坩埚下降法生长钨酸镉单晶的光学均匀性 被引量：5

1

作者 陈红兵 肖华平 +3 位作者 徐方 方奇术 蒋成勇 杨培志 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1036-1040,共5页

采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征,分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化,研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律.结果表明,Cd... 采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过DSC/TG、XRD、电子探针、透射光谱和X射线激发发射光谱对单晶进行了测试表征,分析了单晶生长过程中熔体挥发情况和单晶化学成分变化,研究了所生长单晶的光学均匀性的变化规律.结果表明,CdWO4单晶生长过程存在比较严重的熔体挥发,且熔体中CdO比WO3更加易于挥发;CdWO4单晶的化学组成存在不同程度缺Cd的特征,初期生长晶体的n(Cd)/n(W)比相对高,后期生长晶体的n(Cd)/n(W)比持续减小,相应地单晶在380～550nm区域的光透过率略有降低,X射线激发发光强度有所降低,且发光波长出现略微红移的趋势.通过提高多晶料纯度、减少熔体挥发和氧气氛退火处理,可以改善坩埚下降法生长CdWO4单晶的光学均匀性. 展开更多

关键词 钨酸镉 晶体生长 坩埚下降法 光学均匀性

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坩埚下降法生长钨酸镉晶体的闪烁性能 被引量：7

2

作者 沈琦 陈红兵 +3 位作者 王金浩 蒋成勇 潘建国 徐军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第4期844-848,852,共6页

以高温固相反应合成CdWO4多晶为原料,采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸完整CdWO4晶体,就所生长CdWO4晶体进行了闪烁发光性能的测试表征,包括紫外可见透射光谱、光致发光光谱、光致发射衰减时间、X射线激发发射光谱、相对光产额以及γ射... 以高温固相反应合成CdWO4多晶为原料,采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸完整CdWO4晶体,就所生长CdWO4晶体进行了闪烁发光性能的测试表征,包括紫外可见透射光谱、光致发光光谱、光致发射衰减时间、X射线激发发射光谱、相对光产额以及γ射线辐照硬度。结果表明,该单晶在可见光区具有良好的光学透过性,其光致发光与X射线激发发射光的峰值波长位于475 nm左右,其光致发射衰减时间为842 ns;以CsI∶Tl晶体为基准样品,测得γ射线激发发光的光产额相当于基准样品的51.5%～57.4%,在γ射线辐照条件下其辐照硬度达107rad。 展开更多

关键词 钨酸镉 坩埚下降法 衰减时间 辐照硬度

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坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷 被引量：4

3

作者 陈红兵 沈琦 +4 位作者 方奇术 肖华平 王苏静 梁哲 蒋成勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期829-833,共5页

采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化。结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;... 采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化。结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;当采用富镉多晶料进行单晶生长时,所获单晶棒的下部常出现沿轴向分布的丝状包裹物,电子探针分析证实这种丝状包裹物是熔体内过量CdO沉积所致;在氮气氛中进行高温退火处理,CdWO4单晶还会出现黑化现象。 展开更多

关键词 钨酸镉 晶体生长 坩埚下降法 晶体缺陷

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钨酸镉单晶的坩埚下降法生长 被引量：2

4

作者 肖华平 陈红兵 +2 位作者 徐方 蒋成勇 杨培志 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期617-621,共5页

以高纯CdO,WO3为初始原料,应用高温固相反应合成CdWO4多晶料。采用垂直坩埚下降法生长CdWO4单晶,生长单晶时炉体温度为1 350～1 400℃,固液界面温度梯度为30～40℃/cm,坩埚下降速率为0.5～1.5 mm/h。生长的透明的CdWO4单晶尺寸达φ40 mm... 以高纯CdO,WO3为初始原料,应用高温固相反应合成CdWO4多晶料。采用垂直坩埚下降法生长CdWO4单晶,生长单晶时炉体温度为1 350～1 400℃,固液界面温度梯度为30～40℃/cm,坩埚下降速率为0.5～1.5 mm/h。生长的透明的CdWO4单晶尺寸达φ40 mm×70 mm。用X射线衍射、透射光谱和X射线激发发射光谱等进行了单晶性能的表征。结果表明:CdWO4单晶具有良好的晶格完整性;单晶的吸收边位于325 nm左右,在380～900 nm区域的光透过率达70%左右。CdWO4单晶X射线激发发射光的峰值波长位于470 nm。 展开更多

关键词 闪烁晶体 钨酸镉 晶体生长 坩埚下降法

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退火对钨酸镉晶体光谱性能影响的研究 被引量：3

5

作者 罗丽明 王英俭 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期166-169,共4页

研究了提拉法生长的钨酸镉单晶在真空与氧气氛中退火对晶体透过率、激发发射光谱和荧光寿命等的影响,结果表明:氧退火有利于提高晶体的透过率与光产额,并在一定程度上提高了蓝光发射比例,提高了该晶体的能量分辨率,这可能是氧退火使晶... 研究了提拉法生长的钨酸镉单晶在真空与氧气氛中退火对晶体透过率、激发发射光谱和荧光寿命等的影响,结果表明:氧退火有利于提高晶体的透过率与光产额,并在一定程度上提高了蓝光发射比例,提高了该晶体的能量分辨率,这可能是氧退火使晶体的氧空位减少,导致晶体在340～440nm由氧空位缺陷产生的吸收减弱所致.同时,氧退火有利于缩短晶体的荧光寿命,从而提高钨酸镉的时间分辨率. 展开更多

关键词 材料 钨酸镉 退火 光致发光 荧光衰减寿命 闪烁体

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掺Co钨酸镉单晶体的坩埚下降生长及光谱特性 被引量：1

6

作者 虞灿 夏海平 +1 位作者 王冬杰 陈红兵 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期2350-2354,共5页

应用坩埚下降法,采用70℃.cm-1的固液界面温度梯度与0.50 mm.h-1生长速度,生长出了初始Co掺杂摩尔百分浓度为0.5 mol%、尺寸为Ф25 mm×120 mm的钨酸镉单晶体。晶体呈透明深蓝色。用XRD表征了获得的晶体。观测到518,564和655 nm三... 应用坩埚下降法,采用70℃.cm-1的固液界面温度梯度与0.50 mm.h-1生长速度,生长出了初始Co掺杂摩尔百分浓度为0.5 mol%、尺寸为Ф25 mm×120 mm的钨酸镉单晶体。晶体呈透明深蓝色。用XRD表征了获得的晶体。观测到518,564和655 nm三个可见波段吸收带以及发光中心1 863 nm(1 323～2 220 nm)的超宽吸收带。可见波段的吸收归属于Co2+在八面晶格场中4T1(4F)→4A2(4F),4T1(4F)→4T1(4P)跃迁叠加,而红外波段的宽带吸收则为八面体场Co2+的4T1(4F)→4T2(4F)能级跃起所致。从吸收特性表明,Co离子掺杂于畸变的氧八面体中,呈现+2价态。根据吸收光谱计算出晶格场参数Dq=990 cm-1,Racah参数BC=726.3 cm-1。在520 nm波长光的激发下,观察到778 nm波段的荧光发射,归属于八面体晶格场中Co2+的4T1(4P)→4T1(4F)能级的跃迁。从吸收与荧光强度的变化推断:沿着晶体生长方向,Co2+浓度逐渐增加,有效分凝系数小于1。 展开更多

关键词 Co离子 钨酸镉晶体 坩埚下降法 光谱

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Yb3＋/Tm3＋ 共掺杂的钨酸镉纳米晶发光性能的研究 被引量：3

7

作者 刘磊 杨魁胜 +1 位作者 贺超 司振军 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第6期1123-1128,共6页

本文采用水热法制备了稀土离子Yb3＋／Tm3＋共掺杂的钨酸镉纳米晶。运用X-射线粉末衍射、场发射环境扫描电子显微镜和光谱分析对制备的样品的结构和发光性能进行了表征。根据XRD图谱可知,钨酸镉为单斜晶系，晶粒平均尺寸在28nm左右。从E... 本文采用水热法制备了稀土离子Yb3＋／Tm3＋共掺杂的钨酸镉纳米晶。运用X-射线粉末衍射、场发射环境扫描电子显微镜和光谱分析对制备的样品的结构和发光性能进行了表征。根据XRD图谱可知,钨酸镉为单斜晶系，晶粒平均尺寸在28nm左右。从ESEM图片可明显看出，钨酸镉呈纳米棒结构。直径在30nm左右,长径比在5-8之间。利用980nm半导体激光器激发钨酸镉纳米晶得到样品的发射光谱，存在一个较强的蓝光发射，发光峰位于481nm，对应于Tm3＋ 的 ^1G_4→^3H_6 能级的跃迁，分析了Tm3＋／Yb3＋离子共掺体系的发光机制。讨论了发光强度随稀土离子浓度的变化,当Tm3＋离子的掺杂浓度在2mol％，Yb3＋／Tm3＋物质的量浓度比C_Tm3＋/C_Yb3＋=10时 钨酸镉纳米晶的发光强度最强。根据泵浦功率与发光强度之间的关系．可知处于481nm的蓝光发射属于三光子过程，由发光强度与掺杂浓度之间的双对数衰减曲线可知，引起蓝光发射源于Tm3＋的电偶极跃迁。 展开更多

关键词 钨酸镉 YB3+ Tm3+纳米晶 水热法 发光强度

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制取钨酸镉新法

8

作者 李玲玲 《中国钨业》 CAS 1996年第9期33-33,共1页

美国专家研究出一种制取钨酸镉的新方法。这种方法是,首先将三氧化钨溶于氨水中,将氧化镉或氢氧化镉溶于硝酸铵溶液中,然后把上述两种溶液混合,加热至沸腾,蒸发至原体积的60%—80%;

关键词 三氧化钨 钨酸镉 新方法 沉淀物 氨水 蒸发 沸腾 溶于 硝酸铵溶液 加热

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提拉法生长钨酸钆镉晶体 被引量：4

9

作者 孙桂芳 阮树仁 +3 位作者 王国菊 任晓斌 盛淑芳 李丽华 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期88-90,95,共4页

用提拉法生长了四方晶系白钨矿结构的钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4,CGW]晶体。通过X射线衍射分析计算出晶胞参数a=b=0.5204nm,c=1.1360nm。为改进CGW晶体的生长工艺,采取了一些避免生长过程中出现组分过冷现象的工艺措施,提出了晶体生长的最佳... 用提拉法生长了四方晶系白钨矿结构的钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4,CGW]晶体。通过X射线衍射分析计算出晶胞参数a=b=0.5204nm,c=1.1360nm。为改进CGW晶体的生长工艺,采取了一些避免生长过程中出现组分过冷现象的工艺措施,提出了晶体生长的最佳工艺参数:拉速为0.84mm/h,转速为40r/min,熔体中界面处的温度梯度为46～47℃/cm,冷却速率为32℃/h。测试了晶体的紫外–可见光谱和Raman光谱,测量得到晶体在紫外波段的截止波长为326nm,并讨论了晶体的紫外吸收边起源和Raman光谱中各峰的振动归属。 展开更多

关键词 钨酸钆镉晶体 提拉法 紫外-可见光谱 RAMAN光谱

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钨酸钆镉单晶的光致发光性能 被引量：2

10

作者 孙桂芳 高学喜 +2 位作者 盛淑芳 阮树仁 赵晓林 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1488-1491,共4页

采用提拉法生长了钨酸钆镉[CdGd_2(WO_)_4,CGW]单晶。在室温下测试和研究了CGW单晶的光致发光谱和X射线能量色散谱。结果表明;样品中有Gd,Cd,W和O元素,未见其他杂质元素;样品的发光性质随激发波长的不同而有所变化。在313 nm波长光激发... 采用提拉法生长了钨酸钆镉[CdGd_2(WO_)_4,CGW]单晶。在室温下测试和研究了CGW单晶的光致发光谱和X射线能量色散谱。结果表明;样品中有Gd,Cd,W和O元素,未见其他杂质元素;样品的发光性质随激发波长的不同而有所变化。在313 nm波长光激发下,有3个发光带,分别为447 nm蓝光,487 nm蓝绿光和545 nm绿光;在353 nm波长光激发下,不仅有蓝光、蓝绿光和绿光出现,另外出现了575 nm黄光发光峰;在367 nm波长的光激发下,出现775 nm红光发光峰。对发光机制分析认为:蓝光和蓝绿光为本征发射,起源于WO_4^(2-)离子团的内部电子跃迁;绿光起源于"WO_4^(2-)+O_i";黄光和红光起源于WO_3内部跃迁。 展开更多

关键词 钨酸钆镉单晶 光致发光 提拉法生长

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闪烁晶体CdWO_4的生长 被引量：12

11

作者 徐军 马笑山 +3 位作者 顾及 沈雅芳 张新民 魏光普 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1990年第4期283-287,共5页

本文采用高频感应加热引上法成功生长出CdWO_4大单晶。讨论了晶体的解理、着色、核心、夹杂物和热腐蚀机理;提出了选择配料、温场等解决途径,并测量了晶体的发光特性。

关键词 钨酸镉 晶体 闪烁晶体 提拉法 光谱

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CT探测器的技术特点和发展趋势 被引量：22

12

作者 郝涛 罗宏 《中国医疗设备》 2008年第1期55-57,共3页

本文介绍了CT探测器的技术特点和性能,分析了其结构原理,并对其发展方向作了展望。

关键词 CT探测器 钨酸镉晶体 闪烁晶体 数据采集系统

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CdWO_4闪烁晶体中夹杂物的组态与形成 被引量：1

13

作者 徐军 马笑山 +1 位作者 沈雅芳 张新民 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期3-6,共4页

本文首次研究了CdWO_4闪烁晶体中夹杂物的形貌特征和分布规律,并指出它们形成的原因以及消除的办法。

关键词 钨酸镉 闪烁晶体 夹杂物 组态 形成

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CdWO_4纳米晶形貌可控合成 被引量：1

14

作者 杨琳琳 王永刚 +4 位作者 魏超 王玉江 王晓峰 徐刚 韩高荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1414-1418,共5页

分别以氯化镉、草酸镉、碳酸镉、柠檬酸镉和钨酸钠为原料,在没有采用模板和表面活性剂的条件下,采用水热法可控制备出了钨酸镉纳米颗粒、纳米棒、纳米束和纳米线。利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和选... 分别以氯化镉、草酸镉、碳酸镉、柠檬酸镉和钨酸钠为原料,在没有采用模板和表面活性剂的条件下,采用水热法可控制备出了钨酸镉纳米颗粒、纳米棒、纳米束和纳米线。利用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和选区电子衍射(SAED)对样品进行了表征。结果表明:[WO42-]/[Cd2+]摩尔比、反应时间及先驱体的类型对产物的形貌和尺寸有着重要的影响。 展开更多

关键词 形貌可控合成 钨酸镉纳米晶 水热法

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CdWO4纳米带的制备及其光学性质研究

15

作者 周萍 顾伟华 +2 位作者 韩玉翠 刘方先 丁美娟 《南京师大学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期80-83,共4页

在十二胺为表面活性剂、正辛烷为油相形成的油包水(W/O)型反胶束体系中,使Na2WO4和CdCl2发生反应,制得了长约2μm、带宽约20～30nm的CdWO4纳米带.测试了其拉曼光谱和荧光发射光谱,结果表明该CdWO4纳米粒子具有较好荧光发射性能.

关键词 反胶束 钨酸镉 纳米带 十二胺 正辛烷

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CdWO_4纳米棒的制备及光致发光性能

16

作者 高宾 张晓军 朱长军 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期36-38,共3页

以Na2WO4.2H2O和CdCl2.2.5H2O为主要原料,以表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,水热反应合成了CdWO4纳米棒。用XRD、TEM、EDS、SAED等对产物进行了表征,初步探讨了CdWO4纳米棒的形成机理,测试了CdWO4纳米棒的光致发光(PL)谱。... 以Na2WO4.2H2O和CdCl2.2.5H2O为主要原料,以表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,水热反应合成了CdWO4纳米棒。用XRD、TEM、EDS、SAED等对产物进行了表征,初步探讨了CdWO4纳米棒的形成机理,测试了CdWO4纳米棒的光致发光(PL)谱。结果表明:产物为长0.8～1.5μm,直径40～120nm的CdWO4纳米棒;SDBS对CdWO4纳米棒的形成起了关键作用,浓度为0.01mol/L条件下制备的CdWO4纳米棒的长径比最大;随着Cd-WO4纳米棒长径比的增大,其PL光谱增强。 展开更多

关键词 水热法 钨酸镉 纳米棒 光致发光性能

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CdO—Sb_2O_3—WO_3热敏半导瓷工艺参数与性能关系的探讨

17

作者 李世普 王国梅 +2 位作者 刘德仁 汪晶莹 朱健东 《中国建筑材料科学研究院学报》 1990年第1期56-62,共7页

CdO-Sb_2-WO_3热敏丰导瓷,是一种在一定温区内具有线性阻温特性的热敏陶瓷元件,并由两种主晶相,锑酸镉及钨酸镉组成。这种材料的特性是:阻温特性在一个相当宽的温区内呈线性变化,工作温度区较宽,具有广泛的应用,如制作测温计、控温仪、... CdO-Sb_2-WO_3热敏丰导瓷,是一种在一定温区内具有线性阻温特性的热敏陶瓷元件,并由两种主晶相,锑酸镉及钨酸镉组成。这种材料的特性是:阻温特性在一个相当宽的温区内呈线性变化,工作温度区较宽,具有广泛的应用,如制作测温计、控温仪、热导计等。本文对该材料的制造工艺参数:氧分压、保温时间、掺杂元素与其阻温特性进行探讨,获得一些初步结论。 展开更多

关键词 热敏陶瓷 锑酸镉 钨酸镉 氧分压 半导体陶瓷 工艺参数 性能关系

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用于高能X射线成像的CdWO_4闪烁探测器探测灵敏度的研究 被引量：4

18

作者 楼棋 李玉兰 +2 位作者 李元景 范佳锦 王义 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期331-334,共4页

高能 X射线成像系统对小截面探测器的探测灵敏度提出了很高的要求。分析了由 Cd WO4 晶体耦合光电二极管所组成的探测器单元探测灵敏度的决定因素 ,采用蒙 -卡计算、经验估算等对其在高能加速器和 60 Co源下的探测灵敏度进行了估算 ,并... 高能 X射线成像系统对小截面探测器的探测灵敏度提出了很高的要求。分析了由 Cd WO4 晶体耦合光电二极管所组成的探测器单元探测灵敏度的决定因素 ,采用蒙 -卡计算、经验估算等对其在高能加速器和 60 Co源下的探测灵敏度进行了估算 ,并和测量值进行比较。二者吻合较好 ,证明了估算方法的正确性。 展开更多

关键词 高能X射线成像 CdWO4闪烁探测器 钨酸镉晶体 探测灵敏度 能量沉积率

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钨酸钆镉晶体的光学性能 被引量：1

19

作者 孙桂芳 牟娟 +2 位作者 钱霞 阮树仁 盛淑芳 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1891-1894,共4页

测试了钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4,CGW]晶体在200～700nm波段的透射光谱和反射光谱。结果显示:CGW晶体在可见光区吸收非常小,具有良好的透光性。对测量得到的光谱进行了数学处理,计算得到了描述CGW晶体宏观光学特性的重要物理量,即晶体的折射... 测试了钨酸钆镉[CdGd2(WO4)4,CGW]晶体在200～700nm波段的透射光谱和反射光谱。结果显示:CGW晶体在可见光区吸收非常小,具有良好的透光性。对测量得到的光谱进行了数学处理,计算得到了描述CGW晶体宏观光学特性的重要物理量,即晶体的折射率n(λ)、消光系数k(λ)和吸收系数α(λ)。用(αE)1/2对E作图,得出了晶体的光学能隙为3.53eV,证明了CGW晶体是间接带隙半导体。 展开更多

关键词 钨酸钆镉晶体 光学性能 折射率 消光系数 吸收系数

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闪烁晶体在安全检查系统中的应用 被引量：4

20

作者 董加彬 《警察技术》 1994年第1期7-8,共2页

闪烁晶体在安全检查系统中的应用董加彬闪烁晶体简称为闪烁体或“荧光体”，它是一种受到射线照射时能发光的物质。它的发光是由于辐射粒子通过物质时使原子激发，当被激发的原子从激发态回到基态时就发出光子。闪烁体从吸收能量到发光... 闪烁晶体在安全检查系统中的应用董加彬闪烁晶体简称为闪烁体或“荧光体”，它是一种受到射线照射时能发光的物质。它的发光是由于辐射粒子通过物质时使原子激发，当被激发的原子从激发态回到基态时就发出光子。闪烁体从吸收能量到发光的时间小于微秒，一般为毫微秒，时间... 展开更多

关键词 闪烁晶体 闪烁体 吸收能量 荧光体 闪烁探测器 安检系统 光输出比 磷光体 钨酸镉 光电二极管阵列

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