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一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型 被引量：1
1
作者 江逸洵 乔明 +4 位作者 高文明 何小东 冯骏波 张森 张波 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第17期201-212,共12页
提出了一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型.在直流模型中使用两端电势建立JFET区等效电阻模型,并引入电子扩散区等效电阻,解决了因忽视JFET区源端电势导致的电流存在误差的问题.在电容模型中,漏源电容模型在BSIM4的基础上添加... 提出了一种基于BSIM4的屏蔽栅沟槽MOSFET紧凑型模型.在直流模型中使用两端电势建立JFET区等效电阻模型,并引入电子扩散区等效电阻,解决了因忽视JFET区源端电势导致的电流存在误差的问题.在电容模型中,漏源电容模型在BSIM4的基础上添加了屏蔽栅-漏等效电容模型,栅漏电容模型将栅漏偏置电压修改为栅极同栅-漂移区重叠区末端节点的电势差.使用泊松方程求解该节点电势,并引入栅氧厚度因子k1、屏蔽栅氧化层厚度因子k2、等效栅-漂移区重叠长度Lovequ和等效屏蔽栅长LSHequ对栅和屏蔽栅的结构进行等效,以简化泊松方程的计算并确保该节点电势曲线的光滑性.使用Verilog-A编写模型程序,搭建实验平台测试屏蔽栅沟槽MOSFET的直流特性、电容特性和开关特性,模型仿真结果与测试数据有较好的拟合,验证了所建模型的有效性. 展开更多
关键词 屏蔽栅沟槽MOSFET 紧凑型模型 BSIM4 VERILOG-A
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用于电动汽车功率模块热分析的紧凑型热网络模型 被引量：9
2
作者 马铭遥 郭伟生 +3 位作者 严雪松 杨淑英 陈文杰 蔡国庆 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2020年第18期5796-5804,共9页
由于恶劣的运行环境,IGBT模块成为电动汽车驱动系统最薄弱的环节。功率模块的失效主要由温度因素引发。为了尽可能准确地预测芯片结温,文中提出一种适用于电动汽车功率模块热分析的紧凑型热网络模型。首先在ANSYS/ICEPAK中搭建包含水冷... 由于恶劣的运行环境,IGBT模块成为电动汽车驱动系统最薄弱的环节。功率模块的失效主要由温度因素引发。为了尽可能准确地预测芯片结温,文中提出一种适用于电动汽车功率模块热分析的紧凑型热网络模型。首先在ANSYS/ICEPAK中搭建包含水冷散热系统的功率模块有限元模型。然后,提出一种考虑上下桥臂热耦合的3D紧凑型热网络模型,并详细地叙述热网络模型参数提取的步骤。最后,3D紧凑型热网络模型的仿真结果与有限元仿真模型高度吻合并且实验结果表明,所提出的热网络模型能够准确预测电动汽车中功率模块的结温。与有限元模型相比,所提出的热网络模型减少仿真时间,适用于功率模块的寿命估计和结温在线计算。 展开更多
关键词 IGBT模块 结温估算 有限元模型 紧凑型热网络模型 参数提取
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经济全球化语境下的紧凑发展与城市结构多样性 被引量：7
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作者 龚清宇 《规划师》 2002年第2期13-15,共3页
作者论述了一些与经济全球化有关的城市规划和设计方面问题,如城市结构变化、文化趋同性、城市面貌雷同现象等等。特别指出了城市面貌雷同现象并非经济全球化导致的必然结果,并分析了产生上述现象的原因,最后提出了一种保持大城市结构... 作者论述了一些与经济全球化有关的城市规划和设计方面问题,如城市结构变化、文化趋同性、城市面貌雷同现象等等。特别指出了城市面貌雷同现象并非经济全球化导致的必然结果,并分析了产生上述现象的原因,最后提出了一种保持大城市结构多样性的设想,通过“紧凑型城市模型”,分散布置人口密集区,留出足够的生态空间,提倡公交导向(TOD)模式,以提高土地利用率并保持良好生态环境。 展开更多
关键词 经济全球化 城市规划 城市设计 紧凑型城市模型
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BSIM射频模型综述 被引量：1
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作者 李艳艳 王青松 徐大为 《电子与封装》 2017年第9期32-36,共5页
CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术要求模型研究人员持续改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型。美国Berkeley加州大学的BSIM团队对业界标准芯片仿真物理模型BSIM进行了不断的改进与开发。主要介绍BSIM系列模型在RF应... CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术要求模型研究人员持续改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型。美国Berkeley加州大学的BSIM团队对业界标准芯片仿真物理模型BSIM进行了不断的改进与开发。主要介绍BSIM系列模型在RF应用方面的改进。相对于BSIM3v3,BSIM4添加了更多真实器件效应,BSIM5和BSIM6是为了满足射频(RF)和高速CMOS电路模拟要求而发展的新一代物理基础的BSIM模型,具有对称、连续和参数少的特点。BSIM6可用于低压低功耗的RF和模拟设计。 展开更多
关键词 射频 紧凑型模型 BSIM6
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RF CMOS工艺片上MOM电容的宽频带建模与验证
5
作者 吴园园 刘军 +1 位作者 周文勇 李嵬 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第4期332-338,共7页
提出了一种新的基于RF CMOS技术的金属-氧化物-金属(MOM)电容宽频带建模方法。为了提高模型精度、扩展有效频带,模型在构造时加入了测试焊盘和输入/输出互连线的等效电路。测试结构是基于自身物理结构进行架构的,充分考虑了其在高频时... 提出了一种新的基于RF CMOS技术的金属-氧化物-金属(MOM)电容宽频带建模方法。为了提高模型精度、扩展有效频带,模型在构造时加入了测试焊盘和输入/输出互连线的等效电路。测试结构是基于自身物理结构进行架构的,充分考虑了其在高频时引入的各种寄生效应。互连线模型考虑了高频时的趋肤效应。通过解析提取的方法,在低频时提取测试结构引入的容性和阻性寄生参数。采用物理公式计算互连线的等效电感和电阻以及高频下互连线产生的趋肤效应参数初值。对于模型拓扑结构和参数提取方法,采用40 nm RF CMOS工艺上设计所得连带测试结构MOM电容数据进行验证。在0.25～110 GHz的频率范围内,可得测试和仿真的S参数精确吻合。 展开更多
关键词 RF CMOS技术 金属-氧化物-金属(MOM)电容 宽频带建模 互连线 趋肤效应 紧凑型模型
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