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SiC/Ti6Al4V复合材料界面反应产物的形成序列及扩散路径(英文) 被引量：4
1
作者 吕祥鸿 杨延清 +3 位作者 马志军 黄斌 罗贤 陈彦 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1162-1168,共7页
通过 SiC/Ti6Al4V 钛基复合材料的制备及在不同条件下的热处理试验,利用 SEM, EDS 及 XRD 分析技术研究复合材料界面反应产物相的形成及反应元素的扩散路径。结果表明:反应元素如 C,Ti,Si 在界面反应层中出现浓度波动,合金元素 Al 并没... 通过 SiC/Ti6Al4V 钛基复合材料的制备及在不同条件下的热处理试验,利用 SEM, EDS 及 XRD 分析技术研究复合材料界面反应产物相的形成及反应元素的扩散路径。结果表明:反应元素如 C,Ti,Si 在界面反应层中出现浓度波动,合金元素 Al 并没有显著扩散进入界面反应产物层,而是在界面反应前沿堆积,其界面反应产物被确认为 Ti3SiC2 ,TiCx, Ti5Si3Cx和Ti3Si;在界面反应初期,存在着 TiC+Ti5Si3Cx 双相区,当形成各界面反应产物单相区时,SiC/Ti6Al4V 复合材料界面反应扩散的完整路径应为: SiC ┃ Ti3SiC2 ┃ Ti5Si3Cx ┃ TiCx ┃ Ti3Si ┃ Ti6Al4V+TiCx;界面反应产物层的生长受扩散控制,遵循抛物线生长规律,其生长激活能 Qk及 k0分别为 290.935 kJ·mol-1,2.49×10-2 m·s-1/2。 展开更多
关键词 SiC/Ti6Al4V 界面反应产物 扩散路径 生长激活能
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低温反应自熔法制备镁基复合材料的新工艺 被引量：3
2
作者 曹利强 柴东朗 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期20-22,共3页
为克服粉末冶金法 (PM)和铸造法 (Casting)在制备镁基复合材料过程中的缺点 ,尝试采用低温反应自熔 (RSM)新工艺制备颗粒增强镁基复合材料。经低温反应自熔制备的颗粒增强镁基复合材料 ,在一定程度上消除了粉体颗粒的氧化膜 ,减小了对... 为克服粉末冶金法 (PM)和铸造法 (Casting)在制备镁基复合材料过程中的缺点 ,尝试采用低温反应自熔 (RSM)新工艺制备颗粒增强镁基复合材料。经低温反应自熔制备的颗粒增强镁基复合材料 ,在一定程度上消除了粉体颗粒的氧化膜 ,减小了对合金元素扩散的阻碍作用 ,使颗粒间的结合得到改善 ;SEM断口观察及X射线衍射物相分析表明 ,基体与增强体界面处有轻微的反应存在 ,反应产物为MgTiO3,推测为MgO Ti、Mg TiO2 或MgO TiO2 的反应所生成。 展开更多
关键词 低温反应自熔(RSM) 镁基复合材料 界面反应产物
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制备新一代高导热金刚石/铝复合材料的研究进展 被引量：3
3
作者 方俊晓 董应虎 +3 位作者 张瑞卿 钟永录 孙文 王昆昆 《热加工工艺》 北大核心 2020年第22期8-11,共4页
由于金刚石(Diamond)和铝的表面润湿性较差,界面热阻成为了Diamond/Al复合材料热导率远小于理论值的主要影响因素。对两相界面优化研究和界面反应产物的研究进行了概述,分析总结了无压熔渗法制备高导热Diamond/Al复合材料存在的问题、... 由于金刚石(Diamond)和铝的表面润湿性较差,界面热阻成为了Diamond/Al复合材料热导率远小于理论值的主要影响因素。对两相界面优化研究和界面反应产物的研究进行了概述,分析总结了无压熔渗法制备高导热Diamond/Al复合材料存在的问题、未来的研究重点和发展前景,以期为制备性能稳定、高导热、低膨胀系数的Diamond/Al复合材料提供参考。 展开更多
关键词 Diamond/Al复合材料 界面热阻 界面优化 界面反应产物 高导热
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SiC_(f)/TiAl复合材料界面反应及热稳定性 被引量：2
4
作者 沈莹莹 张国兴 +3 位作者 贾清 王玉敏 崔玉友 杨锐 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期1150-1158,共9页
采用真空吸铸法制备了SiC_(f)/TiAl复合材料,利用SEM和TEM对制备态复合材料界面反应层进行元素扩散分析和产物确定。结果表明,制备态复合材料的界面反应产物主要由靠近碳层的等轴细晶TiC和靠近钛合金涂层的等轴粗晶TiC组成。对复合材料... 采用真空吸铸法制备了SiC_(f)/TiAl复合材料,利用SEM和TEM对制备态复合材料界面反应层进行元素扩散分析和产物确定。结果表明,制备态复合材料的界面反应产物主要由靠近碳层的等轴细晶TiC和靠近钛合金涂层的等轴粗晶TiC组成。对复合材料进行800℃热暴露实验,结果显示,界面反应层随热暴露时间的延长而增长,且在长大过程中出现了分层现象。根据热暴露后反应层厚度随时间的变化规律,绘制出800℃界面反应的动力学曲线,并推测出界面生长速率。热暴露200 h后的界面反应产物共有4层,从纤维一侧到基体一侧分别是细晶TiC层、粗晶TiC层、(Ti,Zr)_(5)Si_(4)层和Ti_(3)Sn+Ti_(2)AlC层。分别对制备态和热暴露态的SiC_(f)/TiAl复合材料界面反应产物的形成机理进行了分析,得出热暴露过程中界面分层出现的主要原因是Ti_(2)AlC新相的生成消耗了部分TiC相。 展开更多
关键词 SiC_(f)/TiAl复合材料 真空吸铸 界面反应层产物 元素扩散
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电气和电子工程用材料科学
5
《中国无线电电子学文摘》 1996年第4期2-6,共5页
关键词 真空蒸镀 真空电弧沉积 材料科学 界面反应动力学 界面扩散反应 真空弧沉积 太阳能电池 非晶硅薄膜 界面反应产物 ITO薄膜
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