TiO_2纳米晶薄膜电极的瞬态光电流特性 被引量：8

1

作者 吕红辉 汤钧 +2 位作者 白玉白 钱新明 董绍俊 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期99-102,共4页

采用 Ti Cl4 水解法制备 Ti O2 纳米微粒 ,并研究这种微粒形成的纳米晶薄膜电极的瞬态光电流特性 .利用能带模型和循环伏安特性讨论 Ti O2 纳米晶薄膜电极光生电荷的产生及转移动力学规律 .

关键词 二氧化钛 纳米晶薄膜 瞬态光电流 光电化学 电极

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GaAs光导开关瞬态光电导效应的研究 被引量：3

2

作者 龚仁喜 王江爱 +2 位作者 郑宏兴 张义门 石顺祥 《宝鸡文理学院学报（自然科学版）》 CAS 2000年第2期133-137,共5页

光导半导体开关自问世以来 ,以其优良的特性受到人们广泛的关注 ,其应用领域不断地拓展。本文建立了一个光导开关的瞬态响应模型 ,对 Ga As瞬态光电导效应进行了研究 ,重点研究了是光作用过程的 Dember效应和各种重要的复合机制对 Ga A... 光导半导体开关自问世以来 ,以其优良的特性受到人们广泛的关注 ,其应用领域不断地拓展。本文建立了一个光导开关的瞬态响应模型 ,对 Ga As瞬态光电导效应进行了研究 ,重点研究了是光作用过程的 Dember效应和各种重要的复合机制对 Ga As光导开关光电导响应的影响。 展开更多

关键词 瞬态光电导响应 Dember效应 砷化镓 光导开关

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瞬态光电导谱研究Pt的负载对TiO_2光生载流子寿命的影响 被引量：3

3

作者 张雯 王绪绪 付贤智 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1861-1864,共4页

采用瞬态光电导谱研究了TiO2的光电导衰减曲线,通过计算机拟合得到光生载流子的寿命,并考察了Pt的负载量对TiO2光生载流子有效寿命的影响.结果表明,增大Pt的负载量,可延缓光电导的衰减趋势,从而延长TiO2光生载流子的有效寿命,有效地降... 采用瞬态光电导谱研究了TiO2的光电导衰减曲线,通过计算机拟合得到光生载流子的寿命,并考察了Pt的负载量对TiO2光生载流子有效寿命的影响.结果表明,增大Pt的负载量,可延缓光电导的衰减趋势,从而延长TiO2光生载流子的有效寿命,有效地降低了光生载流子的复合率. 展开更多

关键词 瞬态光电导谱 TIO2 PT/TIO2

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铱掺杂溴化银微晶的瞬态光电导研究 被引量：2

4

作者 王巍 张怀武 王豪才 《应用光学》 CAS CSCD 2002年第3期18-22,共5页

研究在 77K时 ,铱掺杂溴化银微晶瞬态光电导 (TPC)的信号强度和衰减时间与铱掺杂浓度间的关系。在溴化银微晶的制备过程中 ,Ir Cl3 -6作为掺杂剂加入 ,使溴化银微晶中的部分银离子所占据的晶格位被铱离子取代 ,在溴化银晶体中同时引入... 研究在 77K时 ,铱掺杂溴化银微晶瞬态光电导 (TPC)的信号强度和衰减时间与铱掺杂浓度间的关系。在溴化银微晶的制备过程中 ,Ir Cl3 -6作为掺杂剂加入 ,使溴化银微晶中的部分银离子所占据的晶格位被铱离子取代 ,在溴化银晶体中同时引入新的电子陷阱与空穴陷阱 ,增强了内部的电子空穴复合 ,使 展开更多

关键词 铱掺杂 溴化银 微晶 瞬态光电导

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半导体多晶薄膜的瞬态光电导

5

作者 杨文库 杨宇晶 +1 位作者 杨韬 邓文荣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第11期814-819,共6页

在低温下观察到半导体多晶薄膜的瞬态光电导现象．给出了三维理论模型．理论研究表明，陷阶引起光电导，光生载流子通过隧道效应实现复合，使光电导逐渐衰减．我们的实验结果与理论计算结果符合得相当好．

关键词 半导体多晶薄膜 瞬态光电导 半导体薄膜技术

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P型CuInSe_2薄膜的瞬态光电导

6

作者 邓文荣 杨文库 《红外研究》 CSCD 北大核心 1990年第3期227-232,共6页

在低温下观察到P型CuInSe_2薄膜的瞬态光电导现象,并进行了理论和实验研究。认为该现象是由陷阱引起的光电导衰减使陷阱位垒妨碍光生电子和空穴的复合,通过隧道效应实现了光生电子和空穴的复合。理论与实验结果一致。

关键词 瞬态光电导 隧道效应 P-CuInSe_2薄膜

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超短光脉冲作用下非晶硅的瞬态光电导

7

作者 郭亨群 叶天水 曾锦川 《高速摄影与光子学》 CSCD 1991年第1期77-79,共3页

本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a-Si中光生电流衰减的机制是缺陷态对光生载流子的俘获。与化学气相沉积a-Si和进口硅PIN快速光电探测器的... 本文对制备时衬底温度不同的辉光放电沉积a-Si样品在超短光脉冲作用下的瞬态光电导进行研究,响应时间与样品缺陷态密度的关系表明a-Si中光生电流衰减的机制是缺陷态对光生载流子的俘获。与化学气相沉积a-Si和进口硅PIN快速光电探测器的瞬态响应实验结果的比较说明,a-Si的瞬态响应稳定性好。 展开更多

关键词 非晶硅 瞬态光电导

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有机单分子修饰的半导体界面瞬态光电特性

8

作者 韩力 卢杰 《物理实验》 2006年第2期15-17,共3页

利用脉冲激光诱导瞬态表面光电压探测技术研究了半导体表面修饰有机染料LB膜的光致电荷转移的动力学过程.实验发现,半导体表面氧化层的存在对界面电荷转移有很大影响.

关键词 瞬态光电压 有机单分子 LB膜 瞬态光电特性 半导体界面

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MOS器件电离辐照瞬态光电流的数值解

9

作者 周亮飞 王义 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期59-61,共3页

利用数值方法求解Poisson方程、连续性方程和俘获空穴产生率方程,模拟了MOS器件电离辐照时的瞬态光电流的非线性特性。

关键词 电离辐照 瞬态光电流 有限差分方法

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温度相关的CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导响应研究

10

作者 樊家顺 夏冬林 刘保顺 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期893-900,共8页

近年来,全无机铯铅卤化钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)纳米晶(NCs)材料因具有长载流子寿命、强光吸收、低成本制造和带隙可调性等独特的性能已成为研究的热点,但专注于CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导的相关研究却很少。本工作通过配体辅助再... 近年来,全无机铯铅卤化钙钛矿CsPbX_(3)(X=Cl,Br,I)纳米晶(NCs)材料因具有长载流子寿命、强光吸收、低成本制造和带隙可调性等独特的性能已成为研究的热点,但专注于CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导的相关研究却很少。本工作通过配体辅助再沉淀法制备了CsPbBr_(3)纳米晶体,并改进了光电导薄膜样品的制样方法和真空瞬态光电导测试装置,研究了不同温度和不同激发功率对CsPbBr_(3)纳米晶瞬态光电导的影响。不同温度的瞬态光电导实验结果表明,在133~273 K温度范围内,光生电流衰减速率随着温度增加而逐渐减小,而在273~373 K温度范围内,光生电流衰减速率随着温度升高而逐渐增大。不同激发功率的瞬态光电导实验表明,激发功率从200 mW逐渐增大到1000 mW时,光生电流衰减速率增大。本工作的研究方法为研究光激发光生载流子的动力学相关行为提供了一个的新思路。 展开更多

关键词 卤化铅钙钛矿 CsPbBr_(3)纳米晶 光生电流 瞬态光电导 载流子弛豫

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BiVO_4膜电极的制备及其光电化学性能 被引量：3

11

作者 彭天右 柯丁宁 +2 位作者 曾鹏 张晓虎 范科 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2160-2166,共7页

以自制的BiVO4纳米粉制备膜电极, 采用电化学方法较系统地研究了退火温度和膜厚对BiVO4膜电极的光电化学行为和电子输运与复合的影响. 结果表明: 退火温度和膜厚对BiVO4膜电极的光电特性有显著的影响. 膜厚为6.75 μm时, BiVO4膜电极具... 以自制的BiVO4纳米粉制备膜电极, 采用电化学方法较系统地研究了退火温度和膜厚对BiVO4膜电极的光电化学行为和电子输运与复合的影响. 结果表明: 退火温度和膜厚对BiVO4膜电极的光电特性有显著的影响. 膜厚为6.75 μm时, BiVO4膜电极具有最佳的光电化学特性. 退火温度低于500 °C时, 膜电极的光电活性随着温度的升高而增强, 至500 °C时达到最大值; 此后膜电极内的体相缺陷明显增加, 导致其光电活性逐渐降低. BiVO4膜电极有良好的可见光光电转换效率, 并利用其单色光转换效率曲线计算得到BiVO4的带隙为2.36eV, 采用莫特-肖特基电化学法测得其平带电位为-0.7 V (vs Ag/AgCl). 上述结果为BiVO4光催化体系的优化提供了重要的参考. 展开更多

关键词 BiVO4膜电极 光电化学性能 瞬态光电流谱 平带电位

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宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法研究 被引量：2

12

作者 杜川华 周开明 熊涔 《核电子学与探测技术》 北大核心 2017年第7期726-733,共8页

借助于计算机开展器件和电路辐射效应的数值模拟,已成为抗辐射加固电路设计、制造和辐射性能预测、评估的重要环节。文章深入研究了国际上先进的光电流模型,提出了一种适用于较宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法。针对一... 借助于计算机开展器件和电路辐射效应的数值模拟,已成为抗辐射加固电路设计、制造和辐射性能预测、评估的重要环节。文章深入研究了国际上先进的光电流模型,提出了一种适用于较宽剂量率范围的集成电路瞬时电离辐射效应模拟方法。针对一种CMOS电压反馈型运算放大器,建立了器件和整体电路的瞬时电离辐射效应SPICE模型,采用MATLAB和HSPICE相结合的方法计算了电路在多种约束条件下(电路设计参数、辐射条件等)的瞬时电离辐射响应(瞬态峰值电平和恢复时间)。本研究为其他类型CMOS集成电路在较宽剂量率范围下的瞬时电离辐射效应建模和仿真提供了参考。 展开更多

关键词 剂量率 瞬时电离辐射 运算放大器 电路仿真 器件模型 瞬态光电流

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利用铁电薄膜研究体异质结型有机光伏器件的光电流极性 被引量：2

13

作者 李博 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第1期217-222,共6页

制备了铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)铁电薄膜,并通过紫外-可见(UV-Vis)透射光谱、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其进行了表征.为了研究体异质结型有机共混膜的光电流特性,制作了氧化铟锡(ITO)/PMN-PT/有机共混膜/铝(Al)的光伏器件,... 制备了铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)铁电薄膜,并通过紫外-可见(UV-Vis)透射光谱、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对其进行了表征.为了研究体异质结型有机共混膜的光电流特性,制作了氧化铟锡(ITO)/PMN-PT/有机共混膜/铝(Al)的光伏器件,调制激光照射下外加偏压的极性和大小变化将直接改变瞬态光电流的极性和大小,从而可在实验上证明传统体异质结型有机光伏器件的光电流极性是由器件阴、阳电极的功函数差所导致的内建电场的方向决定.同时也提出了一种利用铁电薄膜来研究体异质结型有机光伏器件光电流特性的新方法. 展开更多

关键词 铁电薄膜 有机物 光伏器件 体异质结 瞬态光电流 铌镁酸铅-钛酸铅 极性

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TiO_2/CdSe纳晶复合薄膜电极的光电性能研究

14

作者 秦丽莉 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期128-130,共3页

研究了TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极的瞬态光电流、光电流作用谱、光吸收特性,结果表明TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极阻止了CdSe上光生电子和空穴的复合,从而提高了阳极光电流的响应,获得了较高增幅的稳态光电流。

关键词 瞬态光电流 光电流作用谱 TiO2/CdSe纳晶复合薄膜电极

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飞秒激光脉冲作用熔石英的超快传热动力学研究

15

作者 余方锐 杜广庆 +3 位作者 Waqas AHMAD 陆宇 杨青 陈烽 《应用光学》 CAS 北大核心 2024年第3期529-536,共8页

飞秒激光具有超短脉冲宽度、超高峰值功率的特点,飞秒激光与物质作用表现出的非线性吸收和低热扩散特性,使其在高精密微纳器件加工中有着重要的应用前景。建立了针对飞秒激光脉冲与熔石英作用的瞬态光电离以及非平衡传热的超快动力学模... 飞秒激光具有超短脉冲宽度、超高峰值功率的特点,飞秒激光与物质作用表现出的非线性吸收和低热扩散特性,使其在高精密微纳器件加工中有着重要的应用前景。建立了针对飞秒激光脉冲与熔石英作用的瞬态光电离以及非平衡传热的超快动力学模型。通过数值求解该模型获得了飞秒激光单脉冲作用熔石英的载流子密度和非平衡电子与声子温度的时空演化;得到了在非平衡态条件下,电声耦合时间随激光能量密度、脉冲宽度的近线性调控规律。进一步研究得到了瞬态电子热导、热容、电声耦合系数的变化规律,并对上述模拟现象进行了分析和探讨。 展开更多

关键词 飞秒激光脉冲 瞬态光电离 超快传热 双温模型

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蓝宝石邻晶面衬底MBE生长GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性研究 被引量：2

16

作者 苑进社 陈光德 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期4218-4223,共6页

在实验优化MBE工艺条件的基础上,采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高,AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电... 在实验优化MBE工艺条件的基础上,采用蓝宝石(0001)邻晶面衬底制备出了具有较高质量的GaN薄膜.XRD分析表明邻晶面衬底生长的GaN薄膜晶体结构质量明显提高,AFM表征结果显示邻晶面生长的样品表面形貌显著改善.蓝宝石衬底GaN薄膜的瞬态光电导弛豫特性对比实验研究发现,常规衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫特性出现双分子复合、单分子复合和弛豫振荡三个过程,持续时间分别为0.91,7.7和35.5ms;蓝宝石邻晶面衬底生长的GaN薄膜光电导弛豫过程主要是双分子复合和单分子复合过程,持续时间分别为0.78和14ms.理论分析表明MBE生长GaN薄膜的持续光电导效应主要起源于本生位错缺陷引发的深能级. 展开更多

关键词 邻晶面蓝宝石衬底 GAN薄膜 瞬态光电导 弛豫特性

原文传递

瞬态光电流对有机薄膜光伏器件中肖特基接触的研究

17

作者 李博 邵剑峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期422-426,共5页

制备了结构为氧化铟锡(ITO)/有机半导体/金属的有机薄膜光伏器件,电流-电压曲线显示其具有整流特性但有机半导体和电极间肖特基接触的内建电场方向很难判定.为了研究有机半导体和电极的肖特基接触特性,分别制备了结构为ITO/有机绝缘层/... 制备了结构为氧化铟锡(ITO)/有机半导体/金属的有机薄膜光伏器件,电流-电压曲线显示其具有整流特性但有机半导体和电极间肖特基接触的内建电场方向很难判定.为了研究有机半导体和电极的肖特基接触特性,分别制备了结构为ITO/有机绝缘层/有机半导体/金属和ITO/有机半导体/有机绝缘层/金属的器件,通过调制激光照射下器件的瞬态光电流方向可容易判断有机半导体和电极间肖特基接触的内建电场方向,外加偏压下瞬态光电流的强度变化进一步证实了判断的正确性. 展开更多

关键词 肖特基 整流接触 有机光伏器件 瞬态光电流

原文传递

新颖瞬态物种的产生与表征 被引量：1

18

作者 曾小庆 王殿勋 《中国科学（B辑）》 CSCD 北大核心 2007年第3期209-234,共26页

基于对紫外光电子能谱(PES)仪的不断改进,成功地生成与表征了系列新颖瞬态物种.简要综述了PES的基本原理;系列新颖瞬态物种活性卤素化合物、短寿命自由基、亚稳态拟卤素化合物的PES实验和理论量子化学研究;以及新建立的紫外光电子能谱与... 基于对紫外光电子能谱(PES)仪的不断改进,成功地生成与表征了系列新颖瞬态物种.简要综述了PES的基本原理;系列新颖瞬态物种活性卤素化合物、短寿命自由基、亚稳态拟卤素化合物的PES实验和理论量子化学研究;以及新建立的紫外光电子能谱与HeI光光电离飞行时间质谱联合谱仪(PES/HeI-TOFMS)在瞬态物种的研究进展.而PES/HeI-TOFMS联合谱仪的建立使得PES在复杂化学过程以及瞬态物种的捕获与表征研究中发挥更大的作用. 展开更多

关键词 活性卤素物种 自由基 拟卤素化合物瞬态光电子能谱 量子化学计算

原文传递

纯Bi_(12)SiO_(20)晶体光激发截面的测量

19

作者 梁其民 《山东轻工业学院学报（自然科学版）》 CAS 2000年第1期48-51,共4页

本文用瞬态光电流方法测量了纯Bi1 2 SiO2 0 (BSO)晶体的光激发截面。当脉冲宽度为 7ns、光强为1 35KW/cm2 、波长为 532纳米的脉冲激光照射BSO晶体时 ,得到瞬态光电流的上升时间为 55微秒 ,可计算出BSO晶体的光激发截面S =5 0 4× ... 本文用瞬态光电流方法测量了纯Bi1 2 SiO2 0 (BSO)晶体的光激发截面。当脉冲宽度为 7ns、光强为1 35KW/cm2 、波长为 532纳米的脉冲激光照射BSO晶体时 ,得到瞬态光电流的上升时间为 55微秒 ,可计算出BSO晶体的光激发截面S =5 0 4× 1 0 - 2 0 cm2 。利用光激发截面的数值可得出施主浓度ND=3 2× 1 0 1 9cm- 3。 展开更多

关键词 光激发截面 Bi12SiO20晶体 瞬态光电流 测量

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NaCl助熔剂法合成钽酸锂及掺铁钽酸锂晶体

20

作者 郭志峰 宋日 +2 位作者 池君洲 陈东 张云峰 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2022年第9期2179-2185,共7页

采用NaCl助熔剂法合成了钽酸锂及掺铁钽酸锂晶体,分别采用SEM、EDS-Mapping、XPS、XRD、Raman-Mapping、AFM和瞬态光电流测试系统等测试手段对所合成的晶体的微观形貌、元素及成分组成分布、物相组成、应力分布、表面粗糙度、瞬态光电... 采用NaCl助熔剂法合成了钽酸锂及掺铁钽酸锂晶体,分别采用SEM、EDS-Mapping、XPS、XRD、Raman-Mapping、AFM和瞬态光电流测试系统等测试手段对所合成的晶体的微观形貌、元素及成分组成分布、物相组成、应力分布、表面粗糙度、瞬态光电流性能进行了一系列测试研究,测试结果表明所合成的钽酸锂及掺铁钽酸锂晶体元素和成分分布均匀,结晶程度非常高,可机械加工性能良好,抛光后的单晶晶片表面平整光滑,粗糙度小,皆具有良好的光电性能,所合成的钽酸锂晶体表面应力分布均匀,但掺铁钽酸锂晶体表面应力分布不太均匀,存在明显的应力分布集中的区域。 展开更多

关键词 NACL 助熔剂法 钽酸锂 粗糙度 应力分布 瞬态光电流

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