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NOR型FLASH存储器测试技术 被引量:3
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作者 王征宇 赵桦 《电子与封装》 2016年第3期15-19,30,共6页
NOR型FLASH存储器因其能够长久地保持数据的非易失性(Non-Volatile)特点,被广泛用作各类便携型数字设备的存储介质,但由于此类器件的编程及擦写均需写入特定指令,以启动内置编程/擦除算法,从而使得采用自动测试系统对其进行测试也具有... NOR型FLASH存储器因其能够长久地保持数据的非易失性(Non-Volatile)特点,被广泛用作各类便携型数字设备的存储介质,但由于此类器件的编程及擦写均需写入特定指令,以启动内置编程/擦除算法,从而使得采用自动测试系统对其进行测试也具有较高难度。因此,研究NOR型FLASH存储器的测试技术,并开发此类器件的测试平台具有十分重要的意义。首先以AMD公司的AM29LV160DT为例,介绍了NOR型FLASH存储器的基本工作原理,接着详细阐述了一种采用J750EX系统的DSIO模块动态生成测试矢量的方法,从而能够更为简便、高效地对NOR型FLASH存储器的功能进行评价。 展开更多
关键词 nor型flash DSIO
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耗尽型GaN非易失性存储器的研究
2
作者 邵国键 陈韬 +1 位作者 周书同 李信 《固体电子学研究与进展》 2025年第2期12-15,共4页
研究了基于SiO_(2)/SiN/AlGaN/GaN结构的耗尽型GaN非易失性存储器,该存储器中SiN介质层作为电荷存储层,SiO_(2)层作为隔离层。通过在栅极施加正压实现存储器的写入模式,将电子引入SiN电荷存储层。而栅极施加负压则能实现存储器的擦除模... 研究了基于SiO_(2)/SiN/AlGaN/GaN结构的耗尽型GaN非易失性存储器,该存储器中SiN介质层作为电荷存储层,SiO_(2)层作为隔离层。通过在栅极施加正压实现存储器的写入模式,将电子引入SiN电荷存储层。而栅极施加负压则能实现存储器的擦除模式,清除SiN电荷存储层中的电子,存储器恢复至初始状态。在经历10~4次循环擦写、10~4 s数据保持等可靠性验证后,GaN存储器依然保持了足够的窗口。 展开更多
关键词 氮化镓高电子迁移率晶体管 耗尽GaN非易失性存储器 擦除模式 写入模式 循环特性 保持特性
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应用于Flash型FPGA的正高压电荷泵
3
作者 江少祥 禹胜林 +1 位作者 马金龙 吴楚彬 《电子科技》 2025年第3期75-81,共7页
Flash型FPGA(Filed Programmable Gate Array)在进行编程操作时,电荷泵为编程管栅端提供正高压。为满足Flash型FPGA的上电及时运行性和编程稳定性,要求电荷泵不仅能输出高压,还应具有较快的启动速度和较小的输出电压纹波。文中基于传统... Flash型FPGA(Filed Programmable Gate Array)在进行编程操作时,电荷泵为编程管栅端提供正高压。为满足Flash型FPGA的上电及时运行性和编程稳定性,要求电荷泵不仅能输出高压,还应具有较快的启动速度和较小的输出电压纹波。文中基于传统交叉耦合电荷泵提出一种正高压电荷泵。电荷泵的主体采取并联双支路结构,降低了输出电压纹波,采用六相不交叠时钟和新增时钟升压模块对电荷泵进行时序控制,在消除了反向电流影响的同时提高了电荷泵启动速度。在输出端设置稳压模块进行稳压调节,保证编程稳定性。仿真结果表明,在电源电压为3.3 V、时钟频率为20 MHz、负载电容为50 pF的条件下,电荷泵启动时间为6.6μs,输出电压稳定到15 V,输出纹波仅有23 mV。采用0.18μm CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺流片后,测试结果满足Flash型FPGA的编程需求。 展开更多
关键词 flashFPGA 编程 高压 交叉耦合 并联双支路 六相不交叠时钟 纹波 电荷泵
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基于FPGA的FLASH存储器三温功能测试系统设计 被引量:2
4
作者 侯晓宇 郭贺 常艳昭 《现代电子技术》 北大核心 2024年第4期39-42,共4页
由于大容量FLASH存储器全地址功能测试时间较长,在自动化测试设备(ATE)上进行高低温测试时,长时间使用热流罩会导致测试设备运行异常。为把存储器测试过程中耗时最长的全地址功能测试部分从ATE机台上分离出来,设计一个基于FPGA的驱动板... 由于大容量FLASH存储器全地址功能测试时间较长,在自动化测试设备(ATE)上进行高低温测试时,长时间使用热流罩会导致测试设备运行异常。为把存储器测试过程中耗时最长的全地址功能测试部分从ATE机台上分离出来,设计一个基于FPGA的驱动板卡,结合MSCAN和Checkerboard算法实现了对被测芯片激励信号的施加;然后,设计一个12工位的驱动板卡,实现了在三温条件下的多芯片同步测试;接着,设计一个基于Qt的上位机软件,实现了对测试结果的实时显示与存储;最后,对2 GB大容量FLASH存储器进行测试验证。测试结果表明,与传统的ATE测试相比,基于驱动板和工位板的测试系统可实现对大容量FLASH的全地址功能的高低温测试,且工位板具有的高可扩展性可实现多芯片的同步测试,大幅提高了测试效率。 展开更多
关键词 FPGA flash存储器 三温测试 自动化测试设备 MSCAN 多工位测试
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NAND型Flash存储器总剂量效应实验研究 被引量:6
5
作者 盛江坤 邱孟通 +5 位作者 姚志斌 何宝平 黄绍艳 刘敏波 肖志刚 王祖军 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1502-1507,共6页
针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺... 针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺尺寸器件的敏感参数有相同的变化趋势,由于受其他因素的综合影响,各敏感参数并不随工艺尺寸单调变化。 展开更多
关键词 NANDflash存储器 总剂量效应 辐照偏置 工艺尺寸
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内嵌Flash存储器可靠性评估方法的分析及应用 被引量:1
6
作者 周焕富 刘伟 周成 《电子与封装》 2024年第7期43-49,共7页
介绍了存储器分类及Flash存储器的基本结构,分析了非易失性存储器(NVM)可靠性试验标准的特点。从试验项目、试验条件、样品数量和数据图形等方面比较了JEDEC和AEC发布的NVM可靠性试验的标准和方法。以2款存储容量分别为64 kB和128 kB的... 介绍了存储器分类及Flash存储器的基本结构,分析了非易失性存储器(NVM)可靠性试验标准的特点。从试验项目、试验条件、样品数量和数据图形等方面比较了JEDEC和AEC发布的NVM可靠性试验的标准和方法。以2款存储容量分别为64 kB和128 kB的MCU芯片为试验对象,依据JEDEC和AEC发布的试验标准和方法,设计了针对MCU芯片内嵌Flash存储器可靠性的评估试验,为Flash存储器的设计和验证工作提供参考。 展开更多
关键词 flash存储器 擦写循环 数据保持
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面向FLASH存储器应用的电压自举电荷泵电路设计
7
作者 陈智峰 陈煌伟 +2 位作者 陈继明 陈铖颖 黄渝斐 《厦门理工学院学报》 2024年第1期17-22,共6页
基于SMIC 0.18μm 1P6M工艺,设计出一款面向FLASH存储器应用需求的开环电荷泵升压电路。该电路主要由振荡电路、分频电路、非交叠时序电路、电荷泵和高压选择电路组成。为实现电荷泵电压的自举,本设计采用高电压选择电路和开环无反馈结... 基于SMIC 0.18μm 1P6M工艺,设计出一款面向FLASH存储器应用需求的开环电荷泵升压电路。该电路主要由振荡电路、分频电路、非交叠时序电路、电荷泵和高压选择电路组成。为实现电荷泵电压的自举,本设计采用高电压选择电路和开环无反馈结构电荷泵,通过调整电容比值,满足不同的输出升压需求。仿真结果表明,在电源电压为1.8 V、内部开关时钟频率为50 kHz、带载为5 mA的条件下,电荷泵的输出电压为3.3 V,纹波仅为10 mV,升压效率高达96%。与其他电荷泵相比,本设计提高了输出效率,可满足不同输出升压的需求。 展开更多
关键词 电荷泵 电路设计 自举升压 高电压选择 升压效率 flash存储器
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典型FLASH存储器^(60)Coγ电离辐射效应测试与分析 被引量:2
8
作者 宋卫 曲狄 吾勤之 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第1期12-16,共5页
通过测量卫星用FLASH存储器的内部存储数据逻辑状态出错(WW≠0)、电源电流、输出高低电平电压、输入漏电流以及交流参数随辐照剂量的变化情况,对FLASH存储器的电离辐射效应损伤规律、敏感参数进行了研究。研究结果表明,FLASH存储器的电... 通过测量卫星用FLASH存储器的内部存储数据逻辑状态出错(WW≠0)、电源电流、输出高低电平电压、输入漏电流以及交流参数随辐照剂量的变化情况,对FLASH存储器的电离辐射效应损伤规律、敏感参数进行了研究。研究结果表明,FLASH存储器的电离辐射效应损伤规律主要表现为随辐照剂量增加,存储数据逻辑状态出现错误,数据读取、数据擦除以及维持模式下的电源电流逐渐增大,这些参数可以作为辐照敏感参数;动态辐照偏置下存储数据逻辑状态出错时的剂量阈值比静态辐照偏置和不加电辐照偏置条件下大一个数量级以上。 展开更多
关键词 flash存储器 电离辐射效应 辐照敏感参数 辐照偏置条件
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电离总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久与数据保持特性的影响研究 被引量:2
9
作者 刘岐 沈鸣杰 董艺 《航天器环境工程》 2019年第3期264-270,共7页
文章通过电离总剂量效应、擦写循环和数据保持试验及其叠加试验,研究了总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久和数据保持特性的影响。对较高总剂量(150 krad(Si))和含动态偏置在内的多种偏置条件进行了评估。结果表明:总剂量效应对擦... 文章通过电离总剂量效应、擦写循环和数据保持试验及其叠加试验,研究了总剂量效应对浮栅型Flash存储器擦写耐久和数据保持特性的影响。对较高总剂量(150 krad(Si))和含动态偏置在内的多种偏置条件进行了评估。结果表明:总剂量效应对擦写特性的影响较小,甚至可以忽略;总剂量效应对数据保持的影响主要表现在辐射致电荷泄漏,若总剂量效应试验后刷新数据,则其影响几乎可以忽略。为了减小辐射致电荷泄漏对数据保持的影响,在系统级应用上建议增加数据刷新次数。 展开更多
关键词 浮栅flash存储器 电离总剂量效应 擦写耐久 数据保持 可靠性 试验研究
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地址数据复用型Flash存储器测试技术研究 被引量:3
10
作者 王续朝 《电子测试》 2012年第10期17-22,共6页
随着半导体技术的迅猛发展,移动存储设备快速增长。Flash芯片作为移动存储设备中最常用的器件,得到了日趋广泛的应用,对Flash芯片的测试要求也越来越高。地址数据复用型Flash存储器测试技术研究及电路设计,设计改善大规模数字集成电路... 随着半导体技术的迅猛发展,移动存储设备快速增长。Flash芯片作为移动存储设备中最常用的器件,得到了日趋广泛的应用,对Flash芯片的测试要求也越来越高。地址数据复用型Flash存储器测试技术研究及电路设计,设计改善大规模数字集成电路测试系统数字系统算法图形功能。对K9F2G08R0A进行了测试并通过对数字系统算法图形功能进行改善,算法图形发生器由多个算术逻辑单元、多路选择器以及操作寄存器组成,可以实现复杂的逻辑操作和算术运算,可以更快、更简便地对地址复用型Flash存储器进行测试,减少测试程序开发难度。 展开更多
关键词 存储器测试 flash 测试方法
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浮栅型NAND FLASH存储器擦写耐久与数据保持试验方法研究 被引量:2
11
作者 刘振旺 刘岐 +2 位作者 刘文宝 肖磊 李清 《质量与可靠性》 2020年第6期17-22,共6页
对Flash存储器的擦写耐久与数据保持试验方法的国内外标准进行了调研,通过对浮栅型NAND Flash存储器可靠性试验对各影响因素进行研究,最终给出了擦写耐久与数据保持试验方法的建议。
关键词 NAND flash存储器 擦写耐久 数据保持 试验方法
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Flash和PSRAM结合构成的高密度低功耗新型随机存取存储器
12
《电子元器件应用》 2005年第8期120-120,共1页
新型MCP产品IS75V16F64GS16和IS75V16F64GS32是将64Mbit NOR-type Flash和16 Mbit/32 Mbit的PSRAM相结合所构成的高密度、低功耗随机存取存储器。这种先进的存储器解决方案是专门针对移动通信要求高性能、低功耗和小电路板的应用而开发的。
关键词 随机存取存储器 PSRAM flash 低功耗 高密度 移动通信 解决方案 MCP 电路板
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一种适用于NAND型Flash存储器译码故障检测的改进对角线算法
13
作者 刘远飞 李鹏程 刘海涛 《遥测遥控》 2018年第3期59-63,共5页
为保证有故障的进口低等级NAND型Flash存储器在装机前的二次筛选环节能够被准确剔除,以存储器的存储阵列结构分析为出发点,结合NAND结构的实际特征,以三星公司生产的K9F2G08U0A-PCB0/PIB0商业级Flash芯片为研究对象,对现有的用于测试存... 为保证有故障的进口低等级NAND型Flash存储器在装机前的二次筛选环节能够被准确剔除,以存储器的存储阵列结构分析为出发点,结合NAND结构的实际特征,以三星公司生产的K9F2G08U0A-PCB0/PIB0商业级Flash芯片为研究对象,对现有的用于测试存储器译码故障的对角线算法进行改进,并通过总剂量试验使存储器产生部分坏块来验证改进算法的有效性。结果表明,改进后的对角线算法能够很好地检测出存储器的译码故障,解决了原有对角线算法不适用于NAND型Flash存储器译码故障检测的问题。 展开更多
关键词 NANDflash 译码故障 对角线算法
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Flash存储器总剂量辐射损伤效应和退火特性 被引量:4
14
作者 张兴尧 郭旗 +3 位作者 张乐情 卢健 吴雪 于新 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期20-24,共5页
针对一款商用浮栅型Flash存储器进行60Coγ总剂量试验和退火试验,分析了器件失效的机理。使用超大规模集成电路测试系统测试了Flash的DC、AC、功能参数,利用Shmoo测试扩展了辐射敏感参数的范围和辐射损伤分析手段,分析了辐射敏感参数在... 针对一款商用浮栅型Flash存储器进行60Coγ总剂量试验和退火试验,分析了器件失效的机理。使用超大规模集成电路测试系统测试了Flash的DC、AC、功能参数,利用Shmoo测试扩展了辐射敏感参数的范围和辐射损伤分析手段,分析了辐射敏感参数在辐射和退火过程中的变化规律。实验结果表明:强场下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的加速积累使电荷泵电路的性能恶化造成器件的功能失效。由于氧化物陷阱电荷在数量上多于界面态陷阱电荷,使得器件功能和辐射敏感参数在退火过程中恢复。 展开更多
关键词 浮栅flash存储器 最高工作频率 电荷泵
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Flash存储器技术与发展 被引量:29
15
作者 潘立阳 朱钧 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期1-6,10,共7页
Flash存储器是在 2 0世纪 80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器 ,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和在系统的电可擦除性等优点 ,是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。文章对 Flash存储器的发... Flash存储器是在 2 0世纪 80年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器 ,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和在系统的电可擦除性等优点 ,是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一种存储器。文章对 Flash存储器的发展历史和工作机理、单元结构与阵列结构、可靠性、世界发展的现状和未来趋势等进行了深入的探讨。 展开更多
关键词 半导体存储器 flash存储器 计算机
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可变容量的高可靠Flash型FPGA配置存储器设计
16
作者 曹正州 查锡文 《电子与封装》 2023年第10期58-65,共8页
采用0.18μm 2P6M Flash工艺设计了一款FPGA配置存储器,为SRAM型FPGA提供了串行和并行的码流加载方式,最高工作频率为50 MHz,具有存储容量可变、可靠性高的优点。通过设计地址侦测电路实现了该FPGA配置芯片的存储容量可变,从而提高了该... 采用0.18μm 2P6M Flash工艺设计了一款FPGA配置存储器,为SRAM型FPGA提供了串行和并行的码流加载方式,最高工作频率为50 MHz,具有存储容量可变、可靠性高的优点。通过设计地址侦测电路实现了该FPGA配置芯片的存储容量可变,从而提高了该配置芯片的适用范围;通过设计双模的复位电路,使芯片更适应复杂的电源环境,提高了上电复位的可靠性;通过设计存储器内建自测试(MBIST)电路,实现了对Flash全地址存储空间的自测试和对电路的高效筛选,减少了芯片的测试时间,同时提高了配置芯片存储空间的可靠性。 展开更多
关键词 配置存储器 FPGA 可变容量 flash 存储器内建自测试
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基于大容量FLASH存储器的FPGA重构系统的设计与实现 被引量:8
17
作者 杨士宁 张虹 +2 位作者 李盛杰 石雪梅 张碚 《电子测量技术》 2017年第2期179-181,共3页
随着FPGA在各种工业应用越来越广泛,FPGA重构技术在快速的FPGA自动测试中应用越来越广泛。传统的基于JTAG方式和基于配置芯片的FPGA重构方案由于存储配置时间长,配置芯片成本高等原因越来越满足不了快速的多重配置需求。提出了一种基于... 随着FPGA在各种工业应用越来越广泛,FPGA重构技术在快速的FPGA自动测试中应用越来越广泛。传统的基于JTAG方式和基于配置芯片的FPGA重构方案由于存储配置时间长,配置芯片成本高等原因越来越满足不了快速的多重配置需求。提出了一种基于大容量FLASH存储器的FPGA重构技术,方案采用FPGA作为主控制器,大容量FLASH芯片用于存储目标FPGA的配置数据,可以实现绝大部分不同型号的FPGA器件的快速多重重构,从而满足FPGA芯片快速自动测试需求,提高了整体程序开发和测试效率,节约了芯片的测试成本。 展开更多
关键词 FPGA重构 flash存储器 FPGA测试
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高性能、低功耗的新型存储器解决方案——Flash和PSRAM结合构成高密度随机存取存储器
18
《今日电子》 2002年第11期77-77,共1页
关键词 高性能 低功耗 存储器 flash PSRAM 高密度随机存取存储器
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FLASH存储器的在系统编程及其在DSP系统中的应用 被引量:11
19
作者 公茂忠 刘汉奎 徐殿国 《电子技术应用》 北大核心 2002年第3期69-71,74,共4页
FLASH存储器的在系统编程技术及其基本命令,并结合TMS320C3X系列DSP的上电系统自动引导功能,介绍了利用该技术将用户程序代码烧写到FLASH存储器中的方法。该方法能够实现DSP系统上电后的用户程序自动引导。
关键词 flash存储器 DSP 在系统编程 上电引导 数字信号处理器
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空间光学遥感器中Flash存储器的辐射效应与加固 被引量:6
20
作者 李豫东 张立国 任建岳 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期1858-1863,共6页
从电路结构入手,分析了工作在某空间光学遥感器中的Flash存储器在空间环境下由电离辐射(总剂量)效应造成器件失效的机理。认为电离作用使晶体管的阈值电压漂移,引起Flash的控制电路与存储单元失效,且相对于浮栅结构的存储单元,控... 从电路结构入手,分析了工作在某空间光学遥感器中的Flash存储器在空间环境下由电离辐射(总剂量)效应造成器件失效的机理。认为电离作用使晶体管的阈值电压漂移,引起Flash的控制电路与存储单元失效,且相对于浮栅结构的存储单元,控制电路对辐射更敏感;陷阱电荷的积累使器件的静态电流、动态电流增大。对器件进行了60Co7射线总剂量辐射实验,得出器件的失效阈值在15~20krad(Si),并验证了上述分析结果。提出了N模冗余、校验码、冷备份等抗辐射加固方法。 展开更多
关键词 空间光学遥感器 flash存储器 总剂量效应 60Coγ射线 辐射加固
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