退火温度对Mm(NiCoMnAl)_5/5wt%Mg_2Ni储氢合金结构和电化学性能的影响 被引量：8

1

作者 田晓 云国宏 +2 位作者 尚涛 王鸿钰 海山 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第19期2859-2863,共5页

采用二步熔炼法制备了Mm(NiCoMnAl)5/5%(质量分数)Mg2Ni复合储氢合金,并对其在不同温度(1023、1123和1223K)下进行退火热处理10h。用X射线衍射(XRD)、扫描显微镜(SEM)和电化学测试方法研究了退火温度对合金结构和电化学性能的影响。结... 采用二步熔炼法制备了Mm(NiCoMnAl)5/5%(质量分数)Mg2Ni复合储氢合金,并对其在不同温度(1023、1123和1223K)下进行退火热处理10h。用X射线衍射(XRD)、扫描显微镜(SEM)和电化学测试方法研究了退火温度对合金结构和电化学性能的影响。结果表明,铸态Mm(NiCoMnAl)5/5%(质量分数)Mg2Ni复合合金由LaNi5相和少量的Mg2Ni相组成,而退火态合金由LaNi5相和(La,Mg)Ni3新相组成。合金的最大放电容量和高倍率放电性能随退火温度的升高呈现出先增强后减弱的变化规律,其中退火温度为1023K时,合金电极的上述性能均达到最佳。合金的容量保持率随退火温度的升高而单调地增大,60次充放电循环后容量保持率从铸态合金的86.6%增大到退火合金(1223K)的92.4%。 展开更多

关键词 热处理 复合储氢合金 微结构 电化学性能

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快淬对MlNi_3.55Co_0.75Mn_0.4Al_0.3/5wt% Mg_2Ni复合储氢合金电化学性能的影响 被引量：9

2

作者 田晓 特古斯 +1 位作者 海山 姚占全 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1179-1184,共6页

为了改善AB5型储氢合金的放电容量和循环稳定性,研究了快淬速度对MlNi3.55Co0.75Mn0.4Al0.3/5wt%Mg2Ni复合储氢合金结构和电化学性能的影响.电感耦合等离子发射光谱(ICP)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM/EDS)和透射电子显微镜(TEM)分析... 为了改善AB5型储氢合金的放电容量和循环稳定性,研究了快淬速度对MlNi3.55Co0.75Mn0.4Al0.3/5wt%Mg2Ni复合储氢合金结构和电化学性能的影响.电感耦合等离子发射光谱(ICP)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM/EDS)和透射电子显微镜(TEM)分析表明,铸态复合合金由LaNi5相和少量的Mg2Ni相组成,而快淬态复合合金却由(La,Mg)Ni3新相和LaNi5相组成.当快淬速度≥15 m/s时,复合合金中形成明显的纳米晶组织并伴有部分非晶化倾向.电化学性能测试表明,快淬态复合合金的最大放电容量和容量保持率随快淬速度的增大呈现出先增大后减少的变化规律,其中快淬速度为20 m/s时合金电极的最大放电容量达最大值344 mAh/g,经100次充放电循环后该电极的容量保持率为93.9%. 展开更多

关键词 快淬 复合储氢合金 微结构 电化学性能

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球磨时间对AB_5/10wt.%CNTs复合储氢合金电化学性能的影响 被引量：6

3

作者 海山 田晓 +1 位作者 特古斯 特木日朝日格 《内蒙古大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2013年第2期188-194,共7页

将Mm(NiCoMnAl)5合金与CNTs均匀混合后机械球磨制备Mm(NiCoMnAl)5/10wt.%CNTs复合储氢合金.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和电化学测试方法研究复合合金的结构和电化学性能.结果表明:Mm(NiCoMnAl)5/10wt.%CNTs复合合金主要具有CaCu5... 将Mm(NiCoMnAl)5合金与CNTs均匀混合后机械球磨制备Mm(NiCoMnAl)5/10wt.%CNTs复合储氢合金.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和电化学测试方法研究复合合金的结构和电化学性能.结果表明:Mm(NiCoMnAl)5/10wt.%CNTs复合合金主要具有CaCu5结构,在其表面键合了众多的CNTs.随球磨时间增大,复合合金中CNTs含量逐渐减少.复合合金的最大放电容量、循环稳定性和高倍率放电性能随球磨时间的增大呈现出先增大后减小的变化规律,其中球磨时间为5h时,最大放电容量达到最大值291.9mAh/g;当球磨时间为3h时,合金电极经60次充放电循环后的容量保持率高达91.2%,且具有最佳的高倍率放电性能. 展开更多

关键词 复合储氢合金 碳纳米管 球磨时间 电化学性能

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氮流量在高氢氛围中对富硅氮化硅薄膜材料结构及其发光特性的影响 被引量：2

4

作者 张林睿 周炳卿 +3 位作者 张娜 路晓翠 乌仁图雅 高爱明 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期2048-2054,共7页

采用等离子体增强化学气相沉积技术,以N_2掺入到SiH_4和H_2的沉积方式,分别在玻璃和N型单晶硅片(100)衬底上制备富硅氮化硅薄膜。通过紫外-可见光吸收光谱、傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR光谱)、拉曼光谱和光致发光谱(PL谱)分别表征掺氮... 采用等离子体增强化学气相沉积技术,以N_2掺入到SiH_4和H_2的沉积方式,分别在玻璃和N型单晶硅片(100)衬底上制备富硅氮化硅薄膜。通过紫外-可见光吸收光谱、傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR光谱)、拉曼光谱和光致发光谱(PL谱)分别表征掺氮硅薄膜材料的带隙、结构及其发光特性的变化。结果表明:在氢气的氛围中,随着氮气流量的增加,氢原子能够对薄膜缺陷起到抑制作用,并使较低的SiH_4/N_2流量比下呈现富硅态,但却不利于硅团簇的形成。随着氮原子的掺入,Si-N键的含量增大,带隙增大,薄膜内微结构的无序度也增大,薄膜出现了硅与氮缺陷相关的缺陷态发光;随着氮原子进一步增加,出现了带尾态发光,进一步讨论了发光与结构之间的关联。这些结果有助于采用PEXVD制备富硅氮化硅对材料发光与结构特性的优化。 展开更多

关键词 等离子体化学气相沉积 SiNx∶H薄膜 结构 光致发光

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快淬AB_5型稀土储氢合金的微结构与电化学性能 被引量：3

5

作者 田晓 刘向东 +1 位作者 姚占全 海山 《内蒙古大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期671-676,共6页

采用磁悬浮感应熔炼法和快淬法制备了Mm0.3Ml0.7Ni3.55Co0.75Mn0.4Al0.3稀土储氢合金,系统研究了快淬速度对合金微结构和电化学性能的影响.X射线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM)分析表明,快淬态合金中出现了新相LaNi3和La2Ni3,且LaNi3和La2Ni... 采用磁悬浮感应熔炼法和快淬法制备了Mm0.3Ml0.7Ni3.55Co0.75Mn0.4Al0.3稀土储氢合金,系统研究了快淬速度对合金微结构和电化学性能的影响.X射线衍射(XRD)及扫描电镜(SEM)分析表明,快淬态合金中出现了新相LaNi3和La2Ni3,且LaNi3和La2Ni3相含量随快淬速度的增大而增大.电化学性能测试表明,合金的放电特性和最大放电容量随快淬速度的增大呈现出先变好后变坏的变化规律,15m/s快淬态合金的放电特性和最大放电容量达到最佳.此外,恰当的快淬速度能明显改善合金的循环稳定性. 展开更多

关键词 AB5型储氢合金 快淬 微结构 电化学性能

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a-SiN_x:H薄膜的热丝化学气相沉积及微结构研究 被引量：2

6

作者 张娜 周炳卿 +1 位作者 张林睿 路晓翠 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期413-416,共4页

为了研究热丝温度对a－SiNx：H薄膜性能的影响，采用热丝化学气相沉积法，以SiH4，NH3，H2为反应气源，改变热丝温度沉积薄膜。通过紫外－可见光吸收谱、傅里叶红外透射光谱、光致发光光谱等测试手段对薄膜发光特性、微观结构及键合情... 为了研究热丝温度对a－SiNx：H薄膜性能的影响，采用热丝化学气相沉积法，以SiH4，NH3，H2为反应气源，改变热丝温度沉积薄膜。通过紫外－可见光吸收谱、傅里叶红外透射光谱、光致发光光谱等测试手段对薄膜发光特性、微观结构及键合情况进行表征与分析。从测试情况可知，当热丝温度为1645℃时，H含量最大，N含量最小，同时其折射率最高，薄膜材料的有序度增大；当热丝温度为1713℃时，H含量减少，N含量达到最大，且随着热丝温度增大，薄膜中N含量又开始下降，内部缺陷态密度增加。结果表明，热丝法制备a－SiNx ：H薄膜的热丝温度最佳值在1596℃～1680℃之间，此时所制备的薄膜折射率为2．0，适合应用于硅基太阳能电池减反射膜层，且具有较充分的氮、氢含量，薄膜结构、性能稳定。 展开更多

关键词 薄膜 SiNx:H 光致发光光谱 键合结构 热丝化学气相沉积

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微晶硅薄膜材料的沉积以及微结构与光电特性的研究 被引量：2

7

作者 张林睿 周炳卿 +1 位作者 张丽丽 李海泉 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期158-162,共5页

采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在较高的射频功率和沉积气压条件下,通过改变硅烷浓度和衬底温度等参数,以Corning7059玻璃为衬底制备微晶硅薄膜材料。通过拉曼光谱和光暗电导的测试等方法对薄膜特性进行了表征,研究了... 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在较高的射频功率和沉积气压条件下,通过改变硅烷浓度和衬底温度等参数,以Corning7059玻璃为衬底制备微晶硅薄膜材料。通过拉曼光谱和光暗电导的测试等方法对薄膜特性进行了表征,研究了沉积参数对微晶硅薄膜材料的微结构以及光电特性的影响,并讨论了它们的相关性。解释了结构与光电特性的变化规律,以表面扩散的机理讨论了结晶过程。实验表明,硅烷浓度和衬底温度这两个参数对于微晶硅薄膜材料的微结构及其光电特性具有重要影响,而且参数之间存在匹配关系。 展开更多

关键词 微晶硅薄膜 射频等离子体增强化学气相沉积 微结构 光电特性

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球磨CNTs导电剂对AB_5型储氢合金电极电化学性能的影响 被引量：1

8

作者 田晓 段如霞 +3 位作者 海山 特古斯 张怀伟 李星国 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第10期2160-2165,共6页

采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究不同球磨时间下多壁碳纳米管(CNTs)的微观结构。XRD分析表明:随着球磨时间的延长,CNTs的衍射峰明显变弱,并伴有部分衍射峰消失。SEM结果发现:球磨使细长的CNTs断裂,长度明显变短;随球磨时间的进... 采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究不同球磨时间下多壁碳纳米管(CNTs)的微观结构。XRD分析表明:随着球磨时间的延长,CNTs的衍射峰明显变弱,并伴有部分衍射峰消失。SEM结果发现:球磨使细长的CNTs断裂,长度明显变短;随球磨时间的进一步延长,CNTs空心管状结构破损。采用电化学方法测试添加未球磨和球磨不同时间CNTs导电剂的AB5型储氢合金电极的电化学性能。结果表明:随球磨时间的延长,合金电极的最大放电容量、放电性能及循环稳定性均呈现出先提高后减弱的变化规律。当CNTs的球磨时间为2 h时,合金电极的最大放电容量和放电性能达最佳;当CNTs的球磨时间为2.5 h时,合金电极的循环稳定性最佳。 展开更多

关键词 碳纳米管 球磨 储氢合金电极 电化学性能

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热丝化学气相沉积微晶硅薄膜结构及性质研究 被引量：2

9

作者 高玉伟 周炳卿 +1 位作者 张林睿 张龙龙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期2761-2766,共6页

采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,以钨丝作为热丝,在不同热丝温度和氢稀释度下,分别在玻璃和单晶硅片衬底上沉积微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料。对所制备的微晶硅薄膜材料使用XRD、傅里叶变换红外吸收光谱、透射谱等进行结构与性能的表征... 采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术,以钨丝作为热丝,在不同热丝温度和氢稀释度下,分别在玻璃和单晶硅片衬底上沉积微晶硅(μc-Si∶H)薄膜材料。对所制备的微晶硅薄膜材料使用XRD、傅里叶变换红外吸收光谱、透射谱等进行结构与性能的表征分析。结果表明,随着热丝温度升高,氢稀释度变大,薄膜呈现明显的(220)择优生长取向,晶粒尺寸逐渐增大,光学吸收边出现红移,光学带隙逐渐变小。通过优化沉积参数,在热丝温度为1577℃、氢稀释浓度为95.2%、衬底温度为350℃,沉积速率为0.6 nm/s和沉积气压8 Pa条件下,制备的微晶硅薄膜呈现出了(220)方向的高度择优生长取向,平均晶粒尺寸为146 nm,光学带隙约为1.5 eV,光电导率σp为3.2×10-6Ω-1·cm-1,暗电导率σd为8.6×10-7Ω-1·cm-1,表明制备的材料是优质微晶硅薄膜材料。 展开更多

关键词 微晶硅薄膜 化学气相沉积 热丝

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不同水浴时间对纳米TiO_2材料的影响

10

作者 金志欣 周炳卿 +2 位作者 张丽丽 张林睿 罗永胜 《信息记录材料》 2012年第3期11-16,共6页

本文以钛酸丁酯Ti(OC4H9)4、冰醋酸、去离子水和无水乙醇为原料,采用溶胶-凝胶法,制备了纳米二氧化钛胶体和粉体,并用旋转涂片法在玻璃衬底上沉积了不同层数的纳米TiO2薄膜。然后对纳米TiO2薄膜与粉体进行热处理。利用X射线衍射仪(XRD)... 本文以钛酸丁酯Ti(OC4H9)4、冰醋酸、去离子水和无水乙醇为原料,采用溶胶-凝胶法,制备了纳米二氧化钛胶体和粉体,并用旋转涂片法在玻璃衬底上沉积了不同层数的纳米TiO2薄膜。然后对纳米TiO2薄膜与粉体进行热处理。利用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见光谱(UV/vis)、扫描电镜(SEM)对纳米二氧化钛粉体与薄膜进行表征。结果表明,500℃和600℃下,样品均产生锐钛矿结构。随着镀膜层数的增加,薄膜的透射率逐渐下降。相同镀膜层数,随着水浴时间的增加,透射率呈现增加的趋势。通过对光学带隙的计算,表明退火温度对光学带隙有影响。 展开更多

关键词 溶胶-凝胶法 纳米TIO2 热处理 光学带隙

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氮化硅薄膜的热丝化学气相沉积法制备及微结构研究 被引量：3

11

作者 丁德松 周炳卿 +1 位作者 部芯芯 高爱明 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第2期706-711,共6页

采用热丝化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3、N_2为反应气源,通过改变氮气流量沉积氮化硅薄膜。通过紫外-可见(UV-VIS)光吸收谱、傅里叶红外透射光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)等测试手段对薄膜的光学带隙、键合特性及晶相进行表征与分析。... 采用热丝化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3、N_2为反应气源,通过改变氮气流量沉积氮化硅薄膜。通过紫外-可见(UV-VIS)光吸收谱、傅里叶红外透射光谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)等测试手段对薄膜的光学带隙、键合特性及晶相进行表征与分析。结果表明:薄膜主要表现为Si-N键合结构,当N_2流量从20 sccm变化到40 sccm时,热丝能够充分的分解N_2,薄膜中N原子过量,其周围的Si和H能充分的与N结合。但由于N_2的解离能较高,当N_2流量高于40 sccm时,氮气在反应过程中对薄膜内的氮原子反而起到了稀释作用,薄膜的有序程度增大,光学带隙减小,致密性降低。当氮气流量达到150 sccm时,在2θ为69.5°处出现了晶化β-Si_3N_4的尖锐衍射峰,其择优取向沿(322)晶向,且Si_3N_4晶粒显著增大。因此,氮气流量对薄膜中的氮含量有显著影响,适当的增加氮气流量有利于制备出优质含有小晶粒β-Si_3N_4薄膜。 展开更多

关键词 热丝化学气相沉积 薄膜 氮化硅 化学键结构

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PECVD制备富硅氮化硅薄膜的工艺条件及其性质的研究 被引量：10

12

作者 张龙龙 周炳卿 +1 位作者 张林睿 高玉伟 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期757-763,共7页

采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对... 采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)以SiH4和N2为反应气体,分别在射频功率、硅烷稀释度[SiH4/N2]、衬底温度为变量的情况下制备了富硅氮化硅薄膜材料,利用X射线衍射谱(XRD)、傅里叶变换红外谱(FTIR)、紫外-可见光吸收谱(UV-Vis)对薄膜材料进行了表征,并研究了薄膜材料的微结构和晶化状况、光学特性等。实验结果表明,所沉积薄膜都为富硅的非晶氮化硅材料,改变射频功率、硅烷稀释度和衬底温度可以控制氮化硅薄膜中N元素的含量、光学带隙的大小和薄膜的折射率,并制备出最适宜富硅氮化硅薄膜,为进一步退火析出硅量子点奠定了基础。 展开更多

关键词 PECVD 富硅氮化硅薄膜 非晶结构 光学带隙

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氢流量对富硅-氮化硅薄膜键结构及光学性质的影响 被引量：4

13

作者 乌仁图雅 周炳卿 +2 位作者 张林睿 高爱明 张娜 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第12期3449-3454,共6页

采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3和H_2为反应气体,通过改变氢流量来制备富硅-氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外吸收光谱、紫外-可见光透射光谱、X射线衍射谱和光致发光谱对薄膜的结构与性质进行表征。实验发现,适当地增加H... 采用等离子体增强化学气相沉积法,以SiH_4、NH_3和H_2为反应气体,通过改变氢流量来制备富硅-氮化硅薄膜。利用傅里叶变换红外吸收光谱、紫外-可见光透射光谱、X射线衍射谱和光致发光谱对薄膜的结构与性质进行表征。实验发现,适当地增加H2流量,可以提高反应过程中H离子与Si、N悬挂键的键合几率,从而起到钝化薄膜悬键的作用。当H_2流量从10 sccm变化到20 sccm时,H主要起到钝化薄膜悬挂键作用,因而缺陷态减少,缺陷态发光减弱,薄膜的光学带隙缓慢展宽。继续增加H_2流量,薄膜中的氮原子持续增加,伴随着缺陷态再次增多,辐射加强,并导致光学带隙迅速展宽。当H_2流量达到30 sccm时,薄膜中的氮化硅晶粒增大,数目增多,缺陷态发光消失,出现了氮化硅中由非晶硅量子点团簇引起的发光现象,说明薄膜中出现了非晶硅量子点团簇。因此,适量的增加氢流量能够对薄膜起到钝化的作用,并实现从富硅-氮化硅向Si_3N_4相转变的过程中形成氮化硅基质包埋的非晶硅量子点团簇结构。 展开更多

关键词 等离子增强化学气相沉积 富硅-氮化硅薄膜 非晶硅量子点 光致发光

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等离子体射频功率对微晶硅薄膜微结构及其特性影响 被引量：5

14

作者 张林睿 周炳卿 +1 位作者 张丽丽 李海泉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期418-422,共5页

采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在低温、高沉积压力的条件下制备微晶硅薄膜材料。在优化其它沉积参数的条件下,研究等离子功率密度对微晶硅薄膜材料微结构的影响。通过X射线衍射谱,拉曼光谱,红外吸收谱以及SEM来表征了... 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术在低温、高沉积压力的条件下制备微晶硅薄膜材料。在优化其它沉积参数的条件下,研究等离子功率密度对微晶硅薄膜材料微结构的影响。通过X射线衍射谱,拉曼光谱,红外吸收谱以及SEM来表征了微晶硅薄膜材料的微结构。结果显示:随着射频功率的增加,微晶硅薄膜的晶化率提高,晶粒尺度减小,薄膜呈小晶粒生长,薄膜中氢含量减少,微结构因子增加,薄膜生长表现出不均匀性。 展开更多

关键词 微晶硅薄膜 化学气相沉积 微结构

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微晶硅渐变带隙太阳电池的模拟计算研究 被引量：3

15

作者 韩兵 周炳卿 +2 位作者 郝丽媛 王立娟 那日苏 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期76-79,共4页

运用AMPS软件结合相关实验数据,利用微晶硅带隙与材料晶相比的关系,对pin型微晶硅薄膜太阳电池i层带隙渐变结构的总光生载流子产额、载流子复合速率等参数进行了模拟,并与普通pin型微晶硅薄膜太阳电池进行了对比分析。结果表明,一方面... 运用AMPS软件结合相关实验数据,利用微晶硅带隙与材料晶相比的关系,对pin型微晶硅薄膜太阳电池i层带隙渐变结构的总光生载流子产额、载流子复合速率等参数进行了模拟,并与普通pin型微晶硅薄膜太阳电池进行了对比分析。结果表明,一方面带隙渐变结构增加了进入微晶硅i层作为活性层的光吸收;另一方面渐变各层之间存在缺陷和复合中心,影响载流子收集。对于带隙递增型微晶硅(μc-Si∶H)薄膜太阳电池,当i层总厚度为1.2μm时,其光电转化效率为14.843%。 展开更多

关键词 渐变带隙 微晶硅 太阳电池

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衬底和退火温度对多晶硅薄膜结构及光学性质影响 被引量：3

16

作者 路晓翠 周炳卿 +1 位作者 张林睿 张娜 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2015年第11期35-39,共5页

通过射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术与退火处理制备多晶硅薄膜,研究了衬底和退火温度对所制薄膜的结构及光学性质的影响。本次试验最大的晶粒尺寸是在衬底温度为250℃获得,考虑薄膜表面的质量,最佳的退火温度为635℃,衬底... 通过射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术与退火处理制备多晶硅薄膜,研究了衬底和退火温度对所制薄膜的结构及光学性质的影响。本次试验最大的晶粒尺寸是在衬底温度为250℃获得,考虑薄膜表面的质量,最佳的退火温度为635℃,衬底温度为225℃,在玻璃衬底形成的晶粒大于50 nm,光学带隙为1.5 e V。结果表明:衬底温度影响着薄膜中氢含量以及相关的缺陷。随着退火温度的升高,晶化率的提高,光学带隙先减小后增大。 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相沉积 多晶硅薄膜 衬底温度 退火温度 薄膜表面 结构和光学性质

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强碱弱酸盐溶液对单晶硅太阳能电池表面织构化的影响 被引量：2

17

作者 王立娟 周炳卿 +2 位作者 那日苏 金志欣 田晓 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期920-924,共5页

对晶向为(100)的p型单晶硅片进行表面刻蚀,制作减反射绒面。本实验是在传统氢氧化钠-异丙醇混合液中分别加入不同浓度的醋酸钠溶液、硅酸钠溶液和碳酸钠溶液对单晶硅片进行刻蚀。实验发现:分别加入醋酸钠溶液、碳酸钠溶液并没有在降低... 对晶向为(100)的p型单晶硅片进行表面刻蚀,制作减反射绒面。本实验是在传统氢氧化钠-异丙醇混合液中分别加入不同浓度的醋酸钠溶液、硅酸钠溶液和碳酸钠溶液对单晶硅片进行刻蚀。实验发现:分别加入醋酸钠溶液、碳酸钠溶液并没有在降低表面反射率方面起到很大作用,而只有加入硅酸钠溶液降低了表面反射率,有利于形成较好的腐蚀绒面。因此,在传统氢氧化钠-异丙醇混合液中添加一定浓度硅酸钠溶液能够制备出平均反射率较低的减反射绒面。 展开更多

关键词 单晶硅 表面形貌 腐蚀 醋酸钠 硅酸钠

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锐钛矿型TiO_2纳米棒薄膜的溶胶-凝胶法制备研究 被引量：3

18

作者 那日苏 周炳卿 +2 位作者 郝丽媛 王立娟 韩兵 《材料导报（纳米与新材料专辑）》 EI 2011年第1期104-106,共3页

以钛酸丁酯Ti(OC_4H_9)_4、冰醋酸、去离子水和聚乙二醇(PEG)1000为原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺,在玻璃衬底上制备出锐钛矿型TiO_2纳米棒。利用X射线衍射仪(XRD)、SEM和紫外可见光谱(UV/Vis)对TiO_2纳米棒薄膜进行了表征。结果... 以钛酸丁酯Ti(OC_4H_9)_4、冰醋酸、去离子水和聚乙二醇(PEG)1000为原料,采用溶胶-凝胶法和旋转涂膜工艺,在玻璃衬底上制备出锐钛矿型TiO_2纳米棒。利用X射线衍射仪(XRD)、SEM和紫外可见光谱(UV/Vis)对TiO_2纳米棒薄膜进行了表征。结果表明,实验制备的TiO_2纳米棒为锐钛矿晶型,在TiO_2反应体系中,胶体粒子在加热过程中偶联在一起,1h后形成了TiO_2纳米棒,其直径为30～50nm,长度为100～200nm。同时,在42mL钛的胶体溶液中添加0.30g PEG(1000)后,纳米TiO_2薄膜的可见光透射峰值降低,TiO_2薄膜表面孔径为20～50nm。 展开更多

关键词 纳米二氧化钛 纳米棒 溶胶-凝胶法

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PECVD沉积硅薄膜退火性质的分析 被引量：2

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作者 张林睿 周炳卿 +3 位作者 高玉伟 张龙龙 张娜 路小翠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第12期3145-3150,共6页

利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备硅薄膜,对硅薄膜进行退火处理。通过X射线衍射谱,拉曼光谱以及傅里叶变换红外吸收光谱,研究了退火温度在550~700℃范围内,硅薄膜退火过程中的生长特性。实验表明：多晶硅的晶粒尺寸并不随着... 利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）制备硅薄膜,对硅薄膜进行退火处理。通过X射线衍射谱,拉曼光谱以及傅里叶变换红外吸收光谱,研究了退火温度在550~700℃范围内,硅薄膜退火过程中的生长特性。实验表明：多晶硅的晶粒尺寸并不随着退火温度的提高而持续增大,当退火温度在550~650℃范围内,硅薄膜始终表现出（111）方向的择优生长取向。当退火温度高于650℃时,氧原子活性增强,硅-氧键增加。对于存在应变、已结晶的薄膜,由于内部应力的累积,薄膜更容易随着退火温度的升高而脱落。 展开更多

关键词 等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 退火

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热处理和掺铝量对溶胶-凝胶法制备AZO薄膜光电性能的影响 被引量：2

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作者 张丽丽 周炳卿 +1 位作者 张林睿 李海泉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第11期2270-2274,2279,共6页

以(CH3COO)2Zn·2H2O和AlCl3·6H2O为前驱物,以普通玻璃为基底利用溶胶-凝胶旋转涂膜法制备AZO薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测试仪等对AZO薄膜的物相组分、表面形貌、透射率和方块... 以(CH3COO)2Zn·2H2O和AlCl3·6H2O为前驱物,以普通玻璃为基底利用溶胶-凝胶旋转涂膜法制备AZO薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、四探针电阻测试仪等对AZO薄膜的物相组分、表面形貌、透射率和方块电阻进行测量与表征,并研究了热处理温度和掺铝量对AZO薄膜的结构和光电性能的影响。结果表明:AZO薄膜的结构和光电性能与不同的热处理温度和掺铝量有关,实验得到了最佳的工艺条件为热处理温度为500℃,热处理时间为60 min,掺Al溶度为1mol%,镀膜层数为8层。 展开更多

关键词 溶胶 凝胶法 AZO薄膜 光电性能

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