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用于光电集成的InP基HBT新结构 被引量：6
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作者 崔海林 任晓敏 +3 位作者 黄辉 李轶群 王文娟 黄永清 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期263-266,共4页
对用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)进行了分析,提出了一种新的集电区外延结构,该结构是在单HBT(SHBT)的集电区与次集电区间加入特定厚度与掺杂浓度的p-InGaAs层和n-InP层,既适用于集成光探测器,又较好地解决了SHBT反... 对用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)进行了分析,提出了一种新的集电区外延结构,该结构是在单HBT(SHBT)的集电区与次集电区间加入特定厚度与掺杂浓度的p-InGaAs层和n-InP层,既适用于集成光探测器,又较好地解决了SHBT反向击穿电压低、传统双HBT(DHBT)电子堆积效应等问题,并具有外延层生长简单、集电区电子漂移速率高等优点。 展开更多
关键词 光电集成(OEIC) 异质结双极性晶体管(HBT) 复合集电区
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