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基于MEMS的矩形微同轴技术研究现状 被引量:8
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作者 史光华 徐达 +5 位作者 王建 王真 常青松 周彪 张延青 白锐 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第4期303-313,共11页
矩形微同轴技术已成为射频微电子机械系统(RF MEMS)的一个重要发展方向。矩形微同轴的电性能相比于传统的传输结构(如微带、共面波导等)在毫米波宽带领域具有巨大优势。从结构、性能等方面对矩形微同轴进行了简要分析。回顾了矩形微同... 矩形微同轴技术已成为射频微电子机械系统(RF MEMS)的一个重要发展方向。矩形微同轴的电性能相比于传统的传输结构(如微带、共面波导等)在毫米波宽带领域具有巨大优势。从结构、性能等方面对矩形微同轴进行了简要分析。回顾了矩形微同轴技术在其发展的不同阶段出现的体硅刻蚀技术、EFABTM和PolyStrataTM技术,并对矩形微同轴的结构、加工工艺及射频性能等方面进行了简要分析。介绍了矩形微同轴技术在不同RF MEMS中的应用,并对获得的特性进行了讨论。矩形微同轴技术应用于高度集成的RF MEMS是发展的必然趋势,必将对传统射频电路的设计、制备及系统集成产生巨大影响。 展开更多
关键词 微电子机械系统(mems) 矩形微同轴技术 EFABTM PolyStrataTM 体硅刻蚀
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基于MEMS技术的微波滤波器研究进展 被引量:4
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作者 欧阳炜霞 张永华 +2 位作者 王超 郭兴龙 赖宗声 《微纳电子技术》 CAS 2008年第4期214-218,234,共6页
基于MEMS技术的滤波器是现行RF结构中一个关键的MEMS器件。与传统的采用金属矩形或圆柱波导以及半导体元件制作的滤波器相比,MEMS滤波器具有低损耗、高隔离度、线性好、体积小、易于集成等优点。对利用MEMS技术制作的滤波器做了分类总结... 基于MEMS技术的滤波器是现行RF结构中一个关键的MEMS器件。与传统的采用金属矩形或圆柱波导以及半导体元件制作的滤波器相比,MEMS滤波器具有低损耗、高隔离度、线性好、体积小、易于集成等优点。对利用MEMS技术制作的滤波器做了分类总结,综述了近几年MEMS滤波器的研究进展,包括硅体微加工滤波器、LIGA传输线型滤波器和基于MEMS开关/电容实现的可调滤波器。指出可调滤波器的开发适应微波、毫米波波段的多频段、宽带无线通信系统的迫切需要,具有重要的现实意义。 展开更多
关键词 mems技术 硅体微加工 UGA技术 微波滤波器 可调滤波器
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一种基于MEMS体硅工艺的三维集成T/R模块 被引量:14
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作者 王清源 吴洪江 +1 位作者 赵宇 赵永志 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第4期300-304,336,共6页
采用微电子机械系统(MEMS)体硅三维异构集成技术,设计了一种应用于雷达的四通道瓦片式三维集成T/R模块。该模块由三层硅基封装堆叠而成,每层硅基封装内部腔体异构集成多个单片微波集成电路(MMIC),内部采用硅通孔(TSV)实现互连,层间通过... 采用微电子机械系统(MEMS)体硅三维异构集成技术,设计了一种应用于雷达的四通道瓦片式三维集成T/R模块。该模块由三层硅基封装堆叠而成,每层硅基封装内部腔体异构集成多个单片微波集成电路(MMIC),内部采用硅通孔(TSV)实现互连,层间通过焊球互连。模块最终尺寸为8 mm×8 mm×3.5 mm。装配完成后对该模块进行测试,测试结果表明,在34~36 GHz内,模块的饱和发射功率为21 dBm,单通道发射增益达到21 dB,接收增益为23 dB,接收噪声系数小于3.5 dB,同时具备6 bit数控移相和5 bit数控衰减等功能。该模块在4个通道高密度集成的基础上实现了较高的性能。 展开更多
关键词 微系统 微电子机械系统(mems)体硅工艺 T/R前端 三维异构集成 硅通孔(TSV)
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用于微电子机械系统封装的体硅键合技术和薄膜密封技术 被引量:3
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作者 王渭源 王跃林 《中国工程科学》 2002年第6期56-62,共7页
对静电键合、体硅直接键合和界面层辅助键合等三种体硅键合技术 ,整片操作、局部操作和选择保护等三种密封技术 ,以及这些技术用于微电子机械系统的密封作了评述 ,强调在器件研究开始时应考虑封装问题 ,具体技术则应在保证器件功能和尽... 对静电键合、体硅直接键合和界面层辅助键合等三种体硅键合技术 ,整片操作、局部操作和选择保护等三种密封技术 ,以及这些技术用于微电子机械系统的密封作了评述 ,强调在器件研究开始时应考虑封装问题 ,具体技术则应在保证器件功能和尽量减少芯片复杂性两者之间权衡决定。 展开更多
关键词 体硅键合技术 薄膜密封技术 微电子机械系统 封装技术 芯片
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可动微机电器件摩擦磨损测试方法研究 被引量:2
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作者 孟永钢 郭占社 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2006年第7期12-14,17,共4页
为比较真实地模拟可动微机电器件侧面间的摩擦磨损状况,进而研究MEMS器件的摩擦磨损规律,设计和研制了一种基于单晶硅材料的微摩擦试验模块,利用微机械体硅工艺及键合技术,将摩擦磨损测试单元、加载单元以及微力传感元件集成在单一的芯... 为比较真实地模拟可动微机电器件侧面间的摩擦磨损状况,进而研究MEMS器件的摩擦磨损规律,设计和研制了一种基于单晶硅材料的微摩擦试验模块,利用微机械体硅工艺及键合技术,将摩擦磨损测试单元、加载单元以及微力传感元件集成在单一的芯片上。最后,在大气环境下借助数字光学显微镜和图像处理技术对该试验模块的静、动态摩擦因数及磨损状况进行了测试。试验结果表明:随着正压力的增加,该摩擦副的摩擦因数相应减小,在较长时间的摩擦过程中磨粒表面出现了比较严重的氧化现象。 展开更多
关键词 微机电器件 摩擦磨损 体硅工艺 键合技术 摩擦因数
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高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片工艺研究 被引量:2
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作者 唐海林 凌宏芝 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第9期59-61,共3页
为制备用于硅溶片工艺的高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片,对扩散掺杂工艺进行了研究。结合预淀积和再分布两种条件下扩散的特点,采用两步法工艺制备了高浓度硼深扩散硅片,研究了影响杂质浓度和扩散深度的再分布与预淀积时间比。扩散所... 为制备用于硅溶片工艺的高浓度硼深扩散自停止腐蚀层硅片,对扩散掺杂工艺进行了研究。结合预淀积和再分布两种条件下扩散的特点,采用两步法工艺制备了高浓度硼深扩散硅片,研究了影响杂质浓度和扩散深度的再分布与预淀积时间比。扩散所得硅片的测试结果与理论计算相当吻合,当再分布与预淀积时间比为1.5倍时,扩散结深为21.7μm,自停止腐蚀层为14μm。 展开更多
关键词 电子技术 mems 体硅溶片工艺 高浓度硼深扩散 自停止腐蚀 预淀积 再分布
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偏晶向(111)硅片闪耀光栅的设计
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作者 鞠挥 张平 +1 位作者 王淑荣 吴一辉 《微细加工技术》 2003年第4期18-21,26,共5页
利用硅单晶的特殊结构可以设计出不同角度的闪耀光栅,再使用MEMS的紫外光刻、各向异性腐蚀等常规工艺就可以完成硅闪耀光栅的制作。设计了一种利用偏转晶向(111)硅片制作小角度闪耀光栅的方法,避免了利用其它晶向的硅片制作闪耀光栅的... 利用硅单晶的特殊结构可以设计出不同角度的闪耀光栅,再使用MEMS的紫外光刻、各向异性腐蚀等常规工艺就可以完成硅闪耀光栅的制作。设计了一种利用偏转晶向(111)硅片制作小角度闪耀光栅的方法,避免了利用其它晶向的硅片制作闪耀光栅的缺点。利用这种方法制作了线宽为4μm的硅闪耀光栅,使用原子力显微镜(AFM)进行了光栅表面形貌测试,得到平均表面粗糙度为110.94nm,试验结果表明制作的硅光栅样片具有良好光学特性的反射表面和光栅槽形。 展开更多
关键词 闪耀光栅 偏晶向硅片 体硅 湿法腐蚀 微制造
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新型侧壁绝缘体硅微机械工艺
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作者 程保罗 李昕欣 +5 位作者 王跃林 焦继伟 车录锋 张鲲 戈肖鸿 宋朝晖 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2005年第1期7-9,共3页
介绍了一种全新的体硅微机械工艺,可以取代SOI硅片而直接在普通硅片上对不同的侧壁电学导通部分进行绝缘。该工艺在DRIE形成的绝缘深沟内进行SiO2绝缘薄膜填充,并用填充后形成的SiO2条对器件侧壁进行电学绝缘。对于该工艺的原理、可能... 介绍了一种全新的体硅微机械工艺,可以取代SOI硅片而直接在普通硅片上对不同的侧壁电学导通部分进行绝缘。该工艺在DRIE形成的绝缘深沟内进行SiO2绝缘薄膜填充,并用填充后形成的SiO2条对器件侧壁进行电学绝缘。对于该工艺的原理、可能出现的问题、制作流程的摸索等进行了探讨,并且给出使用该工艺实现的一个带自检驱动功能的加速度计。该加速度计采用压阻原理,器件的压阻敏感电阻部分,通过在侧面进行半导体杂质扩散而形成。 展开更多
关键词 微机电系统 体硅工艺 侧壁扩散 绝缘工艺 加速度传感器
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KOH湿法腐蚀中防金属腐蚀工艺研究
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作者 刘勐 刘欣 +1 位作者 张威 郝一龙 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2012年第7期17-19,共3页
介绍了一种采用PROTEK材料作为保护层,在MEMS器件体硅湿法腐蚀加工工艺中保护金属电极的新工艺。采用这种新的工艺可以在MEMS体硅工艺传感器的加工过程中,完成所有IC工艺的加工后再进行MEMS体硅工艺的加工。实验结果表明:采用这种新的... 介绍了一种采用PROTEK材料作为保护层,在MEMS器件体硅湿法腐蚀加工工艺中保护金属电极的新工艺。采用这种新的工艺可以在MEMS体硅工艺传感器的加工过程中,完成所有IC工艺的加工后再进行MEMS体硅工艺的加工。实验结果表明:采用这种新的材料进行KOH腐蚀工艺的金属表面保护,既可以提高工艺加工效率,又可以提高工艺加工质量。该工艺可以广泛应用于MEMS体硅工艺中KOH湿法腐蚀的工艺加工,也可以应用于光电子器件的工艺加工。 展开更多
关键词 KOH湿法腐蚀 微机电系统 PROTEK材料 体硅工艺
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