本文主要探讨了大功率三电平应用中3.3 kV SiC MOSFET和IGBT的混合应用问题,针对外管高频、内管低频的调制策略中不同箝位管脉冲时序对三电平有源中点箝位(ANPC)拓扑换流路径、开关损耗以及开关特性等关键因素的影响开展分析,实验验证...本文主要探讨了大功率三电平应用中3.3 kV SiC MOSFET和IGBT的混合应用问题,针对外管高频、内管低频的调制策略中不同箝位管脉冲时序对三电平有源中点箝位(ANPC)拓扑换流路径、开关损耗以及开关特性等关键因素的影响开展分析,实验验证了不同箝位管脉冲时序对SiC MOSFET和IGBT的动态特性和开关损耗的影响。展开更多
文摘本文主要探讨了大功率三电平应用中3.3 kV SiC MOSFET和IGBT的混合应用问题,针对外管高频、内管低频的调制策略中不同箝位管脉冲时序对三电平有源中点箝位(ANPC)拓扑换流路径、开关损耗以及开关特性等关键因素的影响开展分析,实验验证了不同箝位管脉冲时序对SiC MOSFET和IGBT的动态特性和开关损耗的影响。