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高转移效率时间飞行(TOF)图像传感器的像素单元优化 被引量：2
1
作者 吴元庆 王婷 +2 位作者 李崎嫚 刘春梅 彭国良 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2022年第8期810-815,共6页
针对TOF图像传感器转移效率不高的问题,利用Silvaco软件基于0.18μm CMOS工艺对传感器进行了建模和优化。通过电学和光学仿真,模拟了TOF图像传感器的复位、曝光等工作状态,探讨了曝光强度、曝光时间等对器件量子效率的影响。通过对模型... 针对TOF图像传感器转移效率不高的问题,利用Silvaco软件基于0.18μm CMOS工艺对传感器进行了建模和优化。通过电学和光学仿真,模拟了TOF图像传感器的复位、曝光等工作状态,探讨了曝光强度、曝光时间等对器件量子效率的影响。通过对模型进行防穿通注入工艺优化,很好地实现了钳位光电二极管和浮空节点的隔离。探讨了TOF中PPD的电荷快速转移优化,通过公式计算,获得改进后的优化模型,仿真结果证明其具有良好的转移速度和转移效率,平均转移时间节省近10倍,大大提高了电荷转移效率,为TOF图像传感器的优化和设计提供一个改进思路。 展开更多
关键词 时间飞行 图像传感器 像素单元 钳位光电二极管
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8T CMOS图像传感器质子辐照效应研究 被引量：2
2
作者 傅婧 李豫东 +2 位作者 冯婕 文林 郭旗 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第12期2128-2134,共7页
本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验。由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂。为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法。... 本文对新型8T CMOS图像传感器进行了不同能量的质子辐照实验。由于质子辐照后同时引入电离总剂量(TID)效应和位移损伤剂量(DDD)效应,使得器件参数的退化机理复杂。为了具体区分导致不同参数退化的主要因素,采用等效TID法和等效DDD法。实验得出DDD效应主要引起暗电流的退化,而TID效应主要导致光谱响应的退化,实验结果为辐射环境下图像传感器的加固设计提供了理论依据。 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 钳位光电二极管 质子辐照 电离总剂量 位移损伤剂量
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一种提升4T-APS像元量子效率的方法
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作者 李炘 唐威 +2 位作者 张冰 李栋 何杰 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2014年第3期119-121,125,共4页
通过调整钳位光电二极管P+层掺杂浓度与阈值注入浓度,抑制了4T-APS像元传输管亚阈值漏电,提升了像元的满阱能力与量子效率,并应用TCAD工具进行了仿真验证.结果表明,像元满阱容量可由3500e-提升至7900e-,550nm入射光条件下量子效率可提升... 通过调整钳位光电二极管P+层掺杂浓度与阈值注入浓度,抑制了4T-APS像元传输管亚阈值漏电,提升了像元的满阱能力与量子效率,并应用TCAD工具进行了仿真验证.结果表明,像元满阱容量可由3500e-提升至7900e-,550nm入射光条件下量子效率可提升27.8%. 展开更多
关键词 互补金属氧化物场效应管 图像传感器 有源像素传感器 钳位光电二极管 满阱能力 量子效率
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4T-PPD-APS光子辐射响应特性分析 被引量：1
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作者 徐守龙 邹树梁 +2 位作者 黄有骏 匡雅 郭赞 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期22-27,共6页
分析了含有4个晶体管的钳位光电二极管有源像素传感器(4T-PPD-APS)的结构特点以及γ射线光子在像元内的能量沉积过程。通过建立传感器像元及像素阵列仿真计算模型,并结合γ射线辐射响应实验,对有源像素传感器(APS)在不同光子能量及不同... 分析了含有4个晶体管的钳位光电二极管有源像素传感器(4T-PPD-APS)的结构特点以及γ射线光子在像元内的能量沉积过程。通过建立传感器像元及像素阵列仿真计算模型,并结合γ射线辐射响应实验,对有源像素传感器(APS)在不同光子能量及不同放射性水平条件下的响应特性进行了研究。研究结果表明:γ光子在光电二极管空间电荷区内沉积能量并形成扩散光电流是APS发生光子响应现象的根本原因;像素值的平均值随剂量率的增大呈先增大后趋于饱和的趋势;当典型事件区域内出现多个峰值时,像素值的统计值不能准确反映辐射场放射性水平。 展开更多
关键词 探测器 互补金属氧化物半导体有源像素传感器 光子辐射响应 钳位光电二极管
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