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硅衬底温度对电子束蒸发钛薄膜性能的影响
1
作者 李兆营 李萌萌 《电镀与精饰》 CAS 北大核心 2024年第3期1-5,共5页
采用电子束蒸发法在硅衬底表面制备Ti薄膜。采用台阶仪、原子力显微镜、反射率测试仪、四探针电阻测试仪和应力测试仪分析了在不同衬底温度下所得Ti薄膜的厚度、表面粗糙度、镜面反射率、方块电阻和残余应力。结果表明,随着衬底温度从2... 采用电子束蒸发法在硅衬底表面制备Ti薄膜。采用台阶仪、原子力显微镜、反射率测试仪、四探针电阻测试仪和应力测试仪分析了在不同衬底温度下所得Ti薄膜的厚度、表面粗糙度、镜面反射率、方块电阻和残余应力。结果表明,随着衬底温度从25℃升高到200℃,Ti薄膜的厚度、方块电阻和残余应力逐渐降低;表面粗糙度先减小后增大,镜面反射率则先升高后降低。 展开更多
关键词 电子束蒸发 硅衬底温度 钛薄膜 方块电阻 残余应力 表面粗糙度 镜面反射率
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衬底温度对TiCuN薄膜红外发射性能的影响
2
作者 徐洁 陈鲸朴 +2 位作者 吴奇帅 卢琳琳 王铎 《西安工程大学学报》 CAS 2024年第4期42-48,55,共8页
为研究TiCuN薄膜的性能尤其是红外发射性能,采用反应磁控共溅射技术在玻璃衬底上沉积制备了TiCuN薄膜,研究了不同的衬底温度(25、200、300、400℃)对TiCuN薄膜的相组成、微观形貌、表面润湿性、电阻率以及红外发射率的影响。结果表明,... 为研究TiCuN薄膜的性能尤其是红外发射性能,采用反应磁控共溅射技术在玻璃衬底上沉积制备了TiCuN薄膜,研究了不同的衬底温度(25、200、300、400℃)对TiCuN薄膜的相组成、微观形貌、表面润湿性、电阻率以及红外发射率的影响。结果表明,衬底温度为25℃时,制备的薄膜由TiCuN相组成;当衬底温度大于200℃时,Cu从TiCuN相中析出,制备的薄膜由TiCuN相和金属Cu纳米颗粒两相组成。制备的TiCuN薄膜的水接触角均大于100°,具有良好的疏水性。衬底温度为25℃时沉积的TiCuN薄膜表面覆盖着大量纳米气孔以及点状突起的细小纳米颗粒,薄膜表面凹凸不平。随着衬底温度的升高,纳米颗粒长大,纳米气孔减少甚至消失,薄膜表面变得致密平整。由于相组成、微观结构等改变,随着衬底温度的升高,TiCuN薄膜的电阻率和红外发射率大幅下降。提高衬底温度可有效降低TiCuN薄膜的电阻率和红外发射率。红外发射率的变化趋势与电阻率的变化趋势相一致。 展开更多
关键词 TiCuN薄膜 磁控共溅射 衬底温度 电阻率 红外发射率
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衬底温度对直流磁控溅射法沉积ZnO∶Ti薄膜性能的影响 被引量：15
3
作者 刘汉法 张化福 +2 位作者 郭美霞 史晓菲 周爱萍 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期95-99,共5页
利用直流磁控溅射工艺,在石英玻璃衬底上沉积出了具有高度C轴择优取向的掺Ti氧化锌(ZnO∶Ti,TZO)透明导电薄膜。研究了衬底温度对TZO薄膜应力、结构和光电性能的影响。结果表明,衬底温度对TZO薄膜的结构、应力和电阻率有重要影响。TZO... 利用直流磁控溅射工艺,在石英玻璃衬底上沉积出了具有高度C轴择优取向的掺Ti氧化锌(ZnO∶Ti,TZO)透明导电薄膜。研究了衬底温度对TZO薄膜应力、结构和光电性能的影响。结果表明,衬底温度对TZO薄膜的结构、应力和电阻率有重要影响。TZO薄膜为六角纤锌矿结构的多晶薄膜。在衬底温度为100℃时,实验获得的TZO薄膜电阻率具有最小值2.95×10-4Ω.cm,400℃时薄膜出现孪晶,随着温度的升高,薄膜应力具有减小的趋势。实验制备的TZO薄膜附着性能良好,可见光区平均透过率都超过91%。 展开更多
关键词 ZnO∶Ti薄膜 透明导电薄膜 衬底温度 磁控溅射
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衬底温度对直流磁控溅射法制备掺锆氧化锌透明导电薄膜性能的影响(英文) 被引量：10
4
作者 张化福 刘瑞金 +3 位作者 刘汉法 陈钦生 王新峰 梅玉雪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期766-770,775,共6页
利用直流磁控溅射法在石英衬底上制备出了高透明导电的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)薄膜。研究了衬底温度对ZnO:Zr薄膜结构、形貌及光电性能的影响。XRD表明实验中制备的ZnO:Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。实... 利用直流磁控溅射法在石英衬底上制备出了高透明导电的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)薄膜。研究了衬底温度对ZnO:Zr薄膜结构、形貌及光电性能的影响。XRD表明实验中制备的ZnO:Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。实验所制备ZnO:Zr薄膜的晶化程度和导电性能对衬底温度有很强的依赖性。当衬底温度为300℃时,ZnO:Zr薄膜具有最小电阻率7.58×10-4Ω.cm,其可见光平均透过率超过了91%。 展开更多
关键词 掺锆氧化锌 衬底温度 直流磁控溅射 薄膜
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衬底温度对Si(111)衬底上MBE异质外延3C-SiC薄膜的影响 被引量：6
5
作者 刘金锋 刘忠良 +2 位作者 武煜宇 徐彭寿 汤洪高 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期720-724,共5页
利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC单晶薄膜,通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响.研究结果表明,1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性.在更高的... 利用固源分子束外延(SSMBE)技术,在Si(111)衬底上异质外延生长3C-SiC单晶薄膜,通过RHEED、XRD、AFM、XPS等实验方法研究了衬底温度对薄膜结构、形貌和化学组分的影响.研究结果表明,1000℃生长的样品具有好的结晶质量和单晶性.在更高的衬底温度下生长,会导致大的孔洞形成,衬底和薄膜间大的热失配使降温过程中薄膜内形成更多位错,从而使晶体质量变差.在低衬底温度下生长,由于偏离理想的化学配比也会导致薄膜的晶体质量降低. 展开更多
关键词 碳化硅薄膜 硅衬底 固源分子束外延 衬底温度
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衬底温度对溅射硅基铜膜(Cu/Si)应力的影响研究 被引量：7
6
作者 吴桂芳 宋学平 +2 位作者 刘勇 林伟 孙兆奇 《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第3期27-32,共6页
薄膜应力的存在是薄膜制备过程中需要认真考虑的普遍问题。本文对溅射硅基铜膜应力受衬底温度的影响进行了讨论。实验中衬底温度分别设定为室温,50℃,100℃,150℃,200℃,250℃。实验表明:衬底温度在50～200℃之间时,铜膜平均应力变化较... 薄膜应力的存在是薄膜制备过程中需要认真考虑的普遍问题。本文对溅射硅基铜膜应力受衬底温度的影响进行了讨论。实验中衬底温度分别设定为室温,50℃,100℃,150℃,200℃,250℃。实验表明:衬底温度在50～200℃之间时,铜膜平均应力变化较小,为-3.920×108Pa,应力差变化也较小。 展开更多
关键词 衬底温度 溅射硅基铜膜 基片温度 微结构 光学相位移法 薄膜应力 超大规模集成电路
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衬底温度对射频磁控溅射制备氮化硅薄膜的影响 被引量：18
7
作者 孙科沸 李子全 李鑫 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期516-519,共4页
采用射频磁控反应溅射技术,以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅(SiN)薄膜;利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外-可见光谱,研究了不同衬底温度对SiN薄膜的相结构、表面形貌和成分、薄膜厚度以及... 采用射频磁控反应溅射技术,以N2和Ar为反应气体在普通玻璃表面沉积了氮化硅(SiN)薄膜;利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能量耗散谱、台阶仪和紫外-可见光谱,研究了不同衬底温度对SiN薄膜的相结构、表面形貌和成分、薄膜厚度以及光性能的影响。结果表明;制备的SiN薄膜为富硅结构;提高衬底温度,可增加光学带隙;当衬底温度为450℃时,薄膜由尺寸约为40 nm的SiN晶粒组成,且在紫外-可见光区的透过率高达90%。 展开更多
关键词 氮化硅薄膜 射频磁控反应溅射 衬底温度
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射频磁控溅射CN_x薄膜的结构与衬底温度关系的研究 被引量：4
8
作者 曹培江 姜志刚 +4 位作者 李俊杰 金曾孙 王欣 郑伟涛 李哲奎 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期275-278,共4页
使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下 ( ts=室温 ,35 0 ,5 0 0℃ )于 Si( 0 0 1 )衬底上沉积了 CNx 膜 ,并利用拉曼 ( Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)及 X射线衍射光电子能谱 ( XPS)对 CNx 膜的化学结合状态与温度的关系进... 使用射频磁控溅射方法在不同衬底温度下 ( ts=室温 ,35 0 ,5 0 0℃ )于 Si( 0 0 1 )衬底上沉积了 CNx 膜 ,并利用拉曼 ( Raman)光谱、傅里叶变换红外光谱 ( FTIR)及 X射线衍射光电子能谱 ( XPS)对 CNx 膜的化学结合状态与温度的关系进行了研究 .Raman光谱结果表明 ,随衬底温度 ( ts)增加 ,D带向低频方向移动 ,G带向高频方向移动 ;它们的半高宽分别由 375和 1 5 0 cm- 1减小至 32 8和 1 4 2 cm- 1 ;ID/IG 由 3.76减小至 2 .88.FTIR谱中除无序 D带 ( 1 4 0 0 cm- 1 )和石墨 G带 ( 1 5 70 cm- 1 )外 ,还有～ 70 0 cm- 1 ,～ 2 2 1 0 cm- 1 ( C≡ N) ,2 330 cm- 1 ( C—O)及 3 2 5 5～ 335 1 cm- 1 ( N—H)等峰 .XPS测试结果表明 :随衬底温度增加 ,N与 C的物质的量比由 0 .4 9下降至 0 .38,sp2 ( C—N)组分与 sp3( C—N)组分强度比呈增大趋势 .低温 ( 35 0℃ )退火并未对CNx 膜的化学结合状态产生较大影响 ;高温 ( 90 0℃ ) 展开更多
关键词 射频磁控溅射 化学结合状态 结构 氮化碳薄膜 衬底温度 退火温度 FTIR XPS 拉曼光谱
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衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响 被引量：5
9
作者 赵剑涛 郜小勇 +3 位作者 刘绪伟 陈永生 杨仕娥 卢景霄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1287-1290,共4页
采用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不同衬底温度Ts下沉积了氢化微晶硅(μc-S i:H)薄膜,并深入研究了衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响。研究结果表明随着衬底温度的升高,表征μc-S i:H薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸均呈... 采用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不同衬底温度Ts下沉积了氢化微晶硅(μc-S i:H)薄膜,并深入研究了衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响。研究结果表明随着衬底温度的升高,表征μc-S i:H薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸均呈现了相似的变化规律,其临界温度点随着硅烷浓度的增加向高温方向移动。该实验结果可通过“表面扩散模型”得到合理解释。 展开更多
关键词 μc-Si:H薄膜 衬底温度 临界温度点 晶化率
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衬底温度对Al_2O_3掺杂ZnO透明导电薄膜性能的影响 被引量：5
10
作者 田力 陈姗 +2 位作者 蒋马蹄 廉淑华 唐世洪 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第10期23-26,30,共5页
以纯度为99.9%的陶瓷靶(w(ZnO)=98%,w(Al2O3)=2%)为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积制备了Al2O3掺杂的ZnO(AZO)薄膜。采用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱(UV-Vis)仪等仪器,对AZO薄膜的形貌结构、光... 以纯度为99.9%的陶瓷靶(w(ZnO)=98%,w(Al2O3)=2%)为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积制备了Al2O3掺杂的ZnO(AZO)薄膜。采用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外可见光谱(UV-Vis)仪等仪器,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能进行了测试,从薄膜生长方式和缺陷散射角度分析了衬底温度对AZO薄膜的影响。结果表明:当衬底温度在室温至300℃温度区间内时,其对AZO薄膜性能的影响显著。衬底温度为200℃时制得的薄膜具有良好的结晶度和光电性能,其可见光透过率为85%,电阻率为2.67×10–3.cm。 展开更多
关键词 AZO 磁控溅射法 衬底温度 透明导电薄膜
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衬底温度对溅射法生长Cu-Al-O薄膜性能的影响 被引量：3
11
作者 兰伟 董国波 +3 位作者 张铭 王波 严辉 王印月 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期921-924,共4页
使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜。傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu—O,Al—O和O—Cu—O键。在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃～500℃时薄膜透过率在60%～70%之间... 使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜。傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu—O,Al—O和O—Cu—O键。在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃～500℃时薄膜透过率在60%～70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52eV和1.83eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致。在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10-3S·cm-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善。 展开更多
关键词 Cu-Al-O薄膜 衬底温度 透过率 电导率
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衬底温度对电子辅助增强化学气相沉积金刚石膜的影响 被引量：4
12
作者 王志军 李红莲 +2 位作者 董丽芳 李盼来 尚勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期76-82,共7页
本工作采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对以CH4/H2为源气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石薄膜的气相动力学过程进行了模拟。提出了衬底温度的空间梯度变化模型,研究了衬底温度对EACVD气相过程中的电子群行为以及H2和CH4分解过程... 本工作采用蒙特卡罗(Monte Carlo)方法,对以CH4/H2为源气体的电子助进化学气相沉积(EACVD)金刚石薄膜的气相动力学过程进行了模拟。提出了衬底温度的空间梯度变化模型,研究了衬底温度对EACVD气相过程中的电子群行为以及H2和CH4分解过程的影响。结果表明:电子平均温度随着衬底温度的升高而升高;当气压较低时,分解得到的成膜关键粒子H、CH3数量随衬底温度的增大而减少;而当气压较高时,H、CH3数目随衬底温度的增大而增大;衬底温度主要改变了衬底表面附近的化学反应动力学过程,从而对薄膜质量产生了决定性的影响。 展开更多
关键词 蒙特卡罗模拟 化学气相沉积 气相过程 衬底温度
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衬底温度对PLD方法制备的ZnO薄膜的光学和电学特性的影响 被引量：5
13
作者 赵子文 胡礼中 +4 位作者 张贺秋 孙景昌 刘维峰 骆英民 霍炳至 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期129-133,共5页
利用脉冲激光沉积法(PLD)在c面蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜并对其进行了X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、光致发光(PL)谱和霍尔(Hall)测试。RHEED和XRD分析表明,温度在350℃至550℃之间时,ZnO薄膜的结晶质量随着衬底温度的... 利用脉冲激光沉积法(PLD)在c面蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜并对其进行了X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、光致发光(PL)谱和霍尔(Hall)测试。RHEED和XRD分析表明,温度在350℃至550℃之间时,ZnO薄膜的结晶质量随着衬底温度的升高而提高,当衬底温度进一步升高后,ZnO薄膜的结晶质量开始下降。四个样品中,衬底温度为550℃的样品具有最清晰的规则点状RHEED图像和半高宽最窄的(0002)衍射峰。PL谱和Hall测量的结果表明,衬底温度为550℃的样品还具有最好的发光性质和最大的霍尔迁移率。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 脉冲激光沉积 衬底温度
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衬底温度对射频溅射沉积ZAO透明导电薄膜性能的影响 被引量：22
14
作者 孙奉娄 惠述伟 《中南民族大学学报（自然科学版）》 CAS 2009年第2期10-13,共4页
利用射频磁控溅射法制备了ZAO透明导电薄膜,通过XRD、SEM等手段对薄膜特性进行测试分析,研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌及其光电性能的影响.结果表明:衬底温度从300℃增加到400℃时,薄膜晶粒增大,晶粒结构分布规则,电阻率快速下降... 利用射频磁控溅射法制备了ZAO透明导电薄膜,通过XRD、SEM等手段对薄膜特性进行测试分析,研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌及其光电性能的影响.结果表明:衬底温度从300℃增加到400℃时,薄膜晶粒增大,晶粒结构分布规则,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高.当衬底温度为400℃时ZAO薄膜的电阻率为2×10-3Ω.cm、透过率为84%,但是当衬底温度进一步升高时,薄膜性质将呈现下降趋势. 展开更多
关键词 ZAO薄膜 衬底温度 电阻率 透过率
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衬底温度对类金刚石薄膜力学性能的影响 被引量：3
15
作者 吴卫东 王锋 +6 位作者 李俊 李盛印 曹林洪 葛芳芳 巨新 唐永建 孙卫国 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期769-773,共5页
采用脉冲激光沉积方法在不同衬底温度下制备了最高硬度与弹性模量分别达45 GPa和290GPa,且表面十分光滑的类金刚石薄膜。在相对湿度为80%的条件下,薄膜最低的摩擦系数与磨损率分别为0.045与5.74×10-10mm3.N-1.m-1。实验结果表明,... 采用脉冲激光沉积方法在不同衬底温度下制备了最高硬度与弹性模量分别达45 GPa和290GPa,且表面十分光滑的类金刚石薄膜。在相对湿度为80%的条件下,薄膜最低的摩擦系数与磨损率分别为0.045与5.74×10-10mm3.N-1.m-1。实验结果表明,硬度与弹性模量随衬底温度升高而降低,摩擦系数与磨损率随衬底温度升高而增大。拉曼光谱表明:在室温下制备的薄膜为典型类金刚石结构,sp3含量高达76.8%,而随温度升高,薄膜结构逐渐经无定形碳结构向纳米晶石墨结构方向发展,sp3含量也随之降低,力学性能变差。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 类金刚石薄膜 衬底温度 硬度 弹性模量 摩擦系数 磨损率
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衬底温度对ZnCoCuO蒸镀膜结构和性能的影响 被引量：3
16
作者 刘艳美 赵宗彦 +2 位作者 李爱侠 周圣明 韩家骅 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2004年第5期539-542,共4页
用X射线衍射方法分析了在Si(001)衬底上电子束蒸镀制备的Zn0.84Co0.15Cu0.01O薄膜的结构特征,测量了薄膜的磁性质,研究了衬底温度对薄膜晶体结构及磁性能的影响。实验发现,衬底温度在350～500℃的范围内,薄膜都具有室温铁磁性,而且在(0... 用X射线衍射方法分析了在Si(001)衬底上电子束蒸镀制备的Zn0.84Co0.15Cu0.01O薄膜的结构特征,测量了薄膜的磁性质,研究了衬底温度对薄膜晶体结构及磁性能的影响。实验发现,衬底温度在350～500℃的范围内,薄膜都具有室温铁磁性,而且在(002)晶面取向有极大值,饱和磁化强度和剩磁随衬底温度增加近于单调减小。 展开更多
关键词 ZnCoCuO薄膜 X射线衍射 室温磁性 衬底温度 电子束蒸镀
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衬底温度对磁控溅射制备外延ZnO薄膜结构特性的影响 被引量：3
17
作者 周阳 仇满德 +3 位作者 赵庆勋 李晓红 彭英才 刘保亭 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期735-738,共4页
在不同的衬底温度下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延生长的ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、可见-紫外分光光度计系统研究了衬底温度对ZnO薄膜微观结构和光学特性的影响。AFM结果表明在不同衬底温... 在不同的衬底温度下,采用磁控溅射方法在蓝宝石(0001)衬底上制备了外延生长的ZnO薄膜。采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、可见-紫外分光光度计系统研究了衬底温度对ZnO薄膜微观结构和光学特性的影响。AFM结果表明在不同衬底温度制备的ZnO薄膜具有较为均匀的ZnO晶粒,且晶粒的尺寸随衬底温度的增加逐渐增大。XRD结果显示不同温度生长的ZnO薄膜均为外延生长,400℃生长的薄膜具有最好的结晶质量;光学透射谱显示在370nm附近均出现一个较陡的吸收边,表明制备的ZnO薄膜具有较高的质量,其光学能带隙随着衬底温度的增加而减小。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 射频磁控溅射 衬底温度 外延生长
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衬底温度对低温制备纳米晶硅薄膜的影响 被引量：3
18
作者 刘翠青 陈城钊 +3 位作者 邱胜桦 吴燕丹 李平 余楚迎 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1853-1855,共3页
采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下,在>100℃的低温下,以0.14nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜。研究结果表明,薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系。当衬底温度>10... 采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130Pa和较高的射频功率70W下,在>100℃的低温下,以0.14nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜。研究结果表明,薄膜晶化率和沉积速率与衬底温度有密切关系。当衬底温度>100℃,薄膜由非晶相向晶相转化,随着衬底温度的进一步升高,薄膜晶化率增大,当温度为300℃时,薄膜的晶化率达82%,暗电导率为10-4Ω-1.cm-1数量级,激活能为0.31eV。当薄膜晶化后,沉积速率随衬底温度升高而略有增加。 展开更多
关键词 纳米晶硅薄膜 衬底温度 微结构特性 电学性能
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衬底温度对PLD法制备的ZnO:Ga薄膜结构和性能的影响 被引量：3
19
作者 王书昶 张春伟 +2 位作者 刘振华 刘拥军 何军辉 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期23-25,34,共4页
利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜的结构、表面形貌和光电性能的影响。研究表明:制备的ZnO:Ga薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜。随着衬底温度的增加,衍射峰明显增强,晶... 利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜的结构、表面形貌和光电性能的影响。研究表明:制备的ZnO:Ga薄膜是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜。随着衬底温度的增加,衍射峰明显增强,晶粒尺寸增大。当衬底温度为450℃时,薄膜的最低电阻率为8.5×10–4Ω.cm,在可见光区平均光透过率达到87%以上。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 ZnO:Ga薄膜 衬底温度 光电性能
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衬底温度对机械瓣膜上沉积的类金刚石薄膜的影响 被引量：2
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作者 罗乐 蒋大鹏 +3 位作者 赵读亮 严中亚 程光存 方晓东 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期498-502,共5页
为掌握机械瓣膜衬底温度对类金刚石薄膜的影响规律,在实验中保持其它实验参数不变,机械瓣膜衬底温度分别取室温和150℃时,用脉冲激光沉积法在机械瓣膜上制备类金刚石薄膜。用Raman光谱仪对薄膜的微观结构进行检测;用原子力显微镜对薄膜... 为掌握机械瓣膜衬底温度对类金刚石薄膜的影响规律,在实验中保持其它实验参数不变,机械瓣膜衬底温度分别取室温和150℃时,用脉冲激光沉积法在机械瓣膜上制备类金刚石薄膜。用Raman光谱仪对薄膜的微观结构进行检测;用原子力显微镜对薄膜的表面形貌和粗糙度进行检测。结果表明:当其它实验参数不变时,机械瓣膜衬底温度从室温升高到150℃时,薄膜的微观结构没有发生明显改变;薄膜表面的粗糙度减小。类金刚石薄膜和机械瓣膜衬底之间具有很好的黏附性。 展开更多
关键词 材料 类金刚石薄膜 脉冲激光沉积法 衬底温度 微观结构 表面形貌
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