AlGaN/GaN HEMT器件研究 被引量：6

1

作者 曾庆明 刘伟吉 +4 位作者 李献杰 赵永林 敖金平 徐晓春 吕长志 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期170-173,共4页

叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm,由S参数测量推出器件的截止频率fT和最高振荡频率fmax分别为12GHz和24GHz。

关键词 GAN HEMT ALGAN 制造 研制 截止频率

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MMIC放大器R_n-G_n噪声模型的精确测量研究 被引量：3

2

作者 周求湛 焦剑晖 +3 位作者 李玉峰 张新发 徐建生 戴逸松 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z2期348-349,共2页

MMIC放大器在微波通信等领域有着重要的应用。由于微波信号在传输过程中 ,不可避免的会被噪声和干扰所污染 ,到达接收端时的微波信号已相当微弱 ,所使用的接收微波放大器必须要在工作频段上具备较小的噪声。本文将讨论如何使用 M- L an... MMIC放大器在微波通信等领域有着重要的应用。由于微波信号在传输过程中 ,不可避免的会被噪声和干扰所污染 ,到达接收端时的微波信号已相当微弱 ,所使用的接收微波放大器必须要在工作频段上具备较小的噪声。本文将讨论如何使用 M- L ane方法 (改进的 L ane方法 ) [1 ] ,使用自行研制的精密阻抗变换器 ,得到 MMIC放大器 Rn- Gn 噪声模型中包括最小噪声系数 Fmin在内的 4个参数 ,实验结果证明该方法可以有效地提高 展开更多

关键词 MMIC Rn-Gn噪声模型 阻抗变换器 最小噪声系数

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MEMS开关辐照实验研究 被引量：2

3

作者 邹学锋 顾卫东 《微纳电子技术》 CAS 2002年第7期31-34,共4页

进行了MEMS开关的辐照试验,并对结果进行了分析。所述的MEMS开关采用单晶硅悬臂梁结构实现金属电极接触,工作电压小于50V,最大工作频率大于10kHz。进行了中子辐照和γ辐照实验,其中中子注量为2.73×1013cm-2,γ总剂量为50krad(Si)... 进行了MEMS开关的辐照试验,并对结果进行了分析。所述的MEMS开关采用单晶硅悬臂梁结构实现金属电极接触,工作电压小于50V,最大工作频率大于10kHz。进行了中子辐照和γ辐照实验,其中中子注量为2.73×1013cm-2,γ总剂量为50krad(Si)。并通过对MEMS开关辐照前后性能的测试,获得了辐照对MEMS开关性能影响的实验数据。结果表明,在辐照剂量大于10krad(Si)时MEMS开关性能有明显变化。借鉴国外的相关研究成果,对MEMS器件的辐照失效机理进行了初步分析。 展开更多

关键词 MEMS 开关 辐照 实验研究 中子 Γ射线

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温度循环对半导体分立器件气密性影响研究

4

作者 李树杰 李亚红 +2 位作者 高兆丰 王长河 徐立生 《电子产品可靠性与环境试验》 2001年第3期2-6,共5页

阐述了影响器件气密性的各种因素和质量一致性检验中所存在的问题 ,给出了摸底试验条件的制定思路 ,并对实验结果进行了分析 ,最后就有关检漏工作问题提出了几点建议。

关键词 温度循环 半导体器件 气密性

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急性心肌梗死后左心室重构的研究进展 被引量：4

5

作者 徐全波 樊永平 +1 位作者 刘永欣 于悦卿 《中国医药》 2008年第2期124-126,共3页

急性心肌梗死（acute myocardial infarction，AMI）后的左心室重构（LVRM）是一个动态过程，心室大小、形态和功能均发生改变。重构是由于心肌梗死、心肌病、高血压病或瓣膜性心脏病等引起的心脏适应性过程。并非所有的心肌梗死均发生... 急性心肌梗死（acute myocardial infarction，AMI）后的左心室重构（LVRM）是一个动态过程，心室大小、形态和功能均发生改变。重构是由于心肌梗死、心肌病、高血压病或瓣膜性心脏病等引起的心脏适应性过程。并非所有的心肌梗死均发生重构，梗死面积达20％～40％时易于发生重构。尽管再灌注治疗明显改善了早期的存活率，但其后发生的左心室重构破坏了心肌纤维的正常收缩构型，对心功能仍有明显的影响。左心室重构使心室扩张，与心力衰竭、心律失常密切相关，造成心血管事件病死率和发病率持续升高。因此，防止和改善左心室重构成为目前研究的热点之一。 展开更多

关键词 心肌梗死 左心室重构

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GaAs/InP异质材料及MESFET器件研究

6

作者 陈小红 陈松岩 +3 位作者 张玉清 林爱清 陈丽容 邓彩玲 《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第6期759-763,共5页

用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料 ,并对材料进行Raman、光致发光 (PL)谱的测试分析 ,结果表明在GaAs InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移 ;PL谱峰较强 ,16K下测到GaAs的特征激... 用低压金属有机气相外延 (LP MOCVD)在InP衬底上生长出较高质量的GaAs材料 ,并对材料进行Raman、光致发光 (PL)谱的测试分析 ,结果表明在GaAs InP外延层中存在伸张应力致使Raman的LO模式的频率红移 ;PL谱峰较强 ,16K下测到GaAs的特征激子峰和杂质相关的激子峰 ,表明了GaAs外延层的晶体质量较好 .以此生长方法制备了金属 半导体场效应晶体管 (MESFET) ,其单位跨导可达 2 0 0ms mm . 展开更多

关键词 MESFET器件 GaAs/InP异质材料 光致发光谱 RAMAN谱 金属-半导体场效应晶体管 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料

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MEMS光开关 被引量：17

7

作者 梁春广 徐永青 杨拥军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1551-1556,共6页

采用 MEMS体硅工艺 ,制作了三种结构的微机械光开关 :水平驱动 2 D(二维 )光开关、垂直驱动 2 D光开关和扭摆驱动 2 D、3D(三维 )光开关 .水平驱动光开关采用单层体硅结构 ,另外两种光开关都采用了硅 -玻璃的键合结构 .它们的工作原理... 采用 MEMS体硅工艺 ,制作了三种结构的微机械光开关 :水平驱动 2 D(二维 )光开关、垂直驱动 2 D光开关和扭摆驱动 2 D、3D(三维 )光开关 .水平驱动光开关采用单层体硅结构 ,另外两种光开关都采用了硅 -玻璃的键合结构 .它们的工作原理都基于硅数字微镜技术 .这三种光开关均采用了静电力驱动 ,具有较低的驱动电压 ,其中扭摆式光开关的驱动电压小于 15 V.对于 2 D开关阵列 ,在硅基上制作了光纤自对准耦合槽 .对后两种光开关的开关特性进行了计算机模拟与分析 ,结果表明这两种光开关具有小于 展开更多

关键词 微机械电子系统 光开关 硅-玻璃键合 光通信

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密封半导体器件内部水汽含量的控制 被引量：10

8

作者 顾振球 梁法国 +4 位作者 刘云彩 郝景红 石洁 王长河 吴文章 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第7期56-58,共3页

叙述了器件内部水汽含量的来源和对可靠性的影响，采用控制技术后达到了良好的效果。

关键词 半导体器件 水汽含量 可靠性 密封

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硅基SiO_2光波导 被引量：8

9

作者 徐永青 梁春广 +1 位作者 杨拥军 赵彤 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第12期1546-1550,共5页

在硅基上通过氢氧焰淀积的 Si O2 ,厚度达到了 2 0 μm;通过掺 Ge增加芯层的折射率 ,折射率比小于 1% ,并可调 ;用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀 ,刻蚀深度为 6 μm,刻蚀深宽比大于 10 ;波导传输损耗小于0 .6 d B/ cm(λ=1.5 5 ... 在硅基上通过氢氧焰淀积的 Si O2 ,厚度达到了 2 0 μm;通过掺 Ge增加芯层的折射率 ,折射率比小于 1% ,并可调 ;用反应离子刻蚀工艺对波导的芯层进行刻蚀 ,刻蚀深度为 6 μm,刻蚀深宽比大于 10 ;波导传输损耗小于0 .6 d B/ cm(λ=1.5 5 μm) ,并对波导的损耗机理和测试进行了分析与研究 .另外 ,为实现光纤与波导的耦合 ,结合微电子机械系统技术 ,在波导基片上制作了光纤对准 展开更多

关键词 二氧化硅 光波导 硅其

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新型光波导阵列电光快速扫描器的光波导效应 被引量：8

10

作者 李家立 石顺祥 +2 位作者 王广生 花吉珍 赵卫 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第8期951-954,共4页

对新型光波导阵列电光快速扫描器中的光波导效应进行了研究 ,分析了考虑光波导模式效应的光波导阵列电光快速扫描器的扫描特性 ,指出光波导模式特性主要影响新型光波导电光快速扫描器的扫描范围和效率 。

关键词 电光快速扫描器 激光电光扫描 光波导阵列 光波导模式 电光效应

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纳电子器件谐振隧道二极管的研制 被引量：2

11

作者 梁惠来 赵振波 +9 位作者 郭维廉 张世林 牛萍娟 杨中月 郝景臣 张豫黔 王文君 魏碧华 周均铭 王文新 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期91-94,共4页

采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V特性 .对于 5μm× 5μm的 RTD器件 ,在室温条件下 ,测得其峰谷比最大可到 7.6∶ 1,最高振荡频率大于 2 6

关键词 纳米电子器件 谐振隧道二极管 砷化镓

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InP/InGaAs HBT湿法化学选择腐蚀技术 被引量：1

12

作者 李献杰 曾庆明 +3 位作者 徐晓春 敖金平 刘伟吉 梁春广 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期178-181,共4页

用H3PO4：H2O2系和HCl系腐蚀液实现了InP对InGaAs、InGaAs对InP的湿法化学选择腐蚀，并将其应用于InP/InGaAsHBT制作，发射极面积为10μm×20μm的单管共发射极直流增益β为70，截止频率Ft和最大振荡频率Fmax分别为11GHz和12GHz.

关键词 INP INGAAS 选择腐蚀 HBT 湿法刻蚀

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V_(In)H_4在InP材料中的影响 被引量：1

13

作者 孙聂枫 杨光耀 +5 位作者 吴霞宛 曹立新 赵权 郭维廉 赵有文 孙同年 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第4期316-320,共5页

在未掺杂和掺Fe的LEC In中用FT IR测试到VInH4 的存在。已经证实该缺陷在LEC -InP中普遍存在。经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4 浓度比在未掺杂中的高。而在同一晶锭中其浓度分布是头部高 ,尾部低。讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe... 在未掺杂和掺Fe的LEC In中用FT IR测试到VInH4 的存在。已经证实该缺陷在LEC -InP中普遍存在。经研究表明在掺Fe的InP中的VInH4 浓度比在未掺杂中的高。而在同一晶锭中其浓度分布是头部高 ,尾部低。讨论了其对未掺杂InP的电子特性和掺Fe的InP的补偿的影响 ,及其对InP热稳定性的影响。 展开更多

关键词 INP VInH4 掺杂 磷化铟 电子特性 热稳定性

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电子封装在中国的发展趋势 被引量：9

14

作者 高尚通 赵正平 《世界电子元器件》 1999年第6期32-35,共4页

一、引言 自从1947年世界发明第一只晶体管至今,以半导体和集成电路为基础的微电子以惊人的速度发展,短短的五十多年,使整个时代,从工业时代向信息化时代迈进。勿庸置疑,以微电子为其础的信息产业将成为世界第一产业。要发展微电子。

关键词 电子封装 半导体器件 IC 芯片

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真空微波器件用TiO2衰减陶瓷 被引量：1

15

作者 高陇桥 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期53-53,共1页

本文叙述了一种新型的ＴｉＯ２衰减陶瓷的西方和制造工艺，在国内首次用ＨＰ８５１０Ｂ对其ε”、μ”等电性能进行了测定，其数据对吸收机理的深入研究和现行产品质量的改进都具有重要意义。论文还对衰减陶瓷的研究和发展方向，提出了... 本文叙述了一种新型的ＴｉＯ２衰减陶瓷的西方和制造工艺，在国内首次用ＨＰ８５１０Ｂ对其ε”、μ”等电性能进行了测定，其数据对吸收机理的深入研究和现行产品质量的改进都具有重要意义。论文还对衰减陶瓷的研究和发展方向，提出了建设性意见。 展开更多

关键词 微波吸收 热耗散 真空微波器件 TiO2衰减陶瓷

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半导体激光器的主要失效机理及其与芯片烧结工艺的相关性 被引量：5

16

作者 黄云 安振峰 《电子产品可靠性与环境试验》 2002年第5期11-14,共4页

分析了GaAs/GaAlAs高功率半导体激光器的暗线缺陷、腔面损伤退化和电极退化等主要失效机理及主要失效模式,通过样品老化试验,从微观物理角度分析了光功率输出下降与芯片烧结工艺相关性,明确了烧结焊料引起PN结短路、烧结空隙、焊料沾污... 分析了GaAs/GaAlAs高功率半导体激光器的暗线缺陷、腔面损伤退化和电极退化等主要失效机理及主要失效模式,通过样品老化试验,从微观物理角度分析了光功率输出下降与芯片烧结工艺相关性,明确了烧结焊料引起PN结短路、烧结空隙、焊料沾污等是导致半导体激光器退化的一个主要因素。 展开更多

关键词 半导体激光器 失效机理 功率退化 烧结工艺 暗线缺陷 腔面损伤退化 电极退化

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利用扫描电镜分析、解决GaAs MMIC制作中的工艺问题

17

作者 王民娟 张浩 +2 位作者 周瑞 冯震 邵璀琦 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期406-407,共2页

关键词 扫描电镜分析 GAASMMIC 低噪声放大器 制作工艺 微波通讯 频率

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WN/W难熔栅自对准增强型n沟道HFET

18

作者 刘伟吉 曾庆明 +4 位作者 李献杰 敖金平 赵永林 郭建魁 徐晓春 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期190-192,共3页

发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850oC下退火，保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管。在1×50μm的HFET中，实现了最大跨导约为56mS/mm，阈值电压为3.5V。与p型HFET... 发展了WN/W难熔栅自对准工艺。WN/W栅在850oC下退火，保持了较好的形貌。在此工艺基础上研制出了适用于互补逻辑电路的增强型n沟道异质结场效应晶体管。在1×50μm的HFET中，实现了最大跨导约为56mS/mm，阈值电压为3.5V。与p型HFET的－3V的阈值基本对称。反向击穿电压为4～5V。 展开更多

关键词 WN/W 难熔栅 CHFET HIGFET 场效应晶体管

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移相掩模应用技术

19

作者 贾海强 张玉清 +1 位作者 张慕义 李岚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期28-29,共2页

一种用于大栅宽器件的移相掩模应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩模，以代替铬图形。利用此移相掩模技术，制作了特征线长为０．１５μｍ的微细栅条和大栅宽器件。

关键词 亚半微米 移相掩膜 半导体集成电路 应用

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微波放大器R_n-G_n噪声模型阻抗变换测量方法

20

作者 周求湛 王树勋 +1 位作者 戴逸松 焦剑晖 《吉林大学学报（信息科学版）》 CAS 2003年第4期321-324,共4页

为了使接收微波放大器在工作频段上具有较小的噪声,讨论了如何使用M-Lane方法,结合自行研制的精密阻抗变换器,得到微波放大器Rn-Gn噪声模型中包括最小噪声系数Fmin在内的4个参数,使设计的放大器工作在匹配状态,Fmin可达到2.32dB,测量时... 为了使接收微波放大器在工作频段上具有较小的噪声,讨论了如何使用M-Lane方法,结合自行研制的精密阻抗变换器,得到微波放大器Rn-Gn噪声模型中包括最小噪声系数Fmin在内的4个参数,使设计的放大器工作在匹配状态,Fmin可达到2.32dB,测量时间也大大缩短,结果稳定,为进行微波放大器低噪声设计提供了一个快速准确的方法。 展开更多

关键词 微波放大器 Rn-Gn噪声模型 阻抗变换器 最小噪声系数

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