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轴承滚珠等离子体浸没离子注入过程的数值模拟
被引量：
1
1
作者
于永澔
王浪平
+5 位作者
王小峰
汤宝寅
甘孔银
刘洪喜
王宇航
王松雁
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第12期1598-1602,共5页
利用轴对称PIC模型对轴承滚珠等离子体浸没离子注入(PIII)过程进行了数值模拟,对归一化电势的扩展情况进行了研究。在滚珠批量处理过程中,为了避免相邻滚珠周围鞘层的相互重叠对注入均匀性造成不良影响,对滚珠在靶台上摆放的最小距离...
利用轴对称PIC模型对轴承滚珠等离子体浸没离子注入(PIII)过程进行了数值模拟,对归一化电势的扩展情况进行了研究。在滚珠批量处理过程中,为了避免相邻滚珠周围鞘层的相互重叠对注入均匀性造成不良影响,对滚珠在靶台上摆放的最小距离进行了数值计算,计算结果表明:在电压为-40kV,氮等离子体密度为4.8×109cm-3,脉冲宽度为10μs时,滚珠摆放的最小距离应大于34.18cm。分析了滚珠圆周方向注入剂量的分布情况,针对静止滚珠改性处理后剂量分布很不均匀的问题,通过旋转靶台使滚珠注入均匀性明显得到改善。利用朗谬尔探针测量了滚珠周围鞘层扩展的情况测量,模拟结果和实验测量结果相吻合,最大相对误差小于8.4%。
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关键词
等离子体浸没离子注入
鞘层动力学数值模拟
注入剂量均匀性
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职称材料
题名
轴承滚珠等离子体浸没离子注入过程的数值模拟
被引量：
1
1
作者
于永澔
王浪平
王小峰
汤宝寅
甘孔银
刘洪喜
王宇航
王松雁
机构
哈尔滨工业大学材料学院现代焊接生产技术国家重点实验室
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第12期1598-1602,共5页
基金
国防科技基础研究基金资助课题
文摘
利用轴对称PIC模型对轴承滚珠等离子体浸没离子注入(PIII)过程进行了数值模拟,对归一化电势的扩展情况进行了研究。在滚珠批量处理过程中,为了避免相邻滚珠周围鞘层的相互重叠对注入均匀性造成不良影响,对滚珠在靶台上摆放的最小距离进行了数值计算,计算结果表明:在电压为-40kV,氮等离子体密度为4.8×109cm-3,脉冲宽度为10μs时,滚珠摆放的最小距离应大于34.18cm。分析了滚珠圆周方向注入剂量的分布情况,针对静止滚珠改性处理后剂量分布很不均匀的问题,通过旋转靶台使滚珠注入均匀性明显得到改善。利用朗谬尔探针测量了滚珠周围鞘层扩展的情况测量,模拟结果和实验测量结果相吻合,最大相对误差小于8.4%。
关键词
等离子体浸没离子注入
鞘层动力学数值模拟
注入剂量均匀性
Keywords
Ball bearings
Boundary conditions
Computer simulation
Equations of motion
Finite difference method
Poisson equation
分类号
TG172.44 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
轴承滚珠等离子体浸没离子注入过程的数值模拟
于永澔
王浪平
王小峰
汤宝寅
甘孔银
刘洪喜
王宇航
王松雁
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
1
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职称材料
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