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2-18 GHz 10 W GaN HEMT非均匀分布式功率放大器 被引量：8
1
作者 冯威 刘帅 张斌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第6期435-439,共5页
基于0.25μm GaN双场板（DFP）高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,研制了一款2-18 GHz连续波输出功率大于10 W的功率放大器微波单片集成电路（MMIC）。MMIC中的功率器件采用源场板接地减少强电场引起的功率器件退化,提高了功率器件的击穿... 基于0.25μm GaN双场板（DFP）高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺,研制了一款2-18 GHz连续波输出功率大于10 W的功率放大器微波单片集成电路（MMIC）。MMIC中的功率器件采用源场板接地减少强电场引起的功率器件退化,提高了功率器件的击穿电压,并提取了功率器件的可定标大信号器件模型参数;基于非均匀分布式结构,利用ADS软件分别优化MMIC中10个功率器件的最佳栅宽和负载阻抗,MMIC的输入输出匹配阻抗为50Ω;采用电磁场仿真技术优化设计的MMIC芯片尺寸为4.9 mm×2.4 mm。在栅压（Vgs）为-2.4 V、漏压（Vds）为28 V、输入功率（Pin）为30 d Bm的条件下,MMIC在2-18 GHz频带内连续波饱和输出功率大于40 d Bm,功率附加效率大于25%。 展开更多
关键词 微波单片集成电路(MMIC) 超宽带(UWB) 非均匀分布式功率放大器(NDPA) 氮化镓 双场板(DFP)
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2~18GHz超宽带GaN分布式功率放大器MMIC 被引量：2
2
作者 韩雷 边照科 +1 位作者 王生国 刘帅 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第2期146-150,共5页
介绍了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的2~18 GHz超宽带功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用两级非均匀分布式拓扑结构,通过调整各级管芯输出阻抗和微带线阻抗实现超宽带的功率匹配。在管芯前端增加电阻、电容并... 介绍了一款基于0.25μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的2~18 GHz超宽带功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。采用两级非均匀分布式拓扑结构,通过调整各级管芯输出阻抗和微带线阻抗实现超宽带的功率匹配。在管芯前端增加电阻、电容并联结构,提升各级电路稳定性并提高截止频率。为改善整体电路布局,在前级和末级放大器之间加入50Ω微带线,既可便于单侧加电,又使芯片尺寸更加合理。测试结果表明,功率放大器MMIC在2~18 GHz频带内,连续波饱和输出功率达到10 W,功率增益大于15 dB,功率附加效率大于20%。GaN非均匀分布式功率放大器MMIC在超宽带、高功率等方面具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 超宽带 非均匀分布式功率放大器 GAN 高效率 单片微波集成电路(MMIC)
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DC-3GHz连续波10W超宽带功率放大器设计 被引量：2
3
作者 倪帅 杨卅男 《微波学报》 CSCD 北大核心 2020年第S01期183-186,共4页
利用非均匀分布式结构研制了一款超宽带功率放大器,频率覆盖DC-3GHz。该超宽带功率放大器基于4英寸0.25μmGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,采用非均匀分布式放大电路结构,通过微波设计软件优化电路中功率器件的最佳栅宽和静态直流工作... 利用非均匀分布式结构研制了一款超宽带功率放大器,频率覆盖DC-3GHz。该超宽带功率放大器基于4英寸0.25μmGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,采用非均匀分布式放大电路结构,通过微波设计软件优化电路中功率器件的最佳栅宽和静态直流工作点,保证电路在超宽带下具有较高的输出功率和效率。实验测试表明在DC-3GHz的频率范围内,漏压为28V(连续波),栅压为-1.8V,输入功率为29dBm的条件下,功放的饱和输出功率大于40dBm,功率附加效率大于40%,小信号增益大于15dB。 展开更多
关键词 超宽带 GAN高电子迁移率晶体管 非均匀分布式放大器 高功率
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