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InGaAs/AlGaAs量子阱中量子尺寸效应对PL谱的影响 被引量：3
1
作者 于永芹 黄柏标 +7 位作者 尉吉勇 潘教青 周海龙 齐云 陈文澜 秦晓燕 张晓阳 任忠祥 《量子电子学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期345-349,共5页
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3nm和6nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843nm和942nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效... 本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3nm和6nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843nm和942nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因。 展开更多
关键词 InGaAs/AlGaAs量子阱 量子尺寸效应 MOCVD 应变效应 金属有机物化学气相淀积 铟钙砷化合物 铝钙砷
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MBE生长InGaAs/In_(0.32≤x≤0.52)Al_(1-x)As MM-HEMT材料
2
作者 邱凯 张晓娟 陈建炉 《微纳电子技术》 CAS 2003年第6期26-28,共3页
在GaAs衬底上利用分子束外延技术生长了不同In组分的MetamorphicHEMT(简称MM-HEMT)。通过对MM-HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参数、生长条件和结构参数进行优化,得到了具有良好电学性能的MM-H... 在GaAs衬底上利用分子束外延技术生长了不同In组分的MetamorphicHEMT(简称MM-HEMT)。通过对MM-HEMT材料中台阶式缓冲层材料种类、台阶宽度、初始组分以及生长温度等生长参数、生长条件和结构参数进行优化,得到了具有良好电学性能的MM-HEMT材料,其二维电子气迁移率和浓度指标与国外同期水平相当。 展开更多
关键词 高电子迁移率晶体管 分子来外延 缓冲层 INGAAS 铟钙砷化合物 MM—HEMT材料 二维电子气迁移率 生长温度
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自组织生长InAs量子点的发光性质研究
3
作者 蔡加法 孔令民 +2 位作者 吴正云 陈主荣 牛智川 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期732-735,共4页
通过对加InGaAs覆盖层的InAs自组织生长量子点的变温光致发光谱以及时间分辨谱的研究,发现低温下量子点的发光强度和光生载流子的寿命不变;中间温度区载流子寿命随温度升高而变大;更高温度时,发光强度和载流子寿命均随温度升高而快速下降.
关键词 自组织生长砷化铟量子点 发光性质 铟钙砷三元化合物 覆盖层 光致发光 瞬态荧光谱 寿命
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