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集成电路用高纯金属材料及高性能溅射靶材制备研究进展 被引量:19
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作者 何金江 贺昕 +2 位作者 熊晓东 王兴权 廖赞 《新材料产业》 2015年第9期47-52,共6页
一、概述集成电路产业作为电子信息产业的核心,是关系国民经济和社会发展的具有基础性和先导性的战略性产业,一直受到国家的高度重视。2014年是我国集成电路产业发展历程中具有里程碑意义的一年,国务院发布了《国家集成电路产业发展... 一、概述集成电路产业作为电子信息产业的核心,是关系国民经济和社会发展的具有基础性和先导性的战略性产业,一直受到国家的高度重视。2014年是我国集成电路产业发展历程中具有里程碑意义的一年,国务院发布了《国家集成电路产业发展推进纲要》并设立国家集成电路产业投资基金,对于集成电路产业的扶植力度空前加强,整个产业将迎来最快的发展阶段。在可以预见的未来,集成电路产业将成为支撑自主可控信息产业的核心力量和推动“两化”深度融合的重要基础。目前,我国集成电路产业规模位居世界前列,已经形成了芯片设计、制造、封装测试及支撑配套业共同发展的较为完善的产业链格局。 展开更多
关键词 集成电路产业 溅射靶材 金属材料 电子信息产业 制备 性能 高纯 路用
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高纯稀土钇靶材焊接技术 被引量:2
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作者 徐国进 张巧霞 +3 位作者 罗俊锋 李勇军 滕海涛 熊晓东 《焊接》 北大核心 2021年第3期35-38,63,共5页
以高纯稀土钇材料、铜及6061Al合金材料为研究对象,研究了高纯稀土钇靶材的钎焊与扩散焊接性能。结果表明,稀土钇靶材对In焊料的浸润性差,需要对靶材进行金属化处理,提高靶材的焊接性能;研究不同钎焊焊接温度对稀土钇靶材焊接质量的影响... 以高纯稀土钇材料、铜及6061Al合金材料为研究对象,研究了高纯稀土钇靶材的钎焊与扩散焊接性能。结果表明,稀土钇靶材对In焊料的浸润性差,需要对靶材进行金属化处理,提高靶材的焊接性能;研究不同钎焊焊接温度对稀土钇靶材焊接质量的影响,焊接温度越高靶材焊合率越高,与焊料的流动性提高有关;开展高纯稀土钇靶材与6061Al合金的扩散焊接技术研究,在焊接温度400℃,压力110 MPa,保温3 h的扩散焊接后,扩散区深度约为8μm,焊接界面实现冶金结合,焊接强度达到70 MPa,满足8~12英寸大尺寸靶材的高溅射功率要求。 展开更多
关键词 靶材 高纯稀土钇 6061Al合金 钎焊 扩散焊接
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集成电路用Ti靶材和Cu62Zn38合金背板焊接技术研究 被引量:1
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作者 陈明 董亭义 +2 位作者 吕景波 于文军 吕保国 《机械制造文摘(焊接分册)》 2018年第4期43-46,共4页
研究了高纯Ti和Cu62Zn38合金在不同的工艺条件下的扩散焊接性能和界面情况。结果表明,热等静压温度为510℃时,加工态Ti板硬度下降明显,与退火态Cu62Zn38接近;退火态Ti板和退火态Cu62Zn38两种材料硬度较为接近,而在温度接近525℃时,退火... 研究了高纯Ti和Cu62Zn38合金在不同的工艺条件下的扩散焊接性能和界面情况。结果表明,热等静压温度为510℃时,加工态Ti板硬度下降明显,与退火态Cu62Zn38接近;退火态Ti板和退火态Cu62Zn38两种材料硬度较为接近,而在温度接近525℃时,退火态Cu62Zn38合金硬度明显高于退火态Ti板。退火态Cu62Zn38合金与退火态高纯Ti经过焊接温度525℃,压力120 MPa,保温4 h的扩散焊接后,平均抗拉强度能达到136 MPa,焊接界面达到冶金结合,满足Ti靶材的使用要求。 展开更多
关键词 靶材 高纯Ti 扩散焊接 Cu62Zn38合金
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集成电路用高纯镍铂靶材的制备及发展趋势 被引量:2
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作者 韩思聪 徐国进 +3 位作者 罗俊锋 李勇军 何金江 郭继华 《功能材料与器件学报》 CAS 2022年第6期499-503,共5页
本文围绕半导体集成电路产业的需求,综合说明了高纯镍铂靶材制备过程中纯度、组织及透磁率、表面质量的控制要求、技术难点及发展趋势。针对65 nm以下制程使用的高纯镍铂靶材,纯度方面由4N5(99.995%)逐步提升至5N(99.999%)及以上;组织... 本文围绕半导体集成电路产业的需求,综合说明了高纯镍铂靶材制备过程中纯度、组织及透磁率、表面质量的控制要求、技术难点及发展趋势。针对65 nm以下制程使用的高纯镍铂靶材,纯度方面由4N5(99.995%)逐步提升至5N(99.999%)及以上;组织及透磁率方面向精确调控晶粒取向追求高透磁同时保证组织均匀的方向不断优化;表面质量方面向低粗糙度方向不断发展。 展开更多
关键词 高纯镍铂靶材 纯度 组织 透磁率 表面质量
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超高纯银的制备研究 被引量:11
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作者 刘丹 李轶轁 +1 位作者 贺昕 熊晓东 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期37-41,共5页
采用电解精炼法制备6N超高纯银,考察了银浓度、电流密度、电流分布、反应温度等因素对银粉颗粒大小及纯度的影响,并通过理论分析选择了201、D301弱碱性阴离子树脂进行电解液净化除杂。采用SEM对银粉形貌进行了表征,并用GDMS对银粉杂质... 采用电解精炼法制备6N超高纯银,考察了银浓度、电流密度、电流分布、反应温度等因素对银粉颗粒大小及纯度的影响,并通过理论分析选择了201、D301弱碱性阴离子树脂进行电解液净化除杂。采用SEM对银粉形貌进行了表征,并用GDMS对银粉杂质成分进行了分析。结果表明,控制电解液中的银含量在500-540 g/L,电流密度600-1000 A/m^2,温度为30-40℃,同极极间距为10 cm,多孔钛网作阴极,可以得到总杂质含量小于1×10^-6的6N超高纯银。 展开更多
关键词 有色金属冶金 高纯银 电解精炼 离子交换 辉光放电质谱法
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高纯稀土钇靶材和铜合金背板扩散焊接技术研究
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作者 徐国进 罗俊锋 +4 位作者 万小勇 李勇军 熊晓东 滕海涛 高岩 《稀土》 CAS CSCD 北大核心 2023年第2期71-76,I0004,共7页
以高纯稀土钇材料及铜合金(C18000)材料为研究对象,研究了高纯稀土钇靶材和C18000合金背板在不同工艺条件下的扩散焊接性能。首先,通过Gleeble热模拟试验,研究了不同温度下稀土钇材料和C18000合金材料的屈服强度,以确定高纯稀土钇靶材和... 以高纯稀土钇材料及铜合金(C18000)材料为研究对象,研究了高纯稀土钇靶材和C18000合金背板在不同工艺条件下的扩散焊接性能。首先,通过Gleeble热模拟试验,研究了不同温度下稀土钇材料和C18000合金材料的屈服强度,以确定高纯稀土钇靶材和C18000合金背板的HIP扩散工艺;然后在不同的HIP焊接工艺下,研究异种材料间的扩散焊接强度。结果表明,在温度500℃及以下,稀土钇和C18000合金在110 MPa的压力下均不会发生明显的屈服变形;C18000合金的屈服强度明显高于稀土钇靶材,但是在400℃~500℃他们的硬度相差不大;高纯稀土钇靶材与C18000合金背板经过焊接温度450℃,压力110 MPa,保温3 h的扩散焊接后,扩散区深度约为12μm,焊接界面实现冶金结合,焊接强度达到81 MPa,满足8~12英寸大尺寸靶材的高溅射功率要求;当焊接温度提高至500℃,压力110 MPa,保温3 h的扩散焊接后,稀土钇和C18000间因形成金属间化合物相,导致焊接强度降低。 展开更多
关键词 靶材 高纯稀土钇 扩散焊接 C18000合金
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集成电路用钛靶材和铜铬合金背板扩散焊接技术研究 被引量:7
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作者 董亭义 户赫龙 +2 位作者 于文军 何金江 吕保国 《金属功能材料》 CAS 2017年第6期23-27,共5页
研究了高纯金属Ti和CuCr合金在不同的工艺条件下的扩散焊接性能和界面情况。结果表明,真空封焊的退火态CuCr合金和高纯Ti样件经过525℃/120 MPa/4h的热等静压,平均焊接强度能达到133.6 MPa以上,焊接界面达到冶金结合,焊接可以满足Ti靶... 研究了高纯金属Ti和CuCr合金在不同的工艺条件下的扩散焊接性能和界面情况。结果表明,真空封焊的退火态CuCr合金和高纯Ti样件经过525℃/120 MPa/4h的热等静压,平均焊接强度能达到133.6 MPa以上,焊接界面达到冶金结合,焊接可以满足Ti靶材的使用要求。 展开更多
关键词 靶材 高纯钛 扩散焊接 CUCR合金
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贵金属微接点复合带的工艺优化设计及分析
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作者 罗俊锋 刘红宾 +4 位作者 章程 吕保国 王永明 孙秀霖 董亭义 《材料导报(纳米与新材料专辑)》 EI CAS 2015年第2期341-344,共4页
采用正交实验设计对Ag/CuNi20贵金属微接点复合带进行研究,分析了微接点复合带热轧复合及热处理过程中加热温度、速度、变形量及轧辊温度对复合带的影响。实验结果表明,在材料软化温度以上热轧复合过程中,影响Ag/CuNi20复合微接点带厚... 采用正交实验设计对Ag/CuNi20贵金属微接点复合带进行研究,分析了微接点复合带热轧复合及热处理过程中加热温度、速度、变形量及轧辊温度对复合带的影响。实验结果表明,在材料软化温度以上热轧复合过程中,影响Ag/CuNi20复合微接点带厚度的主要因素是变形量,而加热温度和轧辊温度是影响复合带材硬度的主要因素。从外观质量分析看出,Ag/CuNi20复合带的热轧复合最佳温度为850℃,变形量为25%。Ag/CuNi20复合带经过热处理可调整材料硬度,其中加热温度及轧辊速度对材料硬度的影响比较显著。 展开更多
关键词 微接点复合带 电接触材料 微观结构 正交实验
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超高纯CuMn合金材料微观组织和织构演变研究 被引量:6
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作者 关冲 何金江 +2 位作者 曾浩 万小勇 李勇军 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期120-125,共6页
当前超大规模集成电路(ULSI)的特征尺寸已经步入纳米范围,随着特征尺寸的减小,铜互连面临着严重的可靠性问题,采用合金化手段可有效抑制晶界附近的电迁移。因而本文主要研究超高纯铜锰合金材料,通过金相(OM)、电子背散射衍射(EBSD)等分... 当前超大规模集成电路(ULSI)的特征尺寸已经步入纳米范围,随着特征尺寸的减小,铜互连面临着严重的可靠性问题,采用合金化手段可有效抑制晶界附近的电迁移。因而本文主要研究超高纯铜锰合金材料,通过金相(OM)、电子背散射衍射(EBSD)等分析手段研究超高纯铜锰合金材料塑性形变过程和热处理过程中铜锰合金试样的微观组织变化和轧制、再结晶织构变化。实验结果表明:经过对塑性变形试样的分析后发现,试样微观组织主要由许多破碎的小晶粒及亚晶组成,同时试样中存在典型的轧制织构并且存在大量的小角度晶界。经过退火热处理后,试样的微观组织比较均匀,晶粒细小,晶粒尺寸大约为10.7μm;典型轧制织构组分下降比较明显,典型再结晶织构组分上升,但大部分晶粒处于随机取向,试样退火热处理后几乎全部为大角度晶界。 展开更多
关键词 铜锰合金 溅射靶材 织构 微观组织
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热处理及轧制过程中NiPt5合金微观组织及磁性能演变
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作者 张巧霞 张博厚 +3 位作者 徐国进 郝海英 罗俊锋 何金江 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期206-210,共5页
采用光学显微镜观测、透磁率测试分析、模拟计算等方法,研究NiPt5合金的微观组织随热处理温度的演变规律及热处理条件和轧制变形量对磁性能的影响。结表果明,NiPt5合金经过开坯和变形,750℃×2 h热处理时再结晶不完全,当温度达到90... 采用光学显微镜观测、透磁率测试分析、模拟计算等方法,研究NiPt5合金的微观组织随热处理温度的演变规律及热处理条件和轧制变形量对磁性能的影响。结表果明,NiPt5合金经过开坯和变形,750℃×2 h热处理时再结晶不完全,当温度达到900℃后,晶粒尺寸细小且分布均匀。当NiPt5合金发生回复及再结晶以后,其平均透磁率较轧制态有明显降低,并在此阶段内波动不大,当完全再结晶及晶粒长大以后,平均透磁率进一步降低。结合模拟轧制变形过程中的内应力变化,发现随着板坯变形量增大,其内部应力增加,位错密度增加,畴壁移动阻碍增多,平均透磁率显著提升,之后随着变形量增加,应力和位错密度达到饱和,平均透磁率趋于平稳。随着变形量增加,内部应力增大且分布不均匀,透磁率极差呈增大趋势。 展开更多
关键词 溅射靶材 NiPt5合金 微观组织 轧制变形 磁性能
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磁控溅射钛靶材的发展概述 被引量:12
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作者 董亭义 万小勇 +2 位作者 章程 何金江 吕保国 《金属功能材料》 CAS 2017年第5期57-62,共6页
详细介绍了磁控溅射Ti靶材的种类、应用及制备情况,指出了目前Ti靶材亟待解决的几个重大问题,并对靶材的发展趋势进行了探讨和展望。
关键词 磁控溅射 钛靶 现状 发展趋势
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高纯致密氧化镁陶瓷的常压和真空烧结 被引量:9
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作者 陈淼琴 何金江 +2 位作者 张玉利 丁照崇 贺昕 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期402-407,共6页
MgO为重要的功能型材料,磁隧道结(MTJ)以MgO薄膜作为势垒层时在室温下具有巨大的隧穿电阻效应。实验采用冷等静压(CIP)工艺将高纯MgO粉末(纯度〉99.99%)压制成相对密度为60%左右的坯体,再在500℃充分煅烧后分别进行常压烧结和真... MgO为重要的功能型材料,磁隧道结(MTJ)以MgO薄膜作为势垒层时在室温下具有巨大的隧穿电阻效应。实验采用冷等静压(CIP)工艺将高纯MgO粉末(纯度〉99.99%)压制成相对密度为60%左右的坯体,再在500℃充分煅烧后分别进行常压烧结和真空烧结。通过优化烧结工艺参数,可制备得到用于溅射沉积MgO薄膜的高纯高致密MgO陶瓷靶。为了探讨烧结温度、保温时间、烧结气氛对MgO陶瓷致密化和晶粒生长的影响,对烧结后的MgO陶瓷进行取样,并对试样进行金相(OM)观察、X射线衍射(XRD)测试、断面扫描电镜(SEM)观察。结果表明:与常压烧结气氛相比,真空烧结气氛能明显提高MgO陶瓷的致密度,且在烧结中后期封闭气孔形成后真空烧结的作用更显著;在真空气氛进行1500℃保温4 h烧结,可得到相对密度为99.12%,平均晶粒尺寸11.71μm的高纯MgO陶瓷;真空烧结的MgO陶瓷晶粒尺寸更均匀,尺寸标准差低于4.8μm,晶粒沿(200)方向择优生长的趋势更明显,而常压烧结的MgO陶瓷晶粒尺寸分布范围较广,晶粒的择优生长趋势不明显。 展开更多
关键词 MgO陶瓷 常压烧结 真空烧结 致密化
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