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一种新型电子节能灯用晶体管—双极型静电感应晶体管(BSIT)
1
作者
周子波
《微电子技术》
1996年第6期13-19,共7页
本文简要叙述了开发和研制BSIT的市场背景和技术现状;对BSIT(BipolarStaticInductionTransistor)器件模型进行了理论分析;对BSIT器件的设计和制作工艺进行了探讨,并分析了BSIT器件的工作原理和特性;介绍了BSIT器件的应用和上灯试...
本文简要叙述了开发和研制BSIT的市场背景和技术现状;对BSIT(BipolarStaticInductionTransistor)器件模型进行了理论分析;对BSIT器件的设计和制作工艺进行了探讨,并分析了BSIT器件的工作原理和特性;介绍了BSIT器件的应用和上灯试用情况。
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关键词
电子节能灯
双极型
静电感应晶体管
BSIT
在线阅读
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职称材料
变容二极管C-V特性的控制技术
被引量:
2
2
作者
叶新民
《微电子技术》
1999年第1期39-43,共5页
本文针对变容二极管生产难点:C-V曲线的控制,在理论上分析了PN结纵横向结构对PN结C-V特性、串联电阻、反向电流的影响,得出了适当减小芯片面积,调高杂质浓度可以不增大串联电阻而减小反向电流、改善C-V特性的结论,并应用于生产。
关键词
变容二极管
C-V特性
串连电阻
反向电流
在线阅读
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职称材料
节能灯用功率开关晶体管的设计思路
被引量:
1
3
作者
高正新
《微电子技术》
2001年第1期29-33,共5页
本文通过对节能灯中电子镇流器关键线路的分析 。
关键词
节能灯
电子镇流器
功率开关晶体管
设计
在线阅读
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职称材料
PECVD Si_xN_y应力的研究
被引量:
1
4
作者
俞诚
《微电子技术》
1995年第5期19-27,56,共10页
氨化硅的应力严重制约着它的应用,本文较详细地介绍了PECVC出xN,薄膜应力的大小与制备工艺及条件的关系,从而揭示了能有效地抑制Si_xN_y应力的工艺途径。文中给出了大量测试数据,并提供了许多实物照片。
关键词
氮化硅
应力
半导体薄膜技术
在线阅读
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职称材料
国产123型内涂胶的应用研究
5
作者
陈平
《微电子技术》
1995年第4期34-37,共4页
关键词
国产胶
硅橡胶
涂胶
硅氧烷聚合物
粘度
应用研究
介电常数
有机硅聚合物
高反压大功率管
电子器件
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职称材料
超高频晶体管多晶硅发射极新工艺
6
作者
俞诚
王文源
《微电子技术》
1995年第1期34-37,共4页
关键词
晶体管
超高频晶体管
多晶硅
发射极
在线阅读
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职称材料
3~5km无线通信用高频功率晶体管的设计方案
7
作者
高正新
《微电子技术》
2000年第6期25-30,共6页
本文通过对 3~5km无绳电话和对讲机要求的分析,介绍了一种工作于175MHz的高频功率晶体管的设计参数选择、物理参数选择、版图设计、组装方式及可靠性设计的方法。
关键词
高频功率晶体管
设计方案
无线通信
在线阅读
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职称材料
锡铅银焊带国产化应用研究
8
作者
钱晓平
《微电子技术》
1996年第6期31-34,共4页
关键词
锡铅银焊带
封装
功率晶体管
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职称材料
TO─3P(H)(IS)全绝缘封装工艺研究
9
作者
李兵
邢临平
周亚炎
《微电子技术》
1996年第1期49-56,共8页
关键词
绝缘型
封装工艺
功率晶体管
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职称材料
题名
一种新型电子节能灯用晶体管—双极型静电感应晶体管(BSIT)
1
作者
周子波
机构
中国华晶电子集团公司分立器件事业部
出处
《微电子技术》
1996年第6期13-19,共7页
文摘
本文简要叙述了开发和研制BSIT的市场背景和技术现状;对BSIT(BipolarStaticInductionTransistor)器件模型进行了理论分析;对BSIT器件的设计和制作工艺进行了探讨,并分析了BSIT器件的工作原理和特性;介绍了BSIT器件的应用和上灯试用情况。
关键词
电子节能灯
双极型
静电感应晶体管
BSIT
分类号
TN386.7 [电子电信—物理电子学]
TM923.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
在线阅读
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职称材料
题名
变容二极管C-V特性的控制技术
被引量:
2
2
作者
叶新民
机构
中国华晶电子集团公司分立器件事业部
出处
《微电子技术》
1999年第1期39-43,共5页
文摘
本文针对变容二极管生产难点:C-V曲线的控制,在理论上分析了PN结纵横向结构对PN结C-V特性、串联电阻、反向电流的影响,得出了适当减小芯片面积,调高杂质浓度可以不增大串联电阻而减小反向电流、改善C-V特性的结论,并应用于生产。
关键词
变容二极管
C-V特性
串连电阻
反向电流
Keywords
Variable capacitance diode
C-V characteristics
Series resistance
Reverse current
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
节能灯用功率开关晶体管的设计思路
被引量:
1
3
作者
高正新
机构
中国华晶电子集团公司分立器件事业部
出处
《微电子技术》
2001年第1期29-33,共5页
文摘
本文通过对节能灯中电子镇流器关键线路的分析 。
关键词
节能灯
电子镇流器
功率开关晶体管
设计
Keywords
Energy Saving lamp
Electronical rectification
Power switch transistor
Choice and design
分类号
TM923.61 [电气工程—电力电子与电力传动]
在线阅读
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职称材料
题名
PECVD Si_xN_y应力的研究
被引量:
1
4
作者
俞诚
机构
中国华晶电子集团公司分立器件事业部
出处
《微电子技术》
1995年第5期19-27,56,共10页
文摘
氨化硅的应力严重制约着它的应用,本文较详细地介绍了PECVC出xN,薄膜应力的大小与制备工艺及条件的关系,从而揭示了能有效地抑制Si_xN_y应力的工艺途径。文中给出了大量测试数据,并提供了许多实物照片。
关键词
氮化硅
应力
半导体薄膜技术
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
国产123型内涂胶的应用研究
5
作者
陈平
机构
中国华晶电子集团公司分立器件事业部
出处
《微电子技术》
1995年第4期34-37,共4页
关键词
国产胶
硅橡胶
涂胶
硅氧烷聚合物
粘度
应用研究
介电常数
有机硅聚合物
高反压大功率管
电子器件
分类号
TN4 [电子电信—微电子学与固体电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
超高频晶体管多晶硅发射极新工艺
6
作者
俞诚
王文源
机构
中国华晶电子集团公司分立器件事业部
出处
《微电子技术》
1995年第1期34-37,共4页
关键词
晶体管
超高频晶体管
多晶硅
发射极
分类号
TN323.2 [电子电信—物理电子学]
在线阅读
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职称材料
题名
3~5km无线通信用高频功率晶体管的设计方案
7
作者
高正新
机构
中国华晶电子集团公司分立器件事业部
出处
《微电子技术》
2000年第6期25-30,共6页
基金
.NULL.
文摘
本文通过对 3~5km无绳电话和对讲机要求的分析,介绍了一种工作于175MHz的高频功率晶体管的设计参数选择、物理参数选择、版图设计、组装方式及可靠性设计的方法。
关键词
高频功率晶体管
设计方案
无线通信
Keywords
Communication
High frequency power - transistor
Design scheme
分类号
TN323.402 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
锡铅银焊带国产化应用研究
8
作者
钱晓平
机构
中国华晶电子集团公司分立器件事业部
出处
《微电子技术》
1996年第6期31-34,共4页
关键词
锡铅银焊带
封装
功率晶体管
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
TO─3P(H)(IS)全绝缘封装工艺研究
9
作者
李兵
邢临平
周亚炎
机构
中国华晶电子集团公司分立器件事业部
出处
《微电子技术》
1996年第1期49-56,共8页
关键词
绝缘型
封装工艺
功率晶体管
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
TN305.94 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新型电子节能灯用晶体管—双极型静电感应晶体管(BSIT)
周子波
《微电子技术》
1996
0
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职称材料
2
变容二极管C-V特性的控制技术
叶新民
《微电子技术》
1999
2
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职称材料
3
节能灯用功率开关晶体管的设计思路
高正新
《微电子技术》
2001
1
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职称材料
4
PECVD Si_xN_y应力的研究
俞诚
《微电子技术》
1995
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
5
国产123型内涂胶的应用研究
陈平
《微电子技术》
1995
0
在线阅读
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职称材料
6
超高频晶体管多晶硅发射极新工艺
俞诚
王文源
《微电子技术》
1995
0
在线阅读
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职称材料
7
3~5km无线通信用高频功率晶体管的设计方案
高正新
《微电子技术》
2000
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
8
锡铅银焊带国产化应用研究
钱晓平
《微电子技术》
1996
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
9
TO─3P(H)(IS)全绝缘封装工艺研究
李兵
邢临平
周亚炎
《微电子技术》
1996
0
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职称材料
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