基于Ga As单片集成电路工艺,对接收通道的关键元器件低噪声放大器和电调衰减器进行了芯片化设计。采用基于多层高温共烧陶瓷埋线工艺设计的金属化陶瓷外壳,对接收通道进行了微组装。测试结果表明,该S波段接收通道接收动态范围大于60 d B...基于Ga As单片集成电路工艺,对接收通道的关键元器件低噪声放大器和电调衰减器进行了芯片化设计。采用基于多层高温共烧陶瓷埋线工艺设计的金属化陶瓷外壳,对接收通道进行了微组装。测试结果表明,该S波段接收通道接收动态范围大于60 d B,增益大于95 d B,噪声系数小于1.3 d B,本振抑制大于30 d Bc,中频信号的谐波抑制大于30 d Bc。当中频自动增益控制电路起控时,接收通道输出功率稳定在(2±0.5)d Bm。该接收通道采用+5 V供电,工作电流小于250 m A。整个接收通道的尺寸仅为20 mm×13.8 mm×5.75 mm,其性能优异且集成度非常高,小型化优势非常明显。展开更多
结合混合微波集成电路（HMIC）工艺和砷化镓单片微波集成电路（MMIC）工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器。采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性。由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,...结合混合微波集成电路（HMIC）工艺和砷化镓单片微波集成电路（MMIC）工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器。采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性。由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,低噪声放大器单片的输入匹配采用外部金丝键合线匹配,有效降低了低噪声放大器单片的噪声系数。限幅器采用混合集成工艺制成,能够耐受较大功率。利用微波仿真软件,设计制作了兰格（Lange）电桥、限幅电路和低噪声放大器输入匹配等电路。最终产品尺寸仅为22 mm×16 mm×6 mm,在2.7~3.5 GHz内增益27~28 d B,噪声系数小于1.3 d B,驻波比小于1.3,该平衡限幅MMIC低噪声放大器可承受功率超过200 W、占空比为15%的脉冲功率冲击。展开更多
针对航空航天和卫星通信等设备的需求,介绍了一款超宽带延时幅相控制多功能芯片。该芯片集成了数字和微波电路,有T/R开关、5位数控延时器（10 ps步进TTD）、5位数控衰减器（1 d B步进ATT）、2个行波放大器、均衡器及数字电路。基于GaAs ...针对航空航天和卫星通信等设备的需求,介绍了一款超宽带延时幅相控制多功能芯片。该芯片集成了数字和微波电路,有T/R开关、5位数控延时器（10 ps步进TTD）、5位数控衰减器（1 d B步进ATT）、2个行波放大器、均衡器及数字电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺研制出了芯片实物,芯片尺寸为4.5 mm×5.0 mm×0.07 mm。采用微波在片测试系统对该幅相控制多功能芯片进行了实际测试,在3~17 GHz频段内实现了10~310 ps延时范围,1~31 d B衰减范围。测试结果显示,发射/接收增益大于2 d B,发射1 d B压缩输出功率P1 d B_Tx大于12 d Bm,接收1 d B压缩输出功率P1 d B_Rx大于10 d Bm,全态输入输出驻波均小于1.7,＋5 V下工作电流130 m A,-5 V下工作电流12 m A。衰减器全态RMS精度小于1.4 d B,全态附加调相小于±8°。延时器全态RMS精度小于3 ps,全态附加调幅小于±1d B。展开更多
文摘基于Ga As单片集成电路工艺,对接收通道的关键元器件低噪声放大器和电调衰减器进行了芯片化设计。采用基于多层高温共烧陶瓷埋线工艺设计的金属化陶瓷外壳,对接收通道进行了微组装。测试结果表明,该S波段接收通道接收动态范围大于60 d B,增益大于95 d B,噪声系数小于1.3 d B,本振抑制大于30 d Bc,中频信号的谐波抑制大于30 d Bc。当中频自动增益控制电路起控时,接收通道输出功率稳定在(2±0.5)d Bm。该接收通道采用+5 V供电,工作电流小于250 m A。整个接收通道的尺寸仅为20 mm×13.8 mm×5.75 mm,其性能优异且集成度非常高,小型化优势非常明显。
文摘结合混合微波集成电路（HMIC）工艺和砷化镓单片微波集成电路（MMIC）工艺各自优势,设计制作了一款小型化大功率S波段平衡式限幅MMIC低噪声放大器。采用平衡式结构,提高了限幅功率容量和可靠性。由于金丝键合线的等效电感具有更高Q值,低噪声放大器单片的输入匹配采用外部金丝键合线匹配,有效降低了低噪声放大器单片的噪声系数。限幅器采用混合集成工艺制成,能够耐受较大功率。利用微波仿真软件,设计制作了兰格（Lange）电桥、限幅电路和低噪声放大器输入匹配等电路。最终产品尺寸仅为22 mm×16 mm×6 mm,在2.7~3.5 GHz内增益27~28 d B,噪声系数小于1.3 d B,驻波比小于1.3,该平衡限幅MMIC低噪声放大器可承受功率超过200 W、占空比为15%的脉冲功率冲击。
文摘针对航空航天和卫星通信等设备的需求,介绍了一款超宽带延时幅相控制多功能芯片。该芯片集成了数字和微波电路,有T/R开关、5位数控延时器（10 ps步进TTD）、5位数控衰减器（1 d B步进ATT）、2个行波放大器、均衡器及数字电路。基于GaAs E/D PHEMT工艺研制出了芯片实物,芯片尺寸为4.5 mm×5.0 mm×0.07 mm。采用微波在片测试系统对该幅相控制多功能芯片进行了实际测试,在3~17 GHz频段内实现了10~310 ps延时范围,1~31 d B衰减范围。测试结果显示,发射/接收增益大于2 d B,发射1 d B压缩输出功率P1 d B_Tx大于12 d Bm,接收1 d B压缩输出功率P1 d B_Rx大于10 d Bm,全态输入输出驻波均小于1.7,＋5 V下工作电流130 m A,-5 V下工作电流12 m A。衰减器全态RMS精度小于1.4 d B,全态附加调相小于±8°。延时器全态RMS精度小于3 ps,全态附加调幅小于±1d B。
