期刊文献+
共找到49篇文章
< 1 2 3 >
每页显示 20 50 100
液态金属离子源聚焦离子束系统在微米/纳米技术中的应用 被引量:6
1
作者 董桂芳 张克潜 +1 位作者 汪健如 应根裕 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期110-114,共5页
随着微米/纳米科学技术的发展,微细加工微区分析所用的主要技术之一──聚焦离子束技术引人注目.本文简述了具有液态金属离子源的聚焦离子束技术的主要功能,着重报道了近年来该技术在下述领域中的应用:(1)半导体大规模集成电路... 随着微米/纳米科学技术的发展,微细加工微区分析所用的主要技术之一──聚焦离子束技术引人注目.本文简述了具有液态金属离子源的聚焦离子束技术的主要功能,着重报道了近年来该技术在下述领域中的应用:(1)半导体大规模集成电路器件的集成、失误诊断和修复.(2)光电子集成技术中量子阱激光器和光纤相位掩模的制备及量子效应研究.(3)超导器件和真空微电子器件的研制.(4)二次离子质谱分析和透射电子显微镜样品的制备. 展开更多
关键词 聚焦离子 液态金属离子源 IC 微米/纳米技术
在线阅读 下载PDF
镓液态金属离子源的制备 被引量:9
2
作者 董桂芳 袁忠远 +2 位作者 汪健如 应根裕 张克潜 《微细加工技术》 EI 1998年第3期42-45,共4页
镓液态金属离子源广泛应用于聚焦离子束技术 ,本文介绍了一种利用电子轰击的方法制备镓液态金属离子源的工艺和设备 ,测试了源的 I- V发射特性曲线 ,d I/ d V≈ 0 .0 5 ( μA/ V) ,进行了新旧工艺下电流发射稳定度的比较 ,最佳源发射稳... 镓液态金属离子源广泛应用于聚焦离子束技术 ,本文介绍了一种利用电子轰击的方法制备镓液态金属离子源的工艺和设备 ,测试了源的 I- V发射特性曲线 ,d I/ d V≈ 0 .0 5 ( μA/ V) ,进行了新旧工艺下电流发射稳定度的比较 ,最佳源发射稳定度大于 95 % ,寿命大于 1 0 0 0小时。 展开更多
关键词 液态金属离子源 聚焦离子 微细加工 钨丝
在线阅读 下载PDF
聚焦离子束系统液态金属离子源的研制 被引量:2
3
作者 马向国 刘同娟 顾文琪 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期331-336,共6页
设计了一种聚焦离子束系统用液态金属离子源(Liquid Metal lon Source-LMIS),本文对该源组件结构的设计、发射针尖的腐蚀工艺、挂金属镓工艺、测试系统的设计作了介绍;然后对该离子源的I-V特性、角电流密度、稳定性以及寿命等性能进行... 设计了一种聚焦离子束系统用液态金属离子源(Liquid Metal lon Source-LMIS),本文对该源组件结构的设计、发射针尖的腐蚀工艺、挂金属镓工艺、测试系统的设计作了介绍;然后对该离子源的I-V特性、角电流密度、稳定性以及寿命等性能进行了测试。实验结果表明,该源的各项指标均达到了聚焦离子束系统的要求,并对影响源性能的因素进行了分析,从而为合理有效地设计液态金属离子源提供启示。 展开更多
关键词 聚焦离子 液态金属离子源 测试系统 发射特性
在线阅读 下载PDF
液态金属离子源发射系统的仿真分析 被引量:1
4
作者 马向国 刘同娟 顾文琪 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期370-376,共7页
液态金属离子源的发射系统是源设计当中一个十分重要的因素,它的性能的优劣将直接影响到整个离子源的发射特性,进而影响整个聚焦离子束设备的工作性能。因而,在离子源的设计过程中,人们希望通过仿真手段得到影响源发射特性的源几何尺寸... 液态金属离子源的发射系统是源设计当中一个十分重要的因素,它的性能的优劣将直接影响到整个离子源的发射特性,进而影响整个聚焦离子束设备的工作性能。因而,在离子源的设计过程中,人们希望通过仿真手段得到影响源发射特性的源几何尺寸参量,以便在液态金属离子源设计时抓住主要参量进行优化设计,从而提高源的发射性能。本文首先用模拟电荷法计算了发射系统的电场,然后用蒙特卡罗方法在模拟发射离子的初始位置和初始速度的基础上,计算了离子轨迹。并通过对大量离子轨迹的统计计算,得出能散、角电流密度和虚源尺寸的特性曲线,从而为分析离子源性能以及设计离子源提供了一个有效的辅助工具。 展开更多
关键词 液态金属离子源 模拟电荷法 发射系统 蒙特卡罗方法
在线阅读 下载PDF
液态金属离子源在航天器电位主动控制的应用 被引量:1
5
作者 蒋锴 王先荣 +1 位作者 杜杉杉 王胜杰 《真空与低温》 2014年第5期249-254,259,共7页
航天器在轨运行期间太阳光照条件下,受光电子发射影响,航天器光照表面的电位达到正的数十伏。航天器表面带电现象会对其在轨安全稳定运行和空间等离子体探测数据的准确性造成严重影响。带正电航天器周围电场中离子和电子的速率和空间分... 航天器在轨运行期间太阳光照条件下,受光电子发射影响,航天器光照表面的电位达到正的数十伏。航天器表面带电现象会对其在轨安全稳定运行和空间等离子体探测数据的准确性造成严重影响。带正电航天器周围电场中离子和电子的速率和空间分布被扭曲,等离子体电子在鞘层加速,光照产生的光电子被吸引进入传感器,在低能量下引起高计数率,而且加速仪器微通道板的老化,使低密度等离子体的测量变得异常困难。因此,必须对航天器的电位进行主动控制。液态金属离子源电位主动控制器已在许多航天器上得到广泛的应用,通过主要介绍国外关于液态金属离子源电位主动控制器在航天器上的应用,为自主研制电位主动控制器满足空间科学探测的需求提供参考,也为军事和应用卫星在轨可靠运行提供防护方法。 展开更多
关键词 航天器 表面带电 电位主动控制 液态金属离子源
在线阅读 下载PDF
金属离子源磁过滤器磁场位形的设计与实验研究
6
作者 赵杰 唐德利 耿少飞 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期696-699,共4页
根据磁过滤器对磁场的要求,利用水冷铜管产生的反向磁场,设计一个轴向磁场较弱的磁镜式磁过滤器。由数值模拟和实验研究的结果可知:磁过滤器磁场位形是一个轴向较弱的磁镜式磁场分布;并且在磁过滤器的出口处,磁场强度的均匀性较好;还增... 根据磁过滤器对磁场的要求,利用水冷铜管产生的反向磁场,设计一个轴向磁场较弱的磁镜式磁过滤器。由数值模拟和实验研究的结果可知:磁过滤器磁场位形是一个轴向较弱的磁镜式磁场分布;并且在磁过滤器的出口处,磁场强度的均匀性较好;还增强了水冷铜管和磁过滤器壁之间的磁场。由离子束测试实验可知在加反向磁场时离子束的均匀性比没有反向磁场时高很多。 展开更多
关键词 金属离子源 磁过滤器 离子 磁场强度
在线阅读 下载PDF
纳米聚焦离子束系统液态金属离子源的研制
7
作者 马向国 顾文琪 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期382-384,共3页
叙述了为纳米聚焦离子束装置研制的镓液态金属离子源的制备.发射尖的腐蚀采用自主开发的一套发射尖腐蚀设备腐蚀而成,该设备保证了源尖腐蚀工艺的可靠性和可重复性,腐蚀后的发射尖曲率半径在0.5~5μm之间.液态金属储备槽采用同轴针形结... 叙述了为纳米聚焦离子束装置研制的镓液态金属离子源的制备.发射尖的腐蚀采用自主开发的一套发射尖腐蚀设备腐蚀而成,该设备保证了源尖腐蚀工艺的可靠性和可重复性,腐蚀后的发射尖曲率半径在0.5~5μm之间.液态金属储备槽采用同轴针形结构,槽的材料采用高温下不易与金属镓发生反应的金属钼,这种源结构的优点是可以调节发射尖伸出合金槽的长度,储备的液态金属多,减少了液态金属蒸发对系统造成的污染,源发射尖到达寿命后结构仍可使用,该源具有良好的发射特性(达到100μA)、长寿命(1000h以上)和稳定度.该源与纳米聚焦离子束系统结合,将为纳米离子束加工带来新的发展前景,从而为研究其他单质源或合金源提供经验. 展开更多
关键词 聚焦离子 液态金属离子源 发射尖 腐蚀
在线阅读 下载PDF
液态金属离子源发射系统电场的模拟分析
8
作者 马向国 顾文琪 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第6期475-480,共6页
发射系统是液态金属离子源的关键部件之一,它的性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性和可靠性。因而对其发射系统进行仿真分析,可以很好地指导液态金属离子源的设计制造。本文采用国际上重视的动态喷流柱模型,利用模拟电荷法对... 发射系统是液态金属离子源的关键部件之一,它的性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性和可靠性。因而对其发射系统进行仿真分析,可以很好地指导液态金属离子源的设计制造。本文采用国际上重视的动态喷流柱模型,利用模拟电荷法对液态金属离子源的发射系统的电场进行了计算分析,画出了发射尖端电场强度随不同参数变化的曲线,得出发射尖端表面场强与球冠半径、发射体突出臂长度密切相关,而与引出电极的结构关系甚小的结论,因此液态金属离子源发射特性(如角电流强度)的改善,必须在发射尖的设计制作上下功夫。从而为液态金属离子源的设计提供了一个有效的辅助工具。 展开更多
关键词 液态金属离子源 模拟电荷法 发射系统 动态喷流柱
在线阅读 下载PDF
液态金属离子源发射尖的制备工艺与技术
9
作者 马向国 顾文琪 《微纳电子技术》 CAS 2005年第3期142-144,共3页
发射尖是液态金属离子源的关键部件之一,其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。本文通过对源尖腐蚀的多次实验,开发了一套发射尖腐蚀装置,该装置可以对发射尖插入腐蚀液的深度加以控制,并能在腐蚀完成后自动切断回路电流,实... 发射尖是液态金属离子源的关键部件之一,其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。本文通过对源尖腐蚀的多次实验,开发了一套发射尖腐蚀装置,该装置可以对发射尖插入腐蚀液的深度加以控制,并能在腐蚀完成后自动切断回路电流,实现了发射尖腐蚀工艺的重复性和可靠性,从而为液态金属离子源以及聚焦离子束系统的研制开发提供了一个有效的辅助工具。 展开更多
关键词 聚焦离子 液态金属离子源 发射尖
在线阅读 下载PDF
液态金属离子源发射系统的电场计算
10
作者 马向国 顾文琪 《微细加工技术》 EI 2005年第3期20-26,共7页
针对液态金属离子源的发射系统属于轴对称系统的特点,采用动态喷流柱模型,利用模拟电荷法对液态金属离子源发射系统的电场进行了计算,结果表明,该方法计算精度高,非常适合于电子束、离子束系统发射极附近电场的计算。
关键词 液态金属离子源 模拟电荷法 发射系统 动态喷流柱
在线阅读 下载PDF
液态金属离子源发射尖的制备工艺与技术
11
作者 马向国 顾文琪 《微细加工技术》 2004年第4期11-15,共5页
发射尖是液态金属离子源(LMIS)的关键部件之一,其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。通过对系统软件和硬件的设计,开发了一套发射尖自动腐蚀装置,该装置可以对发射尖腐蚀过程中的速度和深度以及腐蚀电压进行控制,实现发射尖... 发射尖是液态金属离子源(LMIS)的关键部件之一,其性能的优劣直接影响到整个离子源的工作稳定性。通过对系统软件和硬件的设计,开发了一套发射尖自动腐蚀装置,该装置可以对发射尖腐蚀过程中的速度和深度以及腐蚀电压进行控制,实现发射尖腐蚀工艺的重复性、可靠性,从而为液态金属离子源以及聚焦离子束系统的研制、开发提供了一个有效的辅助工具。 展开更多
关键词 聚焦离子 液态金属离子源(LMIS) 发射尖
在线阅读 下载PDF
MEVVA型金属离子源
12
作者 孙别和 胡尚斌 陈勤 《辐射防护通讯》 1994年第4期35-38,共4页
本文报道金属蒸发真空孤放电(MEVVA)型金属离子源的研究结果。阴极材料分别使用了Al、Ti、Fe和Cu。阴极触发脉冲12kV,脉冲宽度90μs,脉冲重复率1-5次/s。引出束流脉冲宽度300μs。当引出电压为28k... 本文报道金属蒸发真空孤放电(MEVVA)型金属离子源的研究结果。阴极材料分别使用了Al、Ti、Fe和Cu。阴极触发脉冲12kV,脉冲宽度90μs,脉冲重复率1-5次/s。引出束流脉冲宽度300μs。当引出电压为28kV时,可引出Al、Ti、Fe和Cu离子流强度分别为230mA、250mA。 展开更多
关键词 金属离子源 束流脉冲 放电 离子源
在线阅读 下载PDF
液态金属离子源静电透镜离子枪的实验研究 被引量:3
13
作者 彭永生 刘心红 陆家和 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第4期270-275,共6页
液态金属离子源(LMIS)的亚微米聚焦离子束(FIB)在现代分析技术和微细加工等领域有很多应用。介绍一种计算机控制的快速、灵活、准确的束斑测量方法;并报导用这种方法对采用Orloff—Swanson静电透镜离子枪的FIB性能的研究结果,包... 液态金属离子源(LMIS)的亚微米聚焦离子束(FIB)在现代分析技术和微细加工等领域有很多应用。介绍一种计算机控制的快速、灵活、准确的束斑测量方法;并报导用这种方法对采用Orloff—Swanson静电透镜离子枪的FIB性能的研究结果,包括源尖对中对束斑的影响、各电极电位对束斑的影响及束斑与束流的关系等。通过仔细的源尖位置调节,在束能13keV,束流1.0nA时,FIB束斑在亚微米范围。 展开更多
关键词 液态金属离子源 静电透镜离子 实验
在线阅读 下载PDF
用强流金属离子源研究Ti-Si化合物的形成
14
作者 朱德华 卢红波 柳百新 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期229-234,共6页
利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源引出强流Ti离子注入单晶硅,当MEVVA源引出电压为40kV,束流密度达到100μA/cm2,Ti离子剂量为5×1017/cm2,Ti离子注入单晶硅可得到C54-TiSi2的... 利用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源引出强流Ti离子注入单晶硅,当MEVVA源引出电压为40kV,束流密度达到100μA/cm2,Ti离子剂量为5×1017/cm2,Ti离子注入单晶硅可得到C54-TiSi2的注入层,且薄层电阻低于3.0Ω/□.本文用束流热效应讨论了形成硅化物的机理. 展开更多
关键词 TI-SI 化合物 离子注入 金属离子源 半导体材料
在线阅读 下载PDF
用E×B质量分析器分析Au-Si液态金属离子源(LMIS)的束流成分
15
作者 康文运 董桂芳 +1 位作者 应根裕 汪健如 《电子器件》 CAS 1996年第4期222-229,共8页
本文介绍了Au-SiLMIS的结构以及源的发射特性,利用E×B质量分析器,获得了Au-SiLMIS的质谱图。
关键词 液态金属离子源 质谱 聚焦离子 半导体器件
在线阅读 下载PDF
基于DSP控制的金属离子源脉冲弧电源的研制
16
作者 李运坡 蒲世豪 +3 位作者 陈东来 金凡亚 魏于苹 陈常 《真空》 CAS 2017年第4期21-25,共5页
离子源是离子注入设备的重要组成部分,其控制方式,工作频率以及产生离子的种类、电流强度、离子束密度等对离子注入设备的运行效率和稳定性有着重大影响。本文主要论述了一套应用于MEVVA型金属离子源的脉冲弧电源的设计与优化。该电源... 离子源是离子注入设备的重要组成部分,其控制方式,工作频率以及产生离子的种类、电流强度、离子束密度等对离子注入设备的运行效率和稳定性有着重大影响。本文主要论述了一套应用于MEVVA型金属离子源的脉冲弧电源的设计与优化。该电源由触发电源和电弧电源组成,其中触发电源输出峰值电压高达25KV,脉宽为20us;电弧电源输出峰值电压为90V,输出脉宽在200us^3ms范围内可调。该电源采用DSP-28335芯片作为控制系统,输出PWM信号准确控制IGBT的开通关断,从而控制输出脉冲的电压,频率和脉宽;实时监控过压过流信号,保护电源系统安全可靠运行。实验结果表明:此电源各项指标运行正常,电磁干扰小,具有良好的应用价值。 展开更多
关键词 金属离子源 脉冲弧电源 IGBT DSP控制
在线阅读 下载PDF
液态金属镓离子源的制备 被引量:1
17
作者 马向国 刘同娟 顾文琪 《微细加工技术》 EI 2007年第1期7-10,59,共5页
叙述了为纳米聚焦离子束装置研制的镓液态金属离子源的制备,并对该离子源的I-V特性、角电流密度、稳定性以及寿命等性能进行了测试,结果表明,该源的各项指标均达到了聚焦离子束系统对液态金属离子源的性能要求。
关键词 聚焦离子 液态金属离子源 测试系统 发射尖
在线阅读 下载PDF
AuSi液态金属离子源
18
作者 董桂芳 康文运 +1 位作者 应根裕 汪健如 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第9期114-117,共4页
为了进行Si聚焦离子束微细加工技术的研究,研制了AuSi液态金属离子源制备设备及其分析设备,制成了实用化的AuSi合金源,得到了制备该合金源的成熟工艺,利用E×B质量分离器分离出Au和Si离子束,对源的一些特性如... 为了进行Si聚焦离子束微细加工技术的研究,研制了AuSi液态金属离子源制备设备及其分析设备,制成了实用化的AuSi合金源,得到了制备该合金源的成熟工艺,利用E×B质量分离器分离出Au和Si离子束,对源的一些特性如电流—电压曲线、加热功率—发射电流曲线、束流质谱及源的寿命作了分析。该源结构采取同轴针型,合金槽的材料为钼,发射尖为钨丝。源正常工作时的加热方式为间接加热式。该源与带质量分离器的聚焦离子束系统结合,将迈开亚微米Si离子束加工的第一步。并为今后研究其它合金源提供经验。 展开更多
关键词 液态金属离子源 离子源 聚焦离子 微细加工
原文传递
液态金属离子源发射机理的讨论
19
作者 史明霞 孔繁泉 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1998年第S1期48-51,共4页
从Taylor理论出发,讨论了液态金属离子源(LMIS)发射圆锥的形成及其条件,并讨论了LMIS发射机理及离子束的特性,发现场蒸发是离子产生的重要原因,热蒸发中性离子的场电离是第二重要的离子产生机理.
关键词 液态金属离子源 Taylor圆锥 场蒸发离子 场电离离子
原文传递
金属真空弧离子源引出强流离子束的数值模拟
20
作者 向伟 Spdtke P +2 位作者 Hollinger R Galonska M Heymach F 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期97-101,共5页
为了引出更高强度、更高亮度的铀离子束,以满足重离子研究中心(Gesellschaft fur Schwerionenforschung mbH,GSI)重离子同步加速器的需求,本文用三维的计算机程序KOBRA3-INP对金属真空弧离子源(Metal vapor vacuum arc ion source,MEVVA... 为了引出更高强度、更高亮度的铀离子束,以满足重离子研究中心(Gesellschaft fur Schwerionenforschung mbH,GSI)重离子同步加速器的需求,本文用三维的计算机程序KOBRA3-INP对金属真空弧离子源(Metal vapor vacuum arc ion source,MEVVA)引出强流铀离子束在引出系统和后加速系统中的动力学特性进行了研究,讨论了离子源发射束流密度对引出束性能的影响。结果表明,束流损失主要发生在引出系统和后加速系统之间的漂移区;在假设漂移区束流被空间电荷中和的情况下,模拟结果和实验结果符合;在发射束流密度为180-230 mA/cm2范围内,经后加速的束流强度变化不大。 展开更多
关键词 金属真空弧离子源 强流铀离子 后加速系统 数值模拟
在线阅读 下载PDF
上一页 1 2 3 下一页 到第
使用帮助 返回顶部