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离子注入能量对深结扩散表面浓度的影响
1
作者 沈怡东 钱清友 《数字通信世界》 2022年第2期49-50,53,共3页
采用离子注入对半导体器件的进行掺杂,能实现精确掺杂,在半导体器件制程过程中起着举足轻重的作用。文章主要探讨相同注入剂量,不同离子注入硼与磷的能量,对于深结扩散后表面浓度的影响,从而得到较理想的工艺注入能量,以便提升注入机设... 采用离子注入对半导体器件的进行掺杂,能实现精确掺杂,在半导体器件制程过程中起着举足轻重的作用。文章主要探讨相同注入剂量,不同离子注入硼与磷的能量,对于深结扩散后表面浓度的影响,从而得到较理想的工艺注入能量,以便提升注入机设备效率及产品深结扩散后的浓度稳定性,并在深结扩散器件中得到有效的利用,取得较理想的效果。 展开更多
关键词 离子注入 能量 表面浓度 R口
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鍺中扩散层表面浓度的測量
2
作者 钱学俭 《电子学报》 EI CAS 1964年第4期91-97,共7页
本文导出了鍺中杂质扩散层霍尔系数R的表示式。计算了余误差函数分布和高斯分布扩散层的霍尔系数与扩散层表面浓度N_S的关系曲线。用霍尔效应和平均电导法测量了锗中砷扩散层的表面浓度。
关键词 表面浓度 霍尔系数 平均 扩散层 表面 口口 霍尔效应 HALL效应 磁学
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气体渗碳过程中表面碳浓度增长动力学研究 被引量:4
3
作者 佟伟平 任素华 +1 位作者 何长树 王强 《金属热处理》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第C00期128-131,共4页
本文导出了描述气体渗碳过程中工件表面碳浓度随处理时间变化的数学表达式,并通过文献中提供的实测数据进行了验证。
关键词 渗碳 表面浓度 碳势
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表面掺杂浓度对低压TVS的影响研究
4
作者 梁涛 肖添 +3 位作者 刘勇 裴颍 胡镜影 冉卫 《微电子学》 CAS 北大核心 2023年第3期512-517,共6页
瞬态电压抑制器(TVS)是一种二极管形式的接口保护器件,其中低压TVS通常由低阻外延层和其表面的高浓度掺杂区构成。在芯片制造工艺过程中,圆片的表面掺杂浓度对器件特性有很大的影响,非正常的杂质扩散变化极易导致器件参数异常。文章就... 瞬态电压抑制器(TVS)是一种二极管形式的接口保护器件,其中低压TVS通常由低阻外延层和其表面的高浓度掺杂区构成。在芯片制造工艺过程中,圆片的表面掺杂浓度对器件特性有很大的影响,非正常的杂质扩散变化极易导致器件参数异常。文章就某低压TVS制造过程中出现的参数异常进行了排查,确认异常原因为表面掺杂浓度过高,并就表面掺杂浓度与器件参数的变化趋势进行了分析,并通过实验得到验证。 展开更多
关键词 瞬态电压抑制器 表面浓度 掺杂
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稀土软氮化表面XRD研究 被引量:3
5
作者 阎牧夫 刘志儒 陈阳 《兵器材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 1991年第11期48-49,47,共3页
本文研究了渗剂中不同稀土加入量对20钢软氮化后ε相晶格常数、表面氮(碳)浓度及层深的影响。结果表明:表面渗入元素浓度和扩散层深度的最大值对应同一稀土加入量,此时化合物层ε相的含量较小。
关键词 稀土元素 软氮化 表面浓度 扩散层深度 20钢 XRD 化学热处理
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纤维吸附表面活性剂的参量计算的新方法 被引量:1
6
作者 耿信鹏 郭雅妮 +1 位作者 王雪燕 耿信笃 《印染助剂》 CAS 北大核心 2002年第6期8-13,共6页
利用计量的表面浓度cs 代替常规法测定的吸附量ns 所得到的吸附等温线,更客观地反映温度降低利于吸附(cs 更大)的热力学原理.对吸附体积Var、表面浓度cs和分配系数Pa 等参量的准确计量。
关键词 计算 表面浓度 吸附体积 表面活性剂 纤维 织物
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基于单胞模型的环氧树脂基复合材料缠绕圆环吸湿动力曲线预测
7
作者 杨子龙 胡玉霞 +1 位作者 李武胜 杨福江 《纤维复合材料》 2025年第1期8-13,共6页
对高纤维体积含量的复合材料缠绕圆环吸湿行为进行了研究。建立了规则排布、交错排布、纤维居中、基体居中等4种周期单胞模型。基于质量扩散与热传导方程形式等效原理,采用瞬态热分析完成了水分子扩散的有限元仿真,解释了纤维体积含量... 对高纤维体积含量的复合材料缠绕圆环吸湿行为进行了研究。建立了规则排布、交错排布、纤维居中、基体居中等4种周期单胞模型。基于质量扩散与热传导方程形式等效原理,采用瞬态热分析完成了水分子扩散的有限元仿真,解释了纤维体积含量增加会显著降低扩散速率的现象。对比了瞬时平衡、线性增长、幂增长、指数增长等不同表面浓度边界条件下的吸湿动力曲线,二次函数增长模型的吸湿率在吸湿初期增长平缓、中期迅速增长、后期又变平缓直至达到平衡吸湿率,更加符合高纤维体积含量的复合材料吸湿行为。设计完成了温湿度45℃/60%条件的2组T700/环氧树脂复合材料缠绕圆环吸湿实验,规则排布基体居中型的单胞模型预测的吸湿曲线与实验结果吻合最好,平衡吸湿率和平衡时间的预测偏差分别为3.6%和6.3%。 展开更多
关键词 树脂基复合材料 单胞模型 吸湿曲线 缠绕圆环 表面浓度 有限元仿真
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三氧化钼-二氧化硅的制备方法与表面结构、表面酸性的关系
8
作者 赵璧英 刘慧珠 +1 位作者 桂琳琳 唐有祺 《化学学报》 SCIE CAS 1988年第9期862-867,共6页
用共沉淀法和浸渍法制备样品.测定了样品的表面酸性.通过XRD,XPS、IR和激光喇曼谱测定了样品的结构、MoO_(3)的表面浓度和酸位类型.
关键词 表面酸性 表面浓度 共沉淀法 酸位 单层分散 表面结构 制备方法
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表面活性剂溶液表面层的宏观量子化现象
9
作者 刘剑波 刘志国 苏文辉 《自然科学进展》 北大核心 2009年第12期1302-1307,共6页
在离子型表面活性剂水溶液中,表面活性剂分子自发地在空气—水界面形成了一个静电偶极层,不同液面之间的静电排斥力,使得液滴能够浮在液面上。表面的振动使表面活性剂分子在表面的分布趋向均匀,从而液滴可以漂浮更长时间。实验结果证实... 在离子型表面活性剂水溶液中,表面活性剂分子自发地在空气—水界面形成了一个静电偶极层,不同液面之间的静电排斥力,使得液滴能够浮在液面上。表面的振动使表面活性剂分子在表面的分布趋向均匀,从而液滴可以漂浮更长时间。实验结果证实,静电力确实起到了关键的作用。同时,随着溶液体相浓度的改变,表面浓度呈现不连续的变化,并观察到平台现象,直到临界胶束浓度,反映了表面浓度这一宏观量的量子化。这种现象可归因于稳定的表面二维有序结构的形成。 展开更多
关键词 表面活性剂 溶液 静电力模型 表面浓度 宏观量子化现象
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表面活性物质在溶液表面的吸附量
10
作者 李羚 《云南教育学院学报》 1999年第2期54-56,共3页
通过对两类表面活性物质的表面吸附量随溶液浓度变化情况的讨论,本文认为Langmuir型经验公式中的饱和吸附量的真正含意应是表面饱和浓度。
关键词 表面活性物质 表面吸附量 表面浓度 溶液
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前表面场结构参数对IBC太阳电池电学性能的影响 被引量:2
11
作者 夏婷婷 周涛 《高技术通讯》 EI CAS 北大核心 2018年第2期171-178,共8页
利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了前表面场(FSF)表面浓度及扩散深度对N型插指背接触(IBC)太阳电池电学性能的影响。分析和评价了在不同的前表面复合速率(FSRV)、发射区覆盖比例(FE)及衬底电阻率(ρ)情况下,用FSF结构改善IBC太阳... 利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了前表面场(FSF)表面浓度及扩散深度对N型插指背接触(IBC)太阳电池电学性能的影响。分析和评价了在不同的前表面复合速率(FSRV)、发射区覆盖比例(FE)及衬底电阻率(ρ)情况下,用FSF结构改善IBC太阳电池电学性能的效果,并给出了在各种情况下优化的FSF结构参数。仿真结果表明:IBC太阳电池FSF结构具有改善电池电学性能的作用。在不同的前表面复合速率、发射区覆盖比例及衬底电阻率情况下,前表面场结构对IBC太阳电池电学性能的改善效果不同。在较高的前表面复合速率情况和较低的发射区覆盖比例情况下,前表面场对电池电学性能的改善效果更加显著,对于较高的衬底电阻率情况,前表面场对电池电学性能的改善效果略优于较低的衬底电阻率情况。 展开更多
关键词 背接触 太阳电池 表面场(FSF) 表面浓度 扩散深度 转换效率
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谈谈表面活性物质在溶液表面的吸附量
12
作者 李羚 《玉溪师范学院学报》 1998年第6期76-78,共3页
本文通过对两类表面活性物质的表面吸附量随溶液浓度变化情况的讨论,认为Langmuir型经验公式中的饱和吸附量的真正含意应是表面饱和浓度。
关键词 表面活性物质 表面吸附量 表面浓度
全文增补中
卵磷脂单分子膜的表面张力系数和温度关系的实验研究
13
作者 舒辰慧 高福英 《中国医学物理学杂志》 CSCD 1991年第Z1期46-46,共1页
很多物质的表面张力系数均随温度的升高而降低,卵磷脂是肺表面活性物质中的主要成分,通过对该物质的单分子膜在27℃、37℃和42℃三个不同温度下表面张力系数α的测定,了解其α值与温度的关系。实验发现:温度从27℃增加到37℃时,同一表... 很多物质的表面张力系数均随温度的升高而降低,卵磷脂是肺表面活性物质中的主要成分,通过对该物质的单分子膜在27℃、37℃和42℃三个不同温度下表面张力系数α的测定,了解其α值与温度的关系。实验发现:温度从27℃增加到37℃时,同一表面浓度下,随温度增加,α值减小;温度升到42℃,且表面浓度较大时,α值反而相对变大,这可能是由于碳氢链较长的卵磷脂在41℃以上发生相变所致。 展开更多
关键词 表面张力系数 磷脂单分子膜 表面浓度 α值 碳氢链 表面活性物质 大时
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背表面场结构参数对双面太阳电池电流特性的影响
14
作者 周涛 陆晓东 +1 位作者 吴元庆 李媛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2017年第12期89-94,共6页
针对正面光照、背面光照及双面光照三种不同光照条件,利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了背表面场结构参数对P型双面单晶硅太阳电池内量子效率(IQE)和短路电流密度(JSC)的影响。仿真结果表明:在300~700 nm短波段范围,双面光照... 针对正面光照、背面光照及双面光照三种不同光照条件,利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了背表面场结构参数对P型双面单晶硅太阳电池内量子效率(IQE)和短路电流密度(JSC)的影响。仿真结果表明:在300~700 nm短波段范围,双面光照情况下的IQE主要由BSF结构对背面光照光生载流子的影响决定。在700~1200 nm长波段范围,双面光照情况下的IQE主要由BSF结构对正面光照光生载流子的影响决定。当BSF扩散深度一定时,随着BSF表面浓度的增大,双面光照情况下JSC的变化特点与背面光照情况一致。BSF结构的变化对正面光照情况下JSC的影响较小((35)JSC=0.26×10^(–3)A/cm^2),而BSF结构参数的变化对背面光照情况下JSC的影响较大((35)JSC=10.59×10^(–3)A/cm^2),BSF结构对背面光照光生载流子的影响是导致双面光照JSC出现大幅变化的主要因素。 展开更多
关键词 双面太阳电池 表面 表面浓度 扩散深度 内量子效率 短路电流密度
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局部掺杂选择性发射极对太阳电池电性能的影响
15
作者 陈丹 屈小勇 +3 位作者 高嘉庆 吴翔 王永冈 石惠君 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第S02期11-14,共4页
借助激光重掺杂技术进行IBC电池选择性发射极的制备。对n型硅片进行高温沉积后制备出双面轻掺杂发射极区域,通过改变激光功率和速度形成双面对称重掺杂选择性发射极(p++)区域并且匹配最佳退火温度,测试分析掺杂前后的方块电阻、掺杂浓... 借助激光重掺杂技术进行IBC电池选择性发射极的制备。对n型硅片进行高温沉积后制备出双面轻掺杂发射极区域,通过改变激光功率和速度形成双面对称重掺杂选择性发射极(p++)区域并且匹配最佳退火温度,测试分析掺杂前后的方块电阻、掺杂浓度、退火后方块电阻大小、隐开路电压值和光致发光(PL)测试确定出最佳工艺参数;使用最佳的工艺参数制备出重掺杂发射极IBC电池对比产线工艺,测试分析其对电池电性能的影响。研究结果表明:激光功率为50 W、速度为14500 mm/s时,p+区掺杂浓度为8×10^(20) cm^(-3)。在760℃的退火温度下,四组激光参数下的电池均具有较优的钝化效果且激光功率为50 W时隐开路电压达到了734 mV。选择性发射极重掺杂后电池最高转换效率可达到25.6%,平均转换效率为24.8%,转换效率为24.8%~24.9%的电池片数量最多。对应参数下的短路电流、开路电压以及填充因子均值分别为11.453 A、0.721 V和82.44%。 展开更多
关键词 IBC电池 选择性发射极 激光掺杂 表面浓度 转化效率
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基于SE技术的硼扩散和氧化退火工艺研究
16
作者 成秋云 陈骏 +2 位作者 李明 赵增超 刘湘祁 《科技风》 2024年第8期55-57,91,共4页
文中探究了关于N-TOPCon电池应用于选择性发射极(SE)技术中的硼扩散和氧化退火工艺。通过设定实验变量,包括无氧推进过程及其所处的硼扩散和氧化退火工艺阶段,进行了方阻、ECV和钝化方面测试验证。在氧化退火工艺中,低温氧气注入(860℃... 文中探究了关于N-TOPCon电池应用于选择性发射极(SE)技术中的硼扩散和氧化退火工艺。通过设定实验变量,包括无氧推进过程及其所处的硼扩散和氧化退火工艺阶段,进行了方阻、ECV和钝化方面测试验证。在氧化退火工艺中,低温氧气注入(860℃)能够改善整个非SE区域方阻的均匀性,延长升温无氧推进过程会降低方阻的均匀度;利用氧化硅和硅对于硼原子的不同扩散系数,低温氧气注入可以有效抑制硼原子的剧烈扩散,改善方阻均匀度。实验通过低温氧气注入,片内方阻的标准方差由32.5%改善至2.5%,增加了方阻均匀度。硼扩散工艺在BCl_(3)源沉积后的推进程度决定了氧化退火工艺后的非SE区域的方阻和表面浓度。实验通过调节硼扩散的推进程度使得表面浓度由1.2E19atom/cm^(3)降低至5E18atom/cm^(3),表面暗电流饱和密度由47fA/cm^(2)降低至37fA/cm^(2),I-Voc提升了8mV。有效降低了饱和暗电流以及提升了开路电压。 展开更多
关键词 低温氧化 方阻均匀度 推进 表面浓度 饱和暗电流密度
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高效单晶硅太阳电池基区结构设计与参数优化 被引量:3
17
作者 周涛 陆晓东 +1 位作者 吴元庆 夏婷婷 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期105-109,138,共6页
首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了在不同少子寿命的情况下,基区电阻率对常规P型单晶硅太阳电池输出特性的影响。然后基于对仿真结果的分析,提出一种具有非均匀基区的单晶硅太阳电池结构,并对其输出特性进行了仿真研究。... 首先利用TCAD半导体器件仿真软件全面系统地分析了在不同少子寿命的情况下,基区电阻率对常规P型单晶硅太阳电池输出特性的影响。然后基于对仿真结果的分析,提出一种具有非均匀基区的单晶硅太阳电池结构,并对其输出特性进行了仿真研究。结果表明:当少子寿命一定时,存在最优的基区电阻率,使得常规电池的转换效率最大;随着少子寿命的减小,电池最优的基区电阻率减小;提高基区电阻率有利于常规电池长波段量子效率和短路电流的提高,但同时会降低电池的开路电压和填充因子;当少子寿命较低时,非均匀基区结构不具有提高常规电池转换效率的作用。但当少子寿命增大到一定值时,通过优化非均匀基区的表面浓度,非均匀基区结构可有效改善常规电池的电学性能。 展开更多
关键词 太阳电池 非均匀基区 表面浓度 电阻率 少子寿命 转换效率 量子效率
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背接触太阳电池发射区设计及可靠性研究 被引量:2
18
作者 周涛 陆晓东 +1 位作者 吴元庆 夏婷婷 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第10期775-782,共8页
利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对n型插指背接触(IBC)太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。借鉴双极半导体器件抗二次击穿技术,详细分析了不同发射区结深、发射区边缘刻蚀技术... 利用Silvaco-TCAD仿真软件全面系统地分析了不同发射区表面浓度和结深对n型插指背接触(IBC)太阳电池短路电流、开路电压、填充因子及转换效率的影响。借鉴双极半导体器件抗二次击穿技术,详细分析了不同发射区结深、发射区边缘刻蚀技术和发射区边缘选择性掺杂技术对IBC电池热击穿特性的影响。结果表明:发射区表面浓度越大、结深越深,IBC电池效率越高。当发射区表面浓度为5×1020cm-3、结深为1μm时,转换效率高达23.35%。同时,深结发射区也有助于改善IBC电池的热击穿特性。发射区边缘刻蚀结构不具有改善IBC电池热击穿特性的作用,而发射区边缘选择性掺杂结构可有效改善IBC电池的热击穿特性,从而提高IBC太阳电池组件的可靠性。 展开更多
关键词 背接触 太阳电池 发射区 表面浓度 结深 转换效率 热击穿
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IBC太阳电池非均匀掺杂衬底结构参数的优化研究 被引量:2
19
作者 周涛 陆晓东 +1 位作者 吴元庆 张金晶 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期773-779,共7页
利用TCAD半导体器件仿真软件设计了一种具有非均匀掺杂衬底结构的N型插指背结背接触(IBC)单晶硅太阳电池。全面系统地分析了非均匀掺杂衬底结构的表面浓度和扩散深度对IBC太阳电池外量子效率、短路电流密度、开路电压、填充因子及转换... 利用TCAD半导体器件仿真软件设计了一种具有非均匀掺杂衬底结构的N型插指背结背接触(IBC)单晶硅太阳电池。全面系统地分析了非均匀掺杂衬底结构的表面浓度和扩散深度对IBC太阳电池外量子效率、短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。仿真结果表明:非均匀掺杂衬底结构在一定程度上可提高IBC太阳电池的转换效率;非均匀掺杂衬底结构当扩散深度一定时,存在最优的表面浓度,使得IBC太阳电池的转换效率最高,且非均匀掺杂衬底结构的扩散深度越浅,最优的表面浓度越高。当扩散深度为1.9μm时,最优的表面浓度为3×1016cm-3,电池效率为22.86%;当扩散深度减小到1.1μm时,最优的表面浓度大于1×1018cm-3,电池效率大于23.092%。当非均匀掺杂衬底结构的表面浓度一定时,随着扩散深度的增大,IBC太阳电池转换效率随之降低。 展开更多
关键词 背接触 太阳电池 非均匀掺杂 衬底 表面浓度 扩散深度 转换效率
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基于ITO电极的细胞色素c吸附层的直接电化学 被引量:2
20
作者 张喆 祁志美 张蓉君 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1163-1168,共6页
采用未经修饰的铟锡氧化物(ITO)工作电极直接探测到了细胞色素c(Cytc)吸附层的氧化还原峰,并得出了Cytc的表面浓度,随着溶液浓度从2μmo·lL-1增大到10μmo·lL-1,Cytc的表面浓度相应地从0.35×10-12mo·lcm-2增大到1.5... 采用未经修饰的铟锡氧化物(ITO)工作电极直接探测到了细胞色素c(Cytc)吸附层的氧化还原峰,并得出了Cytc的表面浓度,随着溶液浓度从2μmo·lL-1增大到10μmo·lL-1,Cytc的表面浓度相应地从0.35×10-12mo·lcm-2增大到1.53×10-12mo·lcm-2.实验获得的表面浓度倒数与溶液浓度倒数的准线性关系说明Cytc在ITO表面的吸附基本满足Langmuir等温吸附理论.对Cytc溶液的循环伏安测试结果表明参与电极反应的Cytc包括游离分子和吸附分子,前者的贡献大于后者,电极反应主要受扩散控制并呈准可逆过程.根据Nicholson方法估算得到反应物的标准异相速率常数的平均值为1.65×10-3cm·s-1.实验结果显示在室温下放置1h后Cytc吸附层电化学活性部分丧失,在80℃下放置1h后吸附层完全失活.失活的Cytc吸附层对铁氰化钾溶液在Au电极上的电极反应具有明显的阻碍作用. 展开更多
关键词 细胞色素c吸附层 直接电化学 Langmuir等温吸附 表面浓度
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