非线性光学晶体硒化镓的研究与应用

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作者 赵仁航 陈文杰 +2 位作者 葛奇 金湛 袁小亚 《科技创新与应用》 2025年第3期104-107,共4页

硒化镓作为光学性能优异的中远红外非线性光学材料,被广泛应用于光电器件领域,但由于其硬度较低,难以生产加工,还需要进一步的研究以改善其力学性能。学者们通过大量的研究发现,通过硒化镓掺杂方式可改善其硬度低的特点,此外,光学性能... 硒化镓作为光学性能优异的中远红外非线性光学材料,被广泛应用于光电器件领域,但由于其硬度较低,难以生产加工,还需要进一步的研究以改善其力学性能。学者们通过大量的研究发现,通过硒化镓掺杂方式可改善其硬度低的特点,此外,光学性能也能得到增强。该文介绍硒化镓的光学性质与晶体结构,块状硒化镓晶体、二维硒化镓片的制备方法,以及硒化镓在光电器件领域的应用,并对其进一步的研究与应用进行展望。 展开更多

关键词 非线性光学晶体 光电器件 硒化镓 光学性质 晶体结构

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掺碲硒化镓晶体的光学性能(英文) 被引量：3

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作者 古新安 朱韦臻 +7 位作者 罗志伟 ANDREEV Y M LANSKII G V SHAIDUKO A V IZAAK T I SVETLICHNYI V A VAYTULEVICH E A ZUEV V V 《中国光学》 EI CAS 2011年第6期660-666,共7页

采用水平区熔法生长了碲(Te)掺杂浓度(质量百分比)分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓(GaSe)晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38%,0.67%,2.07%的GaSe∶Te晶体的光学性能进行了表征。首次研究了GaSe∶Te晶体中刚性层声子模式的... 采用水平区熔法生长了碲(Te)掺杂浓度(质量百分比)分别为0.05%,0.1%,0.5%,1%,2%的硒化镓(GaSe)晶体,并分别对掺杂浓度为0.01%,0.07%,0.38%,0.67%,2.07%的GaSe∶Te晶体的光学性能进行了表征。首次研究了GaSe∶Te晶体中刚性层声子模式的转换。吸收光谱测试结果表明:当Te掺杂浓度小于0.38%时,振动中心位于0.59 THz附近的E'(2)刚性模式吸收峰强度可达最大值,这一过程与GaSe∶Te晶体光学性能的提高密切相关。但Te掺杂浓度的进一步提高会导致E'(2)刚性模式吸收峰强度逐渐减弱,当Te掺杂浓度为1%时,E'(2)刚性模式吸收峰基本消失。这两个过程与GaSe∶Te晶体光学质量的下降密切相关。因此,E'(2)刚性模式吸收强度达到最高时对应的掺杂浓度即是GaSe∶Te晶体中Te的最佳掺杂浓度,光整流产生太赫兹过程证实了此结论的正确性。 展开更多

关键词 硒化镓 掺碲硒化镓 晶体生长 光学性能 太赫兹

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掺硫硒化镓晶体在太赫兹波段的光学特性 被引量：10

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作者 罗志伟 古新安 +5 位作者 朱韦臻 唐维聪 ANDREEV YURY LANSKII Grigory MOROZOV Alexander ZUEV Vladimir 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期354-359,共6页

利用太赫兹时域光谱技术测量了掺硫硒化镓（GaSe1-xSx）晶体在太赫兹波段的光学参数,包括折射系数、吸收系数等。使用自由空间电光取样法获得了太赫兹电磁波的脉冲波形,对不同硫掺杂量的硒化镓晶体进行了研究,在硫的掺杂量为0,0.01,0.14... 利用太赫兹时域光谱技术测量了掺硫硒化镓（GaSe1-xSx）晶体在太赫兹波段的光学参数,包括折射系数、吸收系数等。使用自由空间电光取样法获得了太赫兹电磁波的脉冲波形,对不同硫掺杂量的硒化镓晶体进行了研究,在硫的掺杂量为0,0.01,0.14,0.26,0.37时,在0.22.0 THz测得了GaSe1-xSx的折射系数、吸收系数等光学参数。此外还在吸收光谱上观察到E′^（2）和E″^（2）两个声子振动模态,其强度与频率会随着硫的掺杂量而改变,且即使是微量的硫掺杂也会影响吸收光谱上的声子振动模态。最后,在相位匹配ee-e的条件下,模拟了利用锁模钛蓝宝石激光使此类晶体产生太赫兹辐射的可能性。 展开更多

关键词 掺硫硒化镓晶体 太赫兹辐射 太赫兹时域光谱

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基于硒化镓纳米片填充的空芯光纤超高二次谐波增强 被引量：1

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作者 王晓愚 程阳 +9 位作者 薛国栋 周子琦 赵孟泽 马超杰 谢瑾 姚光杰 洪浩 周旭 刘开辉 刘忠范 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2023年第7期110-116,共7页

与传统的光学晶体相比,全光纤功能器件由于和光纤系统的天然兼容性,被认为是下一代集成光学的重要研究方向,吸引了人们的广泛关注。然而,由于二氧化硅固有的中心反演对称性质,光纤中的二阶非线性光学过程仍有待探索,这在可调谐超快激光... 与传统的光学晶体相比,全光纤功能器件由于和光纤系统的天然兼容性,被认为是下一代集成光学的重要研究方向,吸引了人们的广泛关注。然而,由于二氧化硅固有的中心反演对称性质,光纤中的二阶非线性光学过程仍有待探索,这在可调谐超快激光、全光信号处理、成像和光通信等商业全光纤非线性光学应用中具有重要意义。因此,我们提出了一种新的溶液填充方法,可有效地将具有高非线性的硒化镓纳米片直接沉积在长度达半米的空芯光纤(HCF)的内孔壁上。此外,采用制备的硒化镓纳米片-空芯光纤(GaSe-HCF)作为光频率转换器,其二次谐波(SHG)比嵌入MoS2的HCF和普通HCF分别提高了2个数量级和3个数量级。我们的研究成果将拓展其它非线性材料在全光纤高端非线性光学和光电子学中的应用,并提供新的制备思路。 展开更多

关键词 空芯光纤 硒化镓 光学二次谐波 光频率转换器 溶液填充法 纳米材料

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非线性晶体和光电材料硒化镓的研究进展 被引量：1

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作者 杜辉 陈巧 +2 位作者 刘婷 贺毅 金应荣 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期20-29,共10页

中远红外激光和光电器件在军事和民用等领域都有广泛的应用。中远红外非线性光学晶体作为中远红外激光器的核心部件变得越来越重要,而硒化镓(GaSe)正是综合性能优异的中远红外非线性光学晶体。此外,二维GaSe材料凭借其优异的光电性能在... 中远红外激光和光电器件在军事和民用等领域都有广泛的应用。中远红外非线性光学晶体作为中远红外激光器的核心部件变得越来越重要,而硒化镓(GaSe)正是综合性能优异的中远红外非线性光学晶体。此外,二维GaSe材料凭借其优异的光电性能在光电器件(如光电探测器)等领域也有重要应用。尽管GaSe有很多优点,在中远红外方面具有巨大的应用前景,但高光学质量大尺寸的GaSe单晶生长技术仍需进一步研究。通过国内外研究者的努力,GaSe的合成和生长方法不断改进。由于Se易挥发,调控GaSe化学计量比十分重要,调控的途径有:(1)通过补充Se蒸汽来平衡Se蒸汽压从而调控GaSe化学计量比;(2)通过限制Se蒸汽的自由空间有效抑制Se的挥发。其次GaSe的硬度较低,难以切割加工,这也是影响其广泛商业化应用的重要原因。在提高GaSe硬度方面,学者们做了大量的掺杂研究,研究发现通过掺杂可有效提高GaSe晶体的硬度,同时还可以提升一定的光学性能。在二维GaSe方面,虽然目前已经通过各种方法制备出了二维GaSe纳米片,并在电子、光电器件等方面有不错的研究成果,如紫外和红外高响应率光电探测器、气敏传感器、柔性光电器件与光电化学型电极等。但获得高质量、大尺寸和厚度可控的二维GaSe材料仍然困难。本文首先简要介绍了GaSe的结构与性质,然后主要从GaSe块体材料和二维材料两个方面,综述了GaSe材料的制备、掺杂研究、中远红外和太赫兹(THz)波段应用以及在电子器件、光电器件领域的研究进展,最后对GaSe未来研究和应用进行了展望。 展开更多

关键词 中远红外 硒化镓 非线性光学晶体 光电器件 二维材料

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整形超短激光脉冲与硒化镓晶体光整流效应的可调谐宽带太赫兹波产生 被引量：3

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作者 李强爽 孙长明 +1 位作者 范书振 杜海伟 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期202-208,共7页

从非线性光学基本原理出发研究了整形超短激光脉冲与硒化镓晶体光整流效应产生的可调谐宽带太赫兹辐射,并采用数值计算对上述过程进行了仿真研究,探索了整形激光脉冲参数对太赫兹辐射的影响。研究发现,利用4F整形系统调节激光频谱分量... 从非线性光学基本原理出发研究了整形超短激光脉冲与硒化镓晶体光整流效应产生的可调谐宽带太赫兹辐射,并采用数值计算对上述过程进行了仿真研究,探索了整形激光脉冲参数对太赫兹辐射的影响。研究发现,利用4F整形系统调节激光频谱分量获得的整形超短激光脉冲与硒化镓晶体的光整流效应可以产生频谱可调的宽带太赫兹辐射,并且可以使太赫兹脉冲的中心频率由高频部分向低频部分调制,同时带宽也会发生一定的变化。 展开更多

关键词 非线性光学 太赫兹 硒化镓晶体 光整流 整形激光脉冲 可调谐

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中远红外及太赫兹波段非线性晶体硒化镓 被引量：6

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作者 杨春晖 马天慧 +1 位作者 朱崇强 雷作涛 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第10期1402-1409,共8页

中远红外及太赫兹波段激光在国防和民用领域都有非常突出和迫切的需求,硒化镓(GaSe)晶体是一综合性能优异的红外非线性光学材料,通过差频产生和光学参量振荡可实现这两个波段的可调谐激光输出。综述了GaSe晶体及掺杂晶体在合成、生长、... 中远红外及太赫兹波段激光在国防和民用领域都有非常突出和迫切的需求,硒化镓(GaSe)晶体是一综合性能优异的红外非线性光学材料,通过差频产生和光学参量振荡可实现这两个波段的可调谐激光输出。综述了GaSe晶体及掺杂晶体在合成、生长、掺杂性能及差频产生中远红外及太赫兹辐射方面的最新研究成果,重点介绍了GaSe晶体及掺杂晶体的光学、力学性能,非线性性能及它们在频率转换方面的应用性能。通过全面的分析找出综合性能最优的掺杂晶体种类。 展开更多

关键词 硒化镓晶体 中远红外激光 非线性光学材料 太赫兹

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硒化镓发射相干太赫辐射

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《激光与光电子学进展》 CSCD 2002年第9期62-62,共1页

关键词 硒化镓 相干太赫辐射 激光太赫成像 显微术

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基于GaSe/Ga_(2)O_(3)异质结的自供电日盲紫外光电探测器

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作者 宿冉 奚昭颖 +4 位作者 李山 张嘉汉 姜明明 刘增 唐为华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期360-367,共8页

氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为超宽禁带半导体在深紫外探测领域有极其重要的应用价值.它能与GaSe形成典型的Ⅱ型异质结构,促进载流子分离与传输,进而实现高性能的自供电探测.本文利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在蓝宝石衬底上生长... 氧化镓(Ga_(2)O_(3))作为超宽禁带半导体在深紫外探测领域有极其重要的应用价值.它能与GaSe形成典型的Ⅱ型异质结构,促进载流子分离与传输,进而实现高性能的自供电探测.本文利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在蓝宝石衬底上生长了Ga_(2)O_(3)薄膜,并采用布里奇曼技术在氧化镓薄膜上生长了GaSe薄膜,构建了GaSe/β-Ga_(2)O_(3)异质结光电探测器,分析其中涉及的光物理与界面物理问题.该探测器对深紫外光有很好的响应性能,在8 V的电压下器件的暗电流仅为1.83 pA,254 nm光照下的光电流达到了6.5 nA,且UV-C/可见光(254 nm/600 nm)的抑制比约为354,即使在很小的光照强度下,响应度和探测度也达到了1.49 mA/W和6.65×10^(11)Jones.同时,由于结界面上的空间电荷区形成的光伏效应,该探测器在零偏压下表现出自供电性能,开路电压为0.2 V.此外,探测器有很好的灵敏度,无论是在电压恒定的条件下用不同光强的光照射探测器,还是在光强恒定条件下改变电压,器件都能快速响应. 展开更多

关键词 光电探测器 氧化镓 硒化镓 自供电

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Ga_2Se_3:Co^(2+)光谱及Co-Se键长的研究 被引量：1

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作者 倪超 杜懋陆 +1 位作者 黄毅 张俊 《西南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第4期431-433,共3页

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co^(2+)晶体的吸收光谱... Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co^(2+)晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co^(2+)晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。 展开更多

关键词 Co-Se键长 硒化镓 Co^2+晶体 晶场能级 平均共价因子 点荷模型 半导体材料

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太赫兹时域光谱技术研究S掺杂GaSe晶体的电导率特性 被引量：1

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作者 李高芳 殷文 +5 位作者 黄敬国 崔昊杨 叶焓静 高艳卿 黄志明 褚君浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第4期272-282,共11页

本文采用透射式太赫兹时域光谱技术研究0.3—2.5 THz范围内本征GaSe,S掺杂质量分数为2.5%GaSe(GaSe:S(2.5%))和S掺杂质量分数为7%GaSe(GaSe:S(7%))晶体的电导率特性,并利用Drude-SmithLorentz模型对复电导率进行拟合.研究发现GaSe晶体... 本文采用透射式太赫兹时域光谱技术研究0.3—2.5 THz范围内本征GaSe,S掺杂质量分数为2.5%GaSe(GaSe:S(2.5%))和S掺杂质量分数为7%GaSe(GaSe:S(7%))晶体的电导率特性,并利用Drude-SmithLorentz模型对复电导率进行拟合.研究发现GaSe晶体的电导率实部随S掺杂浓度的增大而减小,主要是由于S掺杂使GaSe晶体的费米能级逐渐向电荷中性能级转移,载流子浓度下降引起的.本征GaSe和GaSe:S(2.5%)在约0.56 THz处有明显的晶格振动峰,而GaSe:S(7%)在0.56 THz附近无晶格振动峰,这主要是由于S掺杂提高了晶体的结构硬度,减弱了晶体的层间刚性振动.且3个样品均在约1.81 THz处存在明显的窄晶格振动峰,强度随S掺杂浓度的增大先减小再增大,主要是由于S掺杂降低了GaSe的局部结构缺陷,减弱了窄晶格振动峰强度,而过量的S掺杂生成β型GaS晶体,进而增加晶体的局部结构缺陷,窄晶格振动峰强度随之增强.GaSe晶体约在1.07 THz和2.28 THz处的宽晶格振动峰强度随S掺杂浓度的增大而减弱甚至消失,主要是由于S掺杂产生替位杂质(S取代Se)和GaS间隙杂质,降低了基频声子振动强度,从而减弱了晶体二阶声子差模引起的晶格振动.结果表明,S掺杂可以有效抑制GaSe晶体的晶格振动,降低电导率,减少在THz波段的功率损耗.此研究为低损耗THz器件的设计和制作提供重要的数据支撑和理论依据. 展开更多

关键词 太赫兹时域光谱 S掺杂硒化镓 电导率 Drude-Smith-Lorentz模型

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基于二维层状GaSe纳米片忆阻器阻变特性研究 被引量：2

12

作者 廖康宏 康雨薇 +2 位作者 雷沛先 汤越月 接文静 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期323-327,共5页

忆阻器由于其非易失性、低功耗、擦写速度快等优点,在存储器、逻辑器件和计算等领域具有广阔的应用前景。另一方面,二维材料由于二维层状的结构和优异的电学性能被广泛应用于忆阻器。其中,硒化镓是III-VI主族的层状半导体材料,具有高载... 忆阻器由于其非易失性、低功耗、擦写速度快等优点,在存储器、逻辑器件和计算等领域具有广阔的应用前景。另一方面,二维材料由于二维层状的结构和优异的电学性能被广泛应用于忆阻器。其中,硒化镓是III-VI主族的层状半导体材料,具有高载流子迁移率、非线性光学特性和优异的光响应等特性,为研究新型电子器件提供了可能性。本文通过机械剥离法获得二维层状硒化镓纳米薄片,并以Cu作电极制备了具有平面结构基于二维硒化镓的两端阻变存储器件,实现了高达104的开关比。保留特性曲线表明器件可以在6600 s的时间范围内保持高的开关比。此外,随着测试时间的推移,器件的开关比有增大的趋势,显示了良好的稳定性。该研究为二维硒化镓在非易失性储存器件的进一步应用提供了前期基础。 展开更多

关键词 二维材料 硒化镓 忆阻器 非易失性 阻变

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GaSe及相关晶体的历史、现状与未来:具有特异非线性光学特性的层状材料(英文) 被引量：1

13

作者 ALLAKHVERDIEV K BAYKARA T 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期260-272,共13页

概述了高度各向异性的,尤其是无掺杂和掺杂的层状半导体GaSe和相关晶体InSe、GaS和GaSe-GaS（固溶液）的结构特性、光学特性和非线性光学特性的实验研究结果,同时概述了由共焦拉曼和光致发光显微镜研究得到的结果和由声波降解法和激光... 概述了高度各向异性的,尤其是无掺杂和掺杂的层状半导体GaSe和相关晶体InSe、GaS和GaSe-GaS（固溶液）的结构特性、光学特性和非线性光学特性的实验研究结果,同时概述了由共焦拉曼和光致发光显微镜研究得到的结果和由声波降解法和激光消融技术得到的GaSe纳米粒的光学性质。重点讨论了-εGaSe的性质,指出其具有最大的光学二阶非线性系数χ,并可结晶成4种不同的多型体（ε,γ,β,δ）,且每个晶胞有以不同数目和排列方式的层状结构。研究认为,在红外和太赫兹光谱波段,GaSe可以被看作是最有应用前景的非线性晶体之一。已发表的1700多篇关于材料物理性质的论文也指出,在THz波段,GaSe是一种具有特异非线性光学特性的材料。通过共焦拉曼显微镜的实验研究,讨论了晶体的域结构和非线性光学性质。除了探讨这些材料最重要的物理性质,还进一步研究了在主边缘附近的光吸收,在红外和太赫兹波段的光致发光、非线性光学性质以及它们的纳米物理性质,这些研究对理解二维晶体结构和其物理性质之间的联系是必要的。由于GaSe及GaSe型晶体具有包含？Se-Ga-Ga-Se-共价键的单一四层结构,因而它们的纳米粒表现出一些特殊的性质。一些GaSe型晶体（InSe,GaTe）的带隙宽度在1.21.5 eV之间,这使得它们及其纳米粒很适合用作光伏材料。 展开更多

关键词 低维材料 纳米粒 共焦拉曼光谱 硒化镓 晶体改性

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Influence of Impurity Doping and γ-Irradiation on the Optical Properties of Layered GaSe Crystals 被引量：1

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《材料科学与工程（中英文B版）》 2012年第2期91-102,共12页

关键词 晶体表面 硒化镓 非掺杂 光学性质 电子显微镜 辐射 光致发光 晶体掺杂

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科学家发现空气对纳米电子半导体有致命影响

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《航天器工程》 CSCD 北大核心 2017年第6期175-175,共1页

据科技部网站2017年11月13日报道,俄罗斯托木斯克理工大学表示,该校与德国、委内瑞拉的科学家最近证实了二维半导体硒化镓在空气中的易损性,此重要发现有助于制造硒化镓基超导纳米电子产品.研究团队通过光组合散射光谱法和XPS方法研究... 据科技部网站2017年11月13日报道,俄罗斯托木斯克理工大学表示,该校与德国、委内瑞拉的科学家最近证实了二维半导体硒化镓在空气中的易损性,此重要发现有助于制造硒化镓基超导纳米电子产品.研究团队通过光组合散射光谱法和XPS方法研究了硒化镓,确定镓和氧之间存在化学键,硒化镓一接触空气就会迅速被氧化,从而失去生产纳米电子设备所必需的导电性能.进一步研究硒化镓氧化敏感性,可以研究出保护和保存硒化镓光电性能的解决方案. 展开更多

关键词 纳米电子 半导体 科学家 空气 硒化镓 XPS方法 委内瑞拉 电子产品

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能产生远红外辐射的GaSe晶体

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作者 顾聚兴 《红外》 CAS 2003年第12期37-37,共1页

美国空军研究实验室和Lehigh大学的研究人员用一块GaSe晶体产生出具有宽可调范围的中远红外辐射,其长波可延伸至28μm以外,其4μm波长处的峰值功率达2.2kW。该装置采用了差频发生原理。

关键词 红外辐射 硒化镓晶体 参数振荡器 闲束 聚焦

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俄学者发现空气对纳米电子半导体有致命影响

17

《新材料产业》 2017年第12期78-78,共1页

据报道，俄罗斯托木斯克理工大学发布消息称，该校与德国、委内瑞拉的科学家最近证实了二维半导体硒化镓在空气中的易损性，该重要发现有助于制造硒化镓基超导纳米电子产品。

关键词 纳米电子 半导体 空气 学者 委内瑞拉 电子产品 硒化镓 俄罗斯

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中红外应用的改进GaSe晶体

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作者 苏宇欢 《电子材料快报》 2000年第2期7-7,共1页

关键词 硒化镓 晶体 中红外

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ZnSe/GaAs(100)界面电子结构的计算 被引量：1

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作者 杨仕娥 马丙现 +2 位作者 贾瑜 申三国 范希庆 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第10期1704-1712,共9页

利用形式散射理论的格林函数方法，采用紧束缚最近邻近似下的ｓｐ３ｓ模型，计算了ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（１００）两类界面（Ｓｅ／Ｇａ和Ａｓ／Ｚｎ界面）的电子结构．分别给出了两类界面的界面带结构和波矢分辨的层态密度及其分波态... 利用形式散射理论的格林函数方法，采用紧束缚最近邻近似下的ｓｐ３ｓ模型，计算了ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（１００）两类界面（Ｓｅ／Ｇａ和Ａｓ／Ｚｎ界面）的电子结构．分别给出了两类界面的界面带结构和波矢分辨的层态密度及其分波态密度．计算结构表明，在ＺｎＳｅ／ＧａＡｓ（１００）两类界面的禁带隙中均无界面态，而在其价带区均存在三条束缚的界面带和四条半共振带；通过比较，分析了两类界面的界面态特征及其来源． 展开更多

关键词 散射理论 密度 砷化镓 硒化镓 界面 电子结构

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大尺寸GaSe单晶生长和光学性能

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作者 马天慧 朱崇强 +3 位作者 雷作涛 杨春晖 张红晨 王慧文 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第2期182-186,共5页

通过双温区法合成了GaSe多晶原料,单次合成量可达300 g以上。通过垂直Bridgman–Stockbarger法生长了直径40 mm、长度130 mm的GaSe单晶体,测定了热学和光学性能。结果显示:吸收系数小于1 cm^–1的透过波段为0.64μm^17.80μm,吸收系数小... 通过双温区法合成了GaSe多晶原料,单次合成量可达300 g以上。通过垂直Bridgman–Stockbarger法生长了直径40 mm、长度130 mm的GaSe单晶体,测定了热学和光学性能。结果显示:吸收系数小于1 cm^–1的透过波段为0.64μm^17.80μm,吸收系数小于0.1 cm^–1的透过波段为0.64μm^12.82μm;太赫兹光谱显示有2个吸收峰,分别在0.58 THz和1.10 THz处,吸收系数均小于5.5 cm^–1;GaSe单晶体的激光损伤阈值为3.2 J/cm^2。 展开更多

关键词 硒化镓晶体 中远红外激光 非线性光学材料 太赫兹

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