125mm铝栅CMOS工艺技术开发及其应用

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作者 吴巍 蔡木本 《微电子技术》 1998年第1期27-30,共4页

铝栅CMOSIC作为一种功能较简单，性能比较低，集成度不高的低挡IC产品，长期以来一直采用75～100mm图片材料进行图片加工。本文阐述了一种采用125mm图片，与3μm硅极CMOS大生产线完全兼容的铝栅CMOS工艺技术。详细地讨论了它的开发过程... 铝栅CMOSIC作为一种功能较简单，性能比较低，集成度不高的低挡IC产品，长期以来一直采用75～100mm图片材料进行图片加工。本文阐述了一种采用125mm图片，与3μm硅极CMOS大生产线完全兼容的铝栅CMOS工艺技术。详细地讨论了它的开发过程及其技术特点，以及在产品生产上的应用前景。 展开更多

关键词 125mm 铝栅CMOS 开发 应用

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开关电容滤波器的设计 被引量：5

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作者 汪东 狄永清 +2 位作者 陆竹青 张从容 郑明 《微电子技术》 2000年第4期11-19,共9页

本文简要阐述了基本开关电容工作原理，介绍了两种开关电容滤波器的设计方法，并用其进行ＤＴＭＦ滤波器中低通、带通和高通滤波器的设计。

关键词 开关电容滤波器 双二阶 RLC DTMF

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塑封成形缺陷研究 被引量：6

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作者 孙宏伟 罗文丽 《微电子技术》 1999年第2期2-10,共9页

本文分析了单注塑封装模式中塑封成形缺陷产生的原因，并针对各种缺陷提出了相应的解决方案。

关键词 塑封成形缺陷 单注塑塑封模 塑封料

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0.9μmASIC正向设计中的总体仿真及测试矢量产生 被引量：2

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作者 居水荣 郑明 《微电子技术》 2000年第2期17-21,共5页

给出了在以VHDL为硬件描述语言的 0 9μmCMOS标准单元正向设计中 ,在存在用户定制单元及ROM宏单元情况下的总体仿真方法 ,讨论了测试矢量的产生及验证。

关键词 总体仿真 测试矢量 正向设计 ASIC 集成电路 MOS

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0.9μmASIC正向设计中DDB的产生及验证 被引量：1

5

作者 居水荣 袁敏民 《微电子技术》 2000年第2期8-11,共4页

讨论了 0 9μm标准单元正向设计流程中 ,后道工具所需的中间数据格式—DDB的产生方法及步骤 ,同时给出了DDB的验证方法。

关键词 DDB 验证 ASIC 正向设计 集成电路

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集成电路的失效分析技术及其在产品开发和制造中的应用 被引量：1

6

作者 许平平 《电子产品可靠性与环境试验》 1995年第4期14-20,共7页

随着集成电路制造技术的日益更新,对失效分析技术也提出了日益严峻的挑战。本文结合国外公司失效分析技术水平和华晶公司的实际情况介绍了集成电路的失效分析的步骤、技术和方法,并列举了在“七五”引进工程国家验收产品10K2μm CMOS门... 随着集成电路制造技术的日益更新,对失效分析技术也提出了日益严峻的挑战。本文结合国外公司失效分析技术水平和华晶公司的实际情况介绍了集成电路的失效分析的步骤、技术和方法,并列举了在“七五”引进工程国家验收产品10K2μm CMOS门阵电路和3μm A1栅产品CD9302LN研制过程中的应用实例。 展开更多

关键词 集成电路 失效分析 制造 产品开发

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规范班组质量管理　提高塑封产品质量

7

作者 孙宏伟 《微电子技术》 1998年第6期58-60,共3页

关键词 班组质量管理 提高产品质量 工艺文件 全面质量管理 工作质量 塑封料 工艺条件 质量意识 技术攻关 定置管理

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一种廉价的计算器集成电路测试系统──微机测试系统

8

作者 陈育人 许汉强 陈欣 《微电子技术》 1998年第6期30-40,共11页

本文扼要地介绍了计算器集成电路的自身测试方法，并根据这种测试方法给出了微机测试计算器集成电路的系统结构。然后着重阐述了微机与计算器集成电路的硬件接口，它包括键盘接口、LCD段码接口、背极信号接口，以及计算器集成电路静态... 本文扼要地介绍了计算器集成电路的自身测试方法，并根据这种测试方法给出了微机测试计算器集成电路的系统结构。然后着重阐述了微机与计算器集成电路的硬件接口，它包括键盘接口、LCD段码接口、背极信号接口，以及计算器集成电路静态电参数的测试方法与接口线路。 展开更多

关键词 计算器 集成电路(IC) 微机测试 系统结构 硬件接口 电参数

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CIM技术实用化

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作者 张立 张弛 《微电子技术》 1998年第1期46-51,共6页

本文论述了在大规模集成电路生产中引进先进的计算机网络系统的优势及必然性，并介绍了如何根据自身条件优化系统，使之满足现有生产。

关键词 CIM PROMIS DYNAMIC CONTROL CHART DCOP

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0.9μmASIC正向设计中的版图数据格式及库的混合使用

10

作者 居水荣 陈育人 《微电子技术》 2000年第2期12-16,共5页

给出了 0 9μmASIC正向设计中的版图数据格式与gdsⅡ格式之间转换步骤 ,讨论了单元库混合使用的设计方法。

关键词 版图数据格式 ASIC 集成电路 正向设计 MOS

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可靠性试验与工艺优化

11

作者 陈建新 《微电子技术》 1999年第1期49-51,共3页

本文简要的说明了CS50在开发过程中，其背面金属化材料的更改，工艺优化都与可靠性有着密切联系。通过相关的可靠性试验为其提供科学的依据。

关键词 导通电阻 热阻 背面金属化 热疲劳试验

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提高CSC6668CN的组装成品率

12

作者 孙宏伟 殷国海 宋春岚 《微电子技术》 1999年第2期35-41,共7页

本文以CSC6668CN为例，提出了影响用TQFP60薄型封装生产的几个主要问题，针对问题在各相关工序进行工艺研究和探索，在提高组装成品率的同时，对TQFP60薄型封装的技术要点有了基本的认识。

关键词 低弧度键合 金丝反拉方式 表面安装 表面开裂

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版图设计质量的过程控制

13

作者 陈育人 过浩 徐钧 《微电子技术》 1998年第2期24-28,共5页

本文主要描述了CMOS集成电路的版图设计质量的过程控制，给出了版图质量过程控制的基本流程、原理、方法与实验结果，并探讨了计算机辅助设计与版图验证工具的重要性，以及人工检查版图的必要性。

关键词 DRC(设计规则检查) ERC(电性规则检查) LVS(版图电路图一致性检查) Verification(验证)

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3V/5V标准单元混合使用的芯片设计

14

作者 居水荣 《半导体情报》 2000年第2期37-39,44,共4页

讨论了 0 .9μm标准单元正向设计流程中当电路中存在 5 V和 3 V两种电压时芯片的设计方法 ,包括网表产生与验证 ,版图设计 ,电压转换单元的加入原则。

关键词 标准单元 正向设计 芯片 MOS

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关于缺陷密度DO的研究

15

作者 黄国华 《微电子技术》 1998年第3期26-29,共4页

在半导体图片制造过程中，提高成品率是我们一直追求的目标。本文从成品率失效模式入手，介绍一种评价半导体生产线的新方法：缺陷密度DO，从而对工艺水平的评价提供一个较为客观的依据。本文从DO／Yield模型的建立，基本计算公式介绍... 在半导体图片制造过程中，提高成品率是我们一直追求的目标。本文从成品率失效模式入手，介绍一种评价半导体生产线的新方法：缺陷密度DO，从而对工艺水平的评价提供一个较为客观的依据。本文从DO／Yield模型的建立，基本计算公式介绍，DO／Yield模型的计算机程序开发，以及DO／Yield模型的实际应用等几个方面加以阐述。 展开更多

关键词 缺陷密度 失效模型 有效面积 密度因子

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一种8位微机芯片的CPU内核

16

作者 居水荣 郑明 《微电子技术》 1999年第5期22-27,共6页

本文介绍了一种8位微处理机芯片的CPU内核，给出了该内核的结构、数据流，举例说明了指令的调试过程。

关键词 内核 结构 指令

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集成电路SnPh电镀工艺中的质量控制

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作者 王铁坤 宋春岚 魏先玉 《微电子技术》 1999年第6期54-58,共5页

本文针对集成电路引线框SnPb电镀工艺过程中所发生的质量不良，分析了产生质量问题的原因和相关的影响因素，并着重从工艺质量控制角度讨论了解决相应不良问题的预防措施和工艺手段。文章最后一节给出了部分产品的实际QC质量控制结果。

关键词 集成电路引线框 SnPb/电镀 工艺质量控制

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现代企业生产管理中值得注意的几个问题

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作者 徐小城 《微电子技术》 2000年第4期57-63,共7页

本文从现代企业管理角度出发，对现代企业生产系统的结构和功能、企 业战略决策与能力、生产管理的目标和任务、库存控制策略、质量管理与质量成 本控制、生产管理人员职责及作用等方面对生产运行进行了探讨，并结合微电子 企业的特点... 本文从现代企业管理角度出发，对现代企业生产系统的结构和功能、企 业战略决策与能力、生产管理的目标和任务、库存控制策略、质量管理与质量成 本控制、生产管理人员职责及作用等方面对生产运行进行了探讨，并结合微电子 企业的特点提几点建设性意见。 展开更多

关键词 生产管理 战略决策 企业管理

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