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量子点发光在显示器件中的应用 被引量：26
1
作者 张锋 薛建设 +2 位作者 喻志农 周伟峰 惠官宝 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2012年第2期163-167,共5页
介绍了量子点材料的发光原理、基本结构,以及量子点LED的特性、制备方法以及其在显示领域的最新进展。量子点LED由于具有发光纯度高、使用寿命长、可由溶液法制备等独特的优点,越来越受到人们的重视,成为显示领域新的研究热点。
关键词 量子点 发光二极管 显示器件 色域
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无机缓冲层对柔性In_2O_3:SnO_2薄膜光电及耐弯曲性能影响的研究 被引量：3
2
作者 李玉琼 喻志农 +3 位作者 冷健 薛唯 夏樊 丁曌 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期1205-1210,共6页
在室温条件下采用离子辅助沉积技术在柔性衬底上依次制备无机缓冲层及In_2O_3:SnO_2(ITO)薄膜,重点研究了不同无机缓冲层对柔性ITO薄膜光电及耐弯曲性能的影响。研究发现SiO_2,TiO_2,Ta_2O_5和Al_2O_3无机缓冲层对ITO薄膜的方阻、光学... 在室温条件下采用离子辅助沉积技术在柔性衬底上依次制备无机缓冲层及In_2O_3:SnO_2(ITO)薄膜,重点研究了不同无机缓冲层对柔性ITO薄膜光电及耐弯曲性能的影响。研究发现SiO_2,TiO_2,Ta_2O_5和Al_2O_3无机缓冲层对ITO薄膜的方阻、光学透射比、耐弯曲性能等机电特性影响各异:添加SiO_2缓冲层的ITO薄膜其方阻变化率最大,方阻降低率达29.8%,而添加Al_2O_3缓冲层的ITO薄膜其方阻变化率最小,方阻降低率仅为5.6%;添加Ta_2O_5缓冲层的ITO薄膜其可见光透射比最佳,平均透射比达85%以上,而添加SiO_2缓冲层的ITO薄膜其可见光透射比最差,但其平均透射比也高于80%;SiO_2在耐弯曲半径上对ITO薄膜的改善效果比TiO_2更佳,而当ITO薄膜以弯曲半径R=0.8 cm和R=1.2 cm发生内弯时,SiO_2对ITO薄膜耐弯曲次数性能的改善效果不及TiO_2。 展开更多
关键词 柔性ITO薄膜 无机缓冲层 离子辅助沉积 光电特性 耐弯曲性能
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硫代铝酸钡(BaAl_2S_4:Eu)靶材制备工艺研究
3
作者 丁曌 张东璞 +1 位作者 喻志农 薛唯 《光学技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期785-787,共3页
为制备薄膜无机电致发光显示器件中的硫代铝酸钡(BaAl2S4:Eu)蓝色发光层薄膜,采用粉末烧结的方法,经过对BaS,Al2S3,等原材料的粉碎、研磨、高温烧结,以及热压等过程,制备出用于溅射镀制BaAl2S4:Eu蓝色发光层薄膜的靶材样品。对制备的BaA... 为制备薄膜无机电致发光显示器件中的硫代铝酸钡(BaAl2S4:Eu)蓝色发光层薄膜,采用粉末烧结的方法,经过对BaS,Al2S3,等原材料的粉碎、研磨、高温烧结,以及热压等过程,制备出用于溅射镀制BaAl2S4:Eu蓝色发光层薄膜的靶材样品。对制备的BaAl2S4:Eu发光层薄膜进行的光致发光分析表明,在300nm紫外光激发下,薄膜能够发射出峰值位于470nm处的蓝光。对发光层薄膜的XPS分析结果表明,发光层薄膜中含氧量较高,随着溅射功率的提高,薄膜中铝元素有显著增加;而随着淀积压强的增大,硫元素则显著减少。 展开更多
关键词 光学材料 溅射靶材 粉末烧结法 硫代铝酸钡掺杂铕(BaAl2S4:Eu)
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基于电荷传输层优化的量子点发光二极管
4
作者 刘珊珊 喻志农 +1 位作者 路洋 李新国 《半导体光电》 CAS 北大核心 2018年第2期160-164,共5页
采用溶液法旋涂薄膜、真空蒸镀铝电极,制备了ITO/PEDOT∶PSS/空穴传输材料/量子点/纳米氧化锌(ZnO Nanoparticles)/Al结构的量子点发光二极管(QLED)器件。对比了不同纳米氧化锌分散剂对器件性能的影响。当用乙醇和乙醇胺分散氧化锌时,... 采用溶液法旋涂薄膜、真空蒸镀铝电极,制备了ITO/PEDOT∶PSS/空穴传输材料/量子点/纳米氧化锌(ZnO Nanoparticles)/Al结构的量子点发光二极管(QLED)器件。对比了不同纳米氧化锌分散剂对器件性能的影响。当用乙醇和乙醇胺分散氧化锌时,对量子点层破坏较小,器件的亮度最高达22 940cd/m2,电流效率达28.9cd/A。研究了在聚乙烯咔唑(PVK)中掺杂不同比例4,4′-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)器件的发光特性。在PVK中掺杂TAPC材料能够促进器件空穴传输以及电子空穴注入平衡,当PVK∶TAPC=3∶1时,器件的空穴传输层形貌较为平整,亮度较高;当PVK∶TAPC=1∶1时,器件的开启电压最低。通过对器件膜层表面形貌以及电学、光学性能的对比,分析了电荷传输层优化对器件特性改善的原因。 展开更多
关键词 量子点 发光二极管 电荷传输 掺杂
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基片材料与沉积参数对薄膜应力的影响 被引量：12
5
作者 李玉琼 喻志农 +3 位作者 王华清 卢维强 薛唯 丁瞾 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第2期602-608,共7页
采用哈特曼-夏克传感器的薄膜应力在线测量仪测量了利用离子辅助电子束蒸发的Si O2,Ti O2,Ta2O5,Al2O3与ITO薄膜在不同厚度时的应力值,并深入研究了基片材料与沉积参数对Si O2,Ti O2薄膜应力的影响。研究结果表明,在成膜的初始阶段,薄... 采用哈特曼-夏克传感器的薄膜应力在线测量仪测量了利用离子辅助电子束蒸发的Si O2,Ti O2,Ta2O5,Al2O3与ITO薄膜在不同厚度时的应力值,并深入研究了基片材料与沉积参数对Si O2,Ti O2薄膜应力的影响。研究结果表明,在成膜的初始阶段,薄膜应力与薄膜厚度基本上呈线性函数,当达到一定厚度时薄膜应力基本趋于一个定值;薄膜与基片的热失配将引起薄膜热应力,通过选择合适的基片材料可以使其降低;对Ti O2薄膜而言,当基片温度低于150℃时,热应力起主要作用,当基片温度高于150℃时,薄膜致密引起的压应力占主导地位,但Si O2薄膜其热应力始终占主导地位;当真空室压强低于1.7×10-2Pa时,Si O2薄膜的张应力主要是由离子辅助溅射效应而引起,当真空室压强高于1.7×10-2Pa时,Si O2薄膜的张应力随着压强的增大而增大,但折射率减小。 展开更多
关键词 薄膜光学 薄膜应力 哈特曼-夏克传感器 基片材料 沉积参数 离子辅助沉积
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