集成电路洁净厂房大跨超重桁架结构吊装技术

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作者 孙楠 《中国建筑金属结构》 2025年第6期103-105,共3页

为研究集成电路洁净厂房大跨超重桁架结构吊装技术的关键问题,本文以某洁净厂房项目为例,通过分析其工程特点与施工难点,提出多点同步吊装技术及实时监测技术等解决方案,优化了施工路径与结构承载力设计。研究结果表明,多点同步吊装技... 为研究集成电路洁净厂房大跨超重桁架结构吊装技术的关键问题,本文以某洁净厂房项目为例,通过分析其工程特点与施工难点,提出多点同步吊装技术及实时监测技术等解决方案,优化了施工路径与结构承载力设计。研究结果表明,多点同步吊装技术能够有效提升桁架吊装的精准性与稳定性,结合实时监测系统保障了高空作业的安全性与施工质量。 展开更多

关键词 集成电路洁净厂房 大跨超重桁架 吊装技术 施工方法 精密吊装

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集成电路用高纯镍铂靶材的制备及发展趋势 被引量：2

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作者 韩思聪 徐国进 +3 位作者 罗俊锋 李勇军 何金江 郭继华 《功能材料与器件学报》 CAS 2022年第6期499-503,共5页

本文围绕半导体集成电路产业的需求,综合说明了高纯镍铂靶材制备过程中纯度、组织及透磁率、表面质量的控制要求、技术难点及发展趋势。针对65 nm以下制程使用的高纯镍铂靶材,纯度方面由4N5(99.995%)逐步提升至5N(99.999%)及以上;组织... 本文围绕半导体集成电路产业的需求,综合说明了高纯镍铂靶材制备过程中纯度、组织及透磁率、表面质量的控制要求、技术难点及发展趋势。针对65 nm以下制程使用的高纯镍铂靶材,纯度方面由4N5(99.995%)逐步提升至5N(99.999%)及以上;组织及透磁率方面向精确调控晶粒取向追求高透磁同时保证组织均匀的方向不断优化;表面质量方面向低粗糙度方向不断发展。 展开更多

关键词 高纯镍铂靶材 纯度 组织 透磁率 表面质量

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后摩尔时代集成电路制造发展趋势以及我国集成电路产业现状 被引量：16

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作者 康劲 吴汉明 汪涵 《微纳电子与智能制造》 2019年第1期57-64,共8页

集成电路是将电子元件依照电路互连",集成"在晶片上,实现特定功能的电路系统。在当代,集成电路已渗透到社会发展的各个领域,是信息产业高速发展的基础和动力。在经济结构调整中,集成电路产业的战略性、先导性地位凸显,有望从... 集成电路是将电子元件依照电路互连",集成"在晶片上,实现特定功能的电路系统。在当代,集成电路已渗透到社会发展的各个领域,是信息产业高速发展的基础和动力。在经济结构调整中,集成电路产业的战略性、先导性地位凸显,有望从根本上对制造业进行改造,在完成产业升级同时满足国家信息安全的需要。随着需求的不断提升,未来的集成电路需兼具低功耗、小尺寸、高性能等综合素质,传统工艺的改进已不足以满足这些要求。为此,集成电路制造业必须拓展相应制造技术以顺应新的发展趋势。我国集成电路产业近20年来取得了显著发展,总结了国内集成电路产业的发展历程及现状,并对未来发展进行了展望。 展开更多

关键词 摩尔定律 光学邻近效应修正 鳍式场效应晶体管 良率提升 集成电路产业链 晶圆代工 集成电路专用设备 集成电路材料

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纳米二氧化锰磨料对集成电路钨化学机械抛光的影响

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作者 赵悦琦 王胜利 +2 位作者 杨云点 罗翀 栾晓东 《电镀与涂饰》 2025年第4期53-62,共10页

[目的]采用传统磨料对集成电路钨(W)化学机械抛光(CMP)时往往难以兼顾高去除速率与良好的表面品质,故提出一种基于纳米二氧化锰(MnO_(2))磨料的酸性抛光液。[方法]通过实验与理论计算相结合,研究了MnO_(2)在钨CMP中的多重作用机制──... [目的]采用传统磨料对集成电路钨(W)化学机械抛光(CMP)时往往难以兼顾高去除速率与良好的表面品质,故提出一种基于纳米二氧化锰(MnO_(2))磨料的酸性抛光液。[方法]通过实验与理论计算相结合,研究了MnO_(2)在钨CMP中的多重作用机制──作为磨料、氧化剂及类芬顿反应催化剂。通过X射线光电子能谱(XPS)、电化学测试及热力学计算,验证了MnO_(2)与W之间发生氧化还原反应的可能性。此外,还通过密度泛函理论(DFT)和Fukui函数计算分析了MnO_(2)的反应活性位点及电子转移特性。[结果]抛光液中仅添加0.8%(质量分数)MnO_(2)就可使W的去除速率达到4753Å/min,与采用高浓度硅溶胶(SiO_(2))磨料时的去除速率相当,同时表面粗糙度(Sq=0.806 nm)比后者低27.7%。理论计算显示,MnO_(2)的LUMO(最低未占据分子轨道)能级(-6.057 eV)和电子转移分数(Δn=-3.97)赋予其优于H_(2)O_(2)和羟基自由基的氧化能力。[结论]MnO_(2)磨料在钨CMP中实现了化学作用与机械作用间的良好协同,这为高性能抛光液的开发提供了新思路。 展开更多

关键词 钨 化学机械抛光 二氧化锰 去除速率 表面品质

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面向异质集成的纳米修饰互连技术 被引量：2

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作者 方君鹏 王谦 +4 位作者 郑凯 周亦康 贾松良 王水弟 蔡坚 《微纳电子与智能制造》 2021年第1期89-97,共9页

异质集成在成本和可制造性等方面具有优势,是延续摩尔定律发展的重要技术路线,片间互连技术是异质集成的关键技术之一。首先介绍了片间互连的Cu-Cu键合技术及发展概况;接着重点介绍了一种面向异质集成的具有自主知识产权的纳米修饰互连... 异质集成在成本和可制造性等方面具有优势,是延续摩尔定律发展的重要技术路线,片间互连技术是异质集成的关键技术之一。首先介绍了片间互连的Cu-Cu键合技术及发展概况;接着重点介绍了一种面向异质集成的具有自主知识产权的纳米修饰互连技术,并介绍了该技术的研究进展,包括纳米颗粒表面形貌的表征和分析、纳米修饰互连技术的键合机理,以及纳米修饰键合技术在窄节距晶圆级图形化中的实现;最后展望了该技术在超窄节距无凸点片间互连技术中的应用前景。 展开更多

关键词 异质集成 片间互连 Cu-Cu键合 纳米修饰

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三维集成堆叠结构的晶圆级翘曲仿真及应用

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作者 谭琳 王谦 +2 位作者 郑凯 周亦康 蔡坚 《电子与封装》 2024年第4期1-7,共7页

随着先进电子封装产品对低成本和高性能的需求不断提高,三维集成技术以其传输速度快、功耗低、封装尺寸小、系统集成度高等优势,逐渐成为一个主流研发方向。三维集成封装通常采用晶圆级制造技术,由于半导体制造工艺及三维结构设计的复杂... 随着先进电子封装产品对低成本和高性能的需求不断提高,三维集成技术以其传输速度快、功耗低、封装尺寸小、系统集成度高等优势,逐渐成为一个主流研发方向。三维集成封装通常采用晶圆级制造技术,由于半导体制造工艺及三维结构设计的复杂性,加之晶圆尺寸增大、厚度减小等发展趋势,使得有效控制晶圆翘曲以保证产品良率和可靠性面临着更大挑战。针对12英寸晶圆的典型三维集成结构,采用有限元仿真分析方法,研究多层薄膜堆叠产生的晶圆翘曲。对临时键合、晶圆减薄、晶圆键合及解键合等不同晶圆制造工艺中的翘曲变化进行了模拟计算,并选取关键工艺及设计参数进行评估与优化。通过对比实际产品的测量结果验证了仿真模型的合理性,运用仿真方法为产品设计提供了参数选择的指导依据。 展开更多

关键词 电子封装 三维集成 晶圆级翘曲 堆叠结构 有限元仿真

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后摩尔时代集成电路产业技术的发展趋势 被引量：7

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作者 卜伟海 夏志良 +2 位作者 赵治国 刘芸 周亦康 《前瞻科技》 2022年第3期20-41,共22页

集成电路逻辑技术和存储技术在后摩尔时代已无法单纯依靠平面尺寸微缩来实现更新迭代,立体化(或三维化)已成为重要的发展方向。文章主要从逻辑、存储、三维集成3方面探讨了后摩尔时代产业界关注较多且与当前集成电路产业技术和生态兼容... 集成电路逻辑技术和存储技术在后摩尔时代已无法单纯依靠平面尺寸微缩来实现更新迭代,立体化(或三维化)已成为重要的发展方向。文章主要从逻辑、存储、三维集成3方面探讨了后摩尔时代产业界关注较多且与当前集成电路产业技术和生态兼容性较高的技术发展趋势,分析了各类技术的优点及挑战,并尝试给出中国研究发展的建议。逻辑技术以器件发展为主线,对从目前量产的主流鳍式场效应晶体管(FinFET)到即将进入量产的围栅纳米器件进行探讨,继而展望了堆叠叉片(Forksheet)晶体管和互补场效应晶体管(CFET)两种器件;存储技术以不同类型的存储器件为主线,覆盖了量产中及即将进入量产的6类存储器;三维集成讨论了三维堆叠、芯粒(Chiplet)、大芯片3种目前较受关注的技术。 展开更多

关键词 后摩尔时代 集成电路 先进逻辑 先进存储 三维集成

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二乙烯三胺对硅片化学机械抛光速率的影响

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作者 杨啸 王辰伟 +4 位作者 王雪洁 王海英 张新颖 杨云点 盛媛慧 《润滑与密封》 北大核心 2025年第1期138-143,共6页

为提高硅衬底化学机械抛光(CMP)的去除速率,在硅衬底抛光液中添加哌嗪(PZ)、二乙烯三胺(DETA)、三乙烯四胺(TETA)、乙醇胺(MEA)4种胺类化合物,对比其对硅片抛光速率促进效果。结果表明,4种胺类化合物对硅片抛光速率的促进作用由高到低... 为提高硅衬底化学机械抛光(CMP)的去除速率,在硅衬底抛光液中添加哌嗪(PZ)、二乙烯三胺(DETA)、三乙烯四胺(TETA)、乙醇胺(MEA)4种胺类化合物,对比其对硅片抛光速率促进效果。结果表明,4种胺类化合物对硅片抛光速率的促进作用由高到低依次为DETA、TETA、MEA、PZ;当抛光液pH值为10.5,DETA质量分数为0.25%时,硅片的抛光速率高达1 036 nm/min。为揭示DETA促进硅片CMP速率的机制,对添加DETA的抛光液进行接触角、Zeta电位测试及光电子能谱(XPS)分析。结果发现,DETA一方面促进了硅片表面水解形成Si-OH基团,另一方面降低了抛光液中硅溶胶磨料与硅片表面的静电斥力,增强了机械摩擦作用;DETA氨基上的氮原子与硅片表面的硅原子形成N-Si键,N-Si键的形成导致硅片表面Si-Si键极化,极化的Si-Si键更容易被抛光液中的溶解氧氧化,最后氧化物在摩擦力的作用下被脱离硅片表面。 展开更多

关键词 化学机械抛光 抛光液 二乙烯三胺 硅衬底 抛光速率

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制备皱纹状介孔C-m SiO_(2)/CeO_(2)复合磨料及其SiO_(2)CMP的应用

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作者 王东伟 王胜利 +4 位作者 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第2期231-236,共6页

为了提高集成电路层间介质化学机械抛光(CMP)的去除速率并改善表面质量,先采用微乳液法制备皱纹状介孔SiO_(2),之后用化学沉积法包覆CeO_(2),成功制得皱纹状C-mSiO_(2)/CeO_(2)芯/壳复合磨料,并以此配置抛光液,对SiO_(2)层间介质进行CM... 为了提高集成电路层间介质化学机械抛光(CMP)的去除速率并改善表面质量,先采用微乳液法制备皱纹状介孔SiO_(2),之后用化学沉积法包覆CeO_(2),成功制得皱纹状C-mSiO_(2)/CeO_(2)芯/壳复合磨料,并以此配置抛光液,对SiO_(2)层间介质进行CMP实验。采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对C-mSiO_(2)/CeO_(2)芯/壳复合磨料的结构、形貌进行表征,证明其具有完整包覆的壳核结构。利用粒径分析仪测量其平均粒径为241.4nm,Zeta电位为-29.93mV。CMP实验表明,采用质量分数1%、粒径约200nm的C-mSiO_(2)/CeO_(2)复合磨料对氧化硅镀膜片进行抛光,其去除速率达到112.1nm/min,比同样条件下CeO_(2)磨料的CMP速率提高128%。通过AFM表征可知,抛光后的氧化硅镀膜片表面粗糙度约为0.0514nm。因此,相较于传统CeO_(2)磨料,皱纹状C-mSiO_(2)/CeO_(2)芯/壳复合磨料在SiO_(2)层间介质的CMP过程中,表现出优越的CMP效果。 展开更多

关键词 化学机械抛光(CMP) 皱纹状 介孔SiO_(2) 复合材料 去除速率

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嘧啶提高多晶硅CMP去除速率的机理研究

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作者 张潇 周建伟 +4 位作者 杨云点 罗翀 栾晓东 邵祥清 李瑾 《电子元件与材料》 北大核心 2025年第1期103-109,共7页

为了提高多晶硅去除速率,从化学作用和机械作用两个方面揭示嘧啶在多晶硅表面的影响机理。一方面,X射线光电子能谱实验表明嘧啶的加入在多晶硅表面产生吸附,促进了Si-Si键的极化断裂以及Si-O键的形成,加速了多晶硅表面软质层的形成以及... 为了提高多晶硅去除速率,从化学作用和机械作用两个方面揭示嘧啶在多晶硅表面的影响机理。一方面,X射线光电子能谱实验表明嘧啶的加入在多晶硅表面产生吸附,促进了Si-Si键的极化断裂以及Si-O键的形成,加速了多晶硅表面软质层的形成以及机械作用对其的去除。另一方面,Zeta电位、摩擦力、温度数据表明嘧啶水解产生的嘧啶阳离子降低了SiO2磨料之间的静电斥力,导致表面间的摩擦力增大,加强了机械作用;同时温度升高加快了CMP过程中化学反应的速率,从而促进了化学反应的进行。因此,嘧啶的加入既提高了化学作用,也加强了机械作用,使多晶硅去除速率提高了约2.8倍。 展开更多

关键词 化学机械抛光(CMP) 多晶硅 嘧啶 去除速率

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哌嗪对硅衬底CMP速率影响的机理

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作者 刘文博 罗翀 +4 位作者 王辰伟 岳泽昊 栾晓东 邵祥清 李瑾 《微纳电子技术》 2025年第2期165-174,共10页

为了在硅衬底化学机械抛光(CMP)过程中提高对硅片的去除速率,利用实验与密度泛函理论(DFT)计算相结合的方式研究了绿色环保添加剂哌嗪对硅片表面的作用机理。Zeta电位测试结果表明哌嗪的加入使磨料与抛光硅片表面的Zeta电位降低,二者间... 为了在硅衬底化学机械抛光(CMP)过程中提高对硅片的去除速率,利用实验与密度泛函理论(DFT)计算相结合的方式研究了绿色环保添加剂哌嗪对硅片表面的作用机理。Zeta电位测试结果表明哌嗪的加入使磨料与抛光硅片表面的Zeta电位降低,二者间静电排斥力减小,吸附程度增加,增大了机械作用。接触角测试结果发现哌嗪的加入使抛光液在硅片表面的接触角更小,具有良好的润湿性能。抛光液可以更好地与晶圆表面接触,使去除速率加快。同时通过摩擦系数测试进一步证明了哌嗪提高了抛光过程中的摩擦力,从而提升了抛光速率。X射线光电子能谱(XPS)分析显示,哌嗪与硅片表面发生了化学反应,生成了新的Si—N键,对临近的Si—Si键产生极化,使其在磨料作用下更容易被去除。采用DFT的量子化学计算和分子动力学模拟更深入地表明了哌嗪和硅在分子水平上产生了化学吸附。结果显示,当磨料质量分数为0.5%、哌嗪质量分数为0.5%时,去除速率可达580 nm/min。此外,哌嗪作为一种相对绿色环保的添加剂,更适合实际生产应用。 展开更多

关键词 化学机械抛光(CMP) 硅衬底 哌嗪 去除速率 密度泛函理论(DFT)计算

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晶圆级多层堆叠技术 被引量：3

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作者 郑凯 周亦康 +3 位作者 宋昌明 蔡坚 高颖 张昕 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第3期178-187,共10页

随着5G和人工智能等新型基础设施建设的不断推进,单纯通过缩小工艺尺寸、增加单芯片面积等方式带来的系统功能和性能提升已难以适应未来发展的需求。晶圆级多层堆叠技术作为能够突破单层芯片限制的先进集成技术成为实现系统性能、带宽... 随着5G和人工智能等新型基础设施建设的不断推进,单纯通过缩小工艺尺寸、增加单芯片面积等方式带来的系统功能和性能提升已难以适应未来发展的需求。晶圆级多层堆叠技术作为能够突破单层芯片限制的先进集成技术成为实现系统性能、带宽和功耗等方面指标提升的重要备选方案之一。对目前已有的晶圆级多层堆叠技术及其封装过程进行了详细介绍;并对封装过程中的两项关键工艺,硅通孔工艺和晶圆键合与解键合工艺进行了分析;结合实际封装工艺对晶圆级多层堆叠过程中的可靠性管理进行了论述。在集成电路由二维展开至三维的发展过程中,晶圆级多层堆叠技术将起到至关重要的作用。 展开更多

关键词 晶圆级多层堆叠 2.5D和3D封装 硅通孔(TSV) 晶圆键合与解键合 可靠性管理

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3nm以下技术代FinFET及围栅器件的发展与挑战 被引量：5

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作者 武咏琴 卜伟海 +3 位作者 康劲 郑凯 任烨 汪涵 《微纳电子与智能制造》 2021年第1期14-26,共13页

集成电路技术发展的数10年里,互补金属氧化物半导体(CMOS)按照摩尔定律微缩,从平面CMOS器件发展到鳍式场效晶体管(FinFET)器件。在FinFET发展的10年时间里,依靠新材料和新结构的发展,摩尔定律仍然持续向前发展,从22 nm技术代发展到当前... 集成电路技术发展的数10年里,互补金属氧化物半导体(CMOS)按照摩尔定律微缩,从平面CMOS器件发展到鳍式场效晶体管(FinFET)器件。在FinFET发展的10年时间里,依靠新材料和新结构的发展,摩尔定律仍然持续向前发展,从22 nm技术代发展到当前的5 nm技术代,未来将在2022年量产3 nm技术代。但是,在3 nm以下,FinFET发展将面临物理极限与工艺难度挑战,将无法持续微缩,导致新的器件结构围栅(gate-all-around,GAA,也称环栅)出现,将成为量产技术的主流。总结了CMOS的发展历程,分析了FinFET无法继续微缩的物理、工艺限制,并系统总结了围栅纳米片(GAA NS(NanoSheet))器件在3 nm以下实际量产应用中所面临的挑战。 展开更多

关键词 互补金属氧化物半导体 鳍式场效晶体管 围栅纳米片和纳米线 新材料 新工艺

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集成电路洁净厂房施工质量管控

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作者 孙楠 《葡萄酒》 2023年第19期0085-0087,共3页

本论文分析了集成电路洁净厂房的施工特点,包括洁净度要求、尘埃控制技术、精度要求、 结构精度对洁净度的影响、精度控制方法、施工环境要求以及质量管控策略。文章详细阐述了洁净等级 划分、尘埃控制技术与措施、温度湿度控制以及防... 本论文分析了集成电路洁净厂房的施工特点,包括洁净度要求、尘埃控制技术、精度要求、 结构精度对洁净度的影响、精度控制方法、施工环境要求以及质量管控策略。文章详细阐述了洁净等级 划分、尘埃控制技术与措施、温度湿度控制以及防静电防腐蚀措施。此外,还探讨了施工前的准备、施 工过程控制、施工后验收与维护等阶段,以及质量保证体系和施工质量风险管理的重要性。 展开更多

关键词 集成电路 洁净厂房 施工质量管控

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单烷基磷酸酯钾盐抑制剂对Co互连化学机械抛光的影响

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作者 田雨暄 王胜利 +5 位作者 罗翀 王辰伟 张国林 孙纪元 冯鹏 盛媛慧 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2024年第10期84-91,共8页

针对抛光液中传统抑制剂如苯丙三氮唑(BTA)等具有毒性,会污染环境等问题,以SiO2为磨料,在甘氨酸-双氧水体系下,使用单烷基磷酸酯钾盐(MAPK)作为新型抑制剂制备Co互连粗抛抛光液,通过抛光和静态腐蚀实验和电化学、光电子能谱、接触角分... 针对抛光液中传统抑制剂如苯丙三氮唑(BTA)等具有毒性,会污染环境等问题,以SiO2为磨料,在甘氨酸-双氧水体系下,使用单烷基磷酸酯钾盐(MAPK)作为新型抑制剂制备Co互连粗抛抛光液,通过抛光和静态腐蚀实验和电化学、光电子能谱、接触角分析等表征方式揭示MAPK在化学机械抛光(CMP)中对Co表面质量的改善以及对Co的抑制机制。结果表明:MAPK通过物理吸附和化学吸附方式在Co表面形成的致密钝化膜,可以很好地抑制Co的腐蚀,从而可以在较低的静态腐蚀速率下获取较高的去除速率;加入MAPK可以提高抛光液的润湿性,能够显著改善Co互连抛光后的表面质量,使Co的去除速率大于500 nm/min,静态腐蚀速率小于1 nm/min,表面粗糙度小于0.5 nm。 展开更多

关键词 钴 化学机械抛光 抑制剂 去除速率 表面质量

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复合磨料的制备及其对层间介质CMP性能的影响 被引量：1

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作者 陈志博 王辰伟 +4 位作者 罗翀 杨啸 孙纪元 王雪洁 杨云点 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期323-329,共7页

以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(... 以SiO_(2)为内核、CeO_(2)为外壳制备出了核壳结构复合磨料,用以提升集成电路层间介质的去除速率及表面一致性。采用扫描电子显微镜(SEM)观察复合磨料的表面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)、傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)和X射线光电子能谱仪(XPS)分析复合磨料的表面物相结构及化学键组成。研究结果表明,所制备的复合磨料呈现出“荔枝”形,平均粒径为70~90 nm,CeO_(2)粒子主要以Si—O—Ce键与SiO_(2)内核结合。将所制备的复合磨料配置成抛光液进行层间介质化学机械抛光(CMP)实验。实验结果表明,Zeta电位随着pH值的降低而升高,当pH值约为6.8时达到复合磨料的等电点。当pH值为3时,层间介质去除速率达到最大,为481.6 nm/min。此外,研究发现去除速率还与摩擦力和温度有关,CMP后的SiO_(2)晶圆均方根表面粗糙度为0.287 nm。 展开更多

关键词 复合磨料 核壳结构 层间介质 化学机械抛光(CMP) 去除速率

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E1310P和FMEE复配对铜膜CMP性能的影响 被引量：1

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作者 孙纪元 周建伟 +4 位作者 罗翀 田雨暄 李丁杰 杨云点 盛媛慧 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期187-195,共9页

针对化学机械抛光(CMP)中传统唑类缓蚀剂毒性强、成本高,在表面形成坚硬钝化膜难以去除等问题,在甘氨酸-双氧水体系下,使用阴离子表面活性剂聚氧乙烯醚磷酸酯(E1310P)和非离子表面活性剂脂肪酸甲酯乙氧基化物(FMEE)复配替代传统唑类缓... 针对化学机械抛光(CMP)中传统唑类缓蚀剂毒性强、成本高,在表面形成坚硬钝化膜难以去除等问题,在甘氨酸-双氧水体系下,使用阴离子表面活性剂聚氧乙烯醚磷酸酯(E1310P)和非离子表面活性剂脂肪酸甲酯乙氧基化物(FMEE)复配替代传统唑类缓蚀剂。通过去除速率、表面粗糙度和表面形貌等的实验结果研究了E1310P和FMEE协同作用对CMP过程中表面质量的影响。通过表面张力、电化学性能、X射线光电子能谱(XPS)和密度泛函理论(DFT)揭示了E1310P和FMEE的协同吸附行为及其机理。结果表明,E1310P可以吸附在Cu的表面,降低Cu的去除速率;FMEE的加入能有效屏蔽E1310P离子头基间的电性排斥作用,使更多的E1310P吸附在Cu的表面,在协同作用下形成了更致密的抑制膜,使得CMP抛光性能得以提升。 展开更多

关键词 化学机械抛光(CMP) 去除速率 协同吸附 表面质量 密度泛函理论(DFT)

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企业科技项目人力费管理注意事项及方法 被引量：1

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作者 聂雅坤 魏博文 《现代企业》 2024年第6期23-25,共3页

随着2021年国务院推进科研经费改革使得人力费管理成为热点话题。近期上海市政府办公厅近日印发《关于本市进一步放权松绑激发科技创新活力的若干意见》,以关键点的突破引领科技体制改革向纵深推进。在人力费改革中,项目聘用人员由单位... 随着2021年国务院推进科研经费改革使得人力费管理成为热点话题。近期上海市政府办公厅近日印发《关于本市进一步放权松绑激发科技创新活力的若干意见》,以关键点的突破引领科技体制改革向纵深推进。在人力费改革中,项目聘用人员由单位缴纳的社会保险补助、住房公积金等,允许纳入劳务费科目列支。 展开更多

关键词 住房公积金 科技体制改革 创新活力 社会保险 聘用人员 科研经费 劳务费 上海市政府

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低浓度CeO_(2)/SiO_(2)复合磨料对硅片CMP性能的影响

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作者 刘文博 王辰伟 +4 位作者 罗翀 岳泽昊 王雪洁 邵祥清 李瑾 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第10期1227-1234,共8页

为了在硅衬底化学机械平坦化(CMP)过程中提高对硅衬底的去除速率,同时获得良好的表面质量,选用了CeO_(2)包覆SiO_(2)的壳核结构复合磨料,研究其在低浓度下对硅衬底去除速率和表面质量的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、光电子能谱(XPS)... 为了在硅衬底化学机械平坦化(CMP)过程中提高对硅衬底的去除速率,同时获得良好的表面质量,选用了CeO_(2)包覆SiO_(2)的壳核结构复合磨料,研究其在低浓度下对硅衬底去除速率和表面质量的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、光电子能谱(XPS)对CeO_(2)/SiO_(2)复合磨料样品的结构、形貌进行了表征,表明其具有完整包覆的壳核结构。BET比表面积和摩擦系数测试显示,在相似粒径下CeO_(2)/SiO_(2)复合磨料比SiO_(2)磨料拥有更大的比表面积和摩擦系数,从而提高了对硅片的化学反应和机械磨削作用。实验表明,当采用质量分数0.5%的CeO_(2)/SiO_(2)复合磨料(粒径75nm)对硅衬底抛光后,其去除速率可达到530nm/min,硅衬底表面粗糙度为0.361nm。因此,相对于传统SiO_(2)磨料,采用CeO_(2)/SiO_(2)复合磨料抛光可以在低浓度条件下同时具备高去除速率和良好的表面质量。 展开更多

关键词 化学机械抛光(CMP) CeO_(2)/SiO_(2)复合磨料 硅 去除速率 表面质量

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聚二烯丙基二甲基氯化铵对钨和SiO_(2)去除速率选择性的影响

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作者 李丁杰 周建伟 +4 位作者 罗翀 王辰伟 孙纪元 杨云点 冯鹏 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2024年第11期102-108,共7页

为了提高钨(W)和SiO_(2)在化学机械抛光(CMP)过程中的去除速率选择比,提出将绿色环保的聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)作为SiO_(2)去除速率的抑制剂;以普通硅溶胶为磨料,研究酸性抛光液中不同PDADMAC添加量对W和SiO_(2)去除速率以及... 为了提高钨(W)和SiO_(2)在化学机械抛光(CMP)过程中的去除速率选择比,提出将绿色环保的聚二烯丙基二甲基氯化铵(PDADMAC)作为SiO_(2)去除速率的抑制剂;以普通硅溶胶为磨料,研究酸性抛光液中不同PDADMAC添加量对W和SiO_(2)去除速率以及表面粗糙度的影响,并探究PDADMAC在CMP过程中对W和SiO_(2)的不同作用机制。结果表明:随着PDADMAC添加量的增加,W的去除速率小幅度下降,SiO_(2)的去除速率大幅度下降,从而提高了W和SiO_(2)之间的去除速率选择比;PDADMAC会在W表面发生静电吸引作用和在SiO_(2)表面发生吸附作用,这些作用会明显增加W和SiO_(2)的去除速率选择比和改善W和SiO_(2)镀膜片的表面质量;以PDADMAC为抑制剂,使用普通硅溶胶为磨料即可实现较高的W去除速率和较高的W和SiO_(2)去除速率选择比。 展开更多

关键词 化学机械抛光 去除速率选择性 表面粗糙度 聚二烯丙基二甲基氯化铵

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