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PVP存在下液液界面生长法制备硒纳米线(英文) 被引量:4
1
作者 张胜义 张娟 +2 位作者 刘明珠 朱俊杰 陈洪渊 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第1期137-140,共4页
Nanowires of trigonal selenium were synthesized in large-scale by two step processes: reaction in homogeneous solution and growth at liquid-liquid int erface. Polyvinylpyrrolidone was used as a soft template in the sy... Nanowires of trigonal selenium were synthesized in large-scale by two step processes: reaction in homogeneous solution and growth at liquid-liquid int erface. Polyvinylpyrrolidone was used as a soft template in the synthesis. 展开更多
关键词 硒纳米线 界面生长 聚乙烯吡咯烷酮
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棒状共晶界面成分分布及对平界面生长的影响 被引量:4
2
作者 潘冶 孙国雄 《铸造》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期315-317,共3页
用定向凝固法揭示了MnSb/Sb棒状共晶 (纤维复合材料 )平界面生长条件。基于成分过冷理论 ,推导了棒状共晶组元耦合扩散边界层内浓度梯度要求的GL/V条件。并从二元共晶界面不稳定性的类型和溶质分布形式的角度 。
关键词 复合材料 棒状共晶 界面生长 MnSb/Sb
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界面生长型小尺寸金刚石聚晶研制
3
作者 岳吉祥 刘衍聪 陈勇 《矿冶工程》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期85-87,共3页
在分析国内外钻探用金刚石聚晶应用及性能的基础上,研制开发方形□1×1×1界面生长型金刚石聚晶,具体采用0.05mm钴片或钴铁片(5%铁)扩散工艺,对工艺组装制备及合成工艺条件进行较详细分析论证,建立一种类似美国GE公司产品性能... 在分析国内外钻探用金刚石聚晶应用及性能的基础上,研制开发方形□1×1×1界面生长型金刚石聚晶,具体采用0.05mm钴片或钴铁片(5%铁)扩散工艺,对工艺组装制备及合成工艺条件进行较详细分析论证,建立一种类似美国GE公司产品性能的界面生长型金刚石聚晶合成工艺,采用强酸处理方法进行去除残余金属钴,对合成产品进行电子探针、转靶X射线衍射等分析,研究证明其结构基本是D-D键结合的高晶体,金刚石晶粒之间是D-D键错综连接形成多孔网状结构,产品具备高自锐性和热稳定性,是取代大颗粒天然和人造单晶理想选择,最后对生长机理进行初步分析,并提出界面生长机理,金刚石颗粒在金属Go作用下在晶体界面处以D-D键结合生长过程。 展开更多
关键词 金刚石聚晶 工艺研究 界面生长 生长机理 热稳定性
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Si/GaP(111)界面生长及其形成过程
4
作者 黄春晖 王迅 《福州大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1994年第1期26-31,共6页
研究用电子束蒸发方法把Si淀积在GaP表面的界面生长过程。用XPS在线测量Si/GaP(111)界面形成过程中各原子芯能级的移动趋势来研究界面原子间的成键情况;借助Ga3p峰强随Si覆盖厚度的变化确定Si的生长模式。... 研究用电子束蒸发方法把Si淀积在GaP表面的界面生长过程。用XPS在线测量Si/GaP(111)界面形成过程中各原子芯能级的移动趋势来研究界面原子间的成键情况;借助Ga3p峰强随Si覆盖厚度的变化确定Si的生长模式。还用LEED监测Si生长时的表面结构状态。 展开更多
关键词 异质界面 磷化镓 界面生长
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熔注炸药低比压顺序凝固界面生长规律研究 被引量:8
5
作者 高丰 黄求安 王冠一 《兵器装备工程学报》 CAS 北大核心 2020年第8期126-130,共5页
采用低比压顺序凝固装药技术,进行改B熔注炸药装药研究,建立熔注装药热传导有限元模型,模拟改B炸药凝固过程,预测炸药凝固界面变化、生长;通过实验得到改B炸药凝固成型时的温度场随时间的变化情况,动态研究炸药内部温度场及其变化规律,... 采用低比压顺序凝固装药技术,进行改B熔注炸药装药研究,建立熔注装药热传导有限元模型,模拟改B炸药凝固过程,预测炸药凝固界面变化、生长;通过实验得到改B炸药凝固成型时的温度场随时间的变化情况,动态研究炸药内部温度场及其变化规律,得到改B炸药低比压顺序凝固界面移动速度和生长规律,其结果与模拟结果吻合。 展开更多
关键词 弹药装药 低比压顺序凝固 凝固温度 界面生长
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高银系Sn-Ag-Cu/Cu界面金属间化合物生长行为
6
作者 张欣 秦俊虎 +2 位作者 龙登成 梁东成 严继康 《焊接》 2024年第8期38-46,共9页
【目的】为研究高银系(Ag质量分数大于3.0%)Sn-Ag-Cu在固相时效过程中的界面反应和生长动力学。【方法】高温条件下不同银含量对界面结构和界面生长的影响,为了确定焊点的长期可靠性,在150℃下进行了0 h,100 h,300 h,500 h的热加速老化... 【目的】为研究高银系(Ag质量分数大于3.0%)Sn-Ag-Cu在固相时效过程中的界面反应和生长动力学。【方法】高温条件下不同银含量对界面结构和界面生长的影响,为了确定焊点的长期可靠性,在150℃下进行了0 h,100 h,300 h,500 h的热加速老化试验。用SEM与EDS进行了IMC表面形貌、厚度和元素组成。【结果】研究结果表明,随着银含量的增加,Cu_(6)Sn_(5)的生长受到不同程度抑制。在等温时效过程中,金属间化合物(IMC,Cu_(6)Sn_(5)+Cu_(3)Sn)的生长动力学是一个扩散控制过程,Cu_(6)Sn_(5)逐渐生长为Cu_(3)Sn;在后期的老化阶段,扇贝状的形状消失,表明生长机制发生了变化,变化为向垂直于界面方向的稳定生长;通过有限元技术,得出在服役过程中,热应力主要集中于Cu_(3)Sn与Cu基板交界处;随着时效时间的增加,焊点等效蠕变应变上升,可靠性逐渐降低;利用阿仑尼乌斯公式计算了金属间化合物IMC(Cu_(6)Sn_(5)+Cu_(3)Sn)在界面Sn-3.0Ag-0.7Cu/Cu,Sn-3.4Ag-0.7Cu/Cu,Sn-3.8Ag-0.7Cu/Cu的表观活化能分别为67.13 kJ/mol,70.50 kJ/mol,69.54 kJ/mol。【结论】根据试验与数值模拟计算相结合的研究手段,得到Sn-3.4Ag-0.7Cu款无铅焊料在高温服役过程中比其他焊料更能满足电子元件的要求。 展开更多
关键词 锡银铜焊料 界面生长 等温时效 IMC厚度
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液/液界面生长法制备一维纳米硒 被引量:4
7
作者 宋吉明 张胜义 +2 位作者 史洪伟 金葆康 沈玉华 《化学通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期434-437,共4页
采用均相反应界面生长法制备了一维结构的纳米硒。在制备过程中,初始硒纳米粒子首先在均相反应液中生成,然后加入与该反应液不互溶的溶剂,使其形成液液界面,硒纳米粒子聚集在界面上生长为一维结构。用扫描电镜、透射电镜、X射线粉末衍... 采用均相反应界面生长法制备了一维结构的纳米硒。在制备过程中,初始硒纳米粒子首先在均相反应液中生成,然后加入与该反应液不互溶的溶剂,使其形成液液界面,硒纳米粒子聚集在界面上生长为一维结构。用扫描电镜、透射电镜、X射线粉末衍射等测试技术对样品进行了表征,并讨论了界面生长的机理及其影响因素。 展开更多
关键词 界面生长 一维结构 纳米硒
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接种量对单增李斯特菌生长期及生长界面的影响 被引量:10
8
作者 周小红 李学英 +1 位作者 杨宪时 迟海 《食品工业科技》 CAS CSCD 北大核心 2014年第18期180-184,共5页
为了初步了解接种量对单增李斯特菌生长状况及生长/非生长界面的影响,本实验对单增李斯特菌在0、4、10、25℃下通过培养菌液在600nm下的吸光光度值对其生长周期曲线分别进行了测定,并分析了不同接种量的单增李斯特菌菌液在25℃下的生长... 为了初步了解接种量对单增李斯特菌生长状况及生长/非生长界面的影响,本实验对单增李斯特菌在0、4、10、25℃下通过培养菌液在600nm下的吸光光度值对其生长周期曲线分别进行了测定,并分析了不同接种量的单增李斯特菌菌液在25℃下的生长周期状况,探讨了纯培养条件下不同盐度和pH下,接种量对单增李斯特菌生长/非生长状况的影响。结果表明:不同的温度下,单增李斯特菌的生长周期有很大的差别;而在相同温度下,接种量对单增李斯特菌的生长周期有较大的影响,随着接种水平的降低,菌种生长所需的延滞时间越长,接种量为107CFU/mL时,其生长延滞期为0-4h,而当接种量减少为10CFU/mL时,其生长延滞期为0-16h;而对于单增李斯特菌的生长/非生长界面而言,接种量对其也有一定的影响,但其作用机制还有待进一步深入的研究。 展开更多
关键词 单增李斯特菌 接种量 生长 生长界面
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蜡样芽胞杆菌生长/非生长界面模型的建立和评价 被引量:6
9
作者 陈琛 杨宪时 李学英 《食品与发酵工业》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期18-24,共7页
蜡样芽胞杆菌是软烤虾仁产品的主要变质菌,它是一种条件致病菌,通过产生腹泻毒素和呕吐毒素导致食物中毒。该研究旨在建立一种概率模型来预测出蜡样芽胞杆菌的生长/非生长情况或者生长概率。用lo-gistic回归模型建立不同温度、水分活度... 蜡样芽胞杆菌是软烤虾仁产品的主要变质菌,它是一种条件致病菌,通过产生腹泻毒素和呕吐毒素导致食物中毒。该研究旨在建立一种概率模型来预测出蜡样芽胞杆菌的生长/非生长情况或者生长概率。用lo-gistic回归模型建立不同温度、水分活度和pH环境因子作用下蜡样芽胞杆菌的生长/非生长界面模型。实验结果表明蜡样芽胞杆菌在脑心浸液肉汤培养基中生长的最低温度为9.99℃,最低水分活度为0.931,最小pH值为4.5。在此基础上建立的蜡样芽胞杆菌生长/非生长界面模型的χ2=49.73,P<0.000 1。用logistic回归模型建立的生长/非生长模型拟合效果达到极显著水平。模型的预测值同时很好地量化了环境因子对蜡样芽胞杆菌的协同作用,为软烤虾仁产品中蜡样芽胞杆菌的生长/非生长界面模型的建立提供了参考。 展开更多
关键词 生长 生长界面 蜡样芽胞杆菌 模型 LOGISTIC回归
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Φ300mm碘化铯晶体发光非均匀性与生长界面的关系 被引量:4
10
作者 任国浩 陈晓峰 +3 位作者 李焕英 吴云涛 张卫东 樊加荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3375-3378,共4页
报道了迄今为止国内首次生长出的最大直径(300 mm)碘化铯CsⅠ(Tl)闪烁晶体,并采用X射线和137Cs所发射的-射线为激发源分别测试了该晶体不同部位的发光强度,分析了这些部位的铊离子浓度,并对发光强度与铊离子浓度及其空间关系进行了讨论... 报道了迄今为止国内首次生长出的最大直径(300 mm)碘化铯CsⅠ(Tl)闪烁晶体,并采用X射线和137Cs所发射的-射线为激发源分别测试了该晶体不同部位的发光强度,分析了这些部位的铊离子浓度,并对发光强度与铊离子浓度及其空间关系进行了讨论,认为该晶体在水平面上的发光不均匀性反映出生长界面具有凸向上的特征,进而提出调节温度场对改善均匀性具有重要作用。 展开更多
关键词 CSI(TL)晶体 光输出 Tl离子浓度 非均匀性 生长界面
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环境因子及接种量对单增李斯特菌生长/非生长界面的影响 被引量:3
11
作者 周小红 李学英 +1 位作者 杨宪时 刘尊雷 《食品工业科技》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期53-59,共7页
单增李斯特菌在实验设定的环境条件下,通过10倍梯度稀释将菌悬液分别稀释到101、103、105、107CFU/m L四个接种水平,然后接种到TSB-YE肉汤中,培养基置于恒温培养箱中进行培养,然后通过肉眼观察培养基浊度并结合涂布TSA-YE平板对其生长/... 单增李斯特菌在实验设定的环境条件下,通过10倍梯度稀释将菌悬液分别稀释到101、103、105、107CFU/m L四个接种水平,然后接种到TSB-YE肉汤中,培养基置于恒温培养箱中进行培养,然后通过肉眼观察培养基浊度并结合涂布TSA-YE平板对其生长/非生长情况进行判定,通过Logistics多项式回归模型对处理的数据建立了单增李斯特菌生长/非生长的界面模型。实验结果表明不同生长温度,p H和盐度的交互作用对单增李斯特菌的生长/非生长界面的影响较大,接种量的大小也会影响单增李斯特菌生长/非生长过渡区域的具体位置,但具体原因和作用机制还有待进一步研究。该研究为抑制单增李斯特菌生长的环境因子条件范围和实际产品中的污染严重程度提供一定的参考依据,对于有潜在单增李斯特菌污染的产品来说,这为加强产品的栅栏因子,优化工艺条件以提高其安全度也提供了重要的参考。 展开更多
关键词 单增李斯特菌 生长/非生长界面 影响
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立方氮化硼单晶生长界面层的精细结构 被引量:2
12
作者 许斌 张文 +2 位作者 郭晓斐 吕美哲 苏海通 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期879-884,共6页
以Li3N为触媒、六方氮化硼(hBN)为原料,采用静态高温高压法合成立方氮化硼(cBN)单晶。为探讨cBN合成机理,利用扫描电镜观察了cBN单晶生长界面层形貌,利用俄歇电子能谱和X射线光电子能谱对界面层精细结构进行了表征。结果表明,cBN单晶被... 以Li3N为触媒、六方氮化硼(hBN)为原料,采用静态高温高压法合成立方氮化硼(cBN)单晶。为探讨cBN合成机理,利用扫描电镜观察了cBN单晶生长界面层形貌,利用俄歇电子能谱和X射线光电子能谱对界面层精细结构进行了表征。结果表明,cBN单晶被合成后的触媒粉末所包裹,界面层中B、N元素相对比例基本保持不变,且随着距离cBN单晶越来越近,B、N元素的sp2杂化态逐渐减少,sp3杂化态逐渐增多,这说明hBN含量逐渐减少,而cBN含量逐渐增多。由于Li元素非常活泼,在高温高压体系中的电子结构极不稳定,故可以作为电子转移的桥梁,完成电子由N向B的转移。据此认为在cBN单晶生长界面层中,B、N元素的sp2杂化态逐渐转变成了sp3杂化态。以上结果说明hBN在触媒催化作用下可直接转变为cBN。 展开更多
关键词 高温高压 CBN 生长界面 精细结构
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ACRT-Te溶液Bridgman法生长的In掺杂CdMnTe界面研究(英文) 被引量:2
13
作者 杜园园 介万奇 +3 位作者 郑昕 王涛 白旭旭 于晖 《中国有色金属学会会刊:英文版》 CSCD 2012年第S1期143-147,共5页
采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观... 采用ACRT-Te溶液垂直布里奇曼法成功制备出直径为30mm、长度为60mm的CdMnTe晶锭。相对于普通布里奇曼法生长的CdMnTe晶锭,Te溶液法生长的 CdMnTe晶锭中的孪晶大大减少。但是由于较高的Te夹杂相密度,红外透过成像显示晶锭生长界面的微观形貌既不均匀也不规则。同时,采用激光共聚焦显微镜也观察到CdMnTe富Te区存在无规律沉积的含有孔洞的不规则形状Te相。如果采用合适的生长工艺得到较为平直的生长界面,Te溶液垂直布里奇曼法可以有效减少CdMnTe晶体中的孪晶。 展开更多
关键词 溶液法生长 垂直Bridgman法 CDMNTE 孪晶 生长界面 Te夹杂相
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量化栅栏技术和创建生长/非生长界面模型对食品保藏的意义 被引量:3
14
作者 别春彦 杨宪时 《食品工业科技》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期200-203,共4页
通过温度与水分活度(aw)和温度与pH对微生物生长速率联合作用的预测模型分析栅栏效应,由于食品中联合栅栏作用下,存在着微生物生长/非生长界面,探讨通过微生物生长动力模型来限定微生物生长/非生长界面的可能性。由于联合栅栏效应在不... 通过温度与水分活度(aw)和温度与pH对微生物生长速率联合作用的预测模型分析栅栏效应,由于食品中联合栅栏作用下,存在着微生物生长/非生长界面,探讨通过微生物生长动力模型来限定微生物生长/非生长界面的可能性。由于联合栅栏效应在不同的条件下,作用是不同的,有时是叠加的,有时是协同的。分析食品中栅栏作用就需要量化栅栏技术,量化栅栏技术可能为开发一种最低限度影响产品质量的新一代食品保藏技术提供一些新的思路。 展开更多
关键词 栅栏技术 生长/不生长界面 预测模型 生长速度 食品保藏
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金刚石单晶生长界面Auger电子能谱分析 被引量:1
15
作者 李颖 郝兆印 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2005年第5期55-57,共3页
本文用Auger电子能谱技术分别对金刚石单晶生长界面的金属膜表面及附近碳原子的Auger谱精细结构、金刚石单晶附近及其表面的Auger谱精细结构进行了分析。Auger谱分析表明,金刚石晶体外的碳的Auger谱与石墨的类似,金刚石单晶上的碳的Auge... 本文用Auger电子能谱技术分别对金刚石单晶生长界面的金属膜表面及附近碳原子的Auger谱精细结构、金刚石单晶附近及其表面的Auger谱精细结构进行了分析。Auger谱分析表明,金刚石晶体外的碳的Auger谱与石墨的类似,金刚石单晶上的碳的Auger谱与石墨的主跃迁峰能量相差约3.7 eV,与金刚石单晶Auger谱形相同,介于两者之间的Auger谱反映出碳原子的电子杂化态介于石墨与金刚石单晶之间。结果表明高温高压条件下石墨中碳原子经过“金属催化剂层”才能将碳原子的电子构形从SP2π态改变成SP3态,碳原子从而以金刚石四面体结构沉积到金刚石表面,金刚石晶格结构的形成是在金刚石表面层完成的。 展开更多
关键词 金刚石单晶 生长界面 Auger电子能谱
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静态高温高压法合成立方氮化硼单晶的生长界面表征 被引量:2
16
作者 许斌 张文 +2 位作者 吕美哲 郭晓斐 苏海通 《纳米科技》 2015年第3期50-56,共7页
在高温高压下的氮化锂-六方氮化硼(Li3N-hBN) 体系中合成立方氮化硼(cBN) 单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂(Li3BN2) 组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,... 在高温高压下的氮化锂-六方氮化硼(Li3N-hBN) 体系中合成立方氮化硼(cBN) 单晶,通过表征实验样品发现,生长界面处的相结构是由hBN、cBN微颗粒和硼氮化锂(Li3BN2) 组成的,大颗粒cBN单晶通过吞并生长界面周围的cBN微颗粒进行生长,生长界面中的硼和氮原子的电子结构从sp2 逐渐转变为sp3,根据结果推断,高温高压状态下,在立方氮化硼合成过程中,cBN更有可能是在Li3BN2的催化下由hBN直接转变而来. 展开更多
关键词 立方氮化硼 生长界面 静态高温高压法 HRTEM XPS 生长机理
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高温高压条件下金刚石单晶生长界面的研究 被引量:1
17
作者 李颖 郝兆印 《河南工业大学学报(社会科学版)》 2000年第4期1-6,共6页
高温高压下金刚石单晶的成核和生长,一直是金刚石行业的学者所关心的课题.本文介绍了在实验上获得的一些金刚石单晶生长方面的信息,试为已有的理论提供一些实验依据.
关键词 金刚石单晶 生长界面 高温高压
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高温高压条件下金刚石单晶生长界面Auger电子能谱研究
18
作者 李颖 郝兆印 《超硬材料工程》 CAS 2005年第6期17-20,共4页
用A uger电子能谱技术分别进行金刚石单晶生长界面的金属膜表面及附近碳原子的精细A uger谱分析、金刚石单晶附近及其表面的A uger谱精细结构分析。研究结果表明,在高温高压有催化剂参与下金刚石单晶生长是双界面生长,存在两个主界面D—... 用A uger电子能谱技术分别进行金刚石单晶生长界面的金属膜表面及附近碳原子的精细A uger谱分析、金刚石单晶附近及其表面的A uger谱精细结构分析。研究结果表明,在高温高压有催化剂参与下金刚石单晶生长是双界面生长,存在两个主界面D—M及M—C。高温高压条件下石墨中碳原子经过“过渡层”及“金属催化剂层”才能将碳原子的电子构形从SP2π态改变成SP3态,从而以碳原子的金刚石四面体结构长到金刚石表面,金刚石晶格结构的形成是在金刚石表面层完成的。 展开更多
关键词 金刚石单晶 生长界面 Auger电子能谱
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成矿元素Mn、Co和Ni在富钴结壳生长界面的热力学行为
19
作者 崔迎春 尹学博 +2 位作者 石学法 刘季花 张辉 《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第S1期688-688,共1页
富钴结壳是广泛分布在海底正地形上的一种铁锰氧化物,由于富钴结壳富含Co等战略金属元素,使其成为潜在的待开发海底资源。它包括结核型和层状型两种类型,受地形控制,使得坡度比较陡峭的地形上板状结壳分布广泛,结核型的则少见。富钴结... 富钴结壳是广泛分布在海底正地形上的一种铁锰氧化物,由于富钴结壳富含Co等战略金属元素,使其成为潜在的待开发海底资源。它包括结核型和层状型两种类型,受地形控制,使得坡度比较陡峭的地形上板状结壳分布广泛,结核型的则少见。富钴结壳分布水深介于400~4000m之间,其主要成矿元素Mn、Fe。 展开更多
关键词 富钴结壳 成矿元素 生长界面 两种类型 金属元素 铁锰氧化物 铁锰结壳 海底资源 正地形 热力学行为
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温度梯度溶液法生长ZnTe晶体时生长界面的优化设计 被引量:4
20
作者 殷利迎 介万奇 +3 位作者 王涛 周伯儒 杨帆 査钢强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第4期4001-4006,共6页
为了优化用温度梯度溶液法(TGSG)生长ZnTe晶体时的生长界面,设计了一种由莫来石圆筒及其内部的圆柱形石墨芯组成的安瓿支撑结构。用有限元的方法数值模拟了这种支撑结构对生长过程中各种传输现象及生长界面形貌的影响。模拟结果显示,晶... 为了优化用温度梯度溶液法(TGSG)生长ZnTe晶体时的生长界面,设计了一种由莫来石圆筒及其内部的圆柱形石墨芯组成的安瓿支撑结构。用有限元的方法数值模拟了这种支撑结构对生长过程中各种传输现象及生长界面形貌的影响。模拟结果显示,晶体生长开始时,溶液内存在上下两个顺时针方向的涡流。随后,靠近生长界面的涡流很快消失,远离生长界面的涡流逐渐缩小,并向溶液顶部移动。生长界面前的对流消失后,ZnTe溶质以扩散形式向生长界面传输。生长界面最开始为凸界面,待生长至晶锭总长度的1/3处时转为平直界面,之后转为凹界面。生长界面深度始终明显小于未采用本支撑结构时的生长界面,也没有出现生长界面的分段现象。这样的生长界面将有利于提高ZnTe晶体的单晶率及结晶质量。 展开更多
关键词 ZNTE 晶体生长 温度梯度溶液法(TGSG) 数值模拟 生长界面 热溶质对流
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