一种超βNPN晶体管的研制 被引量：1

1

作者 阚玲 欧宏旗 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期689-692,共4页

阐述了一种超βNPN型晶体管的研制及实现批量生产的过程.该晶体管在VCE＝5 V、IC＝500 mA大电流下工作时,电流增益可达到900～1800,且器件的BVCEO、BVCBO耐压比较高,其中,BVEBO达15 V以上,完全满足低频大电流超高增益晶体管的实用要求.

关键词 超β npn晶体管 双极晶体管 半导体工艺

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中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析 被引量：1

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作者 王靳君 田野 +3 位作者 石瑞英 龚敏 温景超 巫晓燕 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期2763-2766,共4页

研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管... 研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大。 展开更多

关键词 npn晶体管 负电容 中子辐照 电子辐照 扩散电容 势垒电容

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基于CMOS工艺V-NPN晶体管设计的用于接收机的双极型有源混频器

3

作者 张建恩 华斯亮 +1 位作者 王东辉 侯朝焕 《微计算机应用》 2010年第4期39-42,共4页

随着声纳通信技术的发展,需要使用CMOS工艺设计用于声纳通信接收机中的低噪声低频混频器。由于MOSFETs的闪烁噪声拐角频率通常在几MHz,在低频工作时会有非常大的闪烁噪声。这使得用MOSFETs设计的传统CMOS有源混频器,在低频低噪声系统中... 随着声纳通信技术的发展,需要使用CMOS工艺设计用于声纳通信接收机中的低噪声低频混频器。由于MOSFETs的闪烁噪声拐角频率通常在几MHz,在低频工作时会有非常大的闪烁噪声。这使得用MOSFETs设计的传统CMOS有源混频器,在低频低噪声系统中不能使用。本文提出了使用深N阱CMOS工艺中的垂直寄生NPN晶体管(V-NPN)设计的双极型有源混频器。该垂直寄生NPN晶体管的闪烁噪声拐角频率通常为几KHz,因此可以用来设计低噪声低频混频器。本文使用0.18μmCMOS工艺中的V-NPN晶体管设计了一个双极型有源混频器。仿真结果显示,工作电压为3.3V,LO频率为50KHz,RF频率为40KHz时,该双极型有源混频器的电压增益为18.3dB,NFdsb为15.99dB,等效输出噪声,P1dB为-9.88dBm,IIP3为-1.65dBm。 展开更多

关键词 双极型有源混频器 CMOS工艺 垂直寄生npn晶体管

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NPN晶体管部分参数计算及仿真研究

4

作者 王健 王思蓉 刘爽 《电子世界》 2014年第19期113-114,共2页

应用半导体物理理论对NPN晶体管放大系数等参数进行了两种方法计算，采用SILVACO ATLAS软件对晶体管建模并仿真求取，比较了仿真与计算结果。为设计者提供了一种理论计算与仿真一致性较好的晶体管设计方法。

关键词 npn晶体管 放大系数 迁移率

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双极NPN晶体管的电迁移

5

作者 Wada,T 李志国 《电子产品可靠性与环境试验》 1990年第5期31-33,18,共4页

关键词 双极晶体管 npn晶体管 电迁移

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NPN晶体管阵列电路

6

作者 贾明浩 杨维成 《世界产品与技术》 1999年第3期21-22,共2页

关键词 npn晶体管 晶体管阵列电路 集成电路

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NPN型双极晶体管中子位移损伤差异实验研究

7

作者 刘炜剑 李瑞宾 +6 位作者 王桂珍 白小燕 金晓明 刘岩 齐超 王晨辉 李俊霖 《现代应用物理》 2024年第3期105-111,119,共8页

利用西安脉冲反应堆(Xi’an pulsed reactor,XAPR)的稳态中子对NPN型双极晶体管(NPN bipolar junction transistor,NPN-BJT)进行中子辐照实验,开展NPN-BJT不同固定发射极电流I_(E)条件下的中子位移损伤差异研究。研究结果表明:同一I_(E... 利用西安脉冲反应堆(Xi’an pulsed reactor,XAPR)的稳态中子对NPN型双极晶体管(NPN bipolar junction transistor,NPN-BJT)进行中子辐照实验,开展NPN-BJT不同固定发射极电流I_(E)条件下的中子位移损伤差异研究。研究结果表明:同一I_(E)条件下,集成NPN-BJT与2N2222A NPN-BJT的电流增益退化都随辐照中子注量的增加呈逐渐增强趋势;在同一中子注量辐照下,随双极晶体管固定I_(E)的增大,中子辐射损伤常数K_(τ)降低,中子辐照前后电流增益的变化量减小,晶体管电流增益退化程度减弱,因此在一定范围内,提高固定I_(E)可在一定程度上增强NPN-BJT抗中子辐射能力。 展开更多

关键词 npn型双极晶体管 固定发射极电流 中子位移损伤 电流增益

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不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性 被引量：21

8

作者 郑玉展 陆妩 +4 位作者 任迪远 王义元 郭旗 余学锋 何承发 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期5572-5577,共6页

影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明,国产npn晶体管具有低剂量率损伤增强... 影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明,国产npn晶体管具有低剂量率损伤增强效应,且发现当小电流注入下晶体管的辐射损伤会表现得愈加显著.比较三种发射极尺寸的晶体管辐照响应发现,发射极周长面积比P/A越大时晶体管归一化过剩基极电流ΔIB/IB0也越大.详细阐述了npn晶体管辐射损伤机制,从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对npn晶体管的加固保证方法进行了探索. 展开更多

关键词 发射极面积 国产npn晶体管 剂量率 辐射损伤

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不同偏置对NPN双极晶体管的低剂量率电离辐照损伤的影响 被引量：7

9

作者 费武雄 陆妩 +9 位作者 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 王志宽 杨永晖 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期274-277,共4页

对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件的电离辐射实验。结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著。而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益... 对NPN双极晶体管进行了低剂量率下不同偏置条件的电离辐射实验。结果表明,不同偏置条件下的低剂量率辐射损伤具有明显差异。基-射结反向偏置时,其过剩基极电流最大,电流增益衰减最为显著。而基-射结正向偏置时,过剩基极电流和电流增益衰减都最小。讨论了出现这种结果的内在机制。 展开更多

关键词 npn双极晶体管 低剂量率 偏置 60Coγ辐照

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不同偏置条件下NPN双极晶体管的电离辐照效应 被引量：8

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作者 费武雄 陆妩 +9 位作者 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 王志宽 杨永晖 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期217-222,共6页

对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显... 对NPN双极晶体管进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射实验。研究结果表明:同一剂量率辐照时,无论是低剂量率还是高剂量率,辐照损伤均是基-射结反向偏置时最大,零偏置次之,正偏置最小。NPN双极晶体管在3种偏置下均可观察到明显的低剂量率辐照损伤增强(ELDRS)效应,且偏置条件对ELDRS效应很明显,表现为基-射结正向偏置ELDRS效应最为显著,零偏次之,反向偏置最次。对出现这一实验结果的机理进行了探讨。 展开更多

关键词 npn双极晶体管 60Coγ辐照 偏置 低剂量率辐照损伤增强

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变温辐照加速评估方法在不同工艺的NPN双极晶体管上的应用 被引量：8

11

作者 费武雄 陆妩 +9 位作者 任迪远 郑玉展 王义元 陈睿 李茂顺 兰博 崔江维 赵云 王志宽 杨永晖 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期1493-1497,共5页

对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地... 对6种不同工艺的NPN双极晶体管进行了高、低剂量率及变温辐照的^(60)Coγ辐照实验。结果显示,6种工艺的NPN双极晶体管均有显著的低剂量率辐照损伤增强效应。而变温辐照损伤不仅明显高于室温高剂量率的辐照损伤,且能很好地模拟并保守地评估不同工艺的NPN双极晶体管低剂量率的辐照损伤。对实验现象的机理进行了分析。 展开更多

关键词 npn双极晶体管 ~60Coγ辐照 低剂量率辐照损伤增强 变温辐照 加速评估方法

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不同基区掺杂浓度NPN双极晶体管电离辐照效应 被引量：5

12

作者 席善斌 陆妩 +6 位作者 郑玉展 许发月 周东 李明 王飞 王志宽 杨永晖 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B09期533-537,共5页

对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺... 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同剂量率条件下进行60Coγ辐照效应和退火特性研究。结果显示,晶体管基区掺杂浓度不同,对高、低剂量率的辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤明显高于高基区掺杂浓度的晶体管。 展开更多

关键词 npn双极晶体管 60Co Γ辐照 基区掺杂浓度 低剂量率辐照损伤增强效应

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不同偏置条件下基区掺杂浓度对NPN双极晶体管电离辐照的影响 被引量：3

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作者 席善斌 王志宽 +6 位作者 陆妩 王义元 许发月 周东 李明 王飞 杨永晖 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期205-208,共4页

对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的... 对相同工艺制作但基区掺杂浓度不同的国产NPN双极晶体管,在不同偏置条件下进行60Co-γ辐照效应和退火特性研究。结果显示:基区掺杂浓度不同,NPN双极晶体管辐照响应也不相同,低基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤要明显大于高基区掺杂浓度的晶体管辐照损伤;偏置条件不同,晶体管辐照响应也有很大差别,反向偏置辐照NPN晶体管参数退化较正向偏置严重。并对对实验现象的相关机理进行了分析。 展开更多

关键词 npn双极晶体管 ^6^0Co-y辐照 基区掺杂浓度 辐照偏置

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基区表面掺杂浓度对NPN型晶体管电离辐射效应的影响

14

作者 李骏 王健安 +3 位作者 吴雪 李兴冀 杨剑群 王志宽 《现代应用物理》 2019年第3期54-58,共5页

针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用^60Coγ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体管的损伤效应机制。研究结果表明,在相同吸收剂量下,基区表面掺杂浓度高的NPN型晶体管比掺杂浓度低的NPN... 针对不同基区表面掺杂浓度的NPN型晶体管,采用^60Coγ射线辐射源开展辐照实验,根据测得的电学参数及深能级瞬态谱,分析了NPN型晶体管的损伤效应机制。研究结果表明,在相同吸收剂量下,基区表面掺杂浓度高的NPN型晶体管比掺杂浓度低的NPN型晶体管对电离辐射更为敏感,其基极电流增幅更大;随着吸收剂量的增加,NPN型晶体管的电流增益退化程度加剧;在基区表面掺杂浓度高的NPN晶体管中,电离辐射诱导的氧化物电荷和界面态能级位置均更接近于禁带中央,导致复合率增大,从而使晶体管的电学性能退化程度加剧。 展开更多

关键词 npn型晶体管 表面掺杂浓度 电离损伤 深能级瞬态谱

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NPN双极晶体管的ELDRS效应及退火行为

15

作者 陆妩 任迪远 +4 位作者 郑玉展 王义元 郭旗 余学峰 何承发 《电子产品可靠性与环境试验》 2009年第B10期90-93,共4页

对国产NPN双极晶体管在不同剂量率下的辐射效应和退火特性进行了研究。结果显示:在不同剂量率辐照下,NPN晶体管的特性衰降均非常明显。不仅晶体管的过剩基极电流明显增大,直流增益迅速下降,其集电极电流也随辐照总剂量的增加而逐渐衰减... 对国产NPN双极晶体管在不同剂量率下的辐射效应和退火特性进行了研究。结果显示:在不同剂量率辐照下,NPN晶体管的特性衰降均非常明显。不仅晶体管的过剩基极电流明显增大,直流增益迅速下降,其集电极电流也随辐照总剂量的增加而逐渐衰减,且低剂量率辐照下损伤更明显。本中对造成各种实验现象的损伤机理进行了分析。 展开更多

关键词 npn双极晶体管 ~60Coγ辐照 ELDRS 退火

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NPN双极型晶体管抗辐照加固研究 被引量：2

16

作者 李飞 《微处理机》 2019年第5期1-4,共4页

为了研究NPN双极晶体管辐照后界面态对直流参数的影响,对工艺优化前的国产某NPN双极晶体管进行110keV电子辐照,研究晶体管直流参数的变化。在实验数据基础上对其损伤特性及损伤机理进行分析,阐述其成因并提出解决方法。同时对工艺优化... 为了研究NPN双极晶体管辐照后界面态对直流参数的影响,对工艺优化前的国产某NPN双极晶体管进行110keV电子辐照,研究晶体管直流参数的变化。在实验数据基础上对其损伤特性及损伤机理进行分析,阐述其成因并提出解决方法。同时对工艺优化后的双极型晶体管进行辐照,测试界面态电荷数的变化。实验结果显示出晶体管受辐照后基极电流的变化,以及界面态复合电流所起的作用,也揭示了优化工艺后Si-SiO2界面处的界面态及NPN双极型晶体管归一化电流增益的变化趋势。 展开更多

关键词 npn双极晶体管 110keV电子辐照 复合电流 辐照损伤 晶体管归一化电流增益

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全离子注入NPN型偶载场效应晶体管的离子注入工艺研究

17

作者 于理科 郭慧民 +2 位作者 任永玲 李国辉 姬成周 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期320-324,共5页

通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效... 通过trim软件和高斯模型对离子注入后快速退火载流子分布进行设计 ,初步构造出离子注入的分布图像 ,通过与实验结果比较 ,进一步完善模型 .选用高斯与半高斯混合模型 ,得到了与实验结果更吻合的模拟方案 .从而找到了研制NPN型偶载场效应晶体管 (VDCFET)离子注入的最佳条件 ,并研制了性能良好的VDCFET . 展开更多

关键词 npn型偶载场效应晶体管 离子注入工艺 VDCFET 离子注入射程分布理论 高斯模型 混合模型

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基于SiC的NPN双极型晶体管设计

18

作者 冷贺彬 朱平 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2019年第2期91-96,137,共7页

利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流... 利用高禁带宽度的SiC材料,设计了一种基于SiC的NPN双极型晶体管,该晶体管采用多层缓变掺杂基区结构实现。在完成晶体管结构设计基础上,仿真分析了晶体管的直流电流增益、击穿特性以及频率特性。在工艺方面,设计完成了晶体管制备工艺流程与版图。仿真结果表明,SiC双极型晶体管具有击穿电压高(BV_(CEO)=900 V)、特征频率高(f_T=5 GHz),晶体管增益适中(β=33)等特点。 展开更多

关键词 npn双极型晶体管 SIC 工作温度 击穿电压 特征频率 禁带宽度 晶体管增益

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基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟

19

作者 陕宇皓 刘延飞 +1 位作者 郑浩 彭征 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2022年第3期177-183,共7页

为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体... 为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体管的损伤;以漂移扩散模型计算了晶体管典型性能的响应,验证了晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应。结果表明晶体管对电离辐射敏感的区域位于基区和发射结区附近的Si/SiO_(2)界面,从Gummel曲线提取的归一化增益发现,电离辐射损伤可能使晶体管增益降低50%以上,这对晶体管性能影响很大。该方法可以在降低成本、缩短周期的前提下,为晶体管抗电离辐射可靠性评估提供合理的技术支撑和可借鉴的理论数据。 展开更多

关键词 npn双极型晶体管 三维模型 总剂量效应 低剂量率损伤增强效应 仿真模拟

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NPN功率晶体管适合宽范围应用

20

《世界电子元器件》 2002年第9期88-88,共1页

关键词 npn功率晶体管 意法半导体公司 STSA851 STN851 TO-92封装

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