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变论域自适应模糊控制器的CMOS模拟电路芯片实现 被引量:5
1
作者 单伟伟 靳东明 梁艳 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期913-917,共5页
为解决传统的自适应模糊控制器算法过于复杂难以用模拟电路实现的问题,本文研究了输入输出论域可随输入变量的变化而自适应变化的在线自适应模糊控制器及其在非线性系统控制中的应用,并制作了CMOS模拟电路芯片.提出了一种新的尖三角形... 为解决传统的自适应模糊控制器算法过于复杂难以用模拟电路实现的问题,本文研究了输入输出论域可随输入变量的变化而自适应变化的在线自适应模糊控制器及其在非线性系统控制中的应用,并制作了CMOS模拟电路芯片.提出了一种新的尖三角形隶属度函数实现输入变论域的功能,输出变论域部分采用对输入变量进行加权积分并求其绝对值的方法.控制器的其他部分为求小电路和重心法去模糊电路.以上各电路均为CMOS模拟电路,它们和集成的整体电路均在无锡上华(CSMC)0.6μm工艺下流片,测试结果表明该芯片完成了变论域模糊控制器的功能. 展开更多
关键词 cmos模拟电路 模糊控制器 自适应控制 隶属度函数
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基于CMOS模拟电路的径向基函数神经网络 被引量:6
2
作者 梁艳 靳东明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期387-392,共6页
提出了可构成径向基函数(RBF)神经网络的CMOS模拟单元电路,包括绝对值电路、电流求均方根电路和类高斯函数电路.基于这些电路设计了一个二输入/一输出,含有两个隐层神经元的径向基函数神经网络,并通过异或问题进行了验证.所有单元均采用... 提出了可构成径向基函数(RBF)神经网络的CMOS模拟单元电路,包括绝对值电路、电流求均方根电路和类高斯函数电路.基于这些电路设计了一个二输入/一输出,含有两个隐层神经元的径向基函数神经网络,并通过异或问题进行了验证.所有单元均采用HJTC0.18μmCMOS数模混合工艺制造,芯片面积为200μm×150μm,功耗约为100μW.芯片测试结果表明:提出的单元电路结构简单,功耗低,便于扩展和调节,因而为硬件实现径向基函数神经网络的片上学习提供了可能. 展开更多
关键词 径向基函数神经网络 硬件实现 cmos模拟电路 类高斯函数
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基于CMOS模拟电路的高速模糊神经网络设计 被引量:1
3
作者 王为之 靳东明 张洵 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期946-949,共4页
本文提出了可构成多规则模糊神经网络的CMOS模拟单元电路,包括:类Gauss型隶属度函数电路,电压求小电路和重心算法去模糊电路.基于这些电路设计了一个两输入/一输出、25条规则的控制系统,并通过非线性函数逼近进行了验证.所有单元均采用S... 本文提出了可构成多规则模糊神经网络的CMOS模拟单元电路,包括:类Gauss型隶属度函数电路,电压求小电路和重心算法去模糊电路.基于这些电路设计了一个两输入/一输出、25条规则的控制系统,并通过非线性函数逼近进行了验证.所有单元均采用SMIC 0.18-μm CMOS数模混合工艺制造,芯片测试结果表明:提出的单元电路结构简单,输出电压偏差小,便于扩展和调节;因而适于实现多规则,自适应调节的高速高精度控制系统. 展开更多
关键词 模糊神经网络 cmos模拟电路 重心算法
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1V电源的CMOS能隙电压基准源 被引量:8
4
作者 盛敬刚 陈志良 石秉学 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期826-829,共4页
采用SMIC0.35μmCMOS工艺实现了一种可以工作在1V电源电压下的CMOS能隙基准源.测试表明,该电路可以工作在1~2.5V电源电压下,输出的基准电压可以稳定在约0.446V.在从室温到100℃的范围内,温度系数不超过3.6×10-5/K.
关键词 低压 能隙基准源 cmos模拟电路
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1V电源的CMOS开关电容滤波器 被引量:1
5
作者 盛敬刚 陈志良 石秉学 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2005年第1期28-30,共3页
本文设计实现了一种低压的开关电容滤波器,该电路采用上华0.8微米标准CMOS工艺实现。本电路是基于一种新的时钟倍增电路实现的一个双二阶带通滤波器,测试结果表明该带通滤波器可以在1V电源电压下正常工作,测试结果与仿真一致。
关键词 低压 cmos模拟电路 开关容滤波器
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基于自适应遗传算法的模拟电路的优化设计方法 被引量:3
6
作者 于健海 毛志刚 陈伟平 《哈尔滨工程大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期103-108,共6页
针对在模拟电路设计中参数调整复杂性带来的困难,提出了一种新的针对CMOS模拟运算放大器参数优化方法.其特点是把模拟电路设计知识与遗传算法相结合,通过对遗传算法的自适应改进帮助其解决多目标优化和收敛的问题,并根据不同的性能指标... 针对在模拟电路设计中参数调整复杂性带来的困难,提出了一种新的针对CMOS模拟运算放大器参数优化方法.其特点是把模拟电路设计知识与遗传算法相结合,通过对遗传算法的自适应改进帮助其解决多目标优化和收敛的问题,并根据不同的性能指标要求,在相同结构下优化出不同用途的运算放大器.实验结果证明,该方法在相同结构下与其他优化方法相比较可以精确而有效地优化出高增益、高带宽、低噪声的运算放大器.该方法适用于模拟电路优化设计:由于其基于Hspice仿真结果,更贴近于实际电路设计,具有实用价值. 展开更多
关键词 遗传算法 cmos模拟电路 运算放大器 优化 适应度函数
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CMOS带隙基准电压源的设计 被引量:1
7
作者 闫新强 张玉明 林智 《电子元器件应用》 2007年第8期54-56,59,共4页
给出了一种基于0.35μm标准CMOS工艺设计的新型高性能带隙基准电压源的设计方法,该方法采用高增益两极运算放大器结构来降低失调电压。文中给出了采用Cadence软件进行电路设计、电路仿真以及版图设计、版图仿真的具体做法。
关键词 cmos模拟电路 带隙基准压源 压稳定性 温度特性
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一种中心值精确可调的高性能带隙基准电压源 被引量:3
8
作者 陈琛 何乐年 严晓浪 《电路与系统学报》 CSCD 北大核心 2009年第2期95-98,共4页
不同的集成电路制造工艺,对平衡温度时的带隙基准电压值有影响。为此,本文提出了通过改变带隙基准电压输出级电路结构的方法,实现了在基准电路内部可精确调整基准电压中心值,以满足在不同工艺条件下电路系统对基准电压中心值的精度要求... 不同的集成电路制造工艺,对平衡温度时的带隙基准电压值有影响。为此,本文提出了通过改变带隙基准电压输出级电路结构的方法,实现了在基准电路内部可精确调整基准电压中心值,以满足在不同工艺条件下电路系统对基准电压中心值的精度要求。本芯片根据CSMC公司0.5μm CMOS混合信号工艺模型设计并进行流片。测试结果表明,本文提出的方法能调整基准电压中心值。利用这种方法,可以实现带隙基准电压中心值宽范围的可调,使基准电压的输出完全符合系统所需。 展开更多
关键词 cmos模拟电路 带隙基准压源 中心值可调
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基于0.13μm工艺的低于1V带隙基准电压源设计
9
作者 施敏 郭迎冬 +1 位作者 王强 徐晨 《南通大学学报(自然科学版)》 CAS 2008年第1期37-41,共5页
采用GSMC0.13μmCMOS工艺设计了一种适合于SOC的低压高精度带隙基准电压源.仿真结果表明,该电路可以在0.9~1.5V电源电压下工作,输出的基准电压可以稳定在约0.708V,温度在0~60℃之间时,温度系数不超过44ppm/K,电源抑制比为66dB,最大功... 采用GSMC0.13μmCMOS工艺设计了一种适合于SOC的低压高精度带隙基准电压源.仿真结果表明,该电路可以在0.9~1.5V电源电压下工作,输出的基准电压可以稳定在约0.708V,温度在0~60℃之间时,温度系数不超过44ppm/K,电源抑制比为66dB,最大功耗小于0.5μW.基于GSMC0.13μm1P8M CMOS工艺几何设计规则实现了其版图,版图面积约为0.2mm×0.15mm. 展开更多
关键词 带隙基准压源 基准 cmos模拟电路 版图设计
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一种基于CMOS的电流模式线性分类器 被引量:4
10
作者 贺静 李志军 +1 位作者 吴明权 吴湘锋 《云南大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期32-39,共8页
提出了一种对线性不可分数据集进行分类的电流模式线性分类器.该分类器电路结构简单,仅由梯形激活函数电路和线性加权电路组成,其中线性加权电路采用全平衡差分跨导电路实现,梯形激活函数电路主要由阈值电路组成.为了实现对线性不可分... 提出了一种对线性不可分数据集进行分类的电流模式线性分类器.该分类器电路结构简单,仅由梯形激活函数电路和线性加权电路组成,其中线性加权电路采用全平衡差分跨导电路实现,梯形激活函数电路主要由阈值电路组成.为了实现对线性不可分数据集的分类,通过MATLAB软件采用Fisher线性判别法计算得到权重系数,并运用PSPICE对所提出的电路进行仿真分析.结果表明:提出的电路结构简单、准确度高、功耗低,可以广泛地应用于模式识别、神经网络、人工智能等领域. 展开更多
关键词 线性分类器 cmos模拟电路 全平衡差分跨导 流模式
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精英导向型差分变异多目标烟花算法及其在模拟集成电路设计中的应用 被引量:3
11
作者 陈思溢 胡拚 黄辉先 《控制与决策》 EI CSCD 北大核心 2020年第1期55-64,共10页
在应用微型化技术进行大规模模拟集成电路设计过程中,存在多个性能指标相互冲突的问题,因此,提出一种精英导向型多目标差分变异烟花算法(GMOFWA-DV),利用粒子进化信息引导爆炸,提高算法搜索效率,同时采用差分算法中变异、交叉综合变异方... 在应用微型化技术进行大规模模拟集成电路设计过程中,存在多个性能指标相互冲突的问题,因此,提出一种精英导向型多目标差分变异烟花算法(GMOFWA-DV),利用粒子进化信息引导爆炸,提高算法搜索效率,同时采用差分算法中变异、交叉综合变异方式,增强粒子间信息交流以及导向策略的适用性.将该方法与其他3种算法进行仿真实验比较,实验结果验证了所提出算法的有效性.将该方法应用于CMOS模拟集成电路设计参数优化的实际工程应用中,可以降低模拟集成电路设计的开发周期. 展开更多
关键词 cmos模拟电路 优化设计 精英导向 差分 多目标 烟花算法
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组合径向基函数神经网络的硬件实现 被引量:2
12
作者 梁艳 靳东明 《清华大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1692-1695,共4页
为了提高径向基函数(RBF)神经网络的泛化能力,提出了一种组合径向基函数神经网络,并通过对英文字母的识别进行了仿真验证。基于CMOS电路设计了该组合径向基函数神经网络,所有单元电路均采用HJTC 0.18μm CMOS数模混合工艺设计制造。通过... 为了提高径向基函数(RBF)神经网络的泛化能力,提出了一种组合径向基函数神经网络,并通过对英文字母的识别进行了仿真验证。基于CMOS电路设计了该组合径向基函数神经网络,所有单元电路均采用HJTC 0.18μm CMOS数模混合工艺设计制造。通过PCB板实现了一个2×3的组合RBF神经网络,并对"一"和"1"的识别问题进行了验证。实验结果表明:该组合RBF神经网络电路结构简单,便于扩展和调节,提高了整个网络的泛化能力,为硬件实现更为复杂的组合径向基函数神经网络提供了可能。 展开更多
关键词 cmos模拟电路 组合径向基函数神经网络 字母 识别 硬件实现
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