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一种基于0.18 um工艺的高增益CMOS运算放大器
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作者 戴雨涵 施清炀 +1 位作者 王婷 刘锡锋 《工业技术与职业教育》 2024年第6期11-14,66,共5页
高增益CMOS运算放大器在集成电路设计中扮演着重要角色。CMOS运算放大器具有高增益特性,能够放大微弱的信号,并在电路中提供稳定的放大功能。提出了一种新型高增益CMOS运算放大器的设计方案,由4个三端NMOS管和4个三端PMOS管共同构成,通... 高增益CMOS运算放大器在集成电路设计中扮演着重要角色。CMOS运算放大器具有高增益特性,能够放大微弱的信号,并在电路中提供稳定的放大功能。提出了一种新型高增益CMOS运算放大器的设计方案,由4个三端NMOS管和4个三端PMOS管共同构成,通过优化电路结构和参数配置,结合了负反馈和级联放大器的优势,实现了较高的增益和性能指标。该运算放大器采用0.18 um CMOS工艺设计,仿真结果表明,在电压为1.8 V,负载电容为60 pF的环境下,该运算放大器的开环直流增益为81dB,增益带宽为110 M H z,相位裕度为72.9°,电源抑制比110 dB,电源总功耗仅为55 uW。大大提升了运放的增益,降低了电路的功耗并节省了面积。 展开更多
关键词 高增益cmos运算放大器 集成电路设计 增益放大
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低压低功耗大带宽高增益CMOS运算放大器设计研究
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作者 张明文 王亚东 +1 位作者 吴宇鹏 彭加添 《科技资讯》 2025年第3期111-113,共3页
大学生创新创业训练计划项目深入研究分析了传统两级互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)运算放大电路,并提出了一种基于共源共栅间接补偿结构的CMOS高性能运算放大器。该放大器能够克服因传统密勒补... 大学生创新创业训练计划项目深入研究分析了传统两级互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)运算放大电路,并提出了一种基于共源共栅间接补偿结构的CMOS高性能运算放大器。该放大器能够克服因传统密勒补偿电容过大而导致带宽过低的难题。项目计划采用中芯国际180 nm 1.8 V CMOS工艺和华大九天的电子设计自动化(Electronic Design Automation,EDA)软件进行设计。最终结果显示:在TT工艺角和25℃情况下功耗1.64 mW,单位增益带宽为377.71 MHz,相位裕度为82.87°,开环增益82.35 dB,等效输入噪声172.02 nV/√Hz@1kHz。 展开更多
关键词 共源共栅间接补偿 密勒补偿 运算放大器 增益 大带宽
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一种高性能CMOS二级运算放大器的设计
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作者 邓鸿添 蔡佳奎 +1 位作者 徐铫峰 金豫浙 《中国集成电路》 2024年第7期50-56,共7页
基于0.18μm标准CMOS工艺设计了一款高性能的二级运算放大器,输入级采用pmos差分对输入的折叠式共源共栅结构,输出级采用共源级结构,两者级联实现双端输入单端输出;整个电路由带隙基准源提供稳定的偏置。在1.8V工作电压和0.9V共模电压... 基于0.18μm标准CMOS工艺设计了一款高性能的二级运算放大器,输入级采用pmos差分对输入的折叠式共源共栅结构,输出级采用共源级结构,两者级联实现双端输入单端输出;整个电路由带隙基准源提供稳定的偏置。在1.8V工作电压和0.9V共模电压下进行仿真,该运放静态功耗为1.37mW,开环直流增益为117.36dB,相位裕度为77.73°,单位增益带宽100.4MHz(负载电容2pF),压摆率为51.24V/μs,共模抑制比为109.41dB,负电源抑制比为123.58dB,版图面积为180μm×253.5μm。仿真结果表明本文设计的电路结构稳定,性能优越。 展开更多
关键词 折叠式共源共栅 带隙基准 增益 运算放大器
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一种高增益低功耗CMOS运算跨导放大器的设计 被引量:2
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作者 刘睿强 景新幸 张祥祯 《电子设计应用》 2007年第2期57-59,10,共3页
本文采用套筒式级联增益自举电路,设计了一种用于高速、高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器,达到了高增益、低功耗的设计目标。在3.3V电源电压下,基于TSMC0.35μm CMOS工艺模型,本设计驱动1pF负载时,相位裕度为65°,单位增益带宽为3... 本文采用套筒式级联增益自举电路,设计了一种用于高速、高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器,达到了高增益、低功耗的设计目标。在3.3V电源电压下,基于TSMC0.35μm CMOS工艺模型,本设计驱动1pF负载时,相位裕度为65°,单位增益带宽为320MHz,功耗5.7mW,压摆率为200V/μs。 展开更多
关键词 cmos运算放大器 套筒式共源共栅电路 增益 模型参数提取
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一种高增益CMOS全差分运算放大器的设计 被引量:2
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作者 李杨先 顾晓峰 浦寿杰 《微计算机信息》 2009年第29期207-209,共3页
设计了一种用在高精度音频Σ-ΔA/D转换器中的高增益CMOS全差分运算放大器。该运算放大器采用了套筒式共源共栅结构和开关电容共模反馈电路。通过分析和优化电路性能参数,实现了高增益和低功耗。采用SMIC0.35μmCMOS工艺,经Spectre仿真... 设计了一种用在高精度音频Σ-ΔA/D转换器中的高增益CMOS全差分运算放大器。该运算放大器采用了套筒式共源共栅结构和开关电容共模反馈电路。通过分析和优化电路性能参数,实现了高增益和低功耗。采用SMIC0.35μmCMOS工艺,经Spectre仿真验证,电路在3.3V电源电压和2.6pF负载电容条件下,单位增益带宽为110MHz,开环直流电压增益达76dB,功耗为1.4mW。 展开更多
关键词 运算放大器 套筒式共源共栅 增益 A/D转换器
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一种增益提升高速CMOS运算跨导放大器的设计 被引量:1
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作者 刘睿强 景新幸 张祥祯 《中国集成电路》 2007年第4期39-42,共4页
设计了用于高速高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器,采用套筒式级联增益自举电路,达到高增益带宽且低功耗。在3.3V电源电压下,用TSMC0.35μmCMOS工艺模型,通过Cadence软件Spectre仿真平台,驱动1PF负载时,相位裕度为65度,单位增益带宽为3... 设计了用于高速高分辨率ADC的CMOS全差分运算放大器,采用套筒式级联增益自举电路,达到高增益带宽且低功耗。在3.3V电源电压下,用TSMC0.35μmCMOS工艺模型,通过Cadence软件Spectre仿真平台,驱动1PF负载时,相位裕度为65度,单位增益带宽为316MHz,功耗5.7mW,压摆率200V/μs。 展开更多
关键词 cmos套筒式共源共栅运算放大器 增益提升 共模反馈 模型参数提取
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带共模反馈的CMOS套筒式高增益运算放大器 被引量:5
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作者 刘婷婷 喻明艳 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期783-785,共3页
提出了一种单电源5V供电的带共模反馈的两级套筒式运算放大器结构.该套筒式运算放大器的输入共模反馈结构使输出共模电平维持在2.5 V左右,增益可达到110dB以上,相位裕度为50°,单位增益带宽为60.83 MHz.
关键词 共模反馈 增益 套筒式运算放大器 cmos工艺
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带共模反馈的CMOS折叠式高增益运算放大器 被引量:1
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作者 刘婷婷 喻明艳 《应用科技》 CAS 2005年第12期16-18,共3页
提出了一种单电源5V供电的带共模反馈的两级折叠式运算放大器结构.折叠式运算放大器的输入共模反馈结构使输出共模电平维持在2.5 V左右,增益可达到90 dB以上,相位裕度为45°,同时增益带宽为33 MHz.
关键词 共模反馈 增益 折叠式运算放大器 cmos工艺
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0.18μm数字CMOS工艺下的高增益运算放大器设计 被引量:1
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作者 王晗 叶青 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第z1期318-321,共4页
基于SMIC 0.18μm数字CMOS工艺,设计了一种基于增益增强技术的折叠式共源共栅运算放大器,并采用衬底校准技术增大了运放的输入摆幅,可用于13位30MHz采样频率的流水线模数转换器,分析了受流水线性能限制的运放性能.仿真结果表明运放在1V... 基于SMIC 0.18μm数字CMOS工艺,设计了一种基于增益增强技术的折叠式共源共栅运算放大器,并采用衬底校准技术增大了运放的输入摆幅,可用于13位30MHz采样频率的流水线模数转换器,分析了受流水线性能限制的运放性能.仿真结果表明运放在1V的输入摆幅下开环增益大于100dB,8.5pF负载电容下单位增益带宽为322MHz,功耗仅为1.9mW. 展开更多
关键词 cmos 运算放大器 折叠式共源共栅 增益增强 衬底校准 流水线模数转换器
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一种采用增益增强方法的CMOS全差分运算放大器 被引量:11
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作者 陈朝阳 胡小波 付生猛 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期81-84,共4页
设计了一种全差分、增益增强CMOS运算放大器。该放大器由三个折叠式共源共栅运算 放大器组成,可用于12位40 MHz采样频率的流水线A/D转换器。详细分析了折叠式共源共栅运 算放大器中由增加增益增强电路产生的零极点对。该放大器在0.35μ... 设计了一种全差分、增益增强CMOS运算放大器。该放大器由三个折叠式共源共栅运算 放大器组成,可用于12位40 MHz采样频率的流水线A/D转换器。详细分析了折叠式共源共栅运 算放大器中由增加增益增强电路产生的零极点对。该放大器在0.35μm CMOS工艺中开环增益为 112 dB,单位增益带宽为494 MHz。 展开更多
关键词 cmos 运算放大器 折叠式共源共栅 增益增强 零极点对 共模反馈
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高增益0.6μm CMOS运算放大器 被引量:1
11
作者 王琼 《电气电子教学学报》 2006年第6期27-30,共4页
本文介绍了采用CSMC0.6μm CMOS工艺设计的两级放大结构的高增益运算放大器电路。用Hspice软件对电路进行了仿真,绘制了版图并给出了测试方案。仿真结果表明,在-40℃~120℃的温度范围内,电路能够将输入信号放大5000倍以上。电路采... 本文介绍了采用CSMC0.6μm CMOS工艺设计的两级放大结构的高增益运算放大器电路。用Hspice软件对电路进行了仿真,绘制了版图并给出了测试方案。仿真结果表明,在-40℃~120℃的温度范围内,电路能够将输入信号放大5000倍以上。电路采用+5V或者3.3V单电源供电,芯片面积为1070μm×640μm。测试结果表明,该运算放大器工作电流小于2mA。增益72dB。 展开更多
关键词 运算放大器 cmos 增益
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一种带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
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作者 宋奇伟 陆安江 张正平 《电子设计工程》 2012年第10期1-4,共4页
设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC的运... 设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC的运放。设计基于SMIC 0.25μm CMOS工艺,在Cadence环境下对电路进行Spectre仿真。仿真结果表明,在2.5 V单电源电压下驱动2 pF负载时,运放的直流增益可达到124 dB,单位增益带宽720 MHz,转换速率高达885 V/μs,达到0.1%的稳定精度的建立时间只需4 ns,共模抑制比153 dB。 展开更多
关键词 运算放大器 折叠式共源共栅 速度 增益 三支路电流基准
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低压恒跨导增益提高CMOS运算放大器的设计 被引量:2
13
作者 周欢欢 陈岚 +1 位作者 尹明会 吕志强 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期651-655,共5页
设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器。输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定。中间级为增益提高级,通过反馈增大输出阻抗提高增益... 设计和研究了一种低压恒跨导增益提高互补金属氧化物半导体(CMOS)运算放大器。输入级采用互补差分对结构,使共模输入电压范围达到轨到轨,通过3倍电流镜控制尾电流使输入级总跨导恒定。中间级为增益提高级,通过反馈增大输出阻抗提高增益。输出级采用AB类结构,通过米勒补偿控制零点使系统稳定,此运放可用于低压低功耗电子设备中。整个电路用CSMC 0.5μm BCDMOS工艺参数进行设计,工作电压为2.7 V。Spectre仿真结果显示,此运放实现了直流开环增益90 dB(负载电阻R L=600Ω),相位裕度70°,增益带宽积1.4 MHz,静态电流0.18 mA。设计的运算放大器满足设计指标。 展开更多
关键词 互补金属氧化物半导体(cmos运算放大器 AB类 低压 增益 恒跨导
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一款低电压高精度CMOS运算放大器设计 被引量:3
14
作者 徐静萍 《西安邮电学院学报》 2008年第1期72-74,共3页
设计了一种采用0.6um CMOS工艺的低电压高精度的运算放大器电路。在设计中输入级采用两对跨导器件rail-to-rail的电路结构,从而实现输入级的跨导在整个共模输入范围内保持恒定。输出级采用AB类rail-to-rail推挽结构,达到高驱动能力和低... 设计了一种采用0.6um CMOS工艺的低电压高精度的运算放大器电路。在设计中输入级采用两对跨导器件rail-to-rail的电路结构,从而实现输入级的跨导在整个共模输入范围内保持恒定。输出级采用AB类rail-to-rail推挽结构,达到高驱动能力和低谐波失真的目的。此运放可提供1.5V电压降,采用适当的输出负载,闭环电压增益,单位增益带宽和相位裕度分别达到了80dB,832kHz和64°。 展开更多
关键词 cmos 低电压精度 运算放大器 Rail—to—Rail
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IrDA中高增益CMOS共栅前置放大器
15
作者 陈伟平 张亮 刘晓为 《微处理机》 2009年第3期20-22,26,共4页
提出了一种应用于IrDA的高增益CMOS共栅前置放大器。与传统的共源共栅结构不同,该电路采用宽摆幅共源共栅作负载以获得高增益。从理论上对电路的可行性进行了分析,采用CSMC 0.6μm CMOS工艺的仿真结果表明该电路具有110.3dBΩ的增益,105... 提出了一种应用于IrDA的高增益CMOS共栅前置放大器。与传统的共源共栅结构不同,该电路采用宽摆幅共源共栅作负载以获得高增益。从理论上对电路的可行性进行了分析,采用CSMC 0.6μm CMOS工艺的仿真结果表明该电路具有110.3dBΩ的增益,105kHz的带宽,电路功耗仅为200μW。 展开更多
关键词 IrDA红外通讯 互补金属氧化物半导体cmos 共栅 前置放大器 增益
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一种恒跨导高增益轨到轨运算放大器 被引量:8
16
作者 唐俊龙 黄思齐 +5 位作者 罗磊 涂士琦 肖仕勋 龚磊 刘远治 谢海情 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第4期458-462,共5页
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种新颖的恒跨导高增益轨到轨运算放大器。输入级仅由NMOS管差分对构成,采用电平移位及两路复用选择器控制技术,在轨到轨共模输入范围内实现了输入级恒跨导。中间级采用折叠式共源共栅放大器结构,运... 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种新颖的恒跨导高增益轨到轨运算放大器。输入级仅由NMOS管差分对构成,采用电平移位及两路复用选择器控制技术,在轨到轨共模输入范围内实现了输入级恒跨导。中间级采用折叠式共源共栅放大器结构,运算放大器能获得高增益。输出级采用前馈型AB类推挽放大器,实现轨到轨全摆幅输出。利用密勒补偿技术进行频率补偿,运算放大器工作稳定。仿真结果表明,在1.8V电源电压下,该运算放大器的直流开环增益为129.3dB,单位增益带宽为7.22MHz,相位裕度为60.1°,整个轨到轨共模输入范围内跨导的变化率为1.44%。 展开更多
关键词 恒跨导 增益 轨到轨 运算放大器
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一种低噪声高增益CMOS跨阻放大器 被引量:1
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作者 高瑜宏 朱平 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期310-315,共6页
提出了一种低噪声高增益CMOS跨阻放大器(TIA),用于检测SEM成像产生的微弱信号。该TIA采用列线图解法进行设计,采用0.18μm CMOS工艺进行制作。该TIA集成了一个具有10pF结电容的光电二极管。该TIA的跨阻增益达107.3dB,带宽为12.5MHz,输... 提出了一种低噪声高增益CMOS跨阻放大器(TIA),用于检测SEM成像产生的微弱信号。该TIA采用列线图解法进行设计,采用0.18μm CMOS工艺进行制作。该TIA集成了一个具有10pF结电容的光电二极管。该TIA的跨阻增益达107.3dB,带宽为12.5MHz,输入参考噪声为3.54×10-12 A·Hz-1/2,信噪比为8。 展开更多
关键词 cmos跨阻放大器 低噪声 增益 列线图法
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一种新型CMOS电流反馈运算放大器的分析与设计 被引量:1
18
作者 杜广涛 程涛 +1 位作者 王胜强 陈向东 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期284-288,共5页
通过加入对电源电压不灵敏的基准源产生偏置电流,采用MOS管产生的电阻和MOS管电容串联的补偿结构,消除补偿电容带来的零点;并在输出端采用电阻反馈,降低了输出电阻,增强了带负载能力。在1.5 V电压下,偏置约为1μA。基于BSM3 0.5μm CMO... 通过加入对电源电压不灵敏的基准源产生偏置电流,采用MOS管产生的电阻和MOS管电容串联的补偿结构,消除补偿电容带来的零点;并在输出端采用电阻反馈,降低了输出电阻,增强了带负载能力。在1.5 V电压下,偏置约为1μA。基于BSM3 0.5μm CMOS工艺,对电路进行了PSPICE仿真。负载为20 pF时,该电路获得了87 dB的开环增益,353 MHz的单位增益带宽,61°的相位裕度和132 dB的共模抑制比,功耗为1.24 mW。 展开更多
关键词 电流反馈运算放大器 单位增益带宽 cmos 电流基准源
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全差分结构低功耗CMOS运算放大器设计 被引量:3
19
作者 肖莹慧 《沈阳工业大学学报》 EI CAS 北大核心 2017年第6期670-674,共5页
为了减小低电源电压以及短沟道效应对放大器的影响,获得低电压高增益的放大器,提出了一种基于65 nm CMOS工艺技术的全差分运算跨导放大器(OTA).采用基于增益增强技术的折叠共源共栅拓扑结构,使放大器具有轨到轨输入及大输出摆幅特性,同... 为了减小低电源电压以及短沟道效应对放大器的影响,获得低电压高增益的放大器,提出了一种基于65 nm CMOS工艺技术的全差分运算跨导放大器(OTA).采用基于增益增强技术的折叠共源共栅拓扑结构,使放大器具有轨到轨输入及大输出摆幅特性,同时兼备高速、高增益及低功耗优点.电路仿真结果表明,其直流增益为82 d B,增益带宽为477 MHz,相位裕度为59°.正常工艺角下稳定时间为10 ns,稳定精度为0.05%,而功耗仅为4.8 m W. 展开更多
关键词 cmos集成电路 增益增强 运算跨导放大器 增益 低功耗 折叠共源共栅结构 增益带宽
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一种高增益高驱动能力的运算放大器 被引量:1
20
作者 周泽坤 汪尧 邵红 《中国集成电路》 2018年第1期45-49,共5页
运算放大器作为模拟集成电路和数模混合集成电路中的核心模块之一,其性能决定着整个电子系统的品质。本文提出了一种新颖的高增益高驱动能力运算放大器结构,其第一级采用共源共栅结构提高增益,第二级采用提出的跨导增强型推挽输出级,在... 运算放大器作为模拟集成电路和数模混合集成电路中的核心模块之一,其性能决定着整个电子系统的品质。本文提出了一种新颖的高增益高驱动能力运算放大器结构,其第一级采用共源共栅结构提高增益,第二级采用提出的跨导增强型推挽输出级,在保留高增益的同时,实现高驱动的性能。此外,基于本文提出的跨导增强型推挽输出级结构,可进一步分裂密勒补偿结构产生的极点,从而在使用较小密勒电容的情况下提升运算放大器稳定性。基于0.35μm BCD工艺对提出的运算放大器进行验证,结果表明在静态电流为84uA时,该放大器在3V^5V的供电电压下,低频增益为95dB,-3dB带宽在100Hz,单位增益带宽在14.4MHz附近,输出抽灌电流可分别达到15.6mA和2.4mA。 展开更多
关键词 增益 驱动能力 运算放大器 密勒补偿
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