高k介质在浮栅型非挥发性存储器中的应用 被引量：1

1

作者 刘璟 王琴 +4 位作者 龙世兵 胡媛 杨仕谦 郭婷婷 刘明 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期414-419,共6页

随着微电子技术节点不断向前推进,基于传统浮栅结构的非挥发性存储器(NVM)技术遇到严重的技术难点,其中最主要的问题是SiO2隧穿层已经接近厚度极限,很难继续减薄。作为改进措施,引入高k介质作为新型隧穿层材料。文章介绍了高k材料的研... 随着微电子技术节点不断向前推进,基于传统浮栅结构的非挥发性存储器(NVM)技术遇到严重的技术难点,其中最主要的问题是SiO2隧穿层已经接近厚度极限,很难继续减薄。作为改进措施,引入高k介质作为新型隧穿层材料。文章介绍了高k材料的研究现状和在NVM器件中应用所取得的进展;最后,对高k介质进一步应用的研究趋势进行了展望。 展开更多

关键词 高k介质 非挥发性存储器 隧穿层 俘获层

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SONOS非挥发性存储器件的研究进展 被引量：2

2

作者 房少华 程秀兰 《电子器件》 CAS 2007年第4期1211-1215,共5页

随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应... 随着非挥发性存储器件的尺寸持续缩小,SONOS结构存储器件又重新被重视.简单介绍超短栅长SONOS器件和2bit SONOS器件,重点介绍改进氮化硅层和应用high-K材料,来改善SONOS器件性能的研究.认为只要解决high-K材料在非挥发性存储器件中的应用,具有好的发展前景. 展开更多

关键词 SONOS器件 非挥发性存储器件 HIGH-K

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纳米晶非挥发性存储器研究进展

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作者 管伟华 刘明 +4 位作者 龙世兵 李志刚 刘琦 胡媛 贾锐 《微纳电子技术》 CAS 2007年第5期225-230,共6页

介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器... 介绍了纳米晶非挥发性存储器的发展状况和基本工作原理,比较了纳米晶非挥发性存储器所涉及到的各种不同的电荷输运机制,系统介绍了纳米晶非挥发性存储器在纳米晶材料设计、纳米晶晶体生长控制方法、隧穿/控制介质层工程和新型存储器器件结构等方面的一些最新研究进展,对纳米晶非挥发性存储器的研究趋势进行了展望。 展开更多

关键词 纳米晶 非挥发性存储器 分立电荷存储 纳米晶存储器

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一种精确的非挥发性存储器中高压产生系统的稳定性分析模型

4

作者 姜丹丹 杨燕 曹华 《成都信息工程学院学报》 2014年第3期222-226,共5页

针对高压产生系统在非挥发性存储器中的重要作用,推导出一个用于电流模DC-DC升压转换器稳定性分析的精确模型。该模型综合了传统的脉冲宽度调制模型的简洁性以及离散时间采样系统的精确性,得到一个精确的、具有较强指导意义的传输函数... 针对高压产生系统在非挥发性存储器中的重要作用,推导出一个用于电流模DC-DC升压转换器稳定性分析的精确模型。该模型综合了传统的脉冲宽度调制模型的简洁性以及离散时间采样系统的精确性,得到一个精确的、具有较强指导意义的传输函数模型。同时,根据推导的结果搭建了一个简洁、直观的仿真电路模型。通过此传输函数模型以及仿真电路模型,可以方便快捷的分析、仿真得到电路中的每一个参数对转化器的增益、电流环稳定性、右半平面零点、输出极点的影响。所介绍的方法也可以直接用于其他DC-DC转化器传输函数的推导。 展开更多

关键词 非挥发性存储器 电流模升压转化器 电流环路稳定性 脉冲宽度调制 数据采样模型

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嵌入式非挥发性存储器NVM技术的发展趋势 被引量：1

5

作者 倪昊 骆蓉颜 王盈 《集成电路应用》 2022年第10期1-4,共4页

阐述嵌入式NVM的发展趋势,对现有的和新兴的嵌入式NVM器件进行比较,从存储单元、工艺兼容和设计复用的角度提出真嵌入式NVM方法。探讨嵌入式NVM的新应用,应用驱动的性能强化需求,分析一个实际案例,包括嵌入式NVM的功耗、性能、可靠性优化。

关键词 非挥发性存储器 嵌入式NVM 存储单元 工艺兼容 设计复用

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创新的桌面测试技术可以满足新的非挥发性存储器的测试需求

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作者 丁辉文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第11期42-43,共2页

关键词 非挥发性存储器 桌面测试技术 闪存 模块化结构

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华虹NEC成功开发具超高可靠性的嵌入式非挥发性存储器模块

7

《中国集成电路》 2012年第3期1-1,共1页

上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布，基于公司成熟的0．13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台，已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性（UHR—ultraHighReliability）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM／FlashlP），使0．13微米SONOSEEPROM／Flas... 上海华虹NEC电子有限公叫近LI宣布，基于公司成熟的0．13微米SONOS嵌入式仔储器T艺平台，已成功地开发Ⅲ了具有趟高可靠性（UHR—ultraHighReliability）的嵌入式非挥发性存储器模块（EEPROM／FlashlP），使0．13微米SONOSEEPROM／FlashIP的数据保存时问从常规的10年提升到了超过30年，而擦写次数则从100K大幅提高到超过500K。这次在0．13微米嵌入式存储器工艺上的技术提升将进一步扩大华虹NEC在嵌入式非挥发性存储器代工市场上的竞争优势，巩固公司在智能卡和安全类芯片领域的地位。（来自华虹NEC） 展开更多

关键词 非挥发性存储器 嵌入式存储器 存储器模块 高可靠性 NEC 开发 SONOS 数据保存

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Synopsys推出全新超低功耗非挥发性存储器IP

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作者 Synopsys 《中国集成电路》 2014年第1期72-72,共1页

新思科技公司（Synopsys，Inc．，）日前宣布：其专为功耗和面积要求严格的无线应用和RFID／NFC集成电路而进行了优化的DesignWare AEON 多次可编程（MTP）超低功耗（ULP）非易失性存储器（NVM）IP开始供货。

关键词 超低功耗 非挥发性存储器 非易失性存储器 新思科技公司 集成电路 RFID 无线应用 INC

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基于有机场效应晶体管的非挥发性存储器研究进展 被引量：1

9

作者 王宏 彭应全 +3 位作者 姬濯宇 刘明 商立伟 刘兴华 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第33期3177-3185,共9页

由于易于集成,基于有机场效应晶体管的非挥发性存储器件在低成本、轻便、柔性存储领域具有广泛的应用前景.本文综述了浮栅型、有机电介体型和铁电型以及其他一些特殊结构的有机场效应晶体管存储器的最新研究进展,并对目前所存在的主要... 由于易于集成,基于有机场效应晶体管的非挥发性存储器件在低成本、轻便、柔性存储领域具有广泛的应用前景.本文综述了浮栅型、有机电介体型和铁电型以及其他一些特殊结构的有机场效应晶体管存储器的最新研究进展,并对目前所存在的主要问题进行了讨论. 展开更多

关键词 有机非挥发性存储器 有机场效应晶体管 浮栅 铁电材料 有机电介体

原文传递

恒忆推出低功耗DDR接口非挥发性RAM产品

10

《电子与电脑》 2008年第8期64-64,共1页

恒忆（Numonyx）日前宣布推出Velocity LPTM NV-RAM产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率（LPDDR）非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装... 恒忆（Numonyx）日前宣布推出Velocity LPTM NV-RAM产品系列，此系列是业界最快速的低功耗双倍数据传输速率（LPDDR）非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器内容平台低成本解决方案的同时，还可达到比传统NOR Flash存储器快2～3倍读取频宽的性能。 展开更多

关键词 非挥发性存储器 消费性电子产品 低功耗 RAM DDR Velocity Flash存储器 动态随机存储器

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一种非挥发性MNOS器件的制作

11

作者 郭群英 黄斌 《集成电路通讯》 2006年第4期7-11,共5页

本文介绍了非挥发性存储器的基本结构和工作原理,介绍了工艺过程中的控制要点和工艺优化的方法,给出了MNOS器件制作的工艺流程以及测试结果。

关键词 非挥发性存储器 MNOS结构 隧道效应 阀值电压 薄栅氧化层

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基于I-V特性的阻变存储器的阻变机制研究 被引量：11

12

作者 李颖弢 刘明 +7 位作者 龙世兵 刘琦 张森 王艳 左青云 王琴 胡媛 刘肃 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第3期134-140,153,共8页

随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的... 随着器件尺寸的缩小,阻变存储器(RRAM)具有取代现有主流Flash存储器成为下一代新型存储器的潜力。但对RRAM器件电阻转变机制的研究在认识上依然存在很大的分歧,直接制约了RRAM的研发与应用。通过介绍阻变存储器的基本工作原理、不同的阻变机制以及基于阻变存储器所表现出的不同I-V特性,研究了器件的阻变特性;详细分析了阻变存储器的五种阻变物理机制,即导电细丝(filament)、空间电荷限制电流效应(SCLC)、缺陷能级的电荷俘获和释放、肖特基发射效应(Schottky emission)以及普尔-法兰克效应(Pool-Frenkel);同时,对RRAM器件的研究发展趋势以及面临的挑战进行了展望。 展开更多

关键词 阻变存储器 非挥发性存储器 I-V特性 阻变机制 工作原理

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阻变存储器及其集成技术研究进展 被引量：13

13

作者 左青云 刘明 +6 位作者 龙世兵 王琴 胡媛 刘琦 张森 王艳 李颖弢 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期546-551,共6页

在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。介绍了RRAM器件的基本结构,分类总结了常用的材料以及制备工艺,对RRAM阵列的集成方案进行了比较,并讨论了目前存在的问题;最后,对RRAM的研究趋势进行了展望。

关键词 非挥发性存储器 阻变存储器 电阻转变

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电荷俘获存储器中俘获层的研究进展 被引量：1

14

作者 李德君 刘明 +8 位作者 龙世兵 王琴 张满红 刘璟 杨仕谦 王永 杨潇楠 陈军宁 代月花 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第9期518-524,539,共8页

随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧... 随着45nm和32nm技术节点的来临,传统Si3N4作为电荷俘获存储器的俘获层已经使器件的性能受到了限制。指出采用高k材料代替Si3N4作为俘获层已成为目前微电子材料研究的热点和趋势;着重对电荷俘获存储器的俘获层,包括对Si3N4掺O的无定形氧氮化硅(α-SiOxNy)俘获层、高k介质材料俘获层、植入纳米晶材料的俘获层及其叠层结构的研究现状和存在的问题进行了综述和分析,并对其进一步的研究趋势进行了展望。 展开更多

关键词 高K材料 非挥发性存储器(NVM) 电荷俘获存储器 俘获层 隧穿层

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内嵌快闪存储器的测试优化与分析

15

作者 张归雁 吕宗伟 《电脑知识与技术》 2005年第2期87-89,共3页

由于对快闪存储器的广泛应用,对优化测试和可靠性日益迫切的要求成为一大重要挑战。因此,本文通过分析阐述如何合理有效应用夺路并行测试策略,可以更有效的在快闪存储器测试时间和产量方面达到很好的平衡。

关键词 内嵌快闪存储器 测试 优化 可靠性 非挥发性存储器 数据存储 计算机

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闪速存储器发展新趋势

16

作者 郭树田 于宗光 《电子与封装》 2002年第3期10-13,共4页

1 前言 随着信息技术的高速发展,信息存储技术已得到极大提高,特别是闪速存储器(以下简称闪存器)正乘风破浪滚滚向前发展,已从候补技术、次要技术迅速发展到主流技术,已成为消费领域和嵌入式应用领域的关键技术产品.

关键词 非挥发性存储器 电荷 MLC 闪速存储器 闪存 存储单元 仪表组合单元 MRAM 发展新趋势

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在片EEPORM存储器版图设计要点

17

作者 朱丽娟 《中国集成电路》 2016年第12期31-36,86,共7页

非挥发性存储器,在掉电的情况下,存储的资料也不会丢失,应用十分广泛。传统非挥发性存储器根据工艺与器件而有所不同,包括ROM,OTP,MTP,EEPROM,Flash等。本论文说明在片EEPROM(电擦除,可编程只读存储器)的版图设计要点,从存储单元的版图... 非挥发性存储器,在掉电的情况下,存储的资料也不会丢失,应用十分广泛。传统非挥发性存储器根据工艺与器件而有所不同,包括ROM,OTP,MTP,EEPROM,Flash等。本论文说明在片EEPROM(电擦除,可编程只读存储器)的版图设计要点,从存储单元的版图设计开始,包括版图的全局规划,与各个功能模块的对接关系。 展开更多

关键词 非挥发性存储器 EEPROM存储单元 位线 字线 灵敏放大器 全局规划 驱动单元 输出缓冲 时序控制

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科利登推出Kalos 2 Hex系统作为存储器器件灵活，完整的测试解决方案

18

《电子与电脑》 2005年第4期149-149,共1页

科利登系统公司日前宣布，推出Kalos 2 Hex（K2 Hex）系统，该系统是用于目前和下一代非挥发性存储器和嵌入式存储器件的集成电路测试系统。K2 Hex包含增强的逻辑测试能力和先进的软件工具，扩展了系统在存储器测试方面的测试能力。K2 ... 科利登系统公司日前宣布，推出Kalos 2 Hex（K2 Hex）系统，该系统是用于目前和下一代非挥发性存储器和嵌入式存储器件的集成电路测试系统。K2 Hex包含增强的逻辑测试能力和先进的软件工具，扩展了系统在存储器测试方面的测试能力。K2 Hex是Kalos 2家族最新的成员，在软件和硬件方面与生产用测试系统Kalos 2和工程测试系统Personal Kalos 2完全兼容。多台K2 Hex系统已经安装并用于复杂嵌入存储器件的测试。 展开更多

关键词 Kalos 测试解决方案 X系统 推出 HE 集成电路测试系统 PERSONAL 科利登系统公司 非挥发性存储器 存储器件 测试能力 软件工具 嵌入式 全兼容 硬件

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中科院面向应用的阻变存储器研究获新进展

19

《军民两用技术与产品》 2014年第3期26-26,共1页

中国科学院微电子研究所在面向应用的阻变存储器研究方面取得了新进展。 阻变存储器（RRAM）是非挥发性存储器的重要替代方案之一，具有工艺及器件结构简单、微缩性好、存取速度快、低功耗、可嵌入功能强等特点。研究人员在前期建立新... 中国科学院微电子研究所在面向应用的阻变存储器研究方面取得了新进展。 阻变存储器（RRAM）是非挥发性存储器的重要替代方案之一，具有工艺及器件结构简单、微缩性好、存取速度快、低功耗、可嵌入功能强等特点。研究人员在前期建立新材料、新结构及与产业化CMOS集成的验证平台的研究基础上，在实用化所需的高性能、高可靠性器件方面取得了重要进展。 展开更多

关键词 非挥发性存储器 面向应用 中科院 器件结构 电子研究所 中国科学院 存取速度 研究人员

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让数据传输更快的存储器

20

《中国计算机用户》 2008年第29期70-70,共1页

早前由意法和英特尔两大半导体公司将旗下的内存事业部门分割出来，合资成立的NOR闪存供货商恒忆（Numonyx）近日终于有了大动作。它推出了Velocity LPTMNV-RAM产品系列一一低功耗双倍数据传输速率（LPDDR）非挥发性存储器。这些装置在... 早前由意法和英特尔两大半导体公司将旗下的内存事业部门分割出来，合资成立的NOR闪存供货商恒忆（Numonyx）近日终于有了大动作。它推出了Velocity LPTMNV-RAM产品系列一一低功耗双倍数据传输速率（LPDDR）非挥发性存储器。这些装置在提供高动态随机存储器（DRAM）内容平台低成本解决方案的同时， 展开更多

关键词 非挥发性存储器 数据传输速率 VELOCITY 动态随机存储器 半导体公司 NOR闪存 英特尔 供货商

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