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多通道NAND Flash存储芯片控制器的设计与实现 被引量:6
1
作者 陶莉 陈万培 《无线电工程》 2018年第9期810-815,共6页
为了进一步提高数据存储容量和速度,在现有的NAND Flash存储芯片控制器研究基础上,提出使用单个NAND Flash存储芯片控制器并行地处理多片NAND Flash存储芯片的设计架构,克服了以往多通道设计中采用多个控制器之间复杂的同步性问题。采... 为了进一步提高数据存储容量和速度,在现有的NAND Flash存储芯片控制器研究基础上,提出使用单个NAND Flash存储芯片控制器并行地处理多片NAND Flash存储芯片的设计架构,克服了以往多通道设计中采用多个控制器之间复杂的同步性问题。采用流水线技术和乒乓操作,有效地提高数据访问速度。基于FPGA的板级测试结果表明控制器的功能正确,并且在系统时钟频率50 MHz下,读速度为626 MB/s,写速度为50.8 MB/s,性能优良。 展开更多
关键词 NAND flash存储芯片控制器 并行处理 流水线技术 乒乓操作
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Flash存储芯片在轴向变量柱塞泵控制器中的应用 被引量:1
2
作者 吴怀超 周勇 杨文杰 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2010年第4期70-72,共3页
基于MSP430单片机和Flash存储芯片,对轴向变量柱塞泵控制器的存储模块进行了开发,包括硬件电路的设计和软件的开发,其中,在软件开发过程中,从3个层次对软件的开发思想进行了分析。联合调试结果表明:对轴向变量柱塞泵控制器存储模块的开... 基于MSP430单片机和Flash存储芯片,对轴向变量柱塞泵控制器的存储模块进行了开发,包括硬件电路的设计和软件的开发,其中,在软件开发过程中,从3个层次对软件的开发思想进行了分析。联合调试结果表明:对轴向变量柱塞泵控制器存储模块的开发达到了预期的功能要求,而且,数据的存储与读取方便且快速。 展开更多
关键词 flash存储芯片 轴向变量柱塞泵 控制器 MSP430单片机
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新型智能存储SoC中NAND Flash控制器的软/硬件设计 被引量:5
3
作者 韩睦华 支军 +1 位作者 刘雷波 魏少军 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期185-189,共5页
介绍了新一代智能存储片上系统SSC,详细讨论了SSC中NAND Flash子系统的软/硬件设计;采用基于模板的划分方法,实现NAND读写控制器的软/硬件划分。SSC已生产并通过工业测试。结果表明,采用软/硬件划分的方法,NAND控制器的面积比纯硬件的... 介绍了新一代智能存储片上系统SSC,详细讨论了SSC中NAND Flash子系统的软/硬件设计;采用基于模板的划分方法,实现NAND读写控制器的软/硬件划分。SSC已生产并通过工业测试。结果表明,采用软/硬件划分的方法,NAND控制器的面积比纯硬件的实现方法减小58%,性能仅下降16%;比单纯ARM软件实现,速度平均提高20倍,同时具有软件的高灵活性。 展开更多
关键词 智能存储 片上系统 NAND flash控制器 软/硬件协同设计
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NAND Flash存储控制器的软硬件划分设计 被引量:7
4
作者 沈浩 付宇卓 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2004年第24期168-170,185,共4页
介绍了现代数码产品中NANDFlashMemory控制器的基本控制和4种软硬件划分不同的控制器设计。作者用VerilogHDL语言分别实现了这4种不同的控制器的,并进行了硬件面积、DSP占用率和接口灵活性的量化比较,指出了各种方案适用的范围。通过对... 介绍了现代数码产品中NANDFlashMemory控制器的基本控制和4种软硬件划分不同的控制器设计。作者用VerilogHDL语言分别实现了这4种不同的控制器的,并进行了硬件面积、DSP占用率和接口灵活性的量化比较,指出了各种方案适用的范围。通过对一个SOC项目的需要分析,设定了基准函数,从而选出了合适的软硬件划分方案。 展开更多
关键词 NAND flash Memory控制器 SOC外围设备设计 软硬件划分
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基于视频行场消隐期的大容量FLASH存储控制器 被引量:5
5
作者 杨金宝 李飞 郄军伟 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期1153-1160,共8页
为克服传统大容量FLASH视频存储控制器时序设计复杂、缓存资源要求较高的缺点,设计了一种利用视频行场信号消隐期进行时序控制的FLASH视频存储控制器。该控制器基于FPGA时序设计,利用视频行场同步信号消隐期时间写入FLASH的读出和写入... 为克服传统大容量FLASH视频存储控制器时序设计复杂、缓存资源要求较高的缺点,设计了一种利用视频行场信号消隐期进行时序控制的FLASH视频存储控制器。该控制器基于FPGA时序设计,利用视频行场同步信号消隐期时间写入FLASH的读出和写入控制命令。由于无需缓存资源即可实现多级流水线的设计,提高了时序控制效率,简化了时序设计过程。基于Verilog硬件描述语言,设计了3级流水线和并行控制时序,数据达120 MB/s,实现了对2 048pixel×1 752pixel/15frames高速视频数据的实时存储与回放。仿真与实验结果均表明,系统时序设计正确,大容量FLASH阵列读写操作正常,可实现视频数据的采集、存储、回放等多种功能。 展开更多
关键词 flash存储控制器 大容量flash 现场可编程门阵列(FPGA) 消隐期
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实现流水存储及坏块处理的Flash控制器设计 被引量:3
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作者 闫梦婷 安军社 江源源 《电子设计工程》 2016年第16期50-53,共4页
实现了一种适用于航天设备的大容量存储方案。给出一个基于FPGA实现的Flash控制器设计,该控制器可以完成航天应用的大容量数据存取工作。其中存储操作中设计了流水编程机制,实现了叠装芯片内部的流水编程操作,大幅度提高系统的整体存储... 实现了一种适用于航天设备的大容量存储方案。给出一个基于FPGA实现的Flash控制器设计,该控制器可以完成航天应用的大容量数据存取工作。其中存储操作中设计了流水编程机制,实现了叠装芯片内部的流水编程操作,大幅度提高系统的整体存储速率,实现了高速存储的目的。同时,提出了一种完备的坏块处理机制,可以屏蔽对已知坏块的使用,并且在新的坏块产生时确保存取操作正常执行,使得大容量存储系统的存储数据无误差、无丢失,读出正常有序的数据。经板级验证,该方案的整体可以实现的最高存储速率可达100 Mbps,坏块处理机制可保证数据的正确性、完整性和连续性。 展开更多
关键词 大容量 固态存储 NAND flash控制器 坏块处理 流水存储 FPGA应用
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一种Flash安全存储控制器的设计与实现 被引量:2
7
作者 何卫国 黄金金 +2 位作者 李军 李雨励 饶金涛 《通信技术》 2020年第5期1300-1303,共4页
针对当前对Flash存储器中敏感数据的安全存储需求,设计实现了一种Flash安全存储控制器。通过数据加密技术和访问地址加扰技术保证存储数据的安全,并建立了一种分区访问控制机制,实现了不同等级用户的访问控制。对该存储控制器设计进行... 针对当前对Flash存储器中敏感数据的安全存储需求,设计实现了一种Flash安全存储控制器。通过数据加密技术和访问地址加扰技术保证存储数据的安全,并建立了一种分区访问控制机制,实现了不同等级用户的访问控制。对该存储控制器设计进行验证和分析,结果表明,设计的Flash安全存储控制器在保证Flash访问速率的基础上,实现了对Flash存储器的硬件级安全防护和分区访问控制,方法不仅可行,而且具有较强的实用性。 展开更多
关键词 flash控制器 安全存储 访问控制 SM4
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NAND Flash控制器硬件设计与仿真验证 被引量:6
8
作者 冉计全 郭林 +3 位作者 张三刚 马捷中 翟正军 郭阳明 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期304-309,共6页
NAND Flash存储芯片的整体性能,在很大程度上会受到NAND Flash控制器的影响。为此在对NAND Flash的存储结构和接口进行仔细分析的基础上,设计了控制器的硬件功能,确定了各个命令执行时的设备状态转换关系,并在仿真环境下,利用NAND Flas... NAND Flash存储芯片的整体性能,在很大程度上会受到NAND Flash控制器的影响。为此在对NAND Flash的存储结构和接口进行仔细分析的基础上,设计了控制器的硬件功能,确定了各个命令执行时的设备状态转换关系,并在仿真环境下,利用NAND Flash控制器进行存储介质的读写及擦除等操作,全面验证了控制器的功能。结果表明,控制器工作正常,符合设计目标。 展开更多
关键词 NAND flash 控制器 存储结构 接口
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报告称NAND Flash存储芯片潜力巨大
9
《集成电路应用》 2005年第9期6-7,共2页
根据市场调研公司Semico Research日前发布的一份报告称,在2009年快闪记忆体(Nand Flash)存储芯片全面开始下滑之前,2008年快闪记忆体(Nand Flash)存储芯片市场将达到361亿美元。
关键词 存储芯片 flash NAND RESEARCH 快闪记忆体 潜力 市场调研
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通用SPI Flash控制器的设计与验证 被引量:11
10
作者 罗莉 夏军 邓宇 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第8期22-24,27,共4页
为提高X处理器的可靠性、节省其芯片管脚及功耗,以串行外设接口(SPI)Flash作为程序加载存储器,设计一款通用的SPI Flash控制器,给出其组成结构及具体实现方法。采用基于属性描述语言(PSL)的断言检查对该控制器进行功能验证,以降低验证... 为提高X处理器的可靠性、节省其芯片管脚及功耗,以串行外设接口(SPI)Flash作为程序加载存储器,设计一款通用的SPI Flash控制器,给出其组成结构及具体实现方法。采用基于属性描述语言(PSL)的断言检查对该控制器进行功能验证,以降低验证复杂度、提高验证速度和质量。实验结果证明,其功能覆盖率达到了100%。 展开更多
关键词 串行外设接口flash flash控制器 属性描述语言 断言 功能覆盖率 覆盖率驱动的验证
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智原科技与银灿科技合作推出USB Flash Disk控制器单芯片
11
《电子与电脑》 2010年第6期88-88,共1页
智原科技(FaradayTechnology)与银灿科技(InnostorTechnology)共同宣布,推出业界首颗USB3.0UFD(USBFlashDisk)控制器单芯片方案.正式开启USB3.0在Flash的应用大门。
关键词 科技合作 芯片 控制器 flash
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高性能NAND Flash控制器在SoC平台中的设计与应用 被引量:6
12
作者 郭瑞 赵新辉 《计算机应用与软件》 CSCD 北大核心 2012年第12期116-119,共4页
NAND Flash在现代数码产品中得到了广泛的应用,在片上系统芯片中集成NAND Flash控制器已成为一种趋势。分析SoC平台中高性能NAND Flash控制器的实现方案,提出两种改进NAND Flash控制器数据读写速度的技术,在面积增加很小的情况下,有效... NAND Flash在现代数码产品中得到了广泛的应用,在片上系统芯片中集成NAND Flash控制器已成为一种趋势。分析SoC平台中高性能NAND Flash控制器的实现方案,提出两种改进NAND Flash控制器数据读写速度的技术,在面积增加很小的情况下,有效地改善了控制器的性能。该设计方法已通过了仿真测试和FGPA验证,在SMIC 0.18μm工艺库下的综合速度能够达到121MHz。 展开更多
关键词 SOC NAND flash控制器
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爱特梅尔推出首款支持千兆字节以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存储容量的ARM7闪存微控制器
13
《电子与电脑》 2006年第12期64-64,共1页
关键词 闪存微控制器 NAND闪存 SDRAM ARM7 Compact flash 存储容量 字节
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支持ONFI协议的NAND Flash控制器设计 被引量:4
14
作者 张远航 宋鹏程 +2 位作者 张亚朋 郑哲 张春 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2017年第5期26-29,共4页
完成以NAND Flash为存储芯片支持ONFI协议的固态硬盘控制器设计,并通过相关功能仿真验证.整体架构以MicroBlaze软核作为控制中心,基于AXI总线完成数据传输,控制器中指针控制器逻辑有效实现写操作中数据流乒乓结构,提高数据吞吐率,同时... 完成以NAND Flash为存储芯片支持ONFI协议的固态硬盘控制器设计,并通过相关功能仿真验证.整体架构以MicroBlaze软核作为控制中心,基于AXI总线完成数据传输,控制器中指针控制器逻辑有效实现写操作中数据流乒乓结构,提高数据吞吐率,同时主控模块内部逻辑优化实现对NAND Flash芯片更高效的读写操作.验证结果表明控制器各操作时序严格满足ONFI协议标准,满足了设计要求. 展开更多
关键词 固态硬盘 控制器 NAND flash ONFI协议
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基于CoreConnect总线的Nand Flash控制器设计 被引量:2
15
作者 刘宁宁 田泽 裴希杰 《计算机应用》 CSCD 北大核心 2014年第A01期327-329,344,共4页
为了解决嵌入式系统中大数据量存储的问题,对Nand Flash及CoreConnect总线进行了研究,提出了一种可直接挂接在CoreConnect总线上的Nand Flash控制器结构及实现方法。控制器集成标准的PLB和DCR总线接口,使用一种高效ECC算法实现ECC校验,... 为了解决嵌入式系统中大数据量存储的问题,对Nand Flash及CoreConnect总线进行了研究,提出了一种可直接挂接在CoreConnect总线上的Nand Flash控制器结构及实现方法。控制器集成标准的PLB和DCR总线接口,使用一种高效ECC算法实现ECC校验,并采用自动填充的方法提高写操作速度。控制器已成功应用到某视频采集系统中,结果表明控制器功能正确,读写速度分别可达18 MB/s和35 MB/s,能够满足系统对视频数据的实时存取。 展开更多
关键词 CoreConnect总线 NAND flash控制器 坏块 ECC 自动填充V243 1
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一种含BCH编解码器的SLC/MLC NAND FLASH控制器的VLSI设计 被引量:11
16
作者 李璐 周海燕 《现代电子技术》 2009年第7期167-170,共4页
为了满足存储器市场对低单比特成本和高存储密度的需求,在一款基于ARM926EJ的片上处理器芯片中,集成了一个可支持SLC/MLC NAND FLASH的控制器。为了纠正FLASH存储器芯片中的随机错误,采用了可纠4比特错误的BCH纠错码,该纠错码非常适应N... 为了满足存储器市场对低单比特成本和高存储密度的需求,在一款基于ARM926EJ的片上处理器芯片中,集成了一个可支持SLC/MLC NAND FLASH的控制器。为了纠正FLASH存储器芯片中的随机错误,采用了可纠4比特错误的BCH纠错码,该纠错码非常适应NAND类型存储器的随机错误特点。该控制器可支持多种类型的NAND FLASH。另外,对一种基于伯利坎普-梅西算法的高效BCH编解码器VLSI结构进行了研究,采用一种简化伯利坎普-梅西算法实现的低复杂度的关键方程解算机消除其速度瓶颈。芯片采用SMIC 0.13μm CMOS工艺。测试结果证明,设计电路完全符合系统规范,性能表现优良。 展开更多
关键词 MLC NAND flash控制器 BCH 编解码 伯利坎普-梅西算法 VLSI
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BCH编译码器在NAND Flash控制器中的应用研究 被引量:2
17
作者 郭鹏 房亮 于沛玲 《计算机技术与发展》 2014年第1期179-183,共5页
针对空间应用对固态存储器中ECC校验在计算速度和纠错能力上的要求,提出了一种应用在NAND Flash控制器中的高速并行BCH编译码器。文中采用了一种独特的译码器架构,并改进了计算伴随式的算法,先利用编码电路计算出伴随多项式,再利用译码... 针对空间应用对固态存储器中ECC校验在计算速度和纠错能力上的要求,提出了一种应用在NAND Flash控制器中的高速并行BCH编译码器。文中采用了一种独特的译码器架构,并改进了计算伴随式的算法,先利用编码电路计算出伴随多项式,再利用译码电路计算出伴随式。与直接计算出伴随式的译码器相比,虽然译码时间略有增加,但却能明显减少资源的占用量。结合采用其他一些节省资源和提高运行速度的措施,使该译码器的设计更适应空间应用的需要。 展开更多
关键词 BCH码 并行 FFM 伴随多项式 伴随式 NAND flash控制器
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高密度NAND Flash存取性能及其宿主控制器接口 被引量:5
18
作者 陈晓风 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期255-257,共3页
介绍了高密度K9K8G08U0M NANDflash芯片的内部组成、引脚配置、各种读操作、页面编程、块擦除、写保护等操作时序和状态查询。提供了NAND flash存储器与其宿主控制器的标准接口逻辑。
关键词 读模式 编程模式 擦除模式 写保护 状态查询 flash控制器
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采用混合信号ISP FLASH微控制器组成的取料机自动控制系统
19
作者 李胜旺 葛军 王文芳 《工矿自动化》 北大核心 2003年第5期24-26,共3页
文章介绍了一种以新近推出的C8051F020混合信号ISPFLASH微控制器为主构成的取料机控制系统的组成与控制原理。该系统与以PLC为主构成的自动控制系统相比,性价比高,更具推广价值。
关键词 取料机 自动控制 控制器 ISP flash C8051F020
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基于PicoBlaze的Nand Flash控制器的实现
20
作者 王玺 李楠 +1 位作者 徐欣 邵贝贝 《微处理机》 2009年第3期1-3,6,共4页
提出了一种基于PicoBlaze的Nand Flash控制器的实现方法。PicoBlaze是Xilinx公司开发的8位嵌入式微控制器IP核。首先介绍了PicoBlaze的概念和实现方式,接着详细描述了基于PicoBlaze核心的控制器对Nand Flash的读取,写入,擦除的具体操作... 提出了一种基于PicoBlaze的Nand Flash控制器的实现方法。PicoBlaze是Xilinx公司开发的8位嵌入式微控制器IP核。首先介绍了PicoBlaze的概念和实现方式,接着详细描述了基于PicoBlaze核心的控制器对Nand Flash的读取,写入,擦除的具体操作。该实现方法具有低成本,易实现的优点。 展开更多
关键词 PicoBlaze控制器 NAND flash存储 控制器
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