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CMOS有源像素传感器光响应分析及实验模型建立 被引量:8
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作者 徐江涛 姚素英 朱天成 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期334-337,共4页
在分析CMOS工艺中的N+/P衬底光电二极管光电响应特性的基础上,提出了一个用于光电响应估算的模型.采用chartered0.35μm2P4MN阱工艺,设计并制造了一个三管有源像素传感器及其测试电路以获得模型的精确实验数据.根据在室光下测试得到的... 在分析CMOS工艺中的N+/P衬底光电二极管光电响应特性的基础上,提出了一个用于光电响应估算的模型.采用chartered0.35μm2P4MN阱工艺,设计并制造了一个三管有源像素传感器及其测试电路以获得模型的精确实验数据.根据在室光下测试得到的灵敏度(0.76V/lx.s)和从像素中提取的电容值,可得电流密度和入射光强度之间的线性系数为7.542×10-4A/m2.lx.这个简单、精确的模型适合在设计CMOS图像传感器中,预测光电二极管和CMOS图像传感器的性能. 展开更多
关键词 CMOS图像传感器 光电二极管 光电响应 实验模型 有源像素
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嗅觉可视化技术及其对5种化学物质的区分 被引量:10
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作者 赵杰文 张建 邹小波 《江苏大学学报(自然科学版)》 EI CAS 北大核心 2008年第1期1-4,共4页
针对目前人工嗅觉技术存在的一些缺陷,研制了一种新型嗅觉可视化的检测系统.介绍了卟啉和疏水性pH指示剂这两种嗅觉可视化材料以及气体可视化传感器阵列的制作.并详细阐述了嗅觉可视化系统的组成、检测步骤和数据处理.最后用所研制的嗅... 针对目前人工嗅觉技术存在的一些缺陷,研制了一种新型嗅觉可视化的检测系统.介绍了卟啉和疏水性pH指示剂这两种嗅觉可视化材料以及气体可视化传感器阵列的制作.并详细阐述了嗅觉可视化系统的组成、检测步骤和数据处理.最后用所研制的嗅觉可视化系统对乙醇、甲醛、氨气、丙酮、乙酸5种常见的化学物质进行了检测,通过特征图像,人眼很容易就可以将5种化学物质区分开.用常规聚类分析表明,当取相似度为10时,可以将5种化学物质完全区分. 展开更多
关键词 食品工程 嗅觉可视化技术 卟啉 化学显色剂 传感器
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可视化仿生传感器阵列研究进展
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作者 杨一平 朱文静 董家乐 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2013年第1期5-8,16,共5页
基于交叉响应原理的可视化仿生传感器阵列以其材料制备方法多样、检测结果精度高、应用范围宽等优点成为传感器系统构建新方法。在简述了可视化传感器阵列设计原则的基础上,详细阐述了指示剂取代法、主客体复合物以及微纳米技术在其敏... 基于交叉响应原理的可视化仿生传感器阵列以其材料制备方法多样、检测结果精度高、应用范围宽等优点成为传感器系统构建新方法。在简述了可视化传感器阵列设计原则的基础上,详细阐述了指示剂取代法、主客体复合物以及微纳米技术在其敏感元件构建方法中的应用,剖析总结了可视化仿生传感器阵列敏感材料制备中的问题,并对未来发展进行了展望。 展开更多
关键词 传感器阵列 可视化 仿生 交叉响应
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半导体发光材料的新应用──视觉敏感GaAsP光敏二极管 被引量:1
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作者 陈佐禹 《液晶与显示》 CAS CSCD 1996年第4期292-296,共5页
本文讨论了半导体发光材料的新应用—GaAsP视觉敏感光敏二极管。这是在n—GaAsP上制作浅结的光敏二极管,通过对研组份值、结深的控制,器件的|△EV|≤0.1,这意味着器件的光谱响应十分接近于人眼,其暗电流小于0.... 本文讨论了半导体发光材料的新应用—GaAsP视觉敏感光敏二极管。这是在n—GaAsP上制作浅结的光敏二极管,通过对研组份值、结深的控制,器件的|△EV|≤0.1,这意味着器件的光谱响应十分接近于人眼,其暗电流小于0.2pA/mm2,灵敏度为0.8μA/mm2。该光敏二极管已成功地应用于高级自动电子相机中。 展开更多
关键词 光敏二极管 视觉敏感 光传感器
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BCD工艺下光电集成的单光子雪崩光电二极管及前端电路的研制 被引量:1
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作者 史晓凤 庞雪 +6 位作者 朱丽君 张新宇 张媛 韩波 李佩君 郭博 程翔 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期267-277,共11页
提出一种基于BCD工艺用于检测微弱光信号的单光子雪崩光电二极管(SPAD)及前端淬灭-复位电路(QRC)。为减小边缘击穿的风险,提高响应度,设计了一种圆形P+/Nwell/Deep Nwell结构SPAD,Deep Nwell和衬底之间形成的pn结,能够有效减少p衬底流... 提出一种基于BCD工艺用于检测微弱光信号的单光子雪崩光电二极管(SPAD)及前端淬灭-复位电路(QRC)。为减小边缘击穿的风险,提高响应度,设计了一种圆形P+/Nwell/Deep Nwell结构SPAD,Deep Nwell和衬底之间形成的pn结,能够有效减少p衬底流向雪崩区的暗电流,降低暗计数率,也保证了较小的纵向渡越时间,提高了响应速度。同时设计了P阱保护环,增大了器件的击穿电压。采用silvaco对器件进行二维仿真,与传统的P+/Nwell结构以及P+/Nwell/BNwell结构进行了比较,验证了设计结构在击穿电压、响应度方面的优越性。为实现光电探测器与集成电路的协同设计,改进了APD光电器件的等效电路模型并在此基础上设计了主动淬灭复位电路,死时间约为2.6 ns,能够达到快速探测的目的。测试结果表明,P+/Nwell/DNwell结构的雪崩击穿电压为15.8 V,在过电压为0.2 V时,650 nm光照射下,响应度约为0.80 A/W,暗计数率为20 kHz。 展开更多
关键词 单光子雪崩光电二极管 光电集成 BCD工艺 响应度 飞行时间传感器
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4T-PPD-APS光子辐射响应特性分析 被引量:1
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作者 徐守龙 邹树梁 +2 位作者 黄有骏 匡雅 郭赞 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期22-27,共6页
分析了含有4个晶体管的钳位光电二极管有源像素传感器(4T-PPD-APS)的结构特点以及γ射线光子在像元内的能量沉积过程。通过建立传感器像元及像素阵列仿真计算模型,并结合γ射线辐射响应实验,对有源像素传感器(APS)在不同光子能量及不同... 分析了含有4个晶体管的钳位光电二极管有源像素传感器(4T-PPD-APS)的结构特点以及γ射线光子在像元内的能量沉积过程。通过建立传感器像元及像素阵列仿真计算模型,并结合γ射线辐射响应实验,对有源像素传感器(APS)在不同光子能量及不同放射性水平条件下的响应特性进行了研究。研究结果表明:γ光子在光电二极管空间电荷区内沉积能量并形成扩散光电流是APS发生光子响应现象的根本原因;像素值的平均值随剂量率的增大呈先增大后趋于饱和的趋势;当典型事件区域内出现多个峰值时,像素值的统计值不能准确反映辐射场放射性水平。 展开更多
关键词 探测器 互补金属氧化物半导体有源像素传感器 光子辐射响应 钳位光电二极管
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