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非晶态TiO_2-SiO_2网络缺陷和Ti配位结构的ESR研究
1
作者
周宇清
李家强
侯兰田
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1990年第3期65-66,共2页
在SiO2中掺杂其它原子会导致熔石英SiO4四面体网络部分破坏,形成缺陷。主要缺陷有非桥氧,E′心和过氧基。非桥氧为仅与一个Si原子（或Ti原子）成单键的O原子。E′心为与三氧配位的Si原子。剩余一个未配对的印杂化电子形成悬键轨道。过...
在SiO2中掺杂其它原子会导致熔石英SiO4四面体网络部分破坏,形成缺陷。主要缺陷有非桥氧,E′心和过氧基。非桥氧为仅与一个Si原子（或Ti原子）成单键的O原子。E′心为与三氧配位的Si原子。剩余一个未配对的印杂化电子形成悬键轨道。过氧基则为游离氧被非桥氧俘获,或非桥氧彼此俘获而形成的。这三种缺陷各有一个未配对电子。
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关键词
非晶态
缺陷
配位结构
顺磁共振谱
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职称材料
题名
非晶态TiO_2-SiO_2网络缺陷和Ti配位结构的ESR研究
1
作者
周宇清
李家强
侯兰田
机构
中国科学院长春应用化学研究所
清华大学
吉林大学
出处
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1990年第3期65-66,共2页
文摘
在SiO2中掺杂其它原子会导致熔石英SiO4四面体网络部分破坏,形成缺陷。主要缺陷有非桥氧,E′心和过氧基。非桥氧为仅与一个Si原子（或Ti原子）成单键的O原子。E′心为与三氧配位的Si原子。剩余一个未配对的印杂化电子形成悬键轨道。过氧基则为游离氧被非桥氧俘获,或非桥氧彼此俘获而形成的。这三种缺陷各有一个未配对电子。
关键词
非晶态
缺陷
配位结构
顺磁共振谱
Keywords
non-crystal
,
defect
,
coordination structure
,
esr
分类号
O751 [理学—晶体学]
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题名
作者
出处
发文年
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1
非晶态TiO_2-SiO_2网络缺陷和Ti配位结构的ESR研究
周宇清
李家强
侯兰田
《吉林大学自然科学学报》
CAS
CSCD
1990
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