期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到666篇文章
< 1 2 … 34 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
聚焦离子束诱发金属有机化学气相淀积碳-铂薄膜 被引量：3
1
作者 江素华 唐凌 王家楫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第11期1458-1463,共6页
通过一系列实验 ,对聚焦离子束诱发 MOCVD的成膜机理进行了研究 ,给出了淀积速率同离子束流等参数之间关系的理论模型 .发现随着离子束流的增大 ,薄膜淀积速率增大 ,但并非完全线性增加 ,薄膜中的 C/ Pt比例也随之变化 ,薄膜电阻率则随... 通过一系列实验 ,对聚焦离子束诱发 MOCVD的成膜机理进行了研究 ,给出了淀积速率同离子束流等参数之间关系的理论模型 .发现随着离子束流的增大 ,薄膜淀积速率增大 ,但并非完全线性增加 ,薄膜中的 C/ Pt比例也随之变化 ,薄膜电阻率则随之降低 ,最后趋向恒定 . 展开更多
关键词 聚焦离子束 金属有机化学气相淀积 薄膜 铂 碳
在线阅读 下载PDF
光加热低压金属有机化学气相淀积生长AlGaN
2
作者 周玉刚 李卫平 +7 位作者 沈波 陈鹏 陈志忠 臧岚 张荣 顾书林 施毅 郑有翀 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2000年第8期34-36,共3页
采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对... 采用光加热低压金属有机化学气相淀积方法成功地制备出高质量的、组分均匀的AlGaN外延层。结果表明 ,铝和镓的并入效率基本相等 ,这有别于其他研究报道。此外 ,建立了铝相对镓的并入效率与气相预反应之间的关系模型 ,它表明 ,光加热对预反应有较大的影响。结合GaN的生长可以看出 ,光加热有利于抑制预反应 ,从而有利于提高样品质量和铝组分的均匀性。 展开更多
关键词 ALGAN GAN 金属有机化学气相淀积 气相寄生反应 光加热
在线阅读 下载PDF
金属有机化学气相沉积法制备ZnO和ZnO：Ni薄膜及其特性分析 被引量：4
3
作者 王辉 王瑾 +7 位作者 赵洋 赵龙 赵旺 史志锋 夏晓川 马艳 杜国同 董鑫 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期2717-2720,共4页
采用金属有机化学气相沉积法制备了ZnO和ZnO∶Ni薄膜,并对它们的结构、光学和电学特性进行了对比研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的表面形貌和晶体结构进行了分析,结果表明,Ni元素的掺杂虽然降低了薄膜的晶体质量,... 采用金属有机化学气相沉积法制备了ZnO和ZnO∶Ni薄膜,并对它们的结构、光学和电学特性进行了对比研究.通过扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的表面形貌和晶体结构进行了分析,结果表明,Ni元素的掺杂虽然降低了薄膜的晶体质量,但并未改变ZnO的纤锌矿结构.通过紫外-可见分光光度计对薄膜的光学特性进行了测试与分析,结果表明,ZnO∶Ni薄膜在可见光区的平均透过率可达90%,优于ZnO薄膜在可见光区的平均透过率(85%).霍尔(Hall)测试显示ZnO∶Ni薄膜的导电类型仍为n型,但其电阻率已经明显增加,载流子浓度也远低于未掺杂ZnO薄膜的载流子浓度,说明Ni元素的掺杂对ZnO薄膜的特性产生了很大影响. 展开更多
关键词 ZNO薄膜 ZnO∶Ni薄膜 金属有机化学气相沉积 透过率
在线阅读 下载PDF
金属有机化学气相沉积的研究进展 被引量：5
4
作者 李一 李金普 +1 位作者 柳学全 贾成厂 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI CAS 2012年第1期153-156,165,共5页
概述了金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)的一般原理,讨论了适用于金属有机化学气相沉积的前驱体化合物及反应器类型,介绍了金属有机化学气相沉积技术在半导体化合物材料和各种薄膜材料中的发展及应用。
关键词 金属有机化学气相沉积 半导体化合物 薄膜材料
在线阅读 下载PDF
金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展 被引量：3
5
作者 符春林 潘复生 +1 位作者 蔡苇 邓小玲 《真空》 CAS 北大核心 2008年第6期25-28,共4页
铁电薄膜是一类重要的功能材料,是近年来高新技术研究的前沿和热点之一。金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备铁电薄膜的一种重要方法。综述了金属有机化学气相沉积法制备铁电薄膜的历史、原理、工艺参数、特点和采用此方法制备出的某些... 铁电薄膜是一类重要的功能材料,是近年来高新技术研究的前沿和热点之一。金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备铁电薄膜的一种重要方法。综述了金属有机化学气相沉积法制备铁电薄膜的历史、原理、工艺参数、特点和采用此方法制备出的某些材料的铁电性能。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 铁电 薄膜 制备
在线阅读 下载PDF
金属有机化学气相沉积W薄膜 被引量：3
6
作者 李一 李金普 +3 位作者 贾成厂 柳学全 李发长 李楠 《粉末冶金技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期334-338,共5页
以W(CO)6为前驱体,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Cu基体表面进行了沉积W薄膜的研究。通过调整W(CO)6热解温度、W(CO)6气化温度及载气(高纯氢气)的流量等工艺参数,成功制备了均匀、致密的W薄膜;研究了沉积速率与上述参数之间的关... 以W(CO)6为前驱体,采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Cu基体表面进行了沉积W薄膜的研究。通过调整W(CO)6热解温度、W(CO)6气化温度及载气(高纯氢气)的流量等工艺参数,成功制备了均匀、致密的W薄膜;研究了沉积速率与上述参数之间的关系,并得出了在本试验条件下应用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)制备W薄膜的最佳工艺参数:热解温度为320～380℃,载气流量为160～200ml/min。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 六羰基钨(W(CO)6) 薄膜
在线阅读 下载PDF
常压下用金属有机化学气相沉积法在HP40钢表面制备纳米氧化铝薄膜及表征 被引量：3
7
作者 黄志荣 李攀瑜 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第7期58-60,64,共4页
常压下用金属有机化学气相沉积法(MOCVD),以仲丁醇铝(ATSB)为前驱体、氮气为载气在HP40钢表面制备了纳米氧化铝薄膜;用光学显微镜、扫描电子显微镜及能谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜等研究了沉积温度等参数对氧化铝薄膜沉积速率的影... 常压下用金属有机化学气相沉积法(MOCVD),以仲丁醇铝(ATSB)为前驱体、氮气为载气在HP40钢表面制备了纳米氧化铝薄膜;用光学显微镜、扫描电子显微镜及能谱仪、X射线衍射仪、原子力显微镜等研究了沉积温度等参数对氧化铝薄膜沉积速率的影响,并对其形貌进行了观察。结果表明:随着沉积温度从503K升高到713K,薄膜沉积速率从0.1mg·cm^(-2)·h^(-1)增加到0.82mg·cm^(-2)·h^(-1);当沉积温度在593～653K范围内,可获得晶粒尺寸为10～15nm的纳米氧化铝薄膜;反应的表观活化能随氮气与ATSB蒸气混合气流速增加而降低,不同的混合气流速有不同的反应级数,ATSB的反应级为0.7±0.02。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积法 氧化铝 沉积速率 纳米薄膜
在线阅读 下载PDF
金属有机化学气相沉积法制备SnO_2/MCM-41半导体传感器及其性能研究 被引量：2
8
作者 刘秀丽 高国华 KAWI Sibudjing 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1609-1612,共4页
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在... 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法制备了SnO2/MCM-41半导体传感器,考察了沉积时间和沉积温度对SnO2/MCM-41半导体传感器的SnO2沉积量、比表面积和孔径的影响;研究发现,随着SnO2沉积量的增加,孔径有规律地下降,说明SnO2较均匀地沉积在介孔分子筛MCM-41的孔道之中.SnO2/MCM-41半导体传感器对CO和H2具有较高的传感性能,其传感性能的大小与CO和H2的浓度成正比. 展开更多
关键词 半导体传感器 介孔分子筛(MCM-41) 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 二氧化锡 薄膜
在线阅读 下载PDF
金属有机化学气相沉淀反应器结构的模拟优化 被引量：1
9
作者 张红 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1328-1332,共5页
研究了金属有机化学气相沉淀反应器的几何形状对于反应腔内的涡旋产生的影响,表明衬底上方的涡旋不仅会影响到薄膜生长的厚度,而且会影响到薄膜的纯度和成分的均匀性。通过改变反应器的结构和形状来优化反应器设计,从而消除衬底上方的涡... 研究了金属有机化学气相沉淀反应器的几何形状对于反应腔内的涡旋产生的影响,表明衬底上方的涡旋不仅会影响到薄膜生长的厚度,而且会影响到薄膜的纯度和成分的均匀性。通过改变反应器的结构和形状来优化反应器设计,从而消除衬底上方的涡旋,得到光滑而均匀的流场。根据模拟结果发现,流道高度在影响热对流涡旋的几何参数中起主要作用,而流道长度影响较小。对于优化后的反应器,引发自然对流的临界流道高度为H=2.5cm(D=20cm)。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉淀 输运过程 薄膜生长 优化设计
在线阅读 下载PDF
金属有机化学气相沉积生长Zn_(1-x)Mn_xSe薄膜的发光和磁光性质
10
作者 鞠振刚 张吉英 +6 位作者 吕有明 申德振 姚斌 赵东旭 张振中 李炳辉 范希武 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期805-809,共5页
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增... 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增强发生了变化。通过变温光谱探讨了这两个发光峰的来源,并被分别归因于自由激子跃迁和与Mn有关的束缚态激子跃迁。同时随着磁场的增强,ZnMnSe带隙发光红移是由于类S带和类P带电子与Mn离子的3d5电子的自旋交换作用。 展开更多
关键词 Zn1-xMnxSe 金属有机化学气相沉积(MOCVD) 光致发光 磁光性质
在线阅读 下载PDF
金属有机化学气相沉积法在欧泊空隙中生长磷化铟的影响因素
11
作者 谭春华 范广涵 黄旭光 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第12期2763-2767,共5页
制备磷化铟(InP)反欧泊三维光子晶体的关键是提高InP在欧泊空隙中的填充率。使用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在人工欧泊空隙中生长了InP晶体,分析了影响InP在欧泊空隙中填充的因素及确定了InP的最佳生长条件。实验和理论分析... 制备磷化铟(InP)反欧泊三维光子晶体的关键是提高InP在欧泊空隙中的填充率。使用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在人工欧泊空隙中生长了InP晶体,分析了影响InP在欧泊空隙中填充的因素及确定了InP的最佳生长条件。实验和理论分析的结果较为符合。磷化铟在人工欧泊空隙中的填充率越高,二氧化硅球和空隙间的折射率差越大,人工欧泊光子晶体光学性能的变化就越显著;周期生长、低压、使用和InP失配小的衬底以及异质同构现象有助于InP在欧泊空隙中的填充。在优化的生长条件下制备了填充率较高的SiO2-InP光子晶体。研究结果为制备InP反欧泊结构积累了有益的经验。 展开更多
关键词 光子晶体 人工欧泊 光子带隙 金属有机化学气相沉积 磷化铟
在线阅读 下载PDF
金属有机化学气相沉积法生长AlN/Si结构界面的研究
12
作者 于乃森 苗雨 +2 位作者 王勇 邓冬梅 刘东平 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI 2009年第2期73-74,86,共3页
采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si_3N_4。研究... 采用金属有机化学气相沉积法在Si(111)衬底上生长了AlN外延层。高分辨透射电子显微镜显示在AlN/Si界面处存在非晶层,俄歇电子能谱测试表明Si有很强的扩散,拉曼光谱测试表明存在Si-N键,另外光电子能谱分析表明非晶层中存在Si_3N_4。研究认为MOCVD高温生长造成Si的大量扩散是非晶层存在的主要原因,同时非晶Si_3N_4层也将促使AlN层呈岛状生长。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 氮化铝 非晶层
在线阅读 下载PDF
金属有机化学气相沉积反应器技术及进展 被引量：11
13
作者 许效红 王民 +2 位作者 侯云 周爱秋 王弘 《化工进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期410-413,共4页
简要介绍了金属有机化学气相沉积反应器技术的发展 ,描述了几种典型反应器的结构和过程特点 ,讨论了反应器的设计。
关键词 气相沉积 反应器 金属有机化学 薄膜材料 MOCVD 结构 设计 优化
在线阅读 下载PDF
镍的金属有机化学气相沉积及相关因素的研究 被引量：2
14
作者 彭冬生 赵立峰 +1 位作者 刘世良 谢长生 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期66-69,共4页
研究了以羰基镍为沉积源 ,利用MOCVD技术沉积镍薄膜 ;讨论了沉积温度及压力对沉积速率的影响 ,以及利用SEM、XRD、DSC等分析手段来探讨沉积温度及不同沉积基体对薄膜微观形态的影响。结果表明 ,沉积温度约为 1 50℃可以得到较快的沉积速... 研究了以羰基镍为沉积源 ,利用MOCVD技术沉积镍薄膜 ;讨论了沉积温度及压力对沉积速率的影响 ,以及利用SEM、XRD、DSC等分析手段来探讨沉积温度及不同沉积基体对薄膜微观形态的影响。结果表明 ,沉积温度约为 1 50℃可以得到较快的沉积速率 ,而且薄膜连续具有金属光泽 ;以铜为沉积基体所得到的薄膜其微观形态中有明显的晶粒 ,以玻璃为基体得到的薄膜却含有部分非晶态的组织 ;沉积速率随着反应室工作压力的增加而下降。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 MOCVD 羟基镍 薄膜
在线阅读 下载PDF
镍的金属有机化学气相沉积 被引量：5
15
作者 赵立峰 谢长生 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第4期52-54,共3页
介绍了用MOCVD技术沉积镍膜的应用状况,以及几种典型前驱体的沉积性能。着重介绍了羰基镍的沉积特性。结合MOCVD技术的最新进展,对镍的化学气相沉积技术作了简要的展望。
关键词 金属有机化学气相沉积 镍薄膜 MOCVD 镍前驱体 羰基镍
在线阅读 下载PDF
金属有机化学气相沉积薄膜制备中传热传质的数值模拟 被引量：1
16
作者 蔡茜茜 雷知迪 +1 位作者 丁珏 翁培奋 《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期732-741,共10页
建立水平式Ga As的金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)数学模型,采用求解压力耦合方程的半隐式(SIMPLE)算法对反应气体流动进行二维数值模拟,并基于边界层动量、热量与扩散传质的相关理论分析了薄膜... 建立水平式Ga As的金属有机化学气相沉积(metal-organic chemical vapor deposition,MOCVD)数学模型,采用求解压力耦合方程的半隐式(SIMPLE)算法对反应气体流动进行二维数值模拟,并基于边界层动量、热量与扩散传质的相关理论分析了薄膜制备过程中化学组分的输运,以及反应前驱物与气相之间的传热过程.计算所得的Ga As生长速率与实验结果吻合较好.同时,数值讨论了反应器进气流量、操作压力以及基底温度对Ga As生长速率的影响.薄膜生长的速率峰值随入口气体速度的升高而有所增大,但薄膜生长逐渐趋于不均匀性.因此,选取气流速度为0.104 m/s.薄膜生长速率随着操作压力的增大而增大,当压力为6 k Pa时,Ga As生长速率较压力为2 k Pa时提高了223%,薄膜具有较好的生长速率和均匀性.基底温度对薄膜生长速率影响显著,在1 050 K时薄膜有良好的生长速率和均匀性,Ga As生长速率比温度为950 K时提高了123%.研究结果为优化MOCVD反应条件及其反应器的结构设计提供了理论依据. 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 GAAS 薄膜生长速率 扩散边界层 数值模拟
在线阅读 下载PDF
金属有机化合物化学气相淀积含钛硬质涂层的性能研究 被引量：1
17
作者 周定为 韩杰 袁渭康 《华东化工学院学报》 CSCD 1990年第4期370-375,共6页
在用文题淀积方法制备出氮化钛、碳氮化钛和碳氮氧化钛硬质涂层的基础上,用表面分析手段分别进行了成分、结构分析、形貌观察和硬度测定。结果表明:以二乙胺基钛为原料可分别在773K和973K淀积氮化钛和碳氮化钛涂层;用钛酸异丙酯和钛酸... 在用文题淀积方法制备出氮化钛、碳氮化钛和碳氮氧化钛硬质涂层的基础上,用表面分析手段分别进行了成分、结构分析、形貌观察和硬度测定。结果表明:以二乙胺基钛为原料可分别在773K和973K淀积氮化钛和碳氮化钛涂层;用钛酸异丙酯和钛酸丁酯可分别在973K和1073K获得碳氮氧化钛涂层。所得的涂层表面光洁度高、与基体附着性好、硬度满足实用要求。相比于普通化学气相淀积方法,本法在制备硬质涂层上有两大优点:(1)淀积温度降低,扩大了基体的选用范围;(2)固溶体涂层的获得扩大了涂层的适用范围。 展开更多
关键词 氮化钛 化学气相淀积 硬质涂层
在线阅读 下载PDF
金属有机化学气相沉积反应室磁场数值分析
18
作者 赵丽丽 孙红卫 +1 位作者 李志明 李海玲 《济南大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2019年第6期506-511,共6页
针对金属有机化学气相沉积(MOVCD)反应室中因感生电流的集肤效应而导致衬底温度分布不均匀,从而影响生长薄膜质量的问题,通过对电磁加热式MOCVD反应室建立数值仿真模型,分析电流强度和电流频率对磁场分布和焦耳热分布的影响,同时对不同... 针对金属有机化学气相沉积(MOVCD)反应室中因感生电流的集肤效应而导致衬底温度分布不均匀,从而影响生长薄膜质量的问题,通过对电磁加热式MOCVD反应室建立数值仿真模型,分析电流强度和电流频率对磁场分布和焦耳热分布的影响,同时对不同材料组成的基座结构中的磁场分布和焦耳热分布进行研究。结果表明:磁场分布和焦耳热分布不随电流强度的改变而改变,但磁场和焦耳热的数值与电流强度成正比;磁场分布、焦耳热分布和数值随着电流频率的变化而变化,数值与电流频率成正比,且随着电流频率的增大,趋肤效应越明显;改变组成基座的材料组成可以改变基座中焦耳热分布,从而提高衬底温度分布的均匀性。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积 磁场分布 焦耳热 数值模拟
在线阅读 下载PDF
金属有机化合物化学气相淀积含钛硬质涂层的过程研究
19
作者 周定为 韩杰 陈敏恒 《华东化工学院学报》 CSCD 1990年第4期365-370,共6页
在垂直冷壁CVD反应器中进行了文题的探索性研究。以二乙胺基钛(Ti(NEt_2)_4)为源,在不锈钢或硬质合金基体上完成了氮化钛(TiN)和碳氮化钛(Ti(C,N))硬质薄膜低温下的淀积。发现(TiN)和(Ti(C,N))分别在773K和973K下形成;在操作范围内整个... 在垂直冷壁CVD反应器中进行了文题的探索性研究。以二乙胺基钛(Ti(NEt_2)_4)为源,在不锈钢或硬质合金基体上完成了氮化钛(TiN)和碳氮化钛(Ti(C,N))硬质薄膜低温下的淀积。发现(TiN)和(Ti(C,N))分别在773K和973K下形成;在操作范围内整个反应器流场由自由对流控制;反应过程由表面过程控制;反应活化能为235 kJ/mol;二乙胺基钛反应级数为1级。进行了热力学计算,提出了反应历程假设。结果表明:用二乙胺基钛进行MOCVD淀积含钛硬质薄膜可以降低温度,以扩大基体的选用范围,为获得硬质薄膜提供了一条新的途径。 展开更多
关键词 氮化钛 硬质涂层 化学气相淀积
在线阅读 下载PDF
用于制备ZnO薄膜的金属有机化学气相沉积设备的研制
20
作者 安其 王红雪 陈素君 《真空》 CAS 北大核心 2010年第6期15-18,共4页
介绍了一种制备ZnO薄膜的金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,制备的ZnO薄膜主要用作太阳能电池的背反射电极。该设备的极限压力可达5×10-5 Pa,膜厚均匀性偏差在5%以内,薄膜电阻率约为10-2Ω.cm。本文叙述了设备的用途,技术性能,工... 介绍了一种制备ZnO薄膜的金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,制备的ZnO薄膜主要用作太阳能电池的背反射电极。该设备的极限压力可达5×10-5 Pa,膜厚均匀性偏差在5%以内,薄膜电阻率约为10-2Ω.cm。本文叙述了设备的用途,技术性能,工作过程和结构特点。并对ZnO薄膜的电阻率与参加反应的水蒸汽流量的关系进行了简单介绍。 展开更多
关键词 金属有机化学气相沉积(MOCVD) ZnO透明导电膜 薄膜太阳电池 电阻率
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 34 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部