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开路p－n结对近邻光电二极管特性的影响 被引量：4
1
作者 石仲斌 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1994年第2期186-189,共4页
对ｐ－ｎ结邻近有大面积受光开路ｐ－ｎ结的光电特性进行了理论和实验分析。结果表明，这种结构不能改善光敏器件的灵敏度和探测率，而且由于大面积受光开路ｐ－ｎ结的存在，器件的灵敏度和探测率比相同面的单个ｐ－ｎ结小。
关键词 光电二极管 特性 光敏器件 P-N结
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温控晶闸管导通温度的设计
2
作者 石仲斌 方大卫 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期77-81,共5页
本文从温控晶闸管结构模型出发,建立一组相应的方程,获得了温控晶闸管导通温度与离子注入剂量的关系。通过精确控制离子注入剂量,器件可以获得预期的导通温度。
关键词 传感器 温敏器件 晶闸管 开关温度
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对“四论注入光敏器件的物理基础”一文的商榷 被引量：1
3
作者 石仲斌 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第6期441-445,共5页
利用受光PN 结伏安特性方程,分别对受光PN 结的光电流输出、注入电流输出和零电流输出三种情况进行了讨论,进一步对注入光敏器件的物理基础进行探讨,并对一些实验问题进行讨论。
关键词 光敏三极管 注入光敏器件 光电二极管
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