991年第3期56-58,共3页

采用数据采集系统,在测量氧化物高T_C超导材料R(T)曲线的同时,可得到其微分曲线。除可确切地定出T_C,△T_C等参数外,还能突出地显示转变区中的一些细微变化。

关键词 超导材料 高温 电阻转变 微分曲线

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HfO_x薄膜双极电阻转变特性及其机理的研究

5

作者 李艳艳 刘正堂 谭婷婷 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2012年第5期412-416,共5页

本文采用射频磁控溅射法在ITO/Glass衬底上制备了Cu/HfOx/Ti MIM结构,对其电学性能和化学成分进行了分析。结果表明,Cu/HfOx/Ti结构在不发生软击穿(forming)的情况下具有明显的双极电阻转变特性,高低阻比大于10,并且具有良好的重复性与... 本文采用射频磁控溅射法在ITO/Glass衬底上制备了Cu/HfOx/Ti MIM结构,对其电学性能和化学成分进行了分析。结果表明,Cu/HfOx/Ti结构在不发生软击穿(forming)的情况下具有明显的双极电阻转变特性,高低阻比大于10,并且具有良好的重复性与保持性。HfOx薄膜中含有大量的氧空位,电阻转变过程可能与氧空位形成的导电细丝有关。 展开更多

关键词 HfOx薄膜 双极电阻转变特性 氧空位

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由高温超导体电阻转变计算热激活能的新方法

6

作者 刘胜利 《南京邮电大学学报（自然科学版）》 2008年第4期66-69,共4页

提出了从高温超导体电阻转变曲线中直接计算热激活能的一个新方法,利用提出的方法重新分析了Y-123单晶超导体的电阻转变曲线。结果表明,热激活能满足U(T,H)=t[(1-t)/t]mH-β,其中m=3.4且比值m/β=α为一常数。不同磁场下logρ与[(1-t)/t... 提出了从高温超导体电阻转变曲线中直接计算热激活能的一个新方法,利用提出的方法重新分析了Y-123单晶超导体的电阻转变曲线。结果表明,热激活能满足U(T,H)=t[(1-t)/t]mH-β,其中m=3.4且比值m/β=α为一常数。不同磁场下logρ与[(1-t)/t]mH-m/α的函数关系在热激发区域被约化到同一条直线上,有力的支持了文中提出的研究方法。 展开更多

关键词 高温超导体 热激活能 电阻转变

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光对ZnO薄膜电致电阻转变效应的调控研究

7

作者 孟建光 尚杰 +3 位作者 薛武红 刘宜伟 王军 陈斌 《宁波大学学报（理工版）》 CAS 2014年第3期83-87,共5页

利用磁控溅射技术在镀铂硅片上制备ZnO薄膜,X射线衍射测试表明ZnO薄膜为纯相结构,原子力显微镜测试显示ZnO薄膜表面平整均匀,均方根粗糙度为1.87nm.在室温下对Au/ZnO/Pt三明治结构的电输运行为进行了研究,结果表明同时存在电致电阻转变... 利用磁控溅射技术在镀铂硅片上制备ZnO薄膜,X射线衍射测试表明ZnO薄膜为纯相结构,原子力显微镜测试显示ZnO薄膜表面平整均匀,均方根粗糙度为1.87nm.在室温下对Au/ZnO/Pt三明治结构的电输运行为进行了研究,结果表明同时存在电致电阻转变效应和光伏效应,并且光照可调控电致电阻.当光强为360μW·cm-2时,电阻调控幅度达78%,这种光调控的电致电阻转变有助于实现多态存储,提高存储密度. 展开更多

关键词 ZNO薄膜 光伏 电致电阻转变 多态存储 电输运

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高温超导体中的电阻转变

8

作者 Tinkh.,M 郑东宁 《外藉学者来所报告集》 1989年第1期1-10,共10页

关键词 超导体 电阻转变 高温

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Ti纳米颗粒对Ag/ZnO/Pt异质结电阻转变的影响

9

作者 张建 申玮玮 《信息记录材料》 2019年第10期12-13,共2页

采用脉冲激光沉积技术制备了Ag/ZnO/Pt和Ag/ZnO-Ti/Pt阻变存储器。与Ag/ZnO/Pt相比,Ag/ZnO-Ti/Pt的阻变性能得到了显著的改善。对Ti纳米颗粒改善器件电致电阻转变特性的机理进行了定性的分析。

关键词 阻变存储器 电阻转变效应 电流-电压特性 脉冲激光沉积

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电阻转变型非挥发性存储器概述 被引量：2

10

作者 李颖弢 龙世兵 +3 位作者 吕杭炳 刘琦 刘肃 刘明 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第24期1967-1973,共7页

随着材料科学以及半导体技术的高速发展,电阻转变型存储器(RRAM)器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存储能力、低成本等优势,引起了人们极大的兴趣并一度成为现阶段研究的热点.和所有产品一样,RRAM器件也需... 随着材料科学以及半导体技术的高速发展,电阻转变型存储器(RRAM)器件由于其具有非挥发特性、高读写速度、低功耗、高集成度、多值存储能力、低成本等优势,引起了人们极大的兴趣并一度成为现阶段研究的热点.和所有产品一样,RRAM器件也需要一些性能参数来评判其优缺点.对RRAM器件来说,评判其性能的主要参数包括操作电压、操作速度、电阻比率、耐受性、保持特性、多级存储、器件良率.此外,还对导致RRAM器件发生电阻转变的主要机理,不同电极材料、掺杂以及不同器件结构对电阻转变特性的影响进行了总结.最后,对RRAM存在的主要问题以及研究的重点作了简单评述. 展开更多

关键词 电阻转变存储器 电阻转变 特性参数

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关于MgB_2/Al_2O_3超导薄膜电阻转变和各向异性的研究 被引量：3

11

作者 史力斌 任骏原 +2 位作者 张凤云 张国华 余增强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期5353-5358,共6页

利用电子束蒸发方法将MgB2超导薄膜沉积到Al2O3(001)衬底上.采用标准的四引线法研究了磁场平行和垂直超导薄膜ab平面下的电阻转变.一个激活能模型U(T,H)=U0(1-T/(Tc+δ))n(1-H/Hc2(0))m被建立用来分析超导薄膜磁通线的激活能和电阻转变... 利用电子束蒸发方法将MgB2超导薄膜沉积到Al2O3(001)衬底上.采用标准的四引线法研究了磁场平行和垂直超导薄膜ab平面下的电阻转变.一个激活能模型U(T,H)=U0(1-T/(Tc+δ))n(1-H/Hc2(0))m被建立用来分析超导薄膜磁通线的激活能和电阻转变,结果表明该模型能够在整个转变温度范围描述超导体磁通线的激活能和电阻转变.另外,利用多项式Hc2(t)=Hc2(0)+At+Bt2分析了MgB2/Al2O3超导薄膜的上临界磁场,获得了该超导薄膜的各向异性参数γ=Hc2ab(0)/Hc2c(0)=2.26. 展开更多

关键词 MgB2/Al2O3 超导体 电阻转变 各向异性

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磁控溅射法制备HfO_2薄膜及电阻转变特性研究(英文) 被引量：1

12

作者 李艳艳 刘正堂 谭婷婷 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第1期24-27,共4页

采用磁控溅射法,以ITO/Glass为衬底,制备了具有电阻转变特性的HfO2薄膜。X射线光电子能谱(XPS)分析发现,薄膜中的Hf、O元素不成化学计量比,薄膜中可能存在大量氧空位。电学测试结果表明,HfO2薄膜表现出明显的双极电阻转变特性,并且表现... 采用磁控溅射法,以ITO/Glass为衬底,制备了具有电阻转变特性的HfO2薄膜。X射线光电子能谱(XPS)分析发现,薄膜中的Hf、O元素不成化学计量比,薄膜中可能存在大量氧空位。电学测试结果表明,HfO2薄膜表现出明显的双极电阻转变特性,并且表现出良好的可靠性(室温下可重复测试102次以上)和稳定的保持性能(0.5 V偏压下保持104 s以上),高低阻态比值达到104。基于XPS以及电学分析,薄膜的导电过程可用与氧空位相关的空间电荷限制电流模型解释。 展开更多

关键词 磁控溅射法 HfOx薄膜 电阻转变特性 双极性

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TBCCO/LAO高温超导薄膜的电阻转变和各向异性

13

作者 史力斌 郑岩 +1 位作者 任骏原 张国华 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期912-915,966,共5页

将Tl2Ba2CaCu2O8(TBCCO)高温超导薄膜通过磁控溅射的方法沉积到LaAlO3(LAO)衬底上,SEM和XRD的测量结果显示该超导薄膜具有很高的成膜品质.通过标准四引线方法对TBCCO/LAO高温超导薄膜在不同磁场下的电阻转变进行了研究.结果表明:在一定... 将Tl2Ba2CaCu2O8(TBCCO)高温超导薄膜通过磁控溅射的方法沉积到LaAlO3(LAO)衬底上,SEM和XRD的测量结果显示该超导薄膜具有很高的成膜品质.通过标准四引线方法对TBCCO/LAO高温超导薄膜在不同磁场下的电阻转变进行了研究.结果表明:在一定的磁场下TBCCO/LAO超导薄膜具有很强的电阻转变展宽现象,并且当磁场垂直于超导薄膜表面时该超导薄膜显示出更强的电阻转变展宽现象.用热激活辅助磁通流动理论对该超导薄膜的电阻转变展宽现象进行了解释,同时通过分析超导薄膜的电阻转变对该超导薄膜的各向异性进行了讨论. 展开更多

关键词 超导薄膜 Tl2Ba2CaCu2O8 电阻转变 各向异性 磁控溅射

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Nd_(1-x)Sr_xMnO_3中掺杂浓度对电脉冲诱导电阻转变效应的影响

14

作者 陈顺生 杨昌平 +2 位作者 肖海波 徐玲芳 马厂 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第14期357-365,共9页

采用两线测量模式对固相烧结方法制备的Nd_(1-x)A_xMnO_3(A=Ba,Ca,Sr,x=0—0.9)陶瓷样品电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应和Ⅰ-V特性进行了测量.结果表明,与Nd_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3一样,相同浓度掺杂的Nd_(0.7)Ba_(0.3)MnO_3和Nd_(0.7)Ca_(0... 采用两线测量模式对固相烧结方法制备的Nd_(1-x)A_xMnO_3(A=Ba,Ca,Sr,x=0—0.9)陶瓷样品电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应和Ⅰ-V特性进行了测量.结果表明,与Nd_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3一样,相同浓度掺杂的Nd_(0.7)Ba_(0.3)MnO_3和Nd_(0.7)Ca_(0.3)MnO_3样品也能诱发稳定的室温EPIR效应.进一步对Nd_(1-x)Sr_xMnO_3系列样品的EPIR研究表明,这种界面相关的EPIR效应与样品中电子或空穴掺杂浓度密切相关,在半掺杂(x=0.5)附近,样品与电极接触界面能诱发稳定的EPIR效应.然而,随掺杂浓度的进一步增大或降低,EPIR效应逐渐出现减弱、不明显到完全消失的过程.产生这种现象的原因可能与锰氧化物中由于掺杂浓度差异所导致的界面缺陷在不同极性脉冲激励下重新分布而产生的内电场强弱有关. 展开更多

关键词 电脉冲诱导电阻转变效应 深能级陷阱 锰氧化物 Ⅰ-Ⅴ非线性

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La_(0.5)Ca_(0.5)MnO_3内禀与界面电脉冲诱导电阻转变效应的比较 被引量：2

15

作者 吴美玲 石大为 +4 位作者 阚芝兰 王瑞龙 丁益民 肖海波 杨昌平 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第20期416-421,共6页

一般地,钛矿结构锰氧化物的电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应源于非内禀界面处的肖特基势垒.本文采用固相烧结法制备了La0.5Ca0.5MnO3(LCMO)陶瓷样品,用四线测量模式对样品电输运性质,特别对其内禀EPIR效应和忆阻器行为进行了研究.室温下,... 一般地,钛矿结构锰氧化物的电脉冲诱导电阻转变(EPIR)效应源于非内禀界面处的肖特基势垒.本文采用固相烧结法制备了La0.5Ca0.5MnO3(LCMO)陶瓷样品,用四线测量模式对样品电输运性质,特别对其内禀EPIR效应和忆阻器行为进行了研究.室温下,尽管样品在四线测量模式下的I-V特性曲线呈欧姆线性规律,但在适当的脉冲电压刺激下,仍能诱导产生明显、稳定的EPIR效应.通过与二线模式的界面EPIR比较,发现LCMO内禀EPIR效应具有更小的脉冲临界电压、更好的稳定性和抗疲劳特性,是稀土掺杂锰氧化物中观察到的一类新颖的EPIR效应. 展开更多

关键词 钙钛矿结构锰氧化物 电致电阻效应 电脉冲诱导电阻转变效应 肖特基势垒

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高J_cBi-2223银包套带材的电阻转变展宽与磁通钉扎

16

作者 姜建义 胡安明 +2 位作者 孙玉平 张发培 杜家驹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期283-290,共8页

系统地研究了高ＪｃＢｉ－２２２３相银包套带材在０－１Ｔ磁场下的电阻转变展宽。实验结果表明，Ｂｉ－２２２３带材的电阻转变具有热激活的性质，研究了磁钉扎势与温度的关系，得到了电阻转变曲线的温度关系为Ｒ（Ｔ）＝Ｒ０ｅｘｐ｛... 系统地研究了高ＪｃＢｉ－２２２３相银包套带材在０－１Ｔ磁场下的电阻转变展宽。实验结果表明，Ｂｉ－２２２３带材的电阻转变具有热激活的性质，研究了磁钉扎势与温度的关系，得到了电阻转变曲线的温度关系为Ｒ（Ｔ）＝Ｒ０ｅｘｐ｛－０）１－Ｔ／Ｔｃ）＾ｎ／ｋＴ｝，其中磁场平行于ａｂ面时，ｎ＝４．５；磁场垂直于ａｂ面时，ｎ＝３。 展开更多

关键词 高TC 铋 电阻转变展宽 磁通钉扎 超导体

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各向异性超导体电阻转变的修正Kosterlitz-Thouless相变模型

17

作者 吉高峰 刘胜利 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期4148-4151,共4页

从二维系统的Kosterlitz-Thouless(KT)相变理论出发,在关联长度中引入热激活能和平均钉扎高度,提出了修正的KT相变模型.该模型与库伦气体标度理论和Halperin-Nelson关系具有一致性.应用修正的KT相变模型研究磁场下Tl2Ba2CaCu2Ox(Tl-2212... 从二维系统的Kosterlitz-Thouless(KT)相变理论出发,在关联长度中引入热激活能和平均钉扎高度,提出了修正的KT相变模型.该模型与库伦气体标度理论和Halperin-Nelson关系具有一致性.应用修正的KT相变模型研究磁场下Tl2Ba2CaCu2Ox(Tl-2212)薄膜电阻转变的标度行为,发现由电阻转变计算得到的平均钉扎高度与温度具有线性依赖关系,实验结果支持修正的KT相变模型. 展开更多

关键词 标度行为 各向异性超导体 电阻转变

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Ti/La0.7Ca0.3MnO3/Pt结构器件中“负”电阻开关特性研究 被引量：4

18

作者 刘新军 李效民 +3 位作者 王群 杨蕊 曹逊 陈立东 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期151-156,共6页

以Pt/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的Ti/La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)/Pt结构器件.X射线衍射分析表明LCMO薄膜呈纳米晶或非晶态,扫描电子显微镜及原子力显微镜分析表明LCMO薄膜表面平整、光滑致密.电学测试结果表明Ti/LCMO/Pt结构... 以Pt/Ti/SiO2/Si为衬底,制备了具有电阻转变特性的Ti/La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)/Pt结构器件.X射线衍射分析表明LCMO薄膜呈纳米晶或非晶态,扫描电子显微镜及原子力显微镜分析表明LCMO薄膜表面平整、光滑致密.电学测试结果表明Ti/LCMO/Pt结构具有明显的双极型"负"电阻转变特性,低电阻态的导电过程为空间电荷限制电流机制,高电阻态的导电过程为Poole-Frenkel发射机制.利用氧化还原反应的随机性和TiOx中间层空间分布的不均匀性,定性地解释了高电阻态的不稳定性以及电流-电压曲线上的电流突变现象. 展开更多

关键词 脉冲激光沉积法 电阻开关 电脉冲诱发电阻转变 锰氧化物薄膜

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Ag/La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3薄膜电阻开关特性的研究 被引量：1

19

作者 黄丽娜 曲炳郡 刘理天 《微纳电子技术》 CAS 2007年第7期80-82,共3页

采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3(001)单晶衬底上制备出钙钛矿结构La0.67Sr0.33MnO3薄膜,利用X射线衍射仪与原子力显微镜表征其晶体结构与微观形貌,并对Ag/La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3结构的室温电脉冲诱发可逆变阻效应进行了分析讨论。该效... 采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3(001)单晶衬底上制备出钙钛矿结构La0.67Sr0.33MnO3薄膜,利用X射线衍射仪与原子力显微镜表征其晶体结构与微观形貌,并对Ag/La0.67Sr0.33MnO3/SrTiO3结构的室温电脉冲诱发可逆变阻效应进行了分析讨论。该效应表现出良好的非挥发多值存储特性,有望应用于新型存储器、传感器、可变电阻等电子元器件的研制。 展开更多

关键词 钙钛矿结构氧化物 脉冲激光沉积 电脉冲诱发电阻转变 LA0.67SR0.33MNO3

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在4万大气压下电阻变为零的铁系超导材料

20

《金属功能材料》 CAS 2008年第6期29-29,共1页

关键词 超导材料 电阻转变 大气压 铁系 日本东京工业大学 超导转变温度 日本大学 高压力

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