面向新世纪的电力电子技术 被引量：7

1

作者 王正元 《电源技术应用》 2001年第3期47-50,共4页

以信息处理为对象的微电子技术及其在计算机和通信领域中的飞速发展,是20世纪科学技术实用化的一大盛事:古人幻想的'千里眼'、'顺风耳'已成现实。然而,人类文明赖以存在所需的能源、资源(原材料)

关键词 电力电子技术 信息技术 电力半导体器件 机电产品

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面向新世纪的电力电子技术 被引量：1

2

作者 王正元 《自动化信息》 2002年第1期8-11,共4页

关键词 电力电子技术 功率变频 发电机 直流励磁 水轮发电机

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走向新世纪的电力电子新技术

3

作者 王正元 《世界电子元器件》 1996年第11期2-6,共5页

以功率场控器件(IGBT管和功率MOSFET管为代表)应用为基础的电力电子新技术经过二十世纪九十年代向着高频化方向的迅速发展,已被世人接受为一种高效节能节材、实现对传统机电产品进行智能化、小型轻量化和机电一体化改造的关键高新技术... 以功率场控器件(IGBT管和功率MOSFET管为代表)应用为基础的电力电子新技术经过二十世纪九十年代向着高频化方向的迅速发展,已被世人接受为一种高效节能节材、实现对传统机电产品进行智能化、小型轻量化和机电一体化改造的关键高新技术。在向新世纪迈进的进程中,电力电子新技术将进一步解决:(1)可靠性问题;(2) 展开更多

关键词 电力电子技术 计算机 可靠性

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高能电子束辐照改善电力半导体器件特性研究 被引量：1

4

作者 赵善麒 李天望 裴素华 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第1期64-69,共6页

用12MeV电子束对普通高压晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管进行辐照，测试这几种器件的主要电学参数。实验发现12MeV电子辐照能明显改善这些电力半导体器件的电学性能。辐照后的器件经过退火处理，可以长期稳定工作。

关键词 电子束 辐照 功率半导体器件 退火 晶闸管

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IGBT构思的实现是电力电子技术走向高频大功率化的里程碑 被引量：2

5

作者 王正元 《电力电子》 2003年第Z1期58-61,共4页

介绍并点评了IGBT(当时称为IGT)处于襁褓时期的经典论文——美籍印度人B.J.Baliga博士1983年发表的"绝缘栅晶体管(IGT)——一种新型功率开关器件"。分析了该论文的背景。20年来,IGBT构思的形成和实现,对电力电子技术的发展起... 介绍并点评了IGBT(当时称为IGT)处于襁褓时期的经典论文——美籍印度人B.J.Baliga博士1983年发表的"绝缘栅晶体管(IGT)——一种新型功率开关器件"。分析了该论文的背景。20年来,IGBT构思的形成和实现,对电力电子技术的发展起到重大推动作用。它打开了电力电子技术向高频大功率化发展的新纪元,使其应用产品小型轻量化,并为国民经济相关领域的自动化、智能化、高效节能化和机电一体化做出了显著贡献。文中还对该论文的作者做了简单介绍。 展开更多

关键词 绝缘栅双极晶体管 电力电子 高频大功率化

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新型电力电子器件及其应用

6

作者 刘鹿生 《世界电子元器件》 1996年第11期9-13,共5页

1988年国家科委组织了“电力电子技术发展战略研究”(以下简称“战略研究”),随后,电力电子作为一项高新技术及其对促进工业技术进步所起的重要作用得到了普遍承认,并分别列为国家“八五”

关键词 电力电子器件 半导体器件 电力电子技术

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高频电力电子技术的效益和对策

7

作者 王正元 《电世界》 1994年第9期4-6,共3页

以功率MOS类和静态感应类为代表的高频电力电子器件,工作频率达20kHz,属于第三代电力电子器件。它的发展和应用促使传统电气产品小型化(与50Hz相比,同容量设备体积、重量仅二十分之一)、节能化、智能化,具有可观的效益。最后对高频电力... 以功率MOS类和静态感应类为代表的高频电力电子器件,工作频率达20kHz,属于第三代电力电子器件。它的发展和应用促使传统电气产品小型化(与50Hz相比,同容量设备体积、重量仅二十分之一)、节能化、智能化,具有可观的效益。最后对高频电力电子技术的发展带来器件工作可靠性降低、电力品质的恶化形成"电力公害"问题提出对策,并指出长期从事低频电力电子技术的工作者要转变习惯经验来适应高频电力电子技术的需要。 展开更多

关键词 高频晶闸管 发展 晶闸管

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开管镓扩散系统的研究及在电力半导体器件中的应用 被引量：2

8

作者 裴素华 薛成山 赵善麒 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第12期940-944,共5页

探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点．实践证明。

关键词 电力半导体器件 开管镓扩散系统 应用

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迭层功率母线及其在电力电子装置中的应用 被引量：6

9

作者 王正元 张正南 《电力电子》 2003年第2期36-38,共3页

1 前言在电力电子技术和应用装置向高频化发展时,系统中特别是连接线的寄生参数越来越成为产生巨大电应力,威胁电力电子装置可靠性的重要因素。运行经验表明,采用GTR器件,开关频率在2kHz左右时,变频装置的总寄生电感不应超过60nH,而采用... 1 前言在电力电子技术和应用装置向高频化发展时,系统中特别是连接线的寄生参数越来越成为产生巨大电应力,威胁电力电子装置可靠性的重要因素。运行经验表明,采用GTR器件,开关频率在2kHz左右时,变频装置的总寄生电感不应超过60nH,而采用IGBT器件,开关频率达到16kHz以上时,要求其总寄生电感小于30nH。 展开更多

关键词 电力电子装置 母线 绝缘层 IGBT 寄生电感 迭层 逆变器 电子器件 导体材料 爬电距离

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一种新的大功率电力半导体器件的烧结工艺

10

作者 赵善麒 郑景春 李景荣 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1995年第2期60-63,共4页

在现有的硅－铝－钼（Ｓｉ－Ａｌ－Ｍｏ）烧结工艺的基础上，引入了铬（Ｃｒ）、镍（Ｎｉ）、银（Ａｇ）金属阻挡层，并将这一新的金属阻挡层烧结工艺应用到双向晶闸管的生产中。结果表明，该工艺能得到浅而平坦的烧结合金结，并能改善... 在现有的硅－铝－钼（Ｓｉ－Ａｌ－Ｍｏ）烧结工艺的基础上，引入了铬（Ｃｒ）、镍（Ｎｉ）、银（Ａｇ）金属阻挡层，并将这一新的金属阻挡层烧结工艺应用到双向晶闸管的生产中。结果表明，该工艺能得到浅而平坦的烧结合金结，并能改善器件的反向阻断特性和通态特性的一致性，提高器件的成品率． 展开更多

关键词 双向晶闸管 烧结 合金

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IGBT技术的发展历史和最新进展 被引量：3

11

作者 王正元 由宇义珍 宋高升 《电力电子》 2004年第5期7-12,共6页

自从第一个IGBT的概念被在论文中介绍以来，已有20年过去了。在此期间，IGBT芯片技术以其性能的重大改进经历了若干代的创新。其后，包括IGBT芯片在内的当代IGBT器件、IGBT模块和智能化功率模块(IPM)已被公认为是最受欢迎的电力半导体... 自从第一个IGBT的概念被在论文中介绍以来，已有20年过去了。在此期间，IGBT芯片技术以其性能的重大改进经历了若干代的创新。其后，包括IGBT芯片在内的当代IGBT器件、IGBT模块和智能化功率模块(IPM)已被公认为是最受欢迎的电力半导体器件。对于IGBT器件性能的改进来说。最重要的事项就是减少功耗和保持安全工作区(SOA)。在这些事项中，始终存在着对其性能参数间的战略折衷。这些折衷往往表现为被一种新的芯片技术带来的新优化。本文将总结IGBT技术的历史和最新进展。 展开更多

关键词 绝缘栅双极晶体管 发展历史 最新进展

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自动化、电力电子和电动机的发展 被引量：1

12

作者 王正元 《自动化博览》 2002年第6期1-4,共4页

介绍了电力电子技术的成熟应用对电动机的优化运行,以及对电动机的设计制造二者的推动和发展。电力电子技术已成为自动化进程中物料流、能源流和智慧流三者汇流的重要接口。

关键词 自动化 电力电子技术 电动机 发展

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电力电子及其应用的十年展望(上)

13

作者 王正元 《电力电子》 2003年第1期4-9,共6页

电力电子及其应用已经走过了从诞生到成熟的艰难历程。但在人类的科技史上这仅仅是开始。让我们从时代前进的角度,对包括材料、元器件、整机和系统,从基础理论到可靠性的改善,来初步展望电力电子及其应用在可以预见的今后十年的新发展。

关键词 电力电子技术 电力半导体器件 工艺 应用

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电力电子及其应用的十年展望(下)

14

作者 王正元 《电力电子》 2003年第2期3-5,44,共4页

电力电子及其应用已经走过了从诞生到成熟的艰难历程。但在人类的科技史上这仅仅是开始。让我们从时代前进的角度,对包括材料、元器件、整机和系统,从基础理论到可靠性的改善。

关键词 电力电子技术 电力半导体器件 工艺 应用

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开管镓扩散技术改善快速晶闸管通态特性 被引量：4

15

作者 裴素华 薛成山 赵善麒 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期268-271,共4页

对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和B－A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明，用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管，可明显改善器件... 对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和B－A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明，用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管，可明显改善器件的通态伏安特性。 展开更多

关键词 晶闸管 开管 镓扩散 快速晶闸管 通态特性

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一种新型的电火花加工电源 被引量：2

16

作者 杨彬 翁征明 +1 位作者 王正元 曹世杰 《电加工与模具》 2002年第3期30-31,共2页

利用高频开关电源技术和先进的功率MOSFET器件 ,设计了一种高效低耗的电火花加工脉冲电源。本文对这种新型电源的原理进行了探讨与分析 ,并给出样机实验的结果。

关键词 电火花加工 功率MOSFET 开头电源

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中国电子镇流器发展概述 被引量：2

17

作者 王正元 《照明工程学报》 1996年第2期1-7,共7页

随着中国政府对照明节能的日益重视和美国等国在“节能法”推动下，对廉价优质电子镇流器 的需求的日益高涨，作为照明电子重要组成部分之一的电子镇流器，在中国同样得到迅速的发展。 它经历了普通型、无源滤波型及有源滤波──绿色型... 随着中国政府对照明节能的日益重视和美国等国在“节能法”推动下，对廉价优质电子镇流器 的需求的日益高涨，作为照明电子重要组成部分之一的电子镇流器，在中国同样得到迅速的发展。 它经历了普通型、无源滤波型及有源滤波──绿色型发展的几个阶段，可以满足不同用户的不同档 次照明产品的需要。相信，即将颁布的中国节能法和照明电子产品质量规范，将会椎动中国电子镇 流器市场的迅速扩展。 展开更多

关键词 电子镇流器 制造 发展

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中心锥形槽状光敏门极的200A，1200V光控双向晶闸管的研制

18

作者 赵善麒 高鼎三 王正元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期488-495,共8页

本文具体描述了锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的设计思想，介绍了该新型结构器件的关键的生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究．研制成功的直径为３０ｍｍ，电流容量为２００Ａ，耐压为１２００Ｖ；的光控双向晶... 本文具体描述了锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的设计思想，介绍了该新型结构器件的关键的生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究．研制成功的直径为３０ｍｍ，电流容量为２００Ａ，耐压为１２００Ｖ；的光控双向晶闸管的最小光触发功率小于１３ｍｗ，通态峰值压降小于１．５Ｖ，换向ｄｖ／ｄｔ耐量大于１００Ｖ／μｓ，换向ｄｉ／ｄｔ耐量大于５０Ａ／μｓ． 展开更多

关键词 双向可控硅 光控可控硅 光敏门极

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中子嬗变掺杂硅(NTD-Si)的实用化是电力半导体器件发展的突破口之一

19

作者 王正元 《电力电子》 2003年第6期29-30,8,共3页

评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程,指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突... 评述了30年前第一批用中子嬗变掺杂硅单晶(即无条纹硅)制造高电压、大电流整流管和晶闸管的报道。由此介绍硅材料的中子嬗变掺杂技术原理、发展进程,指出NTD硅的实用化成为电力半导体器件向大电流(大直径)、高电压方向发展的一个重要突破口。 展开更多

关键词 中子嬗变掺杂硅 无条纹硅 电力半导体器件 高电压 大电流

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大功率双向晶闸管换向能力的研究 被引量：4

20

作者 赵春麒 郑景春 宋泽令 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1995年第1期53-56,共4页

在阐述双向晶闸管换向理论的基础上，推导出了器件换向电压临界上升率的数学表达式，提出了改善器件换向能力的主要措施，并指出门极短路结构和１２ＭｅＶ电子局部辐照工艺是提高大功率双向晶闸管换向能力的一种有效的结构和技术．

关键词 双向晶闸管 换向 电子辐照 晶闸管

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