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Tungsten oxide nanostructures:controllable growth and field emission
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作者 岳双林 许婷婷 +2 位作者 李伟 闫佶 一禾 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第6期10-13,共4页
Non-fully oxidized tungsten oxide(WO_(3-x)) nanostructures with controllable morphology were fabricated by adjusting the gas pressure in chemical vapor deposition.The comparative field emission(FE) measurements ... Non-fully oxidized tungsten oxide(WO_(3-x)) nanostructures with controllable morphology were fabricated by adjusting the gas pressure in chemical vapor deposition.The comparative field emission(FE) measurements showed that the obtained W_(18)O_(49) nanowires have excellent FE property.The turn-on field was 7.1 V/μm for 10μA/cm^2 and the observed highest current density was 4.05 mA/cm^2 at a field of 17.2 V/μm.Good electron emission reproducibility was also observed during thermal evaporation and desorption testing. 展开更多
关键词 non-fully oxidized tungsten oxides field emission nanowire
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Synthesis and efficient field emission characteristics of patterned ZnO nanowires 被引量:4
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作者 Zhang Yongai Wu Chaoxing +1 位作者 Zheng Yong Guo Tailiang 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2012年第2期18-22,共5页
Patterned ZnO nanowires were successfully synthesized on ITO electrodes deposited on the glass substrate by using a simple thermal evaporation approach.The morphology,crystallinity and optical properties of ZnO nanowi... Patterned ZnO nanowires were successfully synthesized on ITO electrodes deposited on the glass substrate by using a simple thermal evaporation approach.The morphology,crystallinity and optical properties of ZnO nanowires were characterized by scanning electron microscopy,X-ray diffraction,energy dispersive X-ray and pho-toluminescence spectroscopy.Their field emission characteristics were also investigated.SEM images showed that the ZnO nanowires,with a diameter of 100-200 nm and length up to 5μm,were highly uniform and well distributed on the linear ITO electrodes.The field emission measurement indicated that patterned ZnO nanowire arrays have a turn-on field of 1.6 V/μm at current density of 1μA/cm~2 and a threshold field of 4.92 V/μm at current density of 1 mA/cm~2 at an emitter-anode gap of 700μm.The current density rapidly reached 2.26 mA/cm~2 at an applied field of 5.38 V/μm.The fluctuation of emission current was lower than 5%for 4.5 h.The low turn-on field,high current density and good stability of patterned ZnO nanowire arrays indicate that it is a promising candidate for field emission application. 展开更多
关键词 zinc oxide nanowireS patterned growth field emission
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不同环境湿度对CuO纳米线生长及场发射性能的影响 被引量:3
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作者 叶芸 陈填源 +3 位作者 蔡寿金 颜敏 刘玉会 郭太良 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期1359-1363,共5页
首先在400℃的干燥空气(流量为500 sccm)及不同水汽流量(500、1500、3000、4000 sccm)等条件下分别热氧化铜片获得了系列垂直生长的氧化铜纳米线,随后,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)研究了不同条件下... 首先在400℃的干燥空气(流量为500 sccm)及不同水汽流量(500、1500、3000、4000 sccm)等条件下分别热氧化铜片获得了系列垂直生长的氧化铜纳米线,随后,采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)研究了不同条件下所制备的氧化铜纳米线形貌、结构等性能,并进一步研究了其场发射性能。研究结果表明:水汽对氧化铜纳米线的密度及场发射性能影响较大,在500 sccm空气流量条件下,通入水汽(500 sccm)条件与未通入水汽条件生长得到的氧化铜纳米线相比,其密度明显增大,场发射性能提升,其开启场强约为3.7 V/μm,明显低于干燥空气中生长氧化铜纳米线的开启场强(6.5 V/μm);此外,制备得到的氧化铜纳米线的场发射性能随着通入水汽量增大出现先升高后降低的趋势,并且,在通入水汽流量为3000 sccm时,获得最佳的氧化铜纳米线场发射性能,其开启场强低至1.4 V/μm。 展开更多
关键词 CuO纳米线 热氧化法 环境湿度 场发射
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图案化氧化钨纳米线阵列的低温制备工艺及其场发射特性研究
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作者 刘飞 郭同义 +5 位作者 李力 李立方 甘海波 陈军 邓少芝 许宁生 《真空电子技术》 2012年第3期4-7,22,共5页
氧化钨纳米线由于具有长径比较大、导电性好、阈值电场较低、可承受的电流较高等优点,因此在场致电子发射器件中受到人们的广泛关注。但是在氧化钨纳米结构研究发展的过程中,出现了一些技术难题,比如制备温度高(>800℃),制备的氧化... 氧化钨纳米线由于具有长径比较大、导电性好、阈值电场较低、可承受的电流较高等优点,因此在场致电子发射器件中受到人们的广泛关注。但是在氧化钨纳米结构研究发展的过程中,出现了一些技术难题,比如制备温度高(>800℃),制备的氧化钨通常混合多种化学相而导致物性不均匀等,所以束缚了氧化钨纳米线在场发射领域的快速发展。本文采用磁控溅射技术结合化学气相沉积技术在500℃下分别实现了高纯相的WO2和WO3纳米线阵列的定域生长。场发射特性研究结果表明:所制备的WO3纳米线阵列的开启电场低至0.65MV/m,阈值电场约为2.9MV/m,最大电流密度达到18.3A/cm2;WO2纳米线阵列的开启电场低至0.8MV/m,阈值电场为2.46MV/m,最大电流密度达到12.1mA/cm2。这表明在低温下制备的氧化钨纳米线阵列在场致电子发射领域具有非常广阔的应用前景。 展开更多
关键词 氧化钨纳米线 低温制备工艺 场发射特性
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热处理对氧化锌纳米线场发射特性的影响 被引量:1
5
作者 陈贤祥 张琦锋 +6 位作者 郑文丰 张兆祥 张耿民 赵兴钰 陈长琦 薛增泉 吴锦雷 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期199-202,共4页
用场发射显微镜研究了在钨针尖上生长的氧化锌纳米线的场发射性能 ,得到了氧化锌纳米线的场发射像及场发射电流与电压关系 ,并讨论了氧化锌纳米线场发射像的形成原因和不同热处理条件对其场发射性能的影响 。
关键词 氧化锌 纳米线 场发射 场发射显微镜 热处理 宽带隙半导体
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氧化钨纳米线定域制备及其场发射特性研究 被引量:2
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作者 陈道坤 许卓 +3 位作者 刘飞 邓少芝 许宁生 陈军 《真空电子技术》 2015年第1期4-7,共4页
冷阴极在X射线源中有重要应用。本文结合微加工技术和磁控溅射镀膜技术,采用直接热氧化法实现了在玻璃衬底上大面积定域制备氧化钨(WO3)纳米线阵列。制备所得的WO3纳米线具有较大的长径比。场发射特性测试表明,该WO3纳米线冷阴极具有良... 冷阴极在X射线源中有重要应用。本文结合微加工技术和磁控溅射镀膜技术,采用直接热氧化法实现了在玻璃衬底上大面积定域制备氧化钨(WO3)纳米线阵列。制备所得的WO3纳米线具有较大的长径比。场发射特性测试表明,该WO3纳米线冷阴极具有良好的场发射特性,开启电场为4.9V/μm,发射均匀性好,有望应用在平板X射线源中。 展开更多
关键词 氧化钨纳米线 热氧化制备 场发射特性
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阴极电弧法定向生长的铜纳米线上沉积非晶碳膜及其场发射特性(英文) 被引量:4
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作者 黄柏仁 叶忠信 +2 位作者 汪岛军 谭振台 宋健民 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期97-101,共5页
以阴极电弧法,分别于硅基材与铜纳米线(CuNWs)/硅基材(其中铜纳米线系阳极氧化铝(AAO)模板技术成长于硅基材上)沉积非晶碳膜。分别以扫描电子显微镜(SEM)、原子力电子显微镜(AFM)和X光电子光谱仪(XPS)表征了非晶碳膜/铜纳米线/硅基材与... 以阴极电弧法,分别于硅基材与铜纳米线(CuNWs)/硅基材(其中铜纳米线系阳极氧化铝(AAO)模板技术成长于硅基材上)沉积非晶碳膜。分别以扫描电子显微镜(SEM)、原子力电子显微镜(AFM)和X光电子光谱仪(XPS)表征了非晶碳膜/铜纳米线/硅基材与非晶碳膜/硅基材两者之表面形貌、粗糙度、结构及键结等物理特性。并比较两者之电子场发射特性。研究结果显示:两者都拥有低起始电场及高电流密度,其中非晶碳膜/铜纳米线/硅基材的场发射起始电压为3.75V/μm优于非晶碳膜/硅基材的15V/μm,因此非晶碳膜/铜纳米线/硅基材更适用于场发射平面显示器(FED)之发射子,可应用于高稳定性及低成本之场发射平面显示器之研发。 展开更多
关键词 场发射 非晶碳膜 铜纳米线(CuNWs) 阳极氧化铝(AAO)
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非定向氧化锌纳米线阵列的场发射
8
作者 陈亮 张耿民 王鸣生 《北京大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期774-779,共6页
使用热蒸发的方法在硅基底上制备了非定向氧化锌(ZnO)单晶纳米线阵列。经过热蒸发之后,在硅基底上形成一层均匀分布的ZnO点。在这些ZnO点上生长出非定向的ZnO纳米线阵列,其中的纳米线直径大约在10到20nm之间。考虑到实用,在制备样品的... 使用热蒸发的方法在硅基底上制备了非定向氧化锌(ZnO)单晶纳米线阵列。经过热蒸发之后,在硅基底上形成一层均匀分布的ZnO点。在这些ZnO点上生长出非定向的ZnO纳米线阵列,其中的纳米线直径大约在10到20nm之间。考虑到实用,在制备样品的过程中硅基底的温度始终保持在500℃以下。然后测量了这些非定向ZnO纳米线阵列的场发射特性。在5.5V·μm-1场强下得到了10μA·cm-2的场发射电流密度;同时使用透明阳极技术观察了其场发射中心的分布。 展开更多
关键词 氧化锌纳米线 场发射 场发射中心分布 屏蔽效应
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