基于Multisim仿真的直接耦合放大电路研究及测试 被引量：1

1

作者 欧阳明星 周泽湘 张文辉 《中国测试》 CAS 北大核心 2014年第5期126-129,共4页

针对多级直接耦合模拟电路分析设计复杂的特点,借助Multisim软件进行电路仿真分析及测试。将场效应管输出的功率放大电路进行分解,分解后的单元电路能独立仿真,计算电路静态工作点及性能参数,制作实物并使用6 1/2台式万用表及四通道数... 针对多级直接耦合模拟电路分析设计复杂的特点,借助Multisim软件进行电路仿真分析及测试。将场效应管输出的功率放大电路进行分解,分解后的单元电路能独立仿真,计算电路静态工作点及性能参数,制作实物并使用6 1/2台式万用表及四通道数字示波器进行测试,最后讨论电路产生失真的原理及解决对策。测试结果与仿真计算结果基本一致,使用虚拟仿真手段能提高电路设计与测试效率,缩短产品开发周期。 展开更多

关键词 MULTISIM仿真 测试 场效应管 直接耦合 恒流源

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GaN E-D HEMT集成逻辑门电路特性研究 被引量：1

2

作者 刘涛 刘昊 +6 位作者 周建军 孔岑 陆海燕 董逊 张有涛 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期509-513,521,共6页

基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的高质量AlGaN/GaN异质结构材料,采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型/耗尽型(E/D)HEMT器件的集成,应用直接耦合场效应管逻辑(DCFL)设计并研制GaN E/D HEMT集成逻辑门电路。通过对GaN E/D... 基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长的高质量AlGaN/GaN异质结构材料,采用选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN增强型/耗尽型(E/D)HEMT器件的集成,应用直接耦合场效应管逻辑(DCFL)设计并研制GaN E/D HEMT集成逻辑门电路。通过对GaN E/D器件性能以及逻辑门电路性能的分析讨论,研究了GaN E/D器件性能对逻辑门电路性能的影响。同时还对选择性栅挖槽结合栅介质工艺实现GaN E/D器件存在的问题进行了分析讨论。 展开更多

关键词 铝镓氮 氮化镓 氮化镓增强型 耗尽型高电子迁移率晶体管 直接耦合场效应管逻辑 逻辑门结构 阈值电压漂移

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基于DDS技术的神经阈值刺激仪的研制 被引量：12

3

作者 汤黎明 常本康 +1 位作者 刘铁兵 吴敏 《北京生物医学工程》 2003年第3期191-194,197,共5页

目的　针对基于模拟函数信号发生器的神经阈值刺激仪在动物实验和临床应用过程中遇到的实际困难和问题 ,为了满足科研项目“神经阈值图谱绘制及其临床应用研究”对神经阈值刺激仪各项指标的要求 ,重新设计、调试、改进神经阈值刺激仪。... 目的　针对基于模拟函数信号发生器的神经阈值刺激仪在动物实验和临床应用过程中遇到的实际困难和问题 ,为了满足科研项目“神经阈值图谱绘制及其临床应用研究”对神经阈值刺激仪各项指标的要求 ,重新设计、调试、改进神经阈值刺激仪。方法　基于直接数字合成 (directdigitalsynthesis ,DDS)以及其它新技术 ,设计出全新的信号发生源 ,采用光电耦合、高隔离电源以及浮地等方法 ,摒弃了传统的变压器隔离等技术 ,使神经阈值刺激输出的刺激信号能量较强且稳定 ,失真度低。结果　仪器整机安装调试后 ,就仪器输出的正弦波信号 ,用TDS30 34B数字存贮示波器对其观察并进行FFT处理 ,经计算可知 ,信号总波形失真度小于 1 0 %。结论　重新设计的神经阈值刺激仪无论从输出信号失真度上还是从刺激能量的强度和稳定度上 ,以及整机的可靠性、安全性等诸方面 ,都基于模拟函数信号发生器的神经阈值刺激仪有重大进步或改善 ,完全满足科研项目“神经阈值图谱绘制及其临床应用研究”对神经阈值刺激仪各项指标的要求。 展开更多

关键词 DDS技术 神经阈值刺激仪 神经阈值图谱 直接数字合成 可编程逻辑器件 PLD 光电耦合

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带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器设计 被引量：5

4

作者 张滨 李富强 +2 位作者 杨柳 魏洪涛 方园 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期499-503,共5页

采用GaAs增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑... 采用GaAs增强/耗尽型（E/D）赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款带数字驱动的Ku波段6bit数控衰减器微波单片集成电路（MMIC）。该MMIC将数字驱动和6bit数控衰减器集成在一起,数字驱动电路采用的是直接耦合场效应晶体管逻辑（DCFL）电路,6bit数控衰减器由6个衰减基本态级联组成。版图经过合理优化后,最终的MMIC芯片尺寸为2.4mm×1.3mm。测试结果表明,在12~18GHz,芯片可以实现最大衰减量为31.5dB,步进为0.5dB的衰减量控制。衰减64态均方根误差小于0.6dB,附加相移-2°~2.5°,插入损耗小于6.1dB,输入输出驻波比均小于1.5∶1。 展开更多

关键词 微波单片集成电路(MMIC) 数字驱动 数控衰减器 直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL) 均方根(RMS)误差

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一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器 被引量：5

5

作者 谢媛媛 陈凤霞 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期580-585,共6页

微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设... 微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设计的关键点。通过在衰减器拓扑中共用接地通孔、合并两个小衰减位、缩小微带线宽度和线间距、缩小薄膜电阻尺寸、减少控制电压压点个数,实现了芯片的超小型化,从而降低了MMIC数字衰减器的成本。测试结果表明,在DC^18 GHz频段内,数字衰减器的插入损耗小于6 d B,全态输入输出驻波比(VSWR)小于1.6,全态均方根误差小于0.7 d B,工作电流小于5 m A。数字衰减器芯片面积为1.45 mm×0.85 mm。 展开更多

关键词 微波单片集成电路(MMIC) 超小型 数字衰减器 GaAs E/D PHEMT 直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)单元

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用于光纤传输系统的10Gbit/s CMOS 1∶8分接器

6

作者 徐跃 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第12期164-167,共4页

采用TSMC0.25μm RF CMOS工艺设计了一个应用于光纤传输系统的10Gbit/s CMOS 1∶8分接器.整个系统采用树型结构,由3级1∶2分接器、2级1∶2分频器、级间缓冲器和输入、输出接口电路构成.为了适应高速度的要求,所有电路全都采用源极耦合... 采用TSMC0.25μm RF CMOS工艺设计了一个应用于光纤传输系统的10Gbit/s CMOS 1∶8分接器.整个系统采用树型结构,由3级1∶2分接器、2级1∶2分频器、级间缓冲器和输入、输出接口电路构成.为了适应高速度的要求,所有电路全都采用源极耦合场效应管逻辑来实现.使用SmartSpice进行了仿真,结果表明:在电源电压为3.3V时,电路的最高工作速率可以达到10Gbit/s,电路功耗约为800mW. 展开更多

关键词 光纤传输系统 分接器 源极耦合场效应管逻辑 锁存器

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增强型硅基氮化镓p沟道晶体管器件 被引量：3

7

作者 王登贵 周建军 +3 位作者 张凯 胡壮壮 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第2期F0003-F0003,共1页

近来,集成栅极驱动器的商用氮化镓(GaN)功率IC已成功推向市场。与传统硅芯片所采用的CMOS技术不同,GaN功率IC则是采用基于n沟道器件的直接耦合晶体管逻辑(DCFL)实现。在DCFL逻辑架构里,上拉网络中的耗尽型晶体管器件处于常开状态,当下... 近来,集成栅极驱动器的商用氮化镓(GaN)功率IC已成功推向市场。与传统硅芯片所采用的CMOS技术不同,GaN功率IC则是采用基于n沟道器件的直接耦合晶体管逻辑(DCFL)实现。在DCFL逻辑架构里,上拉网络中的耗尽型晶体管器件处于常开状态,当下拉网络开启时,整个电路系统会产生大量的静态功耗。为充分发挥GaN技术的潜力,实现GaN互补逻辑电路的研制,亟需开发高性能增强型GaN p沟道晶体管制备技术。 展开更多

关键词 CMOS技术 功率IC 逻辑电路 直接耦合 静态功耗 栅极驱动器 硅芯片 GaN

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带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关设计

8

作者 杨柳 《通信电源技术》 2023年第5期23-26,共4页

设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱... 设计了一款带数字驱动的DC-18 GHz单刀三掷开关(Single-Pole Three-Throw,SP3T)芯片。该芯片集成了单刀三掷开关和数字驱动器。单刀三掷开关由2个单刀双掷开关级联组成。单刀双掷开关采用吸收式开关结构,可以实现更好的关态驻波比。驱动电路采用直接耦合场效应晶体管逻辑(Direct Coupled Field Effect Transistor Logic,DCFL)式逻辑电路,具有结构简单、功耗低的优点。版图经过合理布局后,芯片尺寸为1.5 mm×2 mm。测试结果表明:在DC-18 GHz频段内,芯片插入损耗小于3.5 dB,隔离度大于50 dB。芯片采用5 V/0 V逻辑控制,开关速度小于8 ns,1 dB压缩输入功率23 dBm。 展开更多

关键词 微波单片集成电路(MMIC) 增强/耗尽型(E/D)高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单刀三掷开关(SP3T) 数字驱动 直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)

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采用SCFL的GaAs双模高速分频器

9

作者 王国全 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期157-160,共4页

介绍了三种GaAs双模高速分频器的设计,分别讨论了双模分频器的工作原理及三种电路的逻辑设计，以及基于源耦合场效应管逻辑的电路结构，并给出了三种电路的模拟结果。

关键词 GAAS 源耦合场效应管逻辑 双模高速分频器

原文传递

超高速0.18μm CMOS复接器集成电路设计

10

作者 张伟 李竹 《电子工程师》 2007年第5期12-14,24,共4页

介绍了一种超高速4∶1复接器集成电路。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,供电电源1.8 V。电路采用源极耦合场效应管逻辑,与静态CMOS逻辑相比具有更高的速度。为了避免高速时序电路中常见的时钟偏差,在时钟树中放置了缓冲器。在设计中采用... 介绍了一种超高速4∶1复接器集成电路。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,供电电源1.8 V。电路采用源极耦合场效应管逻辑,与静态CMOS逻辑相比具有更高的速度。为了避免高速时序电路中常见的时钟偏差,在时钟树中放置了缓冲器。在设计中采用有源电感的并联峰化技术有效地提高了电路工作速度。仿真结果表明最高速度可达13.5 Gbit/s,电路功耗约313 mW,复接器芯片面积约0.97×0.88 mm2。 展开更多

关键词 复接器 树型结构 选择器 CMOS 源极耦合场效应管逻辑

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GaAs DCFL超高速集成电路研究 被引量：1

11

作者 许艳阳 王长河 郑晓光 《半导体情报》 1995年第3期16-25,共10页

直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ... 直接耦合场效应逻辑（ＤＣＦＬ）具有简单的结构、良好的速度／功耗性能，是ＧａＡｓＦＥＴＬＳＩ电路中一种重要的逻辑形式。传统Ｅ／Ｄ型ＤＣＦＬ电路具有较低的成品率和较差的温度特性，本文研究了改进的Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路。对Ｅ／Ｄ、Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路的直流、瞬态及温度特性进行了分析、模拟和比较，Ｅ／Ｅ逻辑具有良好的高温性能。经优化设计，最后制作出单门延迟约１００ｐｓ、单门功耗约１ｍＷ的Ｅ／Ｄ和Ｅ／Ｅ型ＤＣＦＬ电路，且Ｅ／Ｅ型电路较Ｅ／Ｄ型电路具有更高的成品率。 展开更多

关键词 砷化镓 超高速 集成电路 直接耦合 场效应逻辑

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