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双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管重离子单粒子效应 被引量：1
1
作者 李洋帆 郭红霞 +6 位作者 张鸿 白如雪 张凤祁 马武英 钟向丽 李济芳 卢小杰 《物理学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2024年第2期234-241,共8页
本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管升展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验,分析了器件产生单粒子效应的物理机制.实验结果表明,辐照过程中随着初始偏置电压的增大,器件漏极电流增长更明显;在偏置电压为400 V时,重离子... 本文针对第四代双沟槽型碳化硅场效应晶体管升展了不同源漏偏置电压下208 MeV锗离子辐照实验,分析了器件产生单粒子效应的物理机制.实验结果表明,辐照过程中随着初始偏置电压的增大,器件漏极电流增长更明显;在偏置电压为400 V时,重离子注量达到9×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,在偏置电压为500 V时,重离子注量达到3×10^(4)ion/cm^(2),器件发生单粒子烧毁,单粒子烧毁阈值电压在器件额定工作电压的34%(400 V)以下.对辐照后器件进行栅特性测试,辐照过程中偏置电压为100 V的器件泄漏电流无明显变化;200 V和300 V时,器件的栅极泄漏电流和漏极泄漏电流都增大.结合TCAD仿真模拟进一步分析器件单粒子效应微观机制,结果表明在低偏压下,泄漏电流增大是因为电场集中在栅氧化层的拐角处,导致了氧化层的损伤;在高偏压下,辐照过程中N-外延层和N+衬底交界处发生的电场强度增大,引起显著的碰撞电离,由碰撞电离产生的局域大电流密度导致晶格温度超过碳化硅的熔点,最终引起单粒子烧毁. 展开更多
关键词 双沟槽SiC金属-氧化物-半导体型场效应管 重离子辐照 单粒子烧毁
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金属-氧化物-半导体场效应管辐射效应模型研究
2
作者 孙鹏 杜磊 +2 位作者 陈文豪 何亮 张晓芳 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期442-446,共5页
基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理,推导出了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中辐射应力引起的氧化层陷阱电荷、界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量之间定量关系的模型.根据模型... 基于氧化层陷阱电荷以及界面陷阱电荷的产生动力学以及辐射应力损伤的微观机理,推导出了金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)中辐射应力引起的氧化层陷阱电荷、界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量之间定量关系的模型.根据模型可以得到:低剂量情况下,氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量成正比;高剂量情况下,氧化层陷阱电荷导致的阈值电压漂移量发生饱和,其峰值与辐射剂量无关,界面陷阱电荷导致的阈值电压漂移量与辐射剂量呈指数关系.另外,模型还表明氧化层陷阱电荷与界面陷阱电荷在不同的辐射剂量点开始产生饱和现象,其中界面陷阱电荷先于氧化层陷阱电荷产生饱和现象.最后,用实验验证了该模型的正确性.该模型可以较为准确地预测辐射应力作用下MOSFET的退化情况. 展开更多
关键词 界面陷阱 氧化层陷阱 金属-氧化物-半导体场效应管 辐射
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功率金属-氧化物半导体场效应晶体管静电放电栅源电容解析模型的建立
3
作者 苏乐 王彩琳 +3 位作者 谭在超 罗寅 杨武华 张超 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期346-359,共14页
在实际静电放电测试时,发现各种功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的静电放电测试结果均呈现出正反向耐压不对称现象,而人体与器件接触时的静电放电过程是不区分正反向的.正反向耐压差异较大对于功率MOSFET或作为静电放电保护... 在实际静电放电测试时,发现各种功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的静电放电测试结果均呈现出正反向耐压不对称现象,而人体与器件接触时的静电放电过程是不区分正反向的.正反向耐压差异较大对于功率MOSFET或作为静电放电保护器件来说都是无法接受的,其造成器件失效的问题格外凸显.本文通过建立SGT-MOSFET,VUMOSFET和VDMOS在静电放电正反向电压下的栅源电容解析模型,对比分析了三种功率MOSFET器件静电放电正反向耐压不对称及其比值不同的原因,为器件的静电放电测试及可靠性分析提供了理论依据. 展开更多
关键词 功率金属-氧化物半导体场效应晶体管 静电放电 栅源电容 解析模型
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不同栅压下Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性仿真
4
作者 张林 马林东 +3 位作者 杜林 李艳波 徐先峰 黄鑫蓉 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第13期230-236,共7页
为了实现半导体器件在电离辐射环境中电学特性的动态退化过程,本文基于总剂量效应中陷阱对载流子的俘获/发射过程,建立了Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性数值模型.仿真了不同栅极偏压下,器件电学特性随累积总剂量... 为了实现半导体器件在电离辐射环境中电学特性的动态退化过程,本文基于总剂量效应中陷阱对载流子的俘获/发射过程,建立了Si-n型金属氧化物半导体场效应管总剂量效应的瞬态特性数值模型.仿真了不同栅极偏压下,器件电学特性随累积总剂量的上升而造成的器件退化效应,并提取了Si/SiO_(2)界面和栅氧化层中陷阱电荷的变化.仿真发现,随着累计总剂量的上升,两个位置处陷阱电荷的数量都趋向于饱和.当辐照中栅极偏压为正时,器件阈值电压的退化幅度显著高于辐照偏压为负时的退化幅度.无论是辐照过程中栅极加正偏压还是反偏压,都表现出阈值电压的退化幅度随着偏压幅值上升先上升再下降的趋势.栅极偏压对器件辐照后的退火效应也有一定的影响,在退火过程中如果栅极偏压不为零,器件退火后的电学特性恢复幅度比零偏压下的要低一些. 展开更多
关键词 辐照 总剂量 模型 金属氧化物半导体场效应管
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垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管电学法热阻测试中测试电流的研究
5
作者 吕贤亮 黄东巍 +1 位作者 周钦沅 李旭 《电气技术》 2020年第8期28-32,39,共6页
本文针对垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试的关键参数——测试电流的影响因素进行研究,测试电流选择恰当与否是热阻测试的先决条件。通过理论分析和三款典型垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件的... 本文针对垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试的关键参数——测试电流的影响因素进行研究,测试电流选择恰当与否是热阻测试的先决条件。通过理论分析和三款典型垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件的试验验证,得出一种通过测试电流自升温、测试延迟时间及校温曲线这3个方面有效确定垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试时测试电流的方法。 展开更多
关键词 垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件 电学法热阻 测试电流 测试延迟时间 校温曲线
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U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响 被引量：2
6
作者 陈扶 唐文昕 +3 位作者 于国浩 张丽 徐坤 张宝顺 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第9期263-269,共7页
U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影响GaN MOS结构中的界面态特性和器件的沟道电子输运.本文通过改变感应耦合等离子体干法刻蚀工艺中的射频... U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影响GaN MOS结构中的界面态特性和器件的沟道电子输运.本文通过改变感应耦合等离子体干法刻蚀工艺中的射频功率和刻蚀掩模,研究了GaN垂直沟槽型MOSFET电学特性的工艺依赖性.研究结果表明,适当降低射频功率,在保证侧壁陡直的前提下可以改善沟道电子迁移率,从35.7 cm^2/(V·s)提高到48.1 cm^2/(V·s),并提高器件的工作电流.沟道处的界面态密度可以通过亚阈值摆幅提取,射频功率在50 W时界面态密度降低到1.90×10^12 cm^-2·eV^-1,比135 W条件下降低了一半.采用SiO2硬刻蚀掩模代替光刻胶掩模可以提高沟槽底部的刻蚀均匀性.较薄的SiO2掩模具有更小的侧壁面积,高能离子的反射作用更弱,过刻蚀现象明显改善,制备出的GaN垂直沟槽型MOSFET沟道场效应迁移率更高,界面态密度更低. 展开更多
关键词 GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管 U型槽 射频功率 刻蚀掩模
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高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应
7
作者 李勇 谢海燕 +2 位作者 杨志强 宣春 夏洪富 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期210-215,共6页
采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后... 采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后,随着注入HPM幅值的增大,会使得器件的正向电压小于开启电压,从而使得输出电流的波形发生形变。在器件内部,导电沟道靠近源极一端的电场强度最大,热量产生集中在这一区域。在脉冲正半周期时,温度峰值位于沟道源极一端,负半周期时,器件内部几乎没有电流,器件内的温度峰值在热扩散效应的影响下趋向于导电沟道中部。 展开更多
关键词 高功率微波 金属氧化物半导体场效应管 半导体
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太赫兹互补金属氧化物半导体场效应管探测器理论模型中扩散效应研究
8
作者 张镜水 孔令琴 +4 位作者 董立泉 刘明 左剑 张存林 赵跃进 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期259-265,共7页
针对基于经典动力学理论传统模型中忽略扩散效应的问题,通过对基于玻尔兹曼理论的场效应管传输线模型的理论分析,建立了包含扩散效应的太赫兹互补金属氧化物半导体(CMOS)场效应管探测器理论模型,研究扩散效应对场效应管电导及响应度的影... 针对基于经典动力学理论传统模型中忽略扩散效应的问题,通过对基于玻尔兹曼理论的场效应管传输线模型的理论分析,建立了包含扩散效应的太赫兹互补金属氧化物半导体(CMOS)场效应管探测器理论模型,研究扩散效应对场效应管电导及响应度的影响.同时,将此模型与忽略了扩散效应的传统模型进行了对比仿真模拟,给出了两种模型下的电流响应度随温度及频率变化的差别.依据仿真结果,并结合3σ原则明确了场效应管传输线模型中扩散部分省略的依据和条件.研究结果表明:扩散部分引起的响应度差异大小主要由场效应管的工作温度及工作频率决定.其中工作频率起主要作用,温度变化对差异大小影响较为微弱;而对于工作频率而言,当场效应管工作频率小于1 THz时,模型中的扩散部分可以忽略不计;而当工作频率大于1 THz时,扩散部分不可省略,此时场效应管模型需同时包含漂移、散射及扩散三个物理过程.本文的研究结果为太赫兹CMOS场效应管理论模型的精确建立及模拟提供了理论支持. 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体场效应管探测器 太赫兹 模型模拟 玻尔兹曼理论
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基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器 被引量：2
9
作者 刁文豪 江伟华 王新新 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期565-568,共4页
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不... 给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同,在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节,以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外,实验对开关进行光纤隔离,而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器,这不仅有利于保护实验设备,而且对Marx多级电路的同步性也有很大的贡献。设计的Marx发生器级数为16级,并给出了单次脉冲和重复频率两种情况下的实验结果。 展开更多
关键词 脉冲功率 高电压 半导体开关 MARX发生器 金属氧化物半导体场效应管
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4H-SiC金属-半导体场效应晶体管大信号I-V特性和小信号参数的计算
10
作者 王平 杨银堂 +2 位作者 刘增基 尚韬 郭立新 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2011年第1期145-151,共7页
基于碳化硅金属-半导体场效应晶体管内部载流子输运的物理特性分析,建立适于精确计算4H-SiCMESFET器件大信号电流-电压特性和小信号参数的解析模型.该模型采用场致迁移率、速度饱和近似,并考虑碳化硅中杂质不完全离化效应及漏源串联电... 基于碳化硅金属-半导体场效应晶体管内部载流子输运的物理特性分析,建立适于精确计算4H-SiCMESFET器件大信号电流-电压特性和小信号参数的解析模型.该模型采用场致迁移率、速度饱和近似,并考虑碳化硅中杂质不完全离化效应及漏源串联电阻的影响,栅偏置为0 V时,获得最大跨导约为48 mS.mm-1.计算结果与实验数据有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且计算较为准确的优点,适于SiC器件以及电路研究使用. 展开更多
关键词 碳化硅 金属-半导体场效应晶体管 电流-电压特性 小信号参数 模型
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金属氧化物半导体场效应管在全固态中波发射机中的应用 被引量：3
11
作者 山.乌英 《电子制作》 2015年第2Z期37-,共1页
本文从金属氧化物半导体场效应管的特点、应用原理、日常维护等方面进行了阐述。
关键词 金属氧化物半导体场效应管 MOSFET 全固态 丁类桥式放大器
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金属氧化物半导体场效应管
12
《现代显示》 2007年第10期70-70,共1页
MOS是一种半导体电路的结构形式，它可用于：（1）采用氧化膜把栅极与沟道绝缘的场效应管；（2）极板；（3）有源区是金属一氧化物半导体的夹心层的电路。而FET是输出电流的大小受输入电压控制的一种电场效应晶体管，α-SiTFT和p—SiTF... MOS是一种半导体电路的结构形式，它可用于：（1）采用氧化膜把栅极与沟道绝缘的场效应管；（2）极板；（3）有源区是金属一氧化物半导体的夹心层的电路。而FET是输出电流的大小受输入电压控制的一种电场效应晶体管，α-SiTFT和p—SiTFT都是基于场效应管的工作原理。MOSFET是由金属、氧化物（SiO2或SiN）及半导体三种材料制成的器件，可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应管 MOSFET 场效应晶体管 半导体电路 电压控制 输出电流 类比电路 氧化膜
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构建金刚石金属氧化物半导体场效应管的全新概念
13
《新材料产业》 2017年第12期69-69,共1页
近期，由法国、英国、日本研究人员组成的国际研究团队开发出在硼掺杂金刚石MOSFET中引入深层耗尽区的新方法。这一全新概念的提出，使金刚石MOSFET的结构更为简单，降低了制造难度。验证表明，新方法可将宽禁带半导体的载流子迁移率提... 近期，由法国、英国、日本研究人员组成的国际研究团队开发出在硼掺杂金刚石MOSFET中引入深层耗尽区的新方法。这一全新概念的提出，使金刚石MOSFET的结构更为简单，降低了制造难度。验证表明，新方法可将宽禁带半导体的载流子迁移率提高一个数量级。 展开更多
关键词 金属氧化物半导体场效应管 金刚石 MOSFET 载流子迁移率 宽禁带半导体 研究人员 耗尽区 硼掺杂
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不同相NbS_(2)与GeS_(2)构成的二维金属-半导体异质结的电接触性质
14
作者 李景辉 曹胜果 +2 位作者 韩佳凝 李占海 张振华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2024年第13期238-250,共13页
金属-半导体异质结(MSJ)是研发新型器件的基础.本文考虑利用不同相的金属H-和T-NbS_(2)与半导体GeS_(2)组成不同的二维范德瓦耳斯MSJ,并对它们的结构稳定性、电子特性以及电接触性质进行深入研究,重点在探索MSJ电接触性质对不同相金属... 金属-半导体异质结(MSJ)是研发新型器件的基础.本文考虑利用不同相的金属H-和T-NbS_(2)与半导体GeS_(2)组成不同的二维范德瓦耳斯MSJ,并对它们的结构稳定性、电子特性以及电接触性质进行深入研究,重点在探索MSJ电接触性质对不同相金属的依赖关系.计算的结合能、声子谱、AIMD模拟以及力学性质研究表明,两异质结高度稳定,可实验制备,且用于电子器件设计可行.本征态H-NbS_(2)/GeS_(2)和T-NbS_(2)/GeS_(2)异质结分别形成了p型肖特基接触和准n型欧姆接触.同时发现它们的肖特基势垒高度(SBH)和电接触类型可以通过外加电场和双轴应变来有效调控.例如,对于H-NbS_(2)/GeS_(2)异质结,无论施加正/负电场或平面双轴压缩,均能实现欧姆接触,而T-NbS_(2)/GeS_(2)异质结,仅在施加负电场时,才能实现欧姆接触,但需要的负电场很低,平面双轴拉伸能导致其实现准欧姆接触.也就是说,当以半导体GeS_(2)单层为场效应晶体管沟道材料,与不同相的金属NbS_(2)接触形成MSJ时,其界面肖特基势垒有明显区别,且在不同情形(本征或物理调控)中各有优势.所以,本研究对于理解H(T)-NbS_(2)/GeS_(2)异质结电接触的物理机制具有重要意义,特别是为如何选择合适金属电极以研发高性能电子器件提供了理论参考. 展开更多
关键词 金属-半导体异质结 肖特基势垒 肖特基接触 欧姆接触 物理场调控
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基于超短激光脉冲泵浦金属-绝缘体-半导体结构的太赫兹辐射产生
15
作者 黄彬 刘翔 +1 位作者 余健雄 杜海伟 《光电工程》 CSCD 北大核心 2024年第12期110-118,共9页
利用超短激光脉冲泵浦半导体表面或者半导体异质结可以产生太赫兹脉冲辐射。基于超短激光脉冲泵浦金属-绝缘体-半导体异质结的太赫兹辐射产生物理模型,通过数值模拟和理论分析研究了载流子密度和速度在半导体内部的变化规律,分析了超短... 利用超短激光脉冲泵浦半导体表面或者半导体异质结可以产生太赫兹脉冲辐射。基于超短激光脉冲泵浦金属-绝缘体-半导体异质结的太赫兹辐射产生物理模型,通过数值模拟和理论分析研究了载流子密度和速度在半导体内部的变化规律,分析了超短激光脉宽、载流子寿命以及半导体厚度等参数对太赫兹辐射的影响和物理机制。结果显示,超短激光脉宽的增加会提高太赫兹脉冲的幅值,降低太赫兹脉冲中心频率和半峰全宽;载流子寿命和半导体材料厚度的增加对太赫兹辐射的中心频率和半峰全宽有不同程度的降低作用。通过分析不同参数对产生太赫兹辐射的影响,获得了该作用过程优化宽带太赫兹脉冲产生的途径和参数。本文结果对开展相关实验提供了较好的理论参考。 展开更多
关键词 太赫兹 超短激光 金属-绝缘体-半导体 异质结 脉宽
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层状锌铝双金属氧化物的制备及其吸附-光催化性能
16
作者 章萍 赵晨晨 +5 位作者 崔潇匀 谢冰 刘依涵 林海玉 张佳乐 谌宇楠 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2024年第10期1965-1974,共10页
采用前驱体煅烧法制备具有吸附-光催化双功能的层状锌铝双金属氧化物(LDOs)。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、紫外可见漫反射光谱(UV⁃Vis DRS)、扫描电子显微镜(SEM)等表征探究了双金属比例、煅烧温度对其吸附-光催化... 采用前驱体煅烧法制备具有吸附-光催化双功能的层状锌铝双金属氧化物(LDOs)。通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)、紫外可见漫反射光谱(UV⁃Vis DRS)、扫描电子显微镜(SEM)等表征探究了双金属比例、煅烧温度对其吸附-光催化降解四环素(TC)性能的影响。结果表明,当Zn、Al物质的量之比为2∶1,煅烧温度为400℃时,可形成具有优异吸附-光催化活性的Zn_(2)Al_(1)@LDO_(400)。吸附实验表明,Zn_(2)Al_(1)@LDO_(400)对TC是化学吸附限制的非均相单分子层吸附,且高温利于吸附。利用自由基猝灭实验结合电子顺磁共振(EPR)测试证实光生空穴(h^(+))、羟基自由基(·OH)、超氧自由基(·O_(2)^(-))作为活性物种参与TC的协同降解。 展开更多
关键词 双金属氧化物 四环素 吸附-光催化 协同降解
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金属氧化物半导体薄膜气敏机理研究进展 被引量：5
17
作者 李建昌 韩小波 +1 位作者 姜永辉 巴德纯 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第2期205-217,共13页
气体传感器的核心介质为气敏薄膜,而薄膜本身的特性有关键的影响,主要体现在薄膜微观结构如晶粒尺寸、膜厚、空隙率和有效表面积等方面。溶胶-凝胶法由于有方法简单及成膜温度低等优点,得到了广泛研究与应用。本文综述了溶胶-凝胶法制... 气体传感器的核心介质为气敏薄膜,而薄膜本身的特性有关键的影响,主要体现在薄膜微观结构如晶粒尺寸、膜厚、空隙率和有效表面积等方面。溶胶-凝胶法由于有方法简单及成膜温度低等优点,得到了广泛研究与应用。本文综述了溶胶-凝胶法制备的金属氧化物薄膜微纳结构与气敏机理进来的研究进展,结果表明最佳的晶粒尺寸约为10nm,最佳膜厚约为110 nm。在晶粒尺寸控制方面,通过控制煅烧温度与时间及在溶胶-凝胶过程中加入不同的添加剂,可有效优化晶粒尺寸提高灵敏度。最后,从能带结构角度总结了气敏传感器的电学特性及荷电传输机理,讨论了热电子发射理论和电子隧穿理论起主导作用时的薄膜微纳结构。 展开更多
关键词 金属氧化物薄膜 半导体薄膜 气体传感器 溶胶-凝胶法
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测量计算金属-半导体接触电阻率的方法 被引量：13
18
作者 李鸿渐 石瑛 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期155-159,共5页
如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳。... 如何测量、计算得到精确接触电阻值已凸显重要。介绍了多种测量计算金属-半导体欧姆接触电阻率的模型和方法,如矩形传输线模型、圆点传输线模型、多圆环传输线模型等,对各方法的利弊进行了讨论,并结合最新的研究进展进行了评述和归纳。综合多种因素考虑,认为圆点传输线模型是一种较好的测量金属半导体接触电阻率的方法。 展开更多
关键词 金属-半导体接触 接触电阻率 传输线模型
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金属-半导体接触势垒高度的理论计算 被引量：3
19
作者 李书平 王仁智 蔡淑惠 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期412-415,453,共5页
采用平均键能作为参考能级计算了十种金属 -半导体接触势垒高度 ,其计算结果与实验值的符合程度不亚于 Tersoff和 M o¨ nch所采用的电中性能级方法 ,计算结果表明平均键能方法和 Tersoff提出的电中性能级方法一样 ,可作为金属
关键词 金属-半导体 势垒高度 平均键能 电中性能级 费米能级 接触势垒
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用直线四探针头测量金属-半导体的接触电阻率 被引量：2
20
作者 陈存礼 华文玉 《应用科学学报》 CAS CSCD 1989年第1期61-64,共4页
本文提出一种用直线四探针头测量金属-半导体欧姆接触接触电阻率的简捷方法.导出了适用于薄层半导体材料的接触电阻率表达式,经实验验证结果与线性传输线模型一致.
关键词 直线四探针头 金属-半导体 电阻率
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