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超深亚微米工艺下模拟IC仿真的MOSFET模型 被引量：2
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作者 段成华 柳美莲 《微纳电子技术》 CAS 2006年第4期203-208,共6页
对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的... 对MOSFET器件特性、MOSFET建模方法和建模发展历程进行了回顾,分析了在模拟集成电路低功耗设计中比较流行的模型(BSIM3和EKV模型),对它们进行了比较,分析其各自的优点和缺点。结果表明获得能够精确地预测高性能模拟系统的模型是很困难的,而EKV模型在模拟集成电路的低功耗设计中具有一定的优势。 展开更多
关键词 模拟IC MOSFET建模 BSIM3模型 EKV模型 反型系数 短沟道效应 中间反型区
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