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新型垂直沟道的NPN型偶载场效应晶体管的设计及特性
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作者 任永玲 于理科 +1 位作者 李国辉 姬成周 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2003年第1期63-66,共4页
研制了一种新模式的半导体场效应晶体管——垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET) ,这种结构可以避免现有光刻技术的制约 ,使用常规的半导体双极晶体管工艺 ,既可把有效沟道长度减短 ,大大提高器件的速度 ,又可将电源电压降低到小于 1 V... 研制了一种新模式的半导体场效应晶体管——垂直沟道的偶载场效应晶体管(VDCFET) ,这种结构可以避免现有光刻技术的制约 ,使用常规的半导体双极晶体管工艺 ,既可把有效沟道长度减短 ,大大提高器件的速度 ,又可将电源电压降低到小于 1 V,大幅度降低功耗 ,改进其电学性能 .本器件可应用于高频电路、D触发器、环振电路及反相器等重要电路 .从纵向和横向报道了器件的设计思想 ,并给出了器件特性的测量结果 . 展开更多
关键词 垂直沟道的偶载场效应晶体管 系统级芯片 有效沟道长度
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