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一种简化的VBIC模型和InGaP/GaAs HBT宽带放大器设计 被引量：3
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作者 孙玲玲 刘军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期994-998,共5页
采用一种新的简化VBIC模型对单、多指InGaP/GaAs HBT器件进行建模.测量和模型仿真I -V特性及其在多偏置条件下多频率点S 参数对比结果表明,DC^9GHz频率范围内,简化后的模型可对InGaP/GaAsHBT交流小信号特性进行较好的表征.利用建立的... 采用一种新的简化VBIC模型对单、多指InGaP/GaAs HBT器件进行建模.测量和模型仿真I -V特性及其在多偏置条件下多频率点S 参数对比结果表明,DC^9GHz频率范围内,简化后的模型可对InGaP/GaAsHBT交流小信号特性进行较好的表征.利用建立的模型设计出DC^9GHz两级直接耦合宽带放大器,该放大器增益达到19dB,输入、输出回波损耗分别低于-10dB和-8dB. 展开更多
关键词 简化vbic模型 INGAP/GAAS HBT 宽带放大器
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