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双埋氧绝缘体上硅SRAM铀离子单粒子效应研究
1
作者 王春林 高见头 +5 位作者 刘凡宇 陈思远 王娟娟 王天琦 李博 倪涛 《现代应用物理》 2024年第4期40-46,58,共8页
随着集成电路技术的进步,提高电路的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值变得愈发困难。双埋氧层绝缘体上硅(double silicon-on-insulator,DSOI)技术为单粒子加固技术提供了新方法。利用哈尔滨工业大学空间地面模拟装置(space envir... 随着集成电路技术的进步,提高电路的单粒子翻转(single event upset,SEU)阈值变得愈发困难。双埋氧层绝缘体上硅(double silicon-on-insulator,DSOI)技术为单粒子加固技术提供了新方法。利用哈尔滨工业大学空间地面模拟装置(space environment simulation and research infrastructure,SESRI)产生的铀离子对中国科学院微电子研究所研制的DSOI静态随机存取存储器(static random access memory,SRAM)开展了SEU效应研究。铀离子是目前可获得的线性能量传递(linear energy transfer,LET)最高的重离子。2种不同SEU加固能力的DSOI 4 kbit SRAM试验结果显示,通过对NMOS和PMOS的背栅实施独立偏压控制,可实现DSOI SRAM电路抗SEU能力的宽范围调制。最优条件下,使用LET为118 MeV·cm ^(2)·mg^(-1)的铀离子,累积注量为1×10^(7) cm^(-2)时,被测器件无SEU发生。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 双埋氧层绝缘体上硅 静态随机存储器 单粒子效应 单粒子翻转
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基于绝缘体上硅纳米线的布拉格相移光栅
2
作者 秦志斌 姚飞 +1 位作者 肖经 韦启钦 《光通信研究》 北大核心 2024年第6期62-65,共4页
基于金属互连的电子集成芯片串扰、延迟、散热以及功耗等问题日益凸显,已经难以满足日益增长的数据处理需求。光电集成技术作为下一代互连技术,随着其不断发展,业界对光电器件尺寸和性能的要求越来越高。【目的】为了能够兼顾布拉格相... 基于金属互连的电子集成芯片串扰、延迟、散热以及功耗等问题日益凸显,已经难以满足日益增长的数据处理需求。光电集成技术作为下一代互连技术,随着其不断发展,业界对光电器件尺寸和性能的要求越来越高。【目的】为了能够兼顾布拉格相移光栅的器件大小和损耗,实现结构紧凑的相移光栅器件,文章提出了一种基于绝缘体上硅(SOI)纳米线的布拉格相移光栅。【方法】文章所提布拉格相移光栅是通过光刻技术在硅纳米线上制作周期性凹槽,构造光栅结构,从而降低光信号的传输损耗。为了验证文章所提布拉格相移光栅的性能,在入射波长范围为1400~1600 nm条件下,采用有限元法和时域有限元法对该器件的传输模式与传输特性进行了分析研究。此外,为了能够获得最佳的布拉格相移光栅结构参数,引入Q因子作为布拉格相移光栅结构优化设计的目标参数。【结果】研究结果表明,文章所提布拉格相移光栅在波长范围为1400~1600 nm条件下,具有优异的波长选择性能,并且几乎没有传输损耗;Q因子最大值为159时,该布拉格相移光栅性能最佳,光栅周期N为60。【结论】文章所提基于SOI纳米线布拉格相移光栅能够兼容传统半导体制备工艺,与基于表面等离激元布拉格相移光栅相比,在制造成本和光信号传输损耗方面具有较大的优势,能够广泛应用于密集波分复用、生物传感和滤波等领域。 展开更多
关键词 相移光栅 波长选择 布拉格光栅 绝缘体上硅
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22nm全耗尽型绝缘体上硅器件单粒子瞬态效应的敏感区域
3
作者 张博翰 梁斌 +1 位作者 刘小年 方亚豪 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第2期146-152,共7页
基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际... 基于3D-TCAD模拟,研究了22 nm全耗尽型绝缘体上硅(fully depleted silicon-on-insulator,FDSOI)器件单粒子瞬态(single-event transient,SET)效应的敏感性区域。对比了使用单管和使用反相器来研究器件SET敏感性区域的方法,从而分析实际电路中重离子轰击位置对22 nm FDSOI器件SET敏感性的影响,并从电荷收集机制的角度进行了解释。深入分析发现寄生双极放大效应对重粒子轰击位置敏感是造成器件不同区域SET敏感性不同的原因。而单管漏极接恒压源造成漏极敏感性增强是导致单管与反相器中器件SET敏感区域不同的原因。修正了FDSOI工艺下器件SET敏感性区域的研究方法,与单管相比,采用反相器进行仿真,结果更符合实际情况,这将为器件SET加固提供理论指导。 展开更多
关键词 单粒子瞬态 电荷收集 双极放大效应 敏感区域 全耗尽型绝缘体上硅
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绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术分析
4
作者 马良 《通讯世界》 2024年第9期28-30,共3页
绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术是目前制作芯片的主要技术之一,使用该项技术生产的芯片体积小、损耗低,虽然技术难度高,但是在单封装形式下,智能功率大幅提升。通过对半导体单芯片的介绍,分析绝缘体上硅功率半导体单芯片集成工艺... 绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术是目前制作芯片的主要技术之一,使用该项技术生产的芯片体积小、损耗低,虽然技术难度高,但是在单封装形式下,智能功率大幅提升。通过对半导体单芯片的介绍,分析绝缘体上硅功率半导体单芯片集成工艺模式及集成工艺平台,并利用发射极、漂移区、集电极优化技术,通过检测半导体单芯片的可靠性、稳定性以及灵敏度,测试绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术的应用效果。 展开更多
关键词 绝缘体 硅功率半导体 单芯片 集成技术
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SOI(绝缘体上硅)的采用日趋活跃 被引量：1
5
作者 志成 《电子产品世界》 2004年第05A期97-97,88,共2页
关键词 soi 绝缘体上硅 半导体生产 微处理器
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绝缘体上硅（SOI）
6
《微纳电子技术》 CAS 2005年第5期226-226,共1页
SOI是指以“工程化的”基板代替传统的体型衬底硅的基板技术，这种基板由以下三层构成：薄的单晶硅顶层，在其上形成蚀刻电路；相当薄的绝缘SiO2中间层；非常厚的体型Si衬底层。
关键词 绝缘体上硅 SIO2 机械支撑 基板 工程化 soi 单晶硅 中间层 体型 衬底 蚀刻
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绝缘体上硅(SOI)驱动芯片技术优势及产品系列
7
《变频器世界》 2022年第4期32-33,共2页
本文在介绍驱动芯片的概览和PN结隔离(JI)技术基础上,介绍英飞凌的绝缘体上硅(SOI)驱动芯片技术。高压栅极驱动IC的技术经过长期的发展,走向了绝缘体上硅(silicon-on-insulator,简称SOI),SOI指在硅的绝缘衬底上再形成一层薄的单晶硅,相... 本文在介绍驱动芯片的概览和PN结隔离(JI)技术基础上,介绍英飞凌的绝缘体上硅(SOI)驱动芯片技术。高压栅极驱动IC的技术经过长期的发展,走向了绝缘体上硅(silicon-on-insulator,简称SOI),SOI指在硅的绝缘衬底上再形成一层薄的单晶硅,相对于传统的导电型的硅衬底,它有三层结构,第一层是厚的硅衬底层,用于提供机械支撑,第二层是薄的二氧化硅层,二氧化硅是一种绝缘体,从而形成一层绝缘结构,第三层是薄的单晶硅顶层,在这一层进行电路的刻蚀,形成驱动IC的工作层。 展开更多
关键词 绝缘体上硅 驱动IC 驱动芯片 硅衬底 soi 二氧化硅层 三层结构 英飞凌
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多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构 被引量：2
8
作者 谢欣云 刘卫丽 +3 位作者 门传玲 林青 沈勤我 林成鲁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期189-193,共5页
为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的 SOI新结构具有很好的结构和电学性能 ,退火后的氮化硅埋层为非晶结构 .
关键词 绝缘埋层 氮化硅薄膜 soi结构 多孔硅外延转移
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新型绝缘体上硅技术的发展与展望 被引量：4
9
作者 冯倩 郝跃 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期792-796,共5页
总结了最新发展起来的两种绝缘体上硅晶片制造技术 ,给出了绝缘体上硅新器件、新结构和新工艺研究进展 ,提出绝缘体上硅技术所面临的机遇和挑战 .
关键词 绝缘体上硅晶片 制造技术 电子器件
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绝缘体上硅高温压力传感器研究 被引量：1
10
作者 张为 姚素英 +2 位作者 张生才 赵毅强 张维新 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期178-180,共3页
采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器的优化设计,制作出样品,并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试.结果表明:1∶2的膜片宽长比可以使SOI压力传感器的灵敏度达到220mV/MPa,远大... 采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器的优化设计,制作出样品,并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试.结果表明:1∶2的膜片宽长比可以使SOI压力传感器的灵敏度达到220mV/MPa,远大于多晶硅压力传感器的灵敏度(约50mV/MPa).此外,该传感器能够工作在200℃的高温环境中,有良好的长期稳定性,30d内的零点时间漂移为0 12%. 展开更多
关键词 压力传感器 绝缘体上硅 高温 有限元分析
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绝缘体上硅动态阈值nMOSFETs特性研究(英文) 被引量：1
11
作者 毕津顺 吴峻峰 +1 位作者 李瑞贞 海潮和 《电子器件》 CAS 2007年第1期5-8,共4页
基于绝缘体上硅技术,提出并研制动态阈值nMOSFETs结构.阐述了动态阈值nMOSFETs的工作原理.动态阈值nMOSFETs的阈值电压从VBS=0V时的580mV动态变化到VBS=0.6V时的220mV,但是这种优势并没有以增加漏电流为代价.因此动态阈值nMOSFETs的驱... 基于绝缘体上硅技术,提出并研制动态阈值nMOSFETs结构.阐述了动态阈值nMOSFETs的工作原理.动态阈值nMOSFETs的阈值电压从VBS=0V时的580mV动态变化到VBS=0.6V时的220mV,但是这种优势并没有以增加漏电流为代价.因此动态阈值nMOSFETs的驱动能力较之浮体nMOSFETs在低压情况下,更具有优势.工作电压为0.6V时,动态阈值nMOSFETs的驱动能力是浮体的25.5倍,0.7V时为12倍.而且浮体nMOSFETs中的浮体效应,诸如Kink效应,反常亚阈值斜率和击穿电压降低等,均被动态阈值nMOSFETs结构有效抑制. 展开更多
关键词 绝缘体上硅 动态阈值 浮体
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基于高斯光束的绝缘体上硅平面光波导的耦合效率研究 被引量：1
12
作者 薛红 王芳 +1 位作者 白秀英 董康军 《科学技术与工程》 北大核心 2014年第3期127-129,140,共4页
利用梯度折射率(GRIN)介质对高斯光束在出射端面聚焦的特性,研究了对称GRIN介质中单模SOI平面波导的耦合效率特性。对于同一入射波长而言,TM波的耦合效率较大;对于1 550 nm的通信波长而言,使TE和TM偏振光的耦合效率恰好相同的最佳耦合... 利用梯度折射率(GRIN)介质对高斯光束在出射端面聚焦的特性,研究了对称GRIN介质中单模SOI平面波导的耦合效率特性。对于同一入射波长而言,TM波的耦合效率较大;对于1 550 nm的通信波长而言,使TE和TM偏振光的耦合效率恰好相同的最佳耦合条件为α=0.25μm-1,Δx=0,θ=0°,且耦合效率均为84.1%。 展开更多
关键词 光波导 耦合效率 梯度折射率介质 绝缘体上的硅
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总剂量效应致0.13μm部分耗尽绝缘体上硅N型金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子增强效应
13
作者 周航 郑齐文 +5 位作者 崔江维 余学峰 郭旗 任迪远 余德昭 苏丹丹 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期234-241,共8页
空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求,绝缘体上硅(SOI)技术由此进入空间科学领域,这使得器件的应用面临深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战.进行SOI N型金属氧化物半导体场效应晶体管电离辐射损伤对热载流子可靠... 空间科学的进步对航天用电子器件提出了更高的性能需求,绝缘体上硅(SOI)技术由此进入空间科学领域,这使得器件的应用面临深空辐射环境与地面常规可靠性的双重挑战.进行SOI N型金属氧化物半导体场效应晶体管电离辐射损伤对热载流子可靠性的影响研究,有助于对SOI器件空间应用的综合可靠性进行评估.通过预辐照和未辐照、不同沟道宽长比的器件热载流子试验结果对比,发现总剂量损伤导致热载流子损伤增强效应,机理分析表明该效应是STI辐射感生电场增强沟道电子空穴碰撞电离率所引起.与未辐照器件相比,预辐照器件在热载流子试验中的衬底电流明显增大,器件的转移特性曲线、输出特性曲线、跨导特性曲线以及关键电学参数V_T,GM_(max),ID_(SAT)退化较多.本文还对宽沟道器件测试中衬底电流减小以及不连续这一特殊现象进行了讨论. 展开更多
关键词 绝缘体上硅 电离辐射 热载流子
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全集成绝缘体硅CMOS单刀十六掷天线开关设计
14
作者 崔杰 陈磊 +4 位作者 赵鹏 康春雷 史佳 牛旭 刘轶 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期362-366,共5页
利用高衬底电阻率的180nm绝缘体硅（SOI）CMOS工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷（SP16T）天线开关。由于衬底电阻率高达1kΩ·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,... 利用高衬底电阻率的180nm绝缘体硅（SOI）CMOS工艺设计了一种全集成的可用于手机和无线手持设备的多模多频单刀十六掷（SP16T）天线开关。由于衬底电阻率高达1kΩ·cm,且在器件选取和电路结构设计方面采用了多种技巧,实测结果显示,十六路开关分支的插损0~3GHz频段内均小于2dB,隔离度平均大于35dB,回波损耗小于-20dB,功率处理能力超过36dBm,完全满足设计要求。 展开更多
关键词 绝缘体硅 单刀十六掷 回波损耗 插入损耗 隔离度
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绝缘体上硅波导侧壁粗糙度与模式损耗的相关性
15
作者 王彬 孙德贵 尚鸿鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第5期151-157,共7页
绝缘体上硅光波导侧壁粗糙度引起的光损耗是限制硅基集成线路被广泛应用的重要因素之一,利用激光扫描共聚焦显微镜精确测量了SOI波导各相异性分布的侧壁粗糙度,进而将一个三维侧壁粗糙度引入到光波导传输损耗计算的传统理论模型中,获得... 绝缘体上硅光波导侧壁粗糙度引起的光损耗是限制硅基集成线路被广泛应用的重要因素之一,利用激光扫描共聚焦显微镜精确测量了SOI波导各相异性分布的侧壁粗糙度,进而将一个三维侧壁粗糙度引入到光波导传输损耗计算的传统理论模型中,获得了更加精确的模型。数值模拟表明,侧壁粗糙度与波导结构决定的相关长度与侧壁粗糙度对光传输损耗产生同步影响。用法布里-珀罗(F-P)腔调制谐振输出方法测量光波导传输损耗,测量结果与数值计算结果非常吻合,说明各相异性粗糙度分布的测量精度及其引起的光传输损耗的理论模型具有很高的可信度。一条4μm脊宽SOI波导,当侧壁粗糙度在水平和垂直方向的平均值分别为22 nm和23 nm时,对于TE-和TM-模式,计算获得的传输损耗均为4.5~5.0 dB/cm,实验获得的平均光传输损耗为4.3 dB/cm。本文研究结果与结论对SOI光波导器件的研究与开发具有参考价值。 展开更多
关键词 绝缘体上硅波导 侧壁粗糙度 相关长度 光传输损耗 光损耗测量
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选择性腐蚀Si_(1-x)Ge_x与Si制备绝缘体上超薄应变硅 被引量：4
16
作者 母志强 薛忠营 +2 位作者 陈达 狄增峰 张苗 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期40-44,共5页
基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Si1-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅。研究了质量分数为0.5%～5%的HF和Si1-xGex中Ge的含量对选... 基于应变硅以及绝缘体上超薄应变硅(SSOI)工艺,使用氢氟酸、硝酸和醋酸的混合溶液与质量分数为25%的四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液选择性腐蚀Si1-xGex与Si以制备绝缘体上超薄应变硅。研究了质量分数为0.5%～5%的HF和Si1-xGex中Ge的含量对选择性腐蚀的腐蚀速度与选择比的影响,优化了选择性腐蚀工艺。采用氨水、过氧化氢和水的混合溶液处理选择性腐蚀后的Si1-xGex与Si表面,得到了高应变度、高晶体质量的超薄SSOI。采用原子力显微镜(AFM)测试腐蚀速度以及腐蚀后的表面粗糙度;使用喇曼光谱仪表征Si1-xGex以及应变硅的组分以及应变度;使用透射电子显微镜(TEM)对SSOI的晶体质量进行了表征。结果表明,超薄SSOI的表面粗糙度(RMS)为0.446 nm,顶层Si的应变度为0.91%,顶层应变硅层厚度为18 nm,且具有高的晶体质量。 展开更多
关键词 选择性腐蚀 应变硅 超薄 绝缘体上应变硅 锗硅
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0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体电路单粒子瞬态特性研究 被引量：6
17
作者 赵星 梅博 +6 位作者 毕津顺 郑中山 高林春 曾传滨 罗家俊 于芳 韩郑生 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第13期286-293,共8页
利用脉冲激光入射技术研究100级0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应,分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响.实验结果表明,单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入... 利用脉冲激光入射技术研究100级0.18μm部分耗尽绝缘体上硅互补金属氧化物半导体反相器链的单粒子瞬态效应,分析了激光入射器件类型及入射位置对单粒子瞬态脉冲传输特性的影响.实验结果表明,单粒子瞬态脉冲在反相器链中的传输与激光入射位置有关,当激光入射第100级到第2级的n型金属-氧化物-半导体器件,得到的脉冲宽度从287.4 ps增加到427.5 ps;当激光入射第99级到第1级的p型金属-氧化物-半导体器件,得到的脉冲宽度从150.5 ps增加到295.9 ps.激光入射点靠近输出则得到的瞬态波形窄;靠近输入则得到的瞬态波形较宽,单粒子瞬态脉冲随着反相器链的传输而展宽.入射器件的类型对单粒子瞬态脉冲展宽无影响.通过理论分析得到,部分耗尽绝缘体上硅器件浮体效应导致的阈值电压迟滞是反相器链单粒子瞬态脉冲展宽的主要原因.而示波器观察到的与预期结果幅值相反的正输出脉冲,是输出节点电容充放电的结果. 展开更多
关键词 单粒子瞬态 脉冲激光 部分耗尽绝缘体上硅 传输导致的脉冲展宽效应
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基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究 被引量：3
18
作者 彭超 雷志锋 +3 位作者 张战刚 何玉娟 黄云 恩云飞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1755-1761,共7页
绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD(Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真... 绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD(Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真技术.通过对SOI器件三维结构进行建模,利用TCAD内置的辐射模型开展瞬态仿真,模拟氧化层中辐射感应电荷的产生、输运和俘获过程,从而分别评估绝缘埋层(Buried Oxide,BOX)和浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)氧化层中辐射感应陷阱电荷对器件电学性能的影响.基于该仿真技术,本文分别研究了不同偏置、沟道长度、体区掺杂浓度以及STI形貌对SOI MOSFET器件总剂量辐射效应的影响.仿真结果表明高浓度的体区掺杂、较小的STI凹槽深度和更陡峭的STI侧壁将有助于改善SOI器件的抗总剂量效应性能. 展开更多
关键词 绝缘体上硅 总剂量效应 浅沟槽隔离 TCAD仿真
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绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究 被引量：1
19
作者 彭超 恩云飞 +4 位作者 李斌 雷志锋 张战刚 何玉娟 黄云 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第21期284-293,共10页
基于^(60)Coγ射线源研究了总剂量辐射对绝缘体上硅(silicon on insulator, SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管器件的影响.通过对比不同尺寸器件的辐射响应,分析了导致辐照后器件性能退化的不同机制.实验表明:器件的性能退化来源于辐射... 基于^(60)Coγ射线源研究了总剂量辐射对绝缘体上硅(silicon on insulator, SOI)金属氧化物半导体场效应晶体管器件的影响.通过对比不同尺寸器件的辐射响应,分析了导致辐照后器件性能退化的不同机制.实验表明:器件的性能退化来源于辐射增强的寄生效应;浅沟槽隔离(shallow trench isolation, STI)寄生晶体管的开启导致了关态漏电流随总剂量呈指数增加,直到达到饱和; STI氧化层的陷阱电荷共享导致了窄沟道器件的阈值电压漂移,而短沟道器件的阈值电压漂移则来自于背栅阈值耦合;在同一工艺下,尺寸较小的器件对总剂量效应更敏感.探讨了背栅和体区加负偏压对总剂量效应的影响, SOI器件背栅或体区的负偏压可以在一定程度上抑制辐射增强的寄生效应,从而改善辐照后器件的电学特性. 展开更多
关键词 绝缘体上硅 总剂量效应 寄生效应 实验和仿真
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新型绝缘体上硅静态随机存储器单元总剂量效应 被引量：2
20
作者 王硕 常永伟 +3 位作者 陈静 王本艳 何伟伟 葛浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第16期344-352,共9页
静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存储器单元总剂量辐射效应的数据依然有待补充完善.本文采用130 nm绝缘体上硅工艺,设计制备了一种基于L型栅... 静态随机存储器作为现代数字电路系统中常见且重要的高速存储模块,对于提升电子系统性能具有重要作用.到目前为止,关于静态随机存储器单元总剂量辐射效应的数据依然有待补充完善.本文采用130 nm绝缘体上硅工艺,设计制备了一种基于L型栅体接触场效应晶体管器件的6晶体管静态随机存储器单元.该L型栅体接触器件遵循静态随机存储器单元中心对称的版图特点,使得存储单元面积相比于采用同器件尺寸的T型栅体接触器件的静态随机存储器单元减小约22%.文中对比研究了L型栅体接触器件与其他场效应晶体管之间的电学性能差异,以及基于不同场效应晶体管静态随机存储器单元的漏电流和读状态下静态噪声容限随辐射总剂量增加的变化规律.测试结果表明, L型栅体接触器件与T型栅体接触器件的器件性能接近,但前者具有面积更小的优势;同时基于L型栅体接触场效应晶体管的静态随机存储器单元的基本电学性能以及抗总剂量辐射效应均优于传统基于浮体场效应晶体管的静态随机存储器单元,因而具有稳定可靠的实用价值. 展开更多
关键词 静态随机存储器单元 总剂量辐射效应 绝缘体上硅 体接触
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