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微热板的热测试和热分析
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作者 顾毓沁 张荣海 +6 位作者 朱德忠 孙晓毅 阎桂珍 唐祯安 Philip C.H. Chan Johnny K.O. Sin I-Ming Shing 《工程热物理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期226-228,共3页
随着近代高新技术的发展,要求各种探测器微型化。微加工技术的进步,使得微器件制造有了可能,于是微传感器就应运而生了。微热板作为一种微型加热器在微传感器中有着极为重要的作用。它的温度分布和热特性直接影响微传感器的工作性能... 随着近代高新技术的发展,要求各种探测器微型化。微加工技术的进步,使得微器件制造有了可能,于是微传感器就应运而生了。微热板作为一种微型加热器在微传感器中有着极为重要的作用。它的温度分布和热特性直接影响微传感器的工作性能,为此微热板的热测试和热分析成为微传感器的研制、使用和评价所必不可少的工作。 本文件对研制中的气体传感器的微热板,用红外热成像技术进行热测试和分析,获得气体传感器微热板的微小区域的温度分布,为传感器的研制提供了可靠的依据。 展开更多
关键词 微热板 传感器 红外热成像 热测试 热分析
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一种新型的数字广播方法 被引量:3
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作者 马正方 石国武 刘 青 《电视技术》 北大核心 2000年第12期38-39,共2页
关键词 数字广播 数字电视 数字压缩 帧结构
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Measurement of 3db Bandwidth of Laser Diode Chips
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作者 徐遥 王圩 王子宇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期794-797,共4页
An accurate technique for measuring the frequency response of semiconductor laser diode chips is proposed and experimentally demonstrated.The effects of test jig parasites can be completely removed in the measurement ... An accurate technique for measuring the frequency response of semiconductor laser diode chips is proposed and experimentally demonstrated.The effects of test jig parasites can be completely removed in the measurement by a new calibration method.In theory,the measuring range of the measurement system is only determined by the measuring range of the instruments network analyzer and photo detector.Diodes' bandwidth of 7 5GHz and 10GHz is measured.The results reveal that the method is feasible and comparing with other method,it is more precise and easier to use. 展开更多
关键词 bandwidth measurement CALIBRATION frequency response semiconductor laser diode chips
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一种新型的数字广播方法
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作者 石国武 刘青 《有线电视技术》 2001年第1期1-2,26,共3页
这种数字广播方法的特点是以节目为核心;用户可以根据自己的需要选择节目,查询和检索自己需要的节目,还可以选择声音、文字、图像、视频等多种方式来接收信息。
关键词 数字广播方法 数字压缩技术 帧结构技术 视频点播技术 信息广播
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一种新型的数字广播方式
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作者 石国武 刘青 《中国有线电视》 2000年第23期14-15,共2页
这种数字广播方式的特点是以节目为核心 ,用户可以根据自己的需要选择、查询和检索节目 ,还可以选择声音、文字、图像、视频等多种方式来接收信息。
关键词 数字广播方式 数字压缩 帧结构 视频点播
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磷掺杂纳米硅薄膜的研制 被引量:12
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作者 刘明 王子欧 +1 位作者 奚中和 何宇亮 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期983-988,共6页
用PECVD薄膜沉积方法 ,成功地制备了磷掺杂纳米硅 (nc Si:H(P) )薄膜 .用扫描隧道电镜 (STM )、Raman散射、傅里叶变换红外吸收 (FTIR)谱、电子自旋共振 (ESR)、共振核反应 (RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析 ,确认了样品的微结构为... 用PECVD薄膜沉积方法 ,成功地制备了磷掺杂纳米硅 (nc Si:H(P) )薄膜 .用扫描隧道电镜 (STM )、Raman散射、傅里叶变换红外吸收 (FTIR)谱、电子自旋共振 (ESR)、共振核反应 (RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析 ,确认了样品的微结构为纳米相结构 .掺磷后膜中纳米晶粒的平均尺寸d减小 ,一般在 2 5— 4 5nm之间 ,且排列更加有序 .掺磷nc Si:H膜具有较高的光吸收系数 ,光学带隙在 1 73— 1 78eV之间 ,和本征nc Si:H相同 .掺杂nc Si:H薄膜电导率在 10 -1— 10 1Ω-1·cm-1之间 ,比本征nc Si:H提高了二个数量级 ,室温暗电导最高已达 5 0 5Ω-1·cm-1.同时电导激活能在 0 0 1— 0 0 3eV之间 ,比本征nc 展开更多
关键词 磷掺杂纳米硅 薄膜 PECVD STM
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