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一种单片集成硅压力传感器的放大控制电路设计 被引量:3
1
作者 曾鹏 张正元 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第05B期1826-1828,1831,共4页
针对单片集成压力传感器信号的识取和处理,提出了一种高增益、全摆幅的运算放大电路.电路采用两级放大,具有对称的输入结构和全摆幅输出结构.将电路通过计算机软件PSPICE进行模拟,在5V的电源电压下,放大电路开环增益可达到110dB,输出范... 针对单片集成压力传感器信号的识取和处理,提出了一种高增益、全摆幅的运算放大电路.电路采用两级放大,具有对称的输入结构和全摆幅输出结构.将电路通过计算机软件PSPICE进行模拟,在5V的电源电压下,放大电路开环增益可达到110dB,输出范围可达0.1V^4.9V.利用此电路可以构成仪表放大器,从而进一步设计出集成压力传感器. 展开更多
关键词 压力传感器 双极型放大器 仪表放大器
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SDB/SOI硅材料顶层硅膜均匀性控制研究 被引量:2
2
作者 冯建 毛儒焱 +1 位作者 吴建 王大平 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期594-596,共3页
介绍了SDB/SOI(Silicon D irect Bonging/Silicon On Insulator)硅材料顶层硅膜均匀性的控制方法。顶层硅膜均匀性控制不好,会直接影响到IC或者其他元器件参数的一致性,造成器件成品率低,材料浪费大。因此,在制备SOI材料时,必须严格控... 介绍了SDB/SOI(Silicon D irect Bonging/Silicon On Insulator)硅材料顶层硅膜均匀性的控制方法。顶层硅膜均匀性控制不好,会直接影响到IC或者其他元器件参数的一致性,造成器件成品率低,材料浪费大。因此,在制备SOI材料时,必须严格控制材料顶层硅厚度的均匀性和重复性。 展开更多
关键词 硅直接键合 SOI 减薄 抛光 顶层硅膜 均匀性
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用于高速ADC的低抖动时钟稳定电路 被引量:2
3
作者 张红 周述涛 +1 位作者 张奉江 张正璠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第12期1143-1147,共5页
介绍了一种用于高速ADC的低抖动时钟稳定电路。这个电路由延迟锁相环(DLL)来实现。这个DLL有两个功能:一是通过把一个时钟沿固定精确延迟半个周期,再与另一个沿组成一个新的时钟来调节时钟占空比到50%左右;二是调节时钟抖动。该电路采用... 介绍了一种用于高速ADC的低抖动时钟稳定电路。这个电路由延迟锁相环(DLL)来实现。这个DLL有两个功能:一是通过把一个时钟沿固定精确延迟半个周期,再与另一个沿组成一个新的时钟来调节时钟占空比到50%左右;二是调节时钟抖动。该电路采用0.35μm CMOS工艺,在Cadence Spectre环境下进行仿真验证,对一个8 bit、250 Msps采样率的ADC,常温下得到的时钟抖动小于0.25 ps rms(典型的均方根)。 展开更多
关键词 高速A/D转换器 延迟锁相环 占空比稳定 时钟抖动
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欧姆接触电阻率测量方法的比较研究 被引量:4
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作者 赵安邦 谭开洲 吴国增 《重庆邮电大学学报(自然科学版)》 2006年第z1期238-241,共4页
根据材料的厚度对金属-半导体间的欧姆接触电阻率的测量方法做了分类,并分别介绍了各种方法的原理。分析了它们的误差形成原因以及对结果的影响,比较了它们的优劣,探讨了在不同情况下最合适的办法。
关键词 金属-半导体 欧姆接触 接触电阻率 传输线模型法
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8 bit 800 Msps高速采样保持电路的设计 被引量:2
5
作者 潘星 王永禄 张正平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期1044-1047,共4页
为适应目前无线通信领域对高速A/D转换器的要求,采用在Cadence Spectre环境下进行仿真验证的方法,对高速A/D前端采样保持电路进行了研究。提出的高速采样保持电路(SH)采用SiGe BiCMOS工艺设计,该工艺提供了0.35μm的CMOS和46 GHzfT的SiG... 为适应目前无线通信领域对高速A/D转换器的要求,采用在Cadence Spectre环境下进行仿真验证的方法,对高速A/D前端采样保持电路进行了研究。提出的高速采样保持电路(SH)采用SiGe BiCMOS工艺设计,该工艺提供了0.35μm的CMOS和46 GHzfT的SiGe HBT。基于BiCMOS开关射极跟随器(SEF)的SH,旨在比二极管桥SH消耗更少的电流和面积。在SH核心,电源电压3.3 V,功耗44 mW。在相干采样模式下,时钟频率为800 MHz时,其无杂波动态范围(SFDR)为-52.8 dB,总谐波失真(THD)为-50.4 dB,满足8 bit精度要求。结果显示设计的电路可以用于中精度、高速A/D转换器。 展开更多
关键词 采样保持电路 高速 开关射极跟随器 双极互补金属氧化物半导体
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运算放大器SET效应的试验研究 被引量:1
6
作者 封国强 胡永贵 +4 位作者 王健安 黄建国 马英起 韩建伟 张振龙 《空间科学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期170-175,共6页
模拟器件的单粒子瞬态脉冲效应的研究,成为近来国际上单粒子效应研究的热点.针对中国生产的运算放大器SF3503,利用脉冲激光单粒子效应测试装置,试验研究了SF3503工作于反相放大器与电压比较器模式SET效应的特征与规律.获取了器件的敏感... 模拟器件的单粒子瞬态脉冲效应的研究,成为近来国际上单粒子效应研究的热点.针对中国生产的运算放大器SF3503,利用脉冲激光单粒子效应测试装置,试验研究了SF3503工作于反相放大器与电压比较器模式SET效应的特征与规律.获取了器件的敏感节点分布、LET阈值和SET脉冲波形的特征参数,其中器件的敏感节点均分布在输入级与放大级,LET阈值不大于1.2 MeV·cm~·mg^(-1),电压比较器产生的最大SET脉冲的幅度达27V、脉冲宽度为51μs.试验表明SF3503对SET效应极其敏感,在不采取任何措施的情况下,在空间任务中直接使用,会严重影响系统的可靠性. 展开更多
关键词 运算放大器 单粒子瞬态脉冲 脉冲激光 敏感节点
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高压大功率器件小电流控制技术研究
7
作者 曾莉 税国华 +2 位作者 张正元 杨永晖 徐岚 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期587-590,共4页
随着高压大功率双极功率集成电路在各种电源管理、功率驱动等领域中的应用日益广泛,产品的可靠性设计和控制显得尤其重要。介绍了高压大功率器件小电流的控制研究,说明了小电流形成的原理,及其对产品可靠性的影响;对各类曲线进行了详细... 随着高压大功率双极功率集成电路在各种电源管理、功率驱动等领域中的应用日益广泛,产品的可靠性设计和控制显得尤其重要。介绍了高压大功率器件小电流的控制研究,说明了小电流形成的原理,及其对产品可靠性的影响;对各类曲线进行了详细分析,阐明了小电流的测试和控制技术,以及小电流对高压大功率双极型集成电路可靠性的重要性。 展开更多
关键词 高压大功率器件 双极集成电路 小电流控制 SPC PCM可靠性设计
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改善辐照加固设计流水线型模数转换器性能的抖动电路技术
8
作者 余金山 梁盛铭 +5 位作者 马卓 王育新 张瑞涛 刘涛 李婷 俞宙 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第1期129-132,137,共5页
提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进... 提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进行量化,并将抖动信号从ADC量化输出中减去,以降低ADC的信噪比.结果表明,所提出的抖动电路技术能够改善ADC的静态和动态性能,特别是在ADC量化小的输入信号时. 展开更多
关键词 抖动 流水线 抗辐照加固设计 模数转换器
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一种全差分CMO S采样/保持电路
9
作者 陈海燕 肖坤光 +2 位作者 张正璠 周平 张红 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期673-676,共4页
文章对影响采样/保持电路精度的电荷注入效应和时钟馈通效应进行了分析,提出了一种全差分CMOS采样/保持电路的设计方案,有效地消除了电荷注入效应误差和时钟馈通误差,极大地减小了其非线性误差,并保证了较高的精度。设计的电路采用TSMC ... 文章对影响采样/保持电路精度的电荷注入效应和时钟馈通效应进行了分析,提出了一种全差分CMOS采样/保持电路的设计方案,有效地消除了电荷注入效应误差和时钟馈通误差,极大地减小了其非线性误差,并保证了较高的精度。设计的电路采用TSMC 0.35μm CMOS工艺提供的PDK,在Cadence SpectreS环境下进行仿真验证。测试结果表明,电路信噪比达-81 dB,积分非线性为±0.25 LSB。该电路已运用到一种高速高精度A/D转换器中,性能良好。 展开更多
关键词 CMOS 采样/保持放大器 A/D转换器 电荷注入效应 时钟馈通效应
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ULSI/VLSI中铝互连线热应力的数值模拟
10
作者 付厚奎 吴月花 +5 位作者 刘志民 郭春生 李志国 程尧海 吉元 崔伟 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期577-580,共4页
对有钝化层与无钝化层的铝互连线的热应力进行了数值模拟,并建立起互连线的二维有限元模型。对无钝化的铝互连线,只考虑弹性行为,其应力随线宽及衬底刚度的增加而增加。对于钝化的铝互连线,对其弹性行为和弹性/理想塑性行为进行了模拟... 对有钝化层与无钝化层的铝互连线的热应力进行了数值模拟,并建立起互连线的二维有限元模型。对无钝化的铝互连线,只考虑弹性行为,其应力随线宽及衬底刚度的增加而增加。对于钝化的铝互连线,对其弹性行为和弹性/理想塑性行为进行了模拟。结果发现,互连线线宽的减小,钝化层硬度的增加,都会使应力增加。与纯弹性线条相比,弹性/理想塑性互连线条中的应力有所减小,且分布更均匀。 展开更多
关键词 VLSI 铝互连线 热应力 有限元
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一种高速CMOS预放大锁存比较器
11
作者 张奉江 张红 张正璠 《重庆邮电大学学报(自然科学版)》 2007年第B06期66-68,85,共4页
介绍了一种适合于高速模数转换器(ADCs)的预放大-锁存(preamplifier-latch)CMOS比较器。此电路结构包括一个预放大器、锁存比较器和输出缓冲器。在预放大器和正反馈锁存比较器之间加入分离电路,以此来减少回扫(kickback)噪声对电路的影... 介绍了一种适合于高速模数转换器(ADCs)的预放大-锁存(preamplifier-latch)CMOS比较器。此电路结构包括一个预放大器、锁存比较器和输出缓冲器。在预放大器和正反馈锁存比较器之间加入分离电路,以此来减少回扫(kickback)噪声对电路的影响。采用0.35μm标准CMOS工艺库,在Cadence环境下进行仿真,该比较器在时钟频率为500 MHz,采样频率为40 MHz的时候,可以达到30μV的精度,功耗大约为0.6 mW。 展开更多
关键词 预放大-锁存比较器 回扫噪声 模数转换器
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一种高精度的CMOS带隙电压基准 被引量:3
12
作者 高菊 周玮 《现代电子技术》 2010年第2期12-14,共3页
介绍一种采用二阶补偿技术的带隙电压基准电路。基于一阶曲率补偿的带隙电压基准,利用晶体管基极-发射极电压Vbe与温度T的非线性关系,通过PTAT2电路补偿Vbe的二阶项,从而改善了基准电压的温度特性。Cadence软件仿真结果表明,工作电压为5... 介绍一种采用二阶补偿技术的带隙电压基准电路。基于一阶曲率补偿的带隙电压基准,利用晶体管基极-发射极电压Vbe与温度T的非线性关系,通过PTAT2电路补偿Vbe的二阶项,从而改善了基准电压的温度特性。Cadence软件仿真结果表明,工作电压为5 V,在-35^+110℃的温度范围内,其温度系数可达2.89 ppm/℃。 展开更多
关键词 带隙电压基准 二阶曲率补偿 温度系数 CADENCE
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离子源灯丝绝缘子的优化设计
13
作者 刘登华 刘道广 +4 位作者 刘兴钊 刘玉奎 印子华 邹昭伟 王保刚 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期686-688,692,共4页
通过对离子注入机离子源灯丝绝缘子的结构、尺寸、实际工作效果等方面的分析,提出了一种注入机离子源灯丝绝缘子的优化设计。该方案减少了离子源因绝缘效果不良引起的系统工作不稳定故障,灯丝使用寿命延长至50 h以上。
关键词 离子注入机 离子源 等离子体 灯丝 阳极
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硅基二维光子晶体耦合器理论研究 被引量:9
14
作者 林旭彬 刘玉奎 李宝军 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第9期1157-1160,共4页
光子晶体是一种具有光子带隙的新型人工材料,利用其具有控制和限制光子运动的特性可以制成新颖的光学器件。利用硅基二维光子晶体,提出了一种4端口耦合器。采用时域有限差分法作为研究工具,TM模作为研究对象,从理论上分析了这种器件的... 光子晶体是一种具有光子带隙的新型人工材料,利用其具有控制和限制光子运动的特性可以制成新颖的光学器件。利用硅基二维光子晶体,提出了一种4端口耦合器。采用时域有限差分法作为研究工具,TM模作为研究对象,从理论上分析了这种器件的特性。在不同的耦合长度下研究光在输出端的功率透射率,结果表明选择适当的耦合长度可以使光在器件中呈现不同的状态。进一步研究表明,通过改变器件内部介质柱的半径,可以改变光在输出端的输出功率。从而证实了这种器件不仅具有波长选择性,而且具有潜在的可调节性,这些特性使得这种器件在全光开关的应用上具有潜在的优势。 展开更多
关键词 导波与光纤光学 光子晶体 耦合器 时域有限差分法 透射率
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功率VDMOS器件的ESD瞬态模型 被引量:1
15
作者 李泽宏 周春华 +3 位作者 胡永贵 刘勇 张波 徐世六 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期2014-2017,共4页
基于对功率VDMOS器件ESD保护及初始条件的分析,建立了VDMOS器件的ESD保护等效电路,分析了ESD响应过程,得到功率VDMOS器件的ESD瞬态模型.分析结果表明,该模型准确地描述了功率VDMOS器件的ESD瞬态放电过程,解决了以往模型中初始条件分析... 基于对功率VDMOS器件ESD保护及初始条件的分析,建立了VDMOS器件的ESD保护等效电路,分析了ESD响应过程,得到功率VDMOS器件的ESD瞬态模型.分析结果表明,该模型准确地描述了功率VDMOS器件的ESD瞬态放电过程,解决了以往模型中初始条件分析不足等问题.借助该模型,获得ESD器件的等效电阻和击穿电压、VDMOS的栅极输入电阻、栅源电容、栅氧厚度等与功率VDMOS器件抗ESD能力的关系,为功率VDMOS器件的抗ESD保护设计提供重要指导. 展开更多
关键词 VDMOS ESD 等效电路 初始条件 瞬态模型
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