玫瑰红与介孔二氧化硅生物光敏复合体的激发态性质

1

作者 杨一飞 单含 +4 位作者 涂浪平 刘晓敏 曾庆辉 杜创 孔祥贵 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期848-852,共5页

以光动力治疗药物玫瑰红(Rose Bengal,RB)与孔径为2.7 nm的介孔二氧化硅MCM-41为主体材料进行结构组装,制备了具有生物光敏功能的介孔复合载体。对介孔复合载体的性质进行了表征,通过紫外吸收和荧光光谱对玫瑰红RB在介孔孔道内的光学性... 以光动力治疗药物玫瑰红(Rose Bengal,RB)与孔径为2.7 nm的介孔二氧化硅MCM-41为主体材料进行结构组装,制备了具有生物光敏功能的介孔复合载体。对介孔复合载体的性质进行了表征,通过紫外吸收和荧光光谱对玫瑰红RB在介孔孔道内的光学性质进行了分析。由于介孔道表面与RB的相互作用,不同结构和性质的内孔道中的RB荧光发射峰发生了相应的红移和蓝移。 展开更多

关键词 介孔材料 光敏剂 光动力治疗

在线阅读 下载PDF 职称材料

Ru(Ⅱ)配合物光学氧传感材料的合成及其传感性质 被引量：6

2

作者 李斌 左青卉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第3期211-215,共5页

合成了一种Ru(Ⅱ)配合物功能化的有机-无机杂化材料Ru-pyttz-MCM-41,利用红外光谱和小角X射线衍射对该杂化材料进行了表征。不同氧气浓度下的发射光谱分析表明,该样品的发光能够有效地被氧分子猝灭,可以作为光学氧传感材料探测氧气浓度... 合成了一种Ru(Ⅱ)配合物功能化的有机-无机杂化材料Ru-pyttz-MCM-41,利用红外光谱和小角X射线衍射对该杂化材料进行了表征。不同氧气浓度下的发射光谱分析表明,该样品的发光能够有效地被氧分子猝灭,可以作为光学氧传感材料探测氧气浓度。氧气传感性能研究表明,该样品具有良好的灵敏度和较短的响应时间,对环境和生物化学领域氧气浓度的测定具有重要的意义。 展开更多

关键词 Ru(Ⅱ)配合物 介孔分子筛 光学氧传感器

在线阅读 下载PDF 职称材料

衬底温度对ZnO薄膜的结构和光学特性的影响 被引量：2

3

作者 宿世臣 吕有明 +1 位作者 张吉英 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期736-739,共4页

利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,制备了不同的ZnO样品。研究了衬底温度对ZnO的结构、光学和电学性质的影响。样品的晶体结构利用X射线衍射谱进行表征。X射线衍射谱表明,所有的ZnO样品都是(002)... 利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)设备在蓝宝石衬底上通过改变生长温度,制备了不同的ZnO样品。研究了衬底温度对ZnO的结构、光学和电学性质的影响。样品的晶体结构利用X射线衍射谱进行表征。X射线衍射谱表明,所有的ZnO样品都是(002)取向的六角纤锌矿结构。随着生长温度的升高,X射线的(002)衍射峰的半峰全宽逐渐减小。样品的表面形貌随着衬底的温度改变而变化,在800℃得知了平整的ZnO表面。通过光致发光的实验得知,ZnO的紫外发光随着生长温度的升高,强度逐渐增强。光致发光的来源为ZnO的自由激子发光。在生长温度为800℃时,得到了高质量的ZnO单晶薄膜,X射线衍射峰的最大半峰全宽为0.05°,霍尔迁移率为51 cm2/(V.s),载流子浓度为1.8×1018cm-3。 展开更多

关键词 氧化锌 等离子体辅助分子束外延 光致发光

在线阅读 下载PDF 职称材料

MgAl_2O_4∶Mn^(2+)绿色荧光粉的合成与光学性质 被引量：1

4

作者 焦学琛 郝振东 +1 位作者 张霞 张家骅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1139-1142,共4页

采用高温固相反应法制备了一系列MgAl2O4∶xMn2+。在450 nm的蓝光激发下,观察到了Mn2+的4T1→6 A1跃迁的绿色发光,发射光在x=10%时达到最大值。研究结果表明,在x>10%之后,材料的发光强度没有明显减弱。发光强度的减弱是由于Mn2+导致... 采用高温固相反应法制备了一系列MgAl2O4∶xMn2+。在450 nm的蓝光激发下,观察到了Mn2+的4T1→6 A1跃迁的绿色发光,发射光在x=10%时达到最大值。研究结果表明,在x>10%之后,材料的发光强度没有明显减弱。发光强度的减弱是由于Mn2+导致的缺陷增多引起的。缺陷态与Mn2+对于蓝色激发光进行竞争,并且对520 nm的发射光有再吸收过程。温度升高后的发光增强也被观察到。通过变温漫反射谱研究,我们认为这与充当电子陷阱的缺陷态在高温下内部电子被热激发有关。 展开更多

关键词 浓度猝灭效应 热猝灭效应 MgAl2O∶Mn2+ 蓝光激发 能量转换

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于电感耦合等离子体的InP基半导体材料干法刻蚀的研究

5

作者 王琪 张金龙 +1 位作者 王立军 刘云 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1276-1280,共5页

研究了基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统的InP基半导体材料的干法刻蚀。采用Cl2/Ar/H2混合刻蚀气体,分别研究了氯气体积分数和ICP功率与刻蚀速率之间的关系,及镍、二氧化硅和二者结合型掩膜版的适用范围。获得有效的刻蚀速率为450～1 ... 研究了基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统的InP基半导体材料的干法刻蚀。采用Cl2/Ar/H2混合刻蚀气体,分别研究了氯气体积分数和ICP功率与刻蚀速率之间的关系,及镍、二氧化硅和二者结合型掩膜版的适用范围。获得有效的刻蚀速率为450～1 200 nm/min,InP对金属镍的选择性刻蚀比值为175～190。掩膜版的选择与制备方法适用于基于ICP系统的任何半导体材料的干法刻蚀工艺。 展开更多

关键词 固体掩膜版 电感耦合等离子体 INP 干法刻蚀

在线阅读 下载PDF 职称材料

高效率半导体激光器光纤耦合模块 被引量：28

6

作者 朱洪波 刘云 +4 位作者 郝明明 单肖楠 付喜宏 张金龙 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1147-1151,共5页

随着半导体激光光源在激光加工领域的应用不断扩展,以激光二极管阵列制成的光纤耦合模块由于存在耦合效率低的缺点,已不能满足激光加工低成本的需求,因此研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。本文将8只波长为808 nm... 随着半导体激光光源在激光加工领域的应用不断扩展,以激光二极管阵列制成的光纤耦合模块由于存在耦合效率低的缺点,已不能满足激光加工低成本的需求,因此研制高耦合效率的半导体激光器光纤耦合模块变得十分重要。本文将8只波长为808 nm、输出功率为5 W的单管半导体激光器通过合束技术耦合进光纤,制备了一种高效率的半导体激光器光纤耦合模块。光纤芯径为200μm、数值孔径(NA)为0.22,光纤输出功率为33.2W,耦合效率超过83%,这种高效率半导体激光器光纤耦合模块,可用于激光打标、塑料加工等领域。 展开更多

关键词 单管半导体激光器 高效率 光纤耦合 合束

在线阅读 下载PDF 职称材料

850nm高亮度锥形半导体激光器的光电特性 被引量：11

7

作者 杨晔 刘云 +9 位作者 秦莉 张金龙 彭航宇 王烨 李再金 胡黎明 史晶晶 王超 宁永强 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期593-597,共5页

采用激射波长为850 nm的AlGaInAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制增益量子阱结构的外延片,设计并制备了具有条形结构和锥形结构的半导体激光器。在输出功率同为1 W时,锥形激光器的发散角、光束传播因子和亮度分别为4°、2.8和9.9 MW.... 采用激射波长为850 nm的AlGaInAs/AlGaAs梯度折射率波导分别限制增益量子阱结构的外延片,设计并制备了具有条形结构和锥形结构的半导体激光器。在输出功率同为1 W时,锥形激光器的发散角、光束传播因子和亮度分别为4°、2.8和9.9 MW.cm-2.sr-1,远好于条形激光器的6°、9.2和3.0 MW.cm-2.sr-1。当外加3 A的脉冲电流时,锥形激光器峰值功率达到1.40 W,斜率效率为0.58 W/A,电光转换效率为30%。实验结果表明,锥形激光器可以在保证大功率输出的前提下,具有更高的光束质量。 展开更多

关键词 850nm 锥形半导体激光器 高亮度 光束传播因子

在线阅读 下载PDF 职称材料

NaGdF_4∶Yb^(3+),Ho^(3+)与GdF_3∶Yb^(3+),Ho^(3+)纳米材料的合成、形貌控制与发光性质 被引量：9

8

作者 曹健 张霞 +1 位作者 郝振东 张家骅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1233-1237,共5页

采用水热法通过调控n(F-)∶n(Ln3+),pH值以及n(Citrate)∶n(Ln)等一系列反应条件,合成了六方相的NaGdF4∶Yb3+,Ho3+与GdF3∶Yb3+,Ho3+纳米上转换材料,实现了形貌的可控合成。利用X射线粉末衍射(XRD),场扫描电子显微镜(SEM)以及发光光谱... 采用水热法通过调控n(F-)∶n(Ln3+),pH值以及n(Citrate)∶n(Ln)等一系列反应条件,合成了六方相的NaGdF4∶Yb3+,Ho3+与GdF3∶Yb3+,Ho3+纳米上转换材料,实现了形貌的可控合成。利用X射线粉末衍射(XRD),场扫描电子显微镜(SEM)以及发光光谱等手段对产物的物相结构、形貌和荧光性质进行了研究。在980 nm光激发下,六方相的NaGdF4∶Yb3+,Ho3+与GdF3∶Yb3+,Ho3+样品均显示出绿光(541 nm)和红光(647 nm)发射,分别来自于Ho3+的5F4,5S2→5I8和5F5→5I8的跃迁。结果显示NaGdF4∶Yb3+,Ho3+六棱柱与六棱片结构的发光远强于GdF3∶Yb3+,Ho3+的发光,但在pH=7.0,9.0时生成的NaGdF4∶Yb3+,Ho3+球形结构发光效率低于GdF3∶Yb3+,Ho3+。这表明六方相NaGdF4∶Yb3+,Ho3+不同形貌样品的尺寸与结晶性对发光效率影响很大。 展开更多

关键词 NaGdF4∶Yb3+ Ho3+ GdF3∶Yb3+ Ho3+ 形貌控制 上转换发光

在线阅读 下载PDF 职称材料

2600W偏振耦合高效率半导体激光光源 被引量：7

9

作者 彭航宇 单肖楠 +3 位作者 马军龙 付喜宏 佟存柱 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1036-1040,共5页

将两个中心波长为808 nm,输出功率为1 500 W的半导体激光叠阵,经过快慢轴准直后,利用半波片将其中一个叠阵的偏振方向旋转90°,使用偏振分光平板的耦合功能,将两个偏振方向相互垂直的激光耦合到一个光路。扩束后再通过焦距为100 mm... 将两个中心波长为808 nm,输出功率为1 500 W的半导体激光叠阵,经过快慢轴准直后,利用半波片将其中一个叠阵的偏振方向旋转90°,使用偏振分光平板的耦合功能,将两个偏振方向相互垂直的激光耦合到一个光路。扩束后再通过焦距为100 mm的聚焦镜组聚焦,提高激光器的亮度。在工作电流为75 A时,输出功率达到了2 600 W,电光转换效率为48%,聚焦后的光斑尺寸为1 mm×2 mm,功率密度为130 kW.cm-2,可直接应用于熔覆、表面硬化等加工领域。 展开更多

关键词 半导体激光 高效率 偏振耦合 偏振分光平板

在线阅读 下载PDF 职称材料

F_(16)CuPc作为阳极缓冲层对有机太阳能电池性能的显著改善 被引量：8

10

作者 刘亚东 苏子生 +2 位作者 庄陶钧 初蓓 李文连 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1176-1180,共5页

采用F16CuPc作为有机太阳能电池的阳极缓冲层可使器件的性能得到显著提高。F16CuPc的引入,一方面可以实现CuPc分子的定向生长,从而改善CuPc薄膜的结晶度,提高其空穴迁移率;另一方面在F16 CuPc/CuPc界面处可形成偶极层,改善空穴的输出效... 采用F16CuPc作为有机太阳能电池的阳极缓冲层可使器件的性能得到显著提高。F16CuPc的引入,一方面可以实现CuPc分子的定向生长,从而改善CuPc薄膜的结晶度,提高其空穴迁移率;另一方面在F16 CuPc/CuPc界面处可形成偶极层,改善空穴的输出效率。以上两个作用有效提高了器件的载流子收集效率,降低了器件的串联电阻和光生载流子复合几率,从而提高了器件的短路电流和填充因子。同时,F16CuPc的引入使器件的内建电场增大,提高了器件的开路电压。 展开更多

关键词 阳极缓冲层 CUPC F16CuPc 结晶度

在线阅读 下载PDF 职称材料

用于GaAs太阳能电池的NaYF_4中Tb^(3+)-Er^(3+)耦合对的光谱转换 被引量：7

11

作者 刘春旭 王鹏程 +1 位作者 骆永石 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第11期1120-1125,共6页

观测到一种以Tb3+-Er3+进行光谱转换的量子剪裁现象。一个高能紫外光子(Tb3+的7F6→5L1)被量子剪裁成两个低能光子:一个是近红外光子(Er3+的4I9/2→4I15/2),另一个是蓝色光子(Tb3+的5D4→7F6),它们两个都可以被GaAs太阳能电池有效地吸... 观测到一种以Tb3+-Er3+进行光谱转换的量子剪裁现象。一个高能紫外光子(Tb3+的7F6→5L1)被量子剪裁成两个低能光子:一个是近红外光子(Er3+的4I9/2→4I15/2),另一个是蓝色光子(Tb3+的5D4→7F6),它们两个都可以被GaAs太阳能电池有效地吸收。量子剪裁效率高达188%,接近理论极限的200%。从Tb3+(5L1→5D4)到Er3+(4 I15/2→4 I9/2)的能量传递的能量失配是237 cm-1,比NaYF4中的声子能400 cm-1小,能量传递是近共振的。Tb3+施主间的能量迁移可以近似地用扩散模型处理,从Tb3+-Er3+对之间能量传递的初始过程发现,偶极-偶极相互作用占主导地位。 展开更多

关键词 Tb3+-Er3+耦合对 光谱转换 量子剪裁 量子效率

在线阅读 下载PDF 职称材料

Ag纳米颗粒对有机小分子太阳能电池性能的改善 被引量：7

12

作者 庄陶钧 苏子生 +3 位作者 刘亚东 初蓓 李文连 范翊 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1266-1270,共5页

在有机小分子太阳能电池CuPc/C60和TiOPc/C60的阳极ITO表面分别制备了一层Ag纳米颗粒,并采用MoO3作为阳极缓冲层,器件的性能均得到有效改善。Ag纳米颗粒的引入所形成的表面等离子激元共振可显著提高有机光活性层的吸收效率和光生激子的... 在有机小分子太阳能电池CuPc/C60和TiOPc/C60的阳极ITO表面分别制备了一层Ag纳米颗粒,并采用MoO3作为阳极缓冲层,器件的性能均得到有效改善。Ag纳米颗粒的引入所形成的表面等离子激元共振可显著提高有机光活性层的吸收效率和光生激子的分解效率;而MoO3有效抑制了光生激子在有机/金属界面处发生的猝灭,提高了器件的短路电流,并保持其它性能不变,最终提高器件的光电转化效率。 展开更多

关键词 有机太阳能电池 AG纳米颗粒 表面等离子激元 MOO3

在线阅读 下载PDF 职称材料

退火处理对ZnO纳米线紫外探测器性能的改善 被引量：6

13

作者 郭亮 赵东旭 +3 位作者 张振中 李炳辉 张吉英 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期844-847,共4页

通过介电泳方法定向排列了ZnO纳米线,制作了自组装有序的纳米线紫外探测器。为了适合在金叉指电极上排列,用水热方法设计生长了超长的ZnO纳米线,并通过700℃的热退火处理,使得可利用的表面缺陷增多。通过研究器件的光致发光光谱和光响应... 通过介电泳方法定向排列了ZnO纳米线,制作了自组装有序的纳米线紫外探测器。为了适合在金叉指电极上排列,用水热方法设计生长了超长的ZnO纳米线,并通过700℃的热退火处理,使得可利用的表面缺陷增多。通过研究器件的光致发光光谱和光响应,发现光、暗电流比和响应恢复时间有显著提高,并分析了其中可能的机理。 展开更多

关键词 ZNO纳米线 介电泳 纳米器件 紫外探测器

在线阅读 下载PDF 职称材料

850nm高亮度近衍射极限锥形半导体激光器(英文) 被引量：5

14

作者 杨晔 刘云 +3 位作者 张金龙 李再金 单肖楠 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第10期1064-1068,共5页

制备了具有低红暴优势的850 nm大功率高亮度锥形半导体激光器,获得了近衍射极限的激光输出。当连续输出功率为200 mW时,光束质量因子M2仅为1.7,亮度高达16.3 MW.cm-2.sr-1;当功率提高到1 W时,M2因子和亮度仍分别达到2.8和9.9 MW.cm-2.s... 制备了具有低红暴优势的850 nm大功率高亮度锥形半导体激光器,获得了近衍射极限的激光输出。当连续输出功率为200 mW时,光束质量因子M2仅为1.7,亮度高达16.3 MW.cm-2.sr-1;当功率提高到1 W时,M2因子和亮度仍分别达到2.8和9.9 MW.cm-2.sr-1。此外,研究了锥形激光器的功率、光谱、远场分布等特性,并分析了不同脊形波导长度对锥形激光器自聚焦现象的影响。 展开更多

关键词 850nm 锥形激光器 高亮度 光束质量因子M2

在线阅读 下载PDF 职称材料

ZnO/Ag/ZnO多层结构薄膜的光电性质 被引量：5

15

作者 郭亮 赵东旭 +3 位作者 张振中 李炳辉 张吉英 申德振 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期920-923,共4页

通过磁控溅射方法生长了不同银层厚度的ZnO/Ag/ZnO多层结构的薄膜,并对其形貌、光吸收谱、光致发光和光响应特性进行了比较研究。结果表明ZnO薄膜中银薄层的加入使得光致发光的强度增强。银层厚度为6 nm样品制成的器件在350 nm处的光响... 通过磁控溅射方法生长了不同银层厚度的ZnO/Ag/ZnO多层结构的薄膜,并对其形貌、光吸收谱、光致发光和光响应特性进行了比较研究。结果表明ZnO薄膜中银薄层的加入使得光致发光的强度增强。银层厚度为6 nm样品制成的器件在350 nm处的光响应度为0.06 A/W,相对于ZnO薄膜提高了一个数量级。而当银层厚度达到15 nm时,光响应度反而下降。 展开更多

关键词 ZnO多层结构 银薄层 光致发光 光响应

在线阅读 下载PDF 职称材料

高功率垂直腔面发射激光器的光束准直特性 被引量：4

16

作者 田振华 胡永生 +4 位作者 秦莉 张金龙 宁永强 王立军 刘云 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期939-943,共5页

基于高斯光束的准直原理,针对不同结构参数的大功率垂直腔面发射激光器光束特征,通过选用合适参数的透镜,研究了不同连续和脉冲电流条件激励下光束的准直特性。对于出光口径为200μm的器件,通过f=3.1 mm,NA=0.68的透镜,连续工作条件下,... 基于高斯光束的准直原理,针对不同结构参数的大功率垂直腔面发射激光器光束特征,通过选用合适参数的透镜,研究了不同连续和脉冲电流条件激励下光束的准直特性。对于出光口径为200μm的器件,通过f=3.1 mm,NA=0.68的透镜,连续工作条件下,准直后的最小发散角达到1°;在电流为40 A、脉宽60 ns、重复频率1 kHz的脉冲工作条件下,准直后的最小发散角达到2°。实验还证明,在NA不变的条件下,准直后的最小发散角随透镜焦距的增大而线性减小。 展开更多

关键词 面发射 激光 准直 高功率

在线阅读 下载PDF 职称材料

大功率垂直腔面发射激光器的相干性测量与分析 被引量：4

17

作者 史晶晶 秦莉 +4 位作者 宁永强 刘云 张金龙 曹军胜 王立军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期834-838,共5页

通过有机化学气象沉积(MOCVD)技术在n型GaAs衬底上生长制作了发射波长为850 nm的VCSELs4×4列阵器件,介绍了VCSELs的制作工艺流程。对器件进行了相干性测量,计算了干涉条纹可见度,分析了影响干涉条纹可见度的因素。

关键词 垂直腔面发射激光器 列阵 相干性

在线阅读 下载PDF 职称材料

空穴传输层掺杂SrF_2的高效率蓝色磷光OLED器件 被引量：7

18

作者 廖亚琴 甘至宏 刘星元 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期803-808,共6页

通过在OLED器件的空穴传输层中掺杂不同比例的SrF2制作出了高效率蓝色磷光OLED器件。这种器件能有效提高蓝色磷光OLED器件的空穴注入与传输特性,降低器件的的工作电压,提高流明效率(19.1lm/W)、电流效率(26.9 cd/A)以及亮度(22 220 cd/m... 通过在OLED器件的空穴传输层中掺杂不同比例的SrF2制作出了高效率蓝色磷光OLED器件。这种器件能有效提高蓝色磷光OLED器件的空穴注入与传输特性,降低器件的的工作电压,提高流明效率(19.1lm/W)、电流效率(26.9 cd/A)以及亮度(22 220 cd/m2),和未经掺杂的参比器件相比,分别提高了85.4%、45%、80%。 展开更多

关键词 蓝色磷光有机电致发光器件 空穴传输层 掺杂 SrF2

在线阅读 下载PDF 职称材料

荧光粉(Ca(2.94-x)Lux Ce(0.06))(ScMg)Si3O(12)的晶体结构和荧光性质 被引量：4

19

作者 刘永福 张霞 +2 位作者 郝振东 王笑军 张家骅 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期445-450,共6页

利用高温固相反应制备了一种由Lu改进的黄色荧光粉(Ca_(2.94-a)Lu_aCe_(0.06))(ScMg)Si_3O_(12)(缩写为CLSMS:Ce^(3+)),其中,0≤x≤0.94。同时研究了Lu含量对荧光粉的晶相、发光性质以及温度特性的影响。结果表明,Lu的引入导致荧光增强... 利用高温固相反应制备了一种由Lu改进的黄色荧光粉(Ca_(2.94-a)Lu_aCe_(0.06))(ScMg)Si_3O_(12)(缩写为CLSMS:Ce^(3+)),其中,0≤x≤0.94。同时研究了Lu含量对荧光粉的晶相、发光性质以及温度特性的影响。结果表明,Lu的引入导致荧光增强,其原因是由于Ce^(3+)吸收增强而不是荧光粉内量子效率增加。通过控制Lu的摩尔分数可以获得纯的晶相,进一步实现Ce^(3+)的高强度宽带发射。当Lu的摩尔分效x=0.54时,样品的荧光强度达到最大值,其值为不含Lu时荧光强度的156%。同时,含Lu的荧光粉比不含Lu的荧光粉表现出优越的温度特性。将含有Lu的荧光粉和蓝光LED芯片结合,得到显色指数86,流明效率为86lm/W的白光LED。 展开更多

关键词 黄色荧光粉 硅酸盐 白光LED

在线阅读 下载PDF 职称材料

缓冲层生长温度对In_(0.82)Ga_(0.18)As薄膜结构及电学性能的影响(英文) 被引量：3

20

作者 张铁民 缪国庆 +4 位作者 宋航 蒋红 李志明 傅军 颜丽娜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期787-791,共5页

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜的结构及电学性能的影响。固定外延薄膜的生长条件,仅改变缓冲层生长温度(分别为410,430,450,470... 采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,两步生长法在InP衬底上制备In0.82Ga0.18As材料。研究缓冲层的生长温度对In0.82Ga0.18As薄膜的结构及电学性能的影响。固定外延薄膜的生长条件,仅改变缓冲层生长温度(分别为410,430,450,470℃),且维持缓冲层其他生长条件不变。用拉曼散射研究样品的结构性能,测量四个样品的拉曼散射光谱,得到样品的GaAs的纵向光学(LO)声子散射峰的非对称比分别为1.53,1.52,1.39和1.76。测量样品的霍耳效应表明,载流子浓度随缓冲层生长温度变化而改变,同时迁移率也随缓冲层生长温度变化而改变。通过实验得出:缓冲层的生长温度能够影响In0.82Ga0.18As薄膜的结构及电学性能。最佳的缓冲层生长温度为450℃。 展开更多

关键词 铟镓砷 金属有机化学气相沉积 缓冲层 生长温度

在线阅读 下载PDF 职称材料